專利名稱：Ic芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以高生產(chǎn)率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片的IC芯片制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC芯片)通常是通過如下所述的過程制造的，即在對棒狀的高純度半導(dǎo)體單晶體進(jìn)行切片成為晶片之后，利用光致抗蝕劑在晶片表面形成規(guī)定的電路圖案，接著，利用磨削機(jī)磨削晶片背面，晶片的厚度可薄達(dá)100～600μm左右，最后切割成小片(dicing)而芯片化。
在這樣的IC芯片的制造方法中，特別是在晶片的磨削時或切割成小片時容易損壞晶片，所以在進(jìn)行上述磨削時，借助雙面粘合帶在晶片表面貼附支撐板；另外在切割成小片時，在晶片背面?zhèn)荣N附切割膠帶。由此防止晶片的損壞。但是，如此貼附雙面粘合帶或切割膠帶再剝離的工序比較繁雜，在IC芯片的生產(chǎn)率方面成問題。
近年來，隨著IC芯片的用途變得廣泛，還要求可以用于IC卡類或者層疊使用的厚50μm左右的薄IC芯片。但是，這樣薄的半導(dǎo)體晶片與以往的厚100～600μm左右的晶片相比，翹曲大，受沖擊時容易出現(xiàn)裂縫，所以可操作性差，如果用與以往的厚度的半導(dǎo)體晶片相同的方法進(jìn)行加工，有時會破損。因此，提高從厚度為50μm左右的薄半導(dǎo)體晶片制造IC芯片的過程中的晶片的可操作性成為重要的課題。
與此相對，專利文獻(xiàn)1中公開有借助具有粘合劑層的雙面粘合帶，將晶片固定于支撐板上，在該狀態(tài)下進(jìn)行晶片的磨削等工序的IC芯片的制造方法，所述的粘合劑層在一面或雙面含有因刺激而產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑和因刺激引起交聯(lián)的交聯(lián)成分。通過固定于支撐板上，即使將晶片磨削到厚50μm左右的薄度，晶片也不會破損。進(jìn)而，在該IC芯片的制造方法中，在向雙面粘合帶給予使交聯(lián)成分發(fā)生交聯(lián)的刺激之后，通過給予使氣體產(chǎn)生的刺激，可以容易地且無破損地從晶片剝離雙面粘合帶。這是因為，通過使交聯(lián)成分交聯(lián)，在彈性模量上升的粘合劑層中，從氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生氣體，產(chǎn)生的氣體從粘合劑層釋放出來，使晶片與雙面粘合帶的粘接面的至少一部分剝離，從而使粘接力降低。
利用專利文獻(xiàn)1所公開的方法，可以有效地制造厚50μm左右的薄IC芯片。
但是，近年來，又開始要求厚度為50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片。為了利用專利文獻(xiàn)1所公開的方法制造這樣的極薄IC芯片，必須能夠在不使被磨削至25～30μm左右的晶片損壞的情況下從雙面粘合帶將其剝離并回收。但是，在25～30μm左右的極薄晶片中，很難在單純粘接力降低的程度下剝離晶片時不損壞晶片，如果僅給予刺激，則晶片完全地從雙面粘合帶剝離，剝離下來的晶片如果不能正巧成為浮起到雙面粘合帶上那樣的狀態(tài)(以下也稱為自身剝離)，則不會在剝離時不發(fā)生嚴(yán)重的損壞。這樣的自身剝離盡管能根據(jù)條件確認(rèn)是充分剝離，但現(xiàn)實中用于經(jīng)常確實可靠地產(chǎn)生自身剝離的條件是不明確的，提高厚度為250μm左右的IC芯片的生產(chǎn)率正在成為課題。
專利文獻(xiàn)1特開2003-231872號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于上述現(xiàn)狀而提出的發(fā)明，其目的在于，提供一種能夠以高生產(chǎn)率制造厚度為50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片的IC芯片制造方法。
本發(fā)明提供一種IC芯片的制造方法，該IC芯片制造方法至少具有使至少在一個面的粘合層中含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的雙面粘合帶的含有所述氣體產(chǎn)生劑的面、與晶片貼合，將所述晶片固定于支撐板上的工序1；在借助所述雙面粘合帶將所述晶片固定于所述支撐板上的狀態(tài)下磨削所述晶片的工序2；向所述雙面粘合帶照射光的工序3；以及從所述晶片剝離所述雙面粘合帶的工序4；在工序3中，從所述雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm2·分鐘以上。
以下對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
本發(fā)明人等進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在借助具有含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層的雙面粘合帶，將晶片固定于支撐板的情況下，為了使剝離晶片時經(jīng)常確實可靠地發(fā)生自身剝離，從雙面粘合帶中釋放氣體的速度極為重要。更進(jìn)一步進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過控制氣體產(chǎn)生劑的種類或含量、剝離時的粘合劑層的凝膠分?jǐn)?shù)或彈性模量、剝離時的紫外線照射量等各條件，可以控制從雙面粘合帶中釋放氣體的速度，通過結(jié)合這些各條件來實現(xiàn)一定的氣體釋放速度，可以經(jīng)常確實確實可靠地產(chǎn)生自身剝離，可以以高生產(chǎn)率制造厚度為50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片，以至完成了本發(fā)明。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法具有使至少在一個面的粘合層中含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的雙面粘合帶的含有所述氣體產(chǎn)生劑的面、與晶片貼合，將晶片固定于支撐板上的工序(1)。
通過固定在上述支撐板上，可以提高晶片的可操作性，即便是厚度為50μm以下的極薄晶片的晶片，也可以防止晶片的損壞等，能良好地進(jìn)行IC芯片的加工。
此時的晶片是對單晶硅或砷化鎵單晶體等進(jìn)行切片成為半導(dǎo)體晶片，在晶片的表面形成規(guī)定的電路圖案的晶片，是厚度為500μm～1mm左右的晶片。在將該晶片固定于支撐板上時，使晶片的形成有電路的面與雙面粘合帶貼合。
作為上述支撐板，沒有特別限定，為了使光透過或通過而優(yōu)選為透明的支撐板。作為這種支撐板，例如可以舉出丙烯酸、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龍、聚氨酯、聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的板狀體等。
上述支撐板的厚度的優(yōu)選下限為500μm，優(yōu)選的上限為3mm，更優(yōu)選的下限為1mm，更優(yōu)選的上限為2mm。另外，上述支撐板的厚度偏差優(yōu)選為1％以下。
上述雙面粘合帶在至少一面的粘合層中含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑。通過含有這樣的氣體產(chǎn)生劑，當(dāng)向上述雙面粘合帶照射光時，從氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生氣體，可以通過剝離粘接面而實現(xiàn)自身剝離。
上述粘合帶可以為在基材的兩面上形成了粘合劑層的支持帶(supporttape)，也可以為沒有基材的非支持帶。
作為上述基材，沒有特別限定，優(yōu)選為透過或通過光的基材，例如可以舉出由丙烯酸、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龍、聚氨酯、聚酰亞胺等透明樹脂構(gòu)成的薄片，具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄片、開孔的薄片等。
作為用于使上述氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生氣體的光，例如可以舉出紫外線或可見光線等。含有上述氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層，優(yōu)選為光可以透過或通過的粘合劑層。
作為上述在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑，沒有特別限定，例如可以舉出偶氮化合物、疊氮化物、亞硝基化合物、肼衍生物、碳酸氫鹽等。
作為上述偶氮化合物，例如可以舉出2，2’-偶氮雙(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[1，1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1羥基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]焦硫酸鹽二水合物、2，2’-偶氮雙[2-(3，4，5，6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮雙{2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉2-基]丙烷}二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉2-基)丙烷]、2，2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)氫氯化物、2，2’-偶氮雙(2-氨基丙烷)二氫氯化物、2，2’-偶氮雙[N-(2-羧基?；?-2-甲基-丙脒]、2，2’-偶氮雙{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮雙(2-甲基丙偕胺肟)、二甲基2，2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、二甲基2，2’-偶氮二異丁酸酯、4，4’-偶氮雙(4-氰基甲酸)、4，4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮雙(2，4，4-三甲基戊烷)等。
這些偶氮化合物主要通過照射波長350～450nm的光產(chǎn)生氮氣。
上述偶氮化合物優(yōu)選10小時半衰期溫度為80℃以上。如果10小時半衰期溫度不到80℃，則通過鑄造在基材上形成粘合劑層并干燥時會產(chǎn)生氣泡，或者會隨著時間的推移發(fā)生分解反應(yīng)，從而有分解殘渣滲出，或者隨著時間的推移產(chǎn)生氣體，從而在與貼合的被粘物之間的界面產(chǎn)生浮起。只要10小時半衰期溫度為80℃以上，耐熱性就會出色，所以在高溫下使用和穩(wěn)定的儲存成為可能。
作為10小時半衰期溫度為80℃以上的偶氮化合物，可以舉出用下述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物等。用下述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物，除了耐熱性出色之外，在后述的丙烯酸烷基酯聚合物等具有粘合性的聚合物中的溶解性也出色，所以可以在粘合劑層中不以粒子形態(tài)存在。
在式(1)中，R1和R2分別表示低級烷基，R3表示碳原子數(shù)為2以上的飽和烷基。此外，R1和R2可以相同或不同。
作為用上述通式(1)表示的偶氮酰胺化合物，例如可以舉出2，2’-偶氮雙(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2，-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’一偶氮雙{2-甲基-N-[1，1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1-羥基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]等。其中，2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)和2，2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]，由于在溶劑中的溶解性特別出色，所以優(yōu)選使用。
作為上述疊氮化物，沒有特別限定，例如可以舉出3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷、對苯二疊氮、對-tert-丁基苯酰迭氮；通過對3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷進(jìn)行開環(huán)聚合而得到的縮水甘油基疊氮聚合物等具有疊氮基的聚合物等。這些疊氮化物主要通過照射波長350～450nm的光產(chǎn)生氮氣。
作為上述亞硝基化合物，例如可以舉出N，N’-二亞硝基五亞甲基四胺(DPT)等。這些亞硝基化合物通過照射光而產(chǎn)生氮氣等。
作為上述肼衍生物，沒有特別限定，例如可以舉出4，4’-氧雙(苯磺?；ｋ?OBSH)、亞肼基二甲酰胺(HDCA)等。這些肼衍生物通過照射光而產(chǎn)生氮氣或氨氣。
作為上述碳酸氫鹽沒有特別限定，例如可以舉出碳酸氫鈉等。這些碳酸氫鹽通過照射光而產(chǎn)生二氧化碳?xì)獾取?br> 在這些氣體產(chǎn)生劑中，問題是上述疊氮化物給予沖擊就容易分解而釋放出氮氣，所以操作困難。進(jìn)而，由于上述疊氮化物一旦開始分解則會發(fā)生連鎖反應(yīng)，爆發(fā)式釋放出氮氣，不能控制該釋放，所以存在爆發(fā)式產(chǎn)生的氮氣導(dǎo)致被粘物損壞的問題?？紤]到這樣的問題，應(yīng)限定上述疊氮化物的使用量，但被限定的使用量會不能得到充分的效果。
另一方面，上述偶氮化合物與疊氮化物不同，受到?jīng)_擊時不會產(chǎn)生氣體，所以極容易操作。另外，也不會發(fā)生連鎖反應(yīng)而爆發(fā)式產(chǎn)生氣體，所以不會損壞被粘物，在中斷紫外線的照射時，也可以中斷氣體的產(chǎn)生，所以根據(jù)用途控制粘合性成為可能。因而，作為上述氣體產(chǎn)生劑，更優(yōu)選使用偶氮化合物。
上述氣體產(chǎn)生劑優(yōu)選溶解于上述粘合劑層中。通過使上述氣體產(chǎn)生劑溶解于粘合劑層中，可以有效地將照射光時從氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生的氣體釋放到粘合劑層之外。如果氣體產(chǎn)生劑以粒子形態(tài)存在于上述粘合劑層中，則局部產(chǎn)生的氣體會使粘合劑層發(fā)泡，從而氣體會難以釋放到粘合劑層外。進(jìn)而，在作為使氣體產(chǎn)生的刺激而照射光時，在粒子的界面光發(fā)生散射，氣體產(chǎn)生效率降低，或者粘合劑層的表面平滑性變差。此外，利用電子顯微鏡觀察粘合劑層時，看不到氣體產(chǎn)生劑的粒子，由此來確認(rèn)上述氣體產(chǎn)生劑已溶解于粘合劑層中。
為了使上述氣體產(chǎn)生劑溶解于粘合劑層中，可以選擇溶解于構(gòu)成上述粘合劑層的粘合劑的氣體產(chǎn)生劑。此外，當(dāng)選擇不溶解于粘合劑的氣體產(chǎn)生劑時，例如優(yōu)選通過使用分散機(jī)或并用分散劑，來盡可能地使氣體產(chǎn)生劑微分散于粘合劑層中。為了使氣體產(chǎn)生劑微分散于粘合劑層中，氣體產(chǎn)生劑優(yōu)選為微小的粒子，進(jìn)而這些微粒例如優(yōu)選使用分散機(jī)或混煉裝置等，根據(jù)需要使其成為更細(xì)小的微粒。即，更優(yōu)選使其分散為利用電子顯微鏡觀察上述粘合劑層時也不能確認(rèn)氣體產(chǎn)生劑的狀態(tài)。
在后述的工序3中，為了使從上述雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm2·分以上，上述氣體產(chǎn)生劑的選擇和粘合劑層中的氣體產(chǎn)生劑的含量極為重要。作為氣體產(chǎn)生劑的含量，根據(jù)氣體產(chǎn)生劑的種類適當(dāng)選擇即可，例如在使用偶氮化合物作為氣體產(chǎn)生劑的情況下，優(yōu)選相對于粘合劑100重量份為5～50重量份。在不到5重量份時，則不能得到充分的氣體釋放速度，會不能實現(xiàn)自身剝離，如果超過50重量份，則溶解性惡化，發(fā)生漏出(bleed)等不良情況。更優(yōu)選為15～30重量份。
構(gòu)成含有上述氣體產(chǎn)生劑的面的粘合劑，優(yōu)選為在刺激作用下粘接力降低的刺激固化型粘合劑。
經(jīng)這樣的刺激而粘接力降低的刺激固化型粘合劑，在光的照射或加熱等刺激下，整個粘合劑層會均一且快速地聚合交聯(lián)而一體化，所以聚合固化引起的彈性模量的上升變得顯著，粘接力大大降低。進(jìn)而，如果在硬的固化物中從氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生氣體，產(chǎn)生的氣體的大半部分被釋放到外部，可以提高從上述雙面粘合帶中釋放氣體的速度，實現(xiàn)自身剝離。
使刺激固化型粘合劑的粘接力降低的刺激，可以為光照射，也可以為熱、超聲波等其它刺激。
作為這樣的刺激固化型粘合劑，例如可以舉出由下述粘合劑構(gòu)成的物質(zhì)，即，以在分子內(nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能單體為主要成分，且根據(jù)需要含有光聚合引發(fā)劑的光固化型粘合劑；或以在分子內(nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能單體為主要成分，且含有熱聚合引發(fā)劑的熱固化型粘合劑等。
就上述聚合性聚合物而言，例如可以通過預(yù)先合成分子內(nèi)具有官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下稱為含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物)，使其與分子內(nèi)具有與上述官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)和自由基聚合性的不飽和鍵的化合物(以下稱為含官能團(tuán)不飽和化合物)發(fā)生反應(yīng)，從而得到。
上述含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物，作為常溫下具有粘合性的聚合物，與通常的(甲基)丙烯酸系聚合物的情況相同，可以利用常規(guī)方法，以烷基的碳原子數(shù)在2～18的范圍內(nèi)的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯為主要單體，使其和含官能團(tuán)單體、進(jìn)而根據(jù)需要使得和可以與它們共聚的其它改性用單體發(fā)生共聚，從而得到。上述含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常為20萬～200萬左右。
作為上述含官能團(tuán)單體，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基單體；丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥乙酯等含羥基單體；丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含環(huán)氧基單體；丙烯酸異氰酸乙酯、甲基丙烯酸異氰酸乙酯等含異氰酸酯基單體；丙烯酸氨乙酯、甲基丙烯酸氨乙酯等含氨基單體等。
作為上述可以共聚合的其它改性用單體，例如可以舉出醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常被用于(甲基)丙烯酸系聚合物的各種單體。
作為與上述含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物發(fā)生反應(yīng)的含官能團(tuán)不飽和化合物，可以根據(jù)上述含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物的官能團(tuán)，使用與上述含官能團(tuán)單體相同的化合物。例如，在上述含官能團(tuán)(甲基)丙烯酸系聚合物的官能團(tuán)為羧基的情況下，使用含環(huán)氧基單體或含異氰酸酯基單體；在該官能團(tuán)為羥基的情況下，使用含異氰酸酯基單體；在該官能團(tuán)為環(huán)氧基的情況下，使用含羧基單體或丙烯酰胺等含酰胺基單體；在該官能團(tuán)為氨基的情況下，使用含環(huán)氧基單體。
上述多官能低聚物或多官能單體的每1分子的官能團(tuán)數(shù)優(yōu)選為5以上。如果不到5，則粘合劑的固化(交聯(lián))不夠充分，粘接力的降低會不夠充分。另外，作為上述多官能低聚物或多官能單體，分子量優(yōu)選為1萬以下，為了更有效地進(jìn)行加熱或光照射引起的粘合劑層的三維網(wǎng)狀化，其分子量更優(yōu)選為5000以下，而且分子內(nèi)的自由基聚合性的不飽和鍵的數(shù)量為2～20個。
作為這樣的多官能低聚物或多官能單體，例如可以舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或與上述相同的甲基丙烯酸酯類等。此外，還可以舉出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚物狀的酯丙烯酸酯、環(huán)氧基丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、與上述相同的甲基丙烯酸酯類等。這些多官能低聚物或多官能單體可以單獨使用，還可以并用2種以上。
作為構(gòu)成含有上述氣體產(chǎn)生劑的面的粘合劑，在使用上述光固化型粘合劑或熱固化型粘合劑時，在后述的工序3中，為了使從上述雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm2·分鐘以上，上述多官能低聚物或多官能單體的配合量變得很重要。即，在后述的工序3中，為了實現(xiàn)規(guī)定以上的氣體產(chǎn)生速度，優(yōu)選在產(chǎn)生氣體時充分地推進(jìn)粘合劑層的固化，成為一定以上的凝膠分?jǐn)?shù)或規(guī)定以上的彈性模量。
就在上述粘合劑中的上述多官能低聚物或多官能單體的含量而言，優(yōu)選相對于丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物100重量份為10～100重量份。如果不到10重量份，在氣體產(chǎn)生時粘合劑層不能充分固化，不能得到充分的氣體釋放速度，從而會不能實現(xiàn)自身剝離，如果超過100重量份，配制成的粘合劑層不具有充分的凝聚力，或者多官能低聚物或多官能單體會從粘合劑層滲出。更優(yōu)選為20～40重量份。
作為上述光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出通過照射250～800nm波長的光而使其活化的光聚合引發(fā)劑。作為這樣的光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物；苯偶姻丙基醚、苯偶姻異丁基醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物；氧化膦衍生物；雙(η5-環(huán)戊二烯基)二茂鈦衍生物、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、α-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-羥基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引發(fā)劑。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可以并用2種以上。
作為上述熱聚合引發(fā)劑，可以舉出經(jīng)熱分解從而產(chǎn)生引發(fā)聚合固化的活性自由基的引發(fā)劑。具體而言，例如可以舉出過氧化二異丙苯、過氧化二叔丁基、過安息香酸叔丁酯、叔丁基過氧化氫、過氧化苯甲酰、氫過氧化枯烯、氫過氧化二異丙基苯、對萜烷(menthane)過氧化氫、過氧化二叔丁基等。其中，由于熱分解溫度高，所以優(yōu)選氫過氧化枯烯、對萜烷過氧化氫、過氧化二叔丁基等。這些熱聚合引發(fā)劑中，作為市售品，沒有特別限定，例如優(yōu)選パ一ブチルD、パ一ブチルH、パ一ブチルP、パ一ブチルH(以上均為日本油脂制)等。這些熱聚合引發(fā)劑可以單獨使用，還可以并用2種以上。
在上述后固化型粘合劑中，除了以上成分之外，為了調(diào)節(jié)作為粘合劑的凝聚力，根據(jù)需要，也可以適當(dāng)配合異氰酸酯化合物、蜜胺化合物、環(huán)氧化合物等通常在粘合劑中配合的各種多官能性化合物。另外，也可以添加增塑劑、樹脂、界面活性劑、石蠟、微粒填充劑等公知的添加劑。
在工序1中，使上述雙面粘合帶的含有氣體產(chǎn)生劑的面與晶片貼合。此時，為了以更好的平面性充分貼合，優(yōu)選使用真空層疊機(jī)等在真空狀態(tài)下進(jìn)行貼合。
在工序1中，通過將晶片固定于支撐板上，可以加固50μm以下的極薄晶片，不會在搬送或加工晶片時出現(xiàn)缺損或裂紋，另外，在制造IC芯片的一系列工序結(jié)束時，能夠容易地通過照射光將雙面粘合帶從IC芯片上剝離下來。
本發(fā)明的IC芯片制造方法具有在借助雙面粘合帶將芯片固定于支撐板上的狀態(tài)下磨削芯片的工序2。通過固定于支撐板上，可以防止磨削工序中的晶片破損，另外，還可以平滑地磨削晶片。
本發(fā)明的IC芯片制造方法具有向上述雙面粘合帶照射光的工序3。通過照射光，從雙面粘合帶的與晶片接觸的面的粘合層中的氣體產(chǎn)生劑產(chǎn)生氣體，使雙面粘合帶與晶片之間的粘合力降低，可以使其發(fā)生自身剝離。
作為光照射的方法，沒有特別限定，但在使用透明的支撐板的情況下，只要從支撐板側(cè)向雙面粘合帶的表面照射光即可。另外，作為照射裝置，沒有特別限定，掃描式照射裝置由于難以進(jìn)行均一照射而發(fā)生部分剝離，結(jié)果晶片會發(fā)生裂開，所以如果可能，優(yōu)選用可以均勻地向照射面照射光的照射裝置進(jìn)行照射。
此時的光照射量也會大大影響從上述雙面粘合帶釋放氣體的速度。在本發(fā)明中，作為向上述雙面粘合帶照射的光的照射量，可以根據(jù)上述氣體產(chǎn)生劑的種類或含量、支撐體的厚度等適當(dāng)決定，但優(yōu)選照射20～1000mW/cm2的強(qiáng)度的光，使累計光量成為2000～6000mJ/cm2。
如果光的強(qiáng)度不到20mW/cm2，則不能得到足夠的氣體釋放速度，從而不能實現(xiàn)自身剝離，如果超過1000mW/cm2，則產(chǎn)生的氣體引起的壓力過高，IC芯片會破損。
如果累計光量不到2000mJ/cm2，則不能得到足夠的氣體釋放量，從而不能實現(xiàn)自身剝離，如果超過6000mJ/cm2，則可能損害IC芯片。
更優(yōu)選照射30～200mW/cm2的強(qiáng)度的光，使累計光量成為2000～5000mJ/cm2的能量。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，在工序3中照射全照射量的1/3的光的時刻，與晶片接觸的面的粘合層的凝膠分?jǐn)?shù)(gel fraction)優(yōu)選為90％以上。如果不到90％，則開始產(chǎn)生氣體時的粘合層的硬度不夠，產(chǎn)生的氣體勢力被軟的粘合層吸收或粘合層發(fā)泡，會難以發(fā)生自身剝離。此外，在本說明書中，全照射量是指直到發(fā)生自身剝離、晶片浮起時所照射的累計光量。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，在工序3中照射全照射量的1/3的光的時刻，優(yōu)選與晶片接觸的面的粘合層的彈性模量為5×104Pa以上。如果不到5×104Pa，則開始產(chǎn)生氣體時的粘合層的硬度不夠，產(chǎn)生的氣體勢力被軟的粘合層吸收，會難以發(fā)生自身剝離。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，在工序3中的從雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm2·分鐘以上。如果不到5μL/cm2·分鐘，則雙面粘合帶的粘合劑層不能完全從晶片剝離，粘接部分呈島狀殘留，不能實現(xiàn)自身剝離。如上所述，這樣的氣體釋放速度可以通過如上所述調(diào)整氣體產(chǎn)生劑的種類或含量、剝離時粘合劑層的凝膠分?jǐn)?shù)或彈性模量、剝離時紫外線照射量等各條件而得到。
此外，在本說明書中，如圖1所示，氣體釋放速度是通過如下所述的過程算出的，即制作用玻璃密封照射面的密封艙，用橡膠管使艙的出口與帶刻度吸管連接，進(jìn)而用橡膠管將帶刻度吸管的另一個出口與漏斗連接，放入適量水，垂直立起帶刻度吸管，打開三通閥，調(diào)整漏斗的位置，從而將水面的位置調(diào)整至0，關(guān)閉三通閥，在常壓下照射光，捕集產(chǎn)生的氣體，每10秒鐘求得的氣體累計產(chǎn)生量，再用照射的薄片的表面積去除該累計產(chǎn)生量。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，具有從晶片剝離上述雙面粘合帶的工序4。通過在工序3中照射光，上述雙面粘合帶和晶片發(fā)生自身剝離，所以即便是厚度為50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片，也可以容易地剝離而無破損。
此外，在通常的工序中，在磨削工序結(jié)束之后且在照射光使其產(chǎn)生氣體而剝離晶片之前，在已磨削的晶片上貼附切割膠帶，然后剝離晶片，切成小片。其中，在這些工序中，可以根據(jù)需要適當(dāng)省略或改變順序。
通過本發(fā)明，可以提供一種能以極高生產(chǎn)率制造厚度為50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片的IC芯片制造方法。


圖1是表示由于測定氣體釋放速度的裝置的圖。
圖中1—雙面粘合帶，2—密封艙，3—帶刻度吸管，4—三通閥，5—橡膠管，6—橡膠管，7—漏斗。
具體實施例方式
以下，舉出實施例對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明不被這些實施例所限定。
(實驗例1)<粘合劑的配制>
將下述化合物溶解于醋酸乙酯，照射紫外線，進(jìn)行聚合，得到重均分子量為70萬的丙烯酸共聚物。
相對于得到的含有丙烯酸共聚物的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，加入2-異氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份，使其反應(yīng)，進(jìn)而相對于反應(yīng)后的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合聚氨酯丙烯酸酯(10官能)(新中村化學(xué)工業(yè)公司制，NK Oligo U324A)30重量份、聚異氰酸酯0.5重量份、光聚合引發(fā)劑(Irgacure 651)0.1重量份，配制粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液。
丙烯酸丁酯 79重量份丙烯酸乙酯 15重量份丙烯酸 1重量份丙烯酸2-羥基乙酯5重量份光聚合引發(fā)劑0.2重量份(Irgacure651，50％醋酸乙酯溶液)十二烷硫醇 0.01重量份相對于粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)10重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(2)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(2)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(2)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
接著，使設(shè)有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(2)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(2)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。
<粘合劑層的固化性評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(2)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600mJ/cm2。
照射后，使用抹刀(spatula)，從雙面粘合帶的基材刮掉粘合劑(2)層，采取全量，作為樣品，測定其重量(W1)。接著，將采取的樣品浸漬于醋酸乙酯中，振蕩12小時。然后，用孔大小為50μm的金屬篩過濾，在干燥爐中加熱干燥，然后測定醋酸乙酯不溶成分的重量(W2)。根據(jù)W1、W2，利用下述式算出凝膠分?jǐn)?shù)。
另一方面，對于照射后的粘合劑(2)層，使用粘彈性測定裝置(IT測量控制公司制，DAV-200)，在頻率10Hz、變形0.5％的條件下，測定剪斷的儲存彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
制作圖1所示的測定裝置。測定裝置具有如下所述的結(jié)構(gòu)，即使用橡膠管5，將垂直立起的帶刻度吸管3與用玻璃密封照射面的密封艙2的出口連接，進(jìn)而再使用橡膠管6將漏斗7與帶刻度吸管3的另一個出口連接。在橡膠管5上安裝有三通閥4。
將雙面粘合帶1設(shè)置在密封艙2內(nèi)，使粘合劑(2)層在上，從漏斗7向帶刻度吸管3內(nèi)放入適量水，通過調(diào)整三通閥4與漏斗7的高度，使水面的位置在帶刻度吸管3的0點。
關(guān)閉三通閥4，在常壓下，向雙面粘合帶1照射365nm的紫外線480秒，并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為10mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，通過除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
在下述兩種情況下進(jìn)行相同的試驗，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(2)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1)層上。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度約為50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線480秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為10mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述兩種情況下同樣進(jìn)行，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接的部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。
(實驗例2)<粘合劑的配制>
相對于在實驗例1中配制的粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(3)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，在40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(3)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(3)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
接著，使設(shè)有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(3)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(3)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。
<粘合劑層的固化性評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(3)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600mJ/cm2。照射后，利用與實驗例1相同的方法，測定粘合劑(3)層的凝膠分?jǐn)?shù)和彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
使用與實驗例1相同的裝置，調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為10mW/cm2，向雙面粘合帶照射480秒(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
在下述兩種情況下進(jìn)行相同的試驗，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(3)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1)層。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度成為約50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線480秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為10mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述兩種情況下同樣進(jìn)行，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。
(實驗例3)<粘合劑的配制>
相對于在實驗例1中配制的粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)50重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(4)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(4)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(4)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
接著，使設(shè)有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(4)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(4)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。
<粘合劑層的固化性評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(4)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600mJ/cm2。照射后，利用與實驗例1相同的方法，測定粘合劑(4)層的凝膠分?jǐn)?shù)和彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
使用與實驗例1相同的裝置，向雙面粘合帶照射365nm的紫外線480秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為10mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
在下述兩種情況下進(jìn)行相同的試驗，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(4)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1)層。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度成為約50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線480秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為10mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。
另外，在下述兩種情況下同樣進(jìn)行，即，從玻璃板側(cè)使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況；以及照射48秒并調(diào)節(jié)照度使其為100mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)的情況。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。
(實驗例4)<粘合劑的配制>
將下述化合物溶解于醋酸乙酯，照射紫外線，進(jìn)行聚合，得到重均分子量為70萬的丙烯酸共聚物。
相對于得到的含有丙烯酸共聚物的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，加入2-異氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份，使其反應(yīng)，進(jìn)而相對于反應(yīng)后的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合聚異氰酸酯0.5重量份、光聚合引發(fā)劑(Irgacure 651)0.1重量份，配制粘合劑(1’)的醋酸乙酯溶液。
丙烯酸丁酯79重量份丙烯酸乙酯15重量份丙烯酸1重量份丙烯酸2-羥基乙酯 5重量份光聚合引發(fā)劑 0.2重量份(Irgacure 651，50％醋酸乙酯溶液)十二烷硫醇0.01重量份相對于粘合劑(1’)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合2，2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(3’)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1’)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1’)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(3’)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(3’)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
接著，使設(shè)有粘合劑(1’)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1’)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(3’)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(3’)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。
<粘合劑層的固化性評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(3’)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600mJ/cm2。照射后，利用與實驗例1相同的方法，測定粘合劑(3’)層的凝膠分?jǐn)?shù)和彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
使用與實驗例1相同的裝置，向雙面粘合帶照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(3’)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1’)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1’)層。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度成為約50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。
(實驗例5)<粘合劑的配制>
相對于在實驗例1中配制的粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶5重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure 4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(5-1)。另外，除了使1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶的配合量為10重量份以外，同樣配制粘合劑(5-2)，以及除了使1，1’-(偶氮二羰基)二哌啶的配合量為30重量份以外，相同地配制粘合劑(5-3)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(5-1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(5-1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。同樣地調(diào)制涂敷有粘合劑(5-2)層和(5-3)層的PET薄膜。
接著，使設(shè)有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(5-1)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(5-1)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。使用涂敷有粘合劑(5-2)層以及(5-3)層的PET薄膜進(jìn)行相同的操作，得到雙面粘合帶。
以上得到共計3種雙面粘合帶。下面對3種雙面粘合帶進(jìn)行以下評價。此外，只要沒有特別事先說明，下面，粘合劑(5)是指粘合劑(5-1)層、粘合劑(5-2)層以及粘合劑(5-3)層。
<粘合劑層的固化性評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(5)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600 mJ/cm2。照射后，利用與實驗例1相同的方法，測定粘合劑(5)層的凝膠分?jǐn)?shù)和彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
使用與實驗例1相同的裝置，向雙面粘合帶照射365nm的紫外線24秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為200mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(5)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1)層。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度成為約50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線24秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為200mW/cm2，(累計光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。
(實驗例6)<粘合劑的配制>
相對于在實驗例1中配制的粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液的樹脂固體成分100重量份，混合縮水甘油基疊氮聚合物1重量份、2，4-二乙基噻噸酮3.6重量份、Irgacure4重量份以及聚異氰酸酯0.5重量份，配制含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑(6-1)。另外，除了縮水甘油基疊氮聚合物的配合量為3重量份以外，相同地配制粘合劑(6-2)，以及除了縮水甘油基疊氮聚合物的配合量為5重量份以外，相同地配制粘合劑(6-3)。
<雙面粘合帶的制作>
使用刮刀，在雙面已實施電暈處理的厚100μm的透明聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一面，涂敷粘合劑(1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約30μm，在110℃下加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。接著，在粘合劑(1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。
使用刮刀，在表面已實施脫模處理的PET薄膜上，涂敷粘合劑(5-1)的醋酸乙酯溶液，并使干燥被膜的厚度成為約50μm，在110℃下加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘合劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘合性。接著，在粘合劑(6-1)層的表面上貼附已實施脫模處理的PET薄膜。然后，40℃下靜置3天進(jìn)行熟化。同樣地調(diào)制涂敷有粘合劑(6-2)層和(6-3)層的PET薄膜。
接著，使設(shè)有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的PET薄膜的沒有粘合劑(1)層的已實施電暈處理的面、與設(shè)有粘合劑(6-1)層的已實施脫模處理的PET薄膜的粘合劑(6-1)層的面貼合。這樣在雙面設(shè)置粘合劑層，得到其表面被已實施脫模處理的PET薄膜保護(hù)的雙面粘合帶。雙面粘合帶的粘合劑層均為透明的。使用涂敷有粘合劑(6-2)層以及(6-3)層的PET薄膜進(jìn)行相同的操作，得到雙面粘合帶。
以上得到共計3種雙面粘合帶。下面對3種雙面粘合帶進(jìn)行以下評價。此外，只要沒有特別事先說明，下面，粘合劑(6)是指粘合劑(6-1)層、粘合劑(6-2)層以及粘合劑(6-3)層。
<粘合劑層的固化性的評價>
向得到的雙面粘合帶的粘合劑(6)層照射365nm的紫外線，使累計光量成為1600mJ/cm2。照射后，利用與實驗例1相同的方法，測定粘合劑(6)層的凝膠分?jǐn)?shù)和彈性模量。
<氣體釋放速度的測定>
使用與實驗例1相同的裝置，向雙面粘合帶照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向表面的照度成為40mW/cm2(累計光量4800mJ/cm2)。捕集此時產(chǎn)生的氣體，求得每10秒的氣體累計產(chǎn)生量，除以被照射的薄片的表面積，來算出氣體釋放速度。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與玻璃板之間的貼合)剝離保護(hù)雙面粘合帶的粘合劑(6)層的PET薄膜，使用層疊機(jī)，貼附在直徑20cm、厚約700μm的硅晶片上，然后按照硅晶片的大小切斷雙面粘合帶。接著，剝離保護(hù)粘合劑(1)層的PET薄膜，在真空狀態(tài)下，將直徑20.4cm的玻璃板貼附于粘合劑(1)層。粘接面在粘接后不久牢固粘接。
(磨削工序)將用玻璃板加固的硅晶片安裝到磨削裝置，磨削至硅晶片的厚度成為約50μm。此時，為了使磨削的摩擦熱不引起硅晶片的溫度上升，邊向硅晶片灑水邊進(jìn)行操作。從磨削裝置取下硅晶片，將切割膠帶貼附于硅晶片之上。
(UV照射工序)從玻璃板側(cè)，使用超高壓汞燈，照射365nm的紫外線120秒并調(diào)節(jié)照度使365nm的紫外線向玻璃板表面的照度成為40mW/cm2，(累計光量4800mJ/cm2)。
(晶片的剝離工序)固定硅晶片，向正上方拉伸玻璃板，與雙面粘合帶一起從硅晶片剝離。此時，雙面粘合帶和硅晶片發(fā)生自身剝離的情況評價為○，未發(fā)生自身剝離且存在粘接部分的情況評價為×。將結(jié)果顯示于表1。


產(chǎn)業(yè)上的可利用性利用本發(fā)明，可以提供一種能夠以高生產(chǎn)率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片的IC芯片制造方法。
權(quán)利要求
1.一種IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括使至少在一個面的粘合層中含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的雙面粘合帶的含有所述氣體產(chǎn)生劑的面、與晶片貼合，將所述晶片固定于支撐板上的工序(1)，在借助所述雙面粘合帶將所述晶片固定于所述支撐板上的狀態(tài)下，磨削所述晶片的工序(2)，向所述雙面粘合帶照射光的工序(3)，以及從所述晶片剝離所述雙面粘合帶的工序(4)，在工序(3)中，從所述雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm2·分鐘以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，氣體產(chǎn)生劑為用下述式(1)表示的偶氮酰胺化合物，[化1] 在式(1)中，R1和R2分別表示低級烷基，R3表示碳原子數(shù)為2以上的飽和烷基，其中，R1和R2可以相同，也可以不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑層中的氣體產(chǎn)生劑的含量相對于粘合劑100重量份為5～50重量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，含有氣體產(chǎn)生劑的粘合劑是在刺激下粘接力降低的刺激固化型粘合劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，刺激固化型粘合劑以分子內(nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和自由基聚合性的多官能低聚物或多官能單體為主要成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，多官能低聚物或多官能單體的每1分子的官能團(tuán)數(shù)為5以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，刺激固化型粘合劑中，相對于分子內(nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物100重量份，含有多官能低聚物或多官能單體10～100重量份。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，在工序(3)中照射全照射量的1/3的光的時刻，與晶片接觸的面的粘合層的凝膠分?jǐn)?shù)為90％以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，在工序(3)中照射全照射量的1/3的光的時刻，與晶片接觸的面的粘合層的彈性模量為5×104Pa以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，在工序(3)中，照射20～500mW/cm2的強(qiáng)度的光，以至積分光量達(dá)到2000～6000mJ/cm2。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以以高生產(chǎn)率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的極薄IC芯片的IC芯片制造方法。本發(fā)明至少包括使至少在一個面的粘合層中含有在光照射下產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的雙面粘合帶的含有所述氣體產(chǎn)生劑的面、與晶片貼合，將所述晶片固定于支撐板上的工序(1)，在借助所述雙面粘合帶將所述晶片固定于所述支撐板上的狀態(tài)下磨削所述晶片的工序(2)，向所述雙面粘合帶照射光的工序(3)，以及從所述晶片剝離所述雙面粘合帶的工序(4)；在工序(3)中，從所述雙面粘合帶中釋放氣體的速度為5μL/cm
文檔編號C09J7/02GK101019206SQ20048004361
公開日2007年8月15日 申請日期2004年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者畠井宗宏, 林聰史, 福岡正輝, 檀上滋, 大山康彥, 下村和弘, 杉田大平, 北島義一 申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會社