專利名稱：新型氧雜菁染料化合物和光學信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學記錄介質(zhì)，特別是涉及一種具有含有染料并且能夠高密度和高速記錄的記錄層的光學記錄介質(zhì)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠用高能量密度的激光寫入(記錄)和寫入(復制)信息的加熱模式信息記錄介質(zhì)，以及信息記錄方法。本發(fā)明涉及加熱模式信息記錄介質(zhì)，如通過使用可見激光在其上記錄信息的可刻錄多功能數(shù)碼光盤(DVD-R)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種光學記錄介質(zhì)，該光學記錄介質(zhì)包含具有特定結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料(oxonol dye)。

背景技術(shù)：
只能使用激光在其上記錄一次信息的信息記錄介質(zhì)(光盤)是迄今已知的。這種信息記錄介質(zhì)也稱作可刻錄CD(所謂的CD-R)?？煽啼汣D的優(yōu)點在于，與傳統(tǒng)CD的制造相比，它們可以以合理的價格低量快速發(fā)送，并且近年來隨著個人電腦使用的普及，對它們的需求正在增長。CD-R型信息記錄介質(zhì)是這樣典型構(gòu)造的將透明盤狀襯底、包含有機染料的記錄層、包含金屬如金的反射層和樹脂制成的保護層按照所述次序?qū)訅骸?br> 在這種光盤上的信息記錄是通過以下方式進行的用通過近紅外區(qū)激光(波長通常在780nm附近的激光)輻照在其記錄層中造成的局部生熱和變形(物理或化學變化(例如形成坑)來改變光學性質(zhì)。另一方面，從光盤讀取(讀出)信息通常是通過以下方式進行的用波長與記錄用的激光相同的激光輻照光盤，并且檢測記錄層中因生熱而變形的區(qū)域(記錄區(qū))與未變形區(qū)域(未記錄區(qū))之間的反射率差別。
近年來，已經(jīng)需要有更高記錄密度的信息記錄介質(zhì)。為了提高記錄密度，已知將用于輻照的激光束直徑變窄是有效的。而且，已知的是，用波長更短的激光輻照對于記錄密度的進一步提高在理論上是有利的，因為使激光束直徑越窄，激光的波長越短。因此，已經(jīng)從事適合于用波長短于迄今使用的780nm的激光進行記錄和讀出的光盤的開發(fā)。例如，稱作可刻錄多功能數(shù)碼光盤(所謂的DVD-R)的光盤目前出現(xiàn)在市場上。這些光盤每一種均被制造成具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，將兩張盤，每張盤均在其中形成有具有小于被采用作為CD-R磁道間距的1.6μm的0.74～0.8-μm磁道間距的預制槽的120-mm直徑或80-mm直徑的透明盤狀襯底上以提及的次序具有含染料的記錄層、反射層和保護層，以記錄層在內(nèi)的方式粘合在一起，或者將上述的一張盤和大小幾乎相等的盤狀保護襯底粘合在一起，其中記錄層在內(nèi)部。并且DVD-R的記錄和讀出是通過用可見激光(通常在600～700nm波長范圍內(nèi))輻照而進行的。因此，與CD-R型光盤相比，認為DVD-R能夠進行高密度記錄。
近年來，具有類似于DVD-R的規(guī)格的稱作DVD+R的光盤已經(jīng)投放在市場上。
因為DVD-R型信息記錄介質(zhì)能夠記錄信息的次數(shù)是迄今使用的CD-R型信息記錄介質(zhì)能夠記錄信息的次數(shù)的數(shù)倍，因此希望DVD-R型信息記錄介質(zhì)不僅具有高的記錄靈敏度，而且特別是，即使在快速處理大量信息所必需的高速記錄時也具有低的出錯率。另外，希望開發(fā)出一種即使暴露于光和熱時也能夠長時間穩(wěn)定地保持其性質(zhì)的記錄層，因為含染料的記錄層通常在長時間暴露于熱或光時不太穩(wěn)定。此外，希望能夠容易且廉價地進行制造。
此外，如在CD-R情況下，最近對于可刻錄DVD也希望縮短記錄時間或者加快記錄速度，因此希望進一步提高DVD-R的靈敏度，并且提供在與用于寫入的激光功率提高有關(guān)的寫入精確度下降(跳動惡化)方面的改善。
JP-A-63-209995[專利文獻1]公開了具有在襯底上安置的含氧雜菁染料的記錄層的CD-R型信息記錄介質(zhì)。其中，據(jù)稱使用這種染料化合物能夠長期保持一致的記錄和讀出特性。并且該文件1公開了含有以內(nèi)鹽形式引入的銨離子的氧雜菁染料化合物。另外，JP-A-2000-52658[專利文獻2]和JP-A-2002-249674[專利文獻3]公開了使光學信息記錄介質(zhì)具有高耐光性和耐久性以及優(yōu)異的記錄特性的氧雜菁染料化合物。此外，JP-A-2002-59652[專利文獻4]公開了將兩種具有不同靈敏度的染料混合的技術(shù)，其中可以發(fā)現(xiàn)關(guān)于氧雜菁染料的描述。此外，JP-A-2004-188968[專利文獻5]公開了具有特定結(jié)構(gòu)的雙-氧雜菁染料。
為了可以進行高速記錄，必須提高光學記錄介質(zhì)的記錄靈敏度，并且已經(jīng)提出了多種技術(shù)作為提高記錄靈敏度的手段。然而，通過在記錄層中包含兩種染料以利用這兩種染料的熱分解特性來實現(xiàn)靈敏度的改善的實例仍是未知的。
另一方面，在記錄層中包含兩種或兩種以上染料的技術(shù)本身是已知的。例如，列舉了這樣的光學記錄介質(zhì)該光學記錄介質(zhì)含有最大吸收波長為450～600nm的第一種染料和最大吸收波長為600～750nm的第二種染料，其中調(diào)節(jié)第二種染料的含量以滿足k(655nm)≤0.03，k(670nm)≤0.030，7≤k(670nm)/k(655nm)≤1.05(例如，參考專利文獻6)。作為另一實例的是這樣一種光學記錄介質(zhì)，該光學記錄介質(zhì)具有記錄層，記錄層中含有最大吸收波長為500～650nm的有機染料和最大吸收波長為660～720nm的有機染料的混合物(例如，參考專利文獻7)。
在上述兩個實例中，通過混合兩種染料和在記錄層中包含兩種染料確實實現(xiàn)了各自的目的，但是有關(guān)染料的熱分解特性，僅在專利文獻7的
段有這樣的描述分解開始溫度優(yōu)選為100～350℃，并且當溫度為360℃或更高時，不能很好地形成坑并且跳動特性劣化，而當溫度為100℃或更低時，盤的保存穩(wěn)定性下降，而且在這些專利中沒有對靈敏度改善的描述。
本發(fā)明中使用的偶氮染料舉例說明于以下專利文獻10～18等中。
在光盤技術(shù)領(lǐng)域中，混合兩種或兩種以上染料以調(diào)節(jié)記錄靈敏度的技術(shù)是已知的(參考專利文獻6～9)。然而，在這些專利文獻中沒有公開氧雜菁染料和偶氮染料的組合使用。 JP-A-63-209995JP-A-2000-52658JP-A-2002-249674JP-A-2002-59652JP-A-2004-188968JP-A-2004-82406JP-A-2004-118898JP-A-2003-276342JP-A-2003-34078JP-A-3-268994JP-A-7-161069JP-A-7-251567JP-A-10-204070JP-A-11-12483JP-A-11-166125JP-A-2001-199169JP-A-2001-152040JP-A-2002-114922

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到現(xiàn)有技術(shù)的問題而進行的，并且旨在達到以下目的。即，本發(fā)明的一個目的是提供在從低速記錄到高速記錄全都具有高靈敏度并且具有良好的記錄特性的光學記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用具有特定結(jié)構(gòu)的雙-氧雜菁染料的光學記錄介質(zhì)具有高靈敏度、減少的跳動量、高調(diào)制度和優(yōu)異的存儲穩(wěn)定性。然而，那些染料的問題在于，它們的溶解度不足以由它們制備涂布溶液，或者即使由它們制備了涂布溶液，其溶液老化穩(wěn)定性也不足，或者它們的涂布溶液以濃縮形式使用時在形成的涂層上產(chǎn)生條紋，從而使涂層的表面光滑度下降。另外，由雙-氧雜菁染料形成的薄膜具有尖銳的吸收波形，并且它們的吸收在記錄激光的波長區(qū)中不平。結(jié)果，在試圖提高靈敏度時雙-氧雜菁染料的吸收最大值向更長波長移動，造成在激光波長的吸光度的過分變化，并且導致產(chǎn)生不良效果，如反射率增加過大。在這種環(huán)境下，難以將雙-氧雜菁染料的吸收最大值調(diào)節(jié)到絕對理想值。另一方面，雙-氧雜菁染料與最大吸收波長比主要使用的氧雜菁染料更長的染料的組合使用是對于提高靈敏度有效的。然而，在這種情況下，出現(xiàn)以下問題耐光性下降并且涂布溶液中的染料的穩(wěn)定性降低，除非選擇適合組合使用的染料。此外，當使用高溶解度的染料并且進行高速記錄時，還造成靈敏度不足和跳動劣化的問題。
本發(fā)明要解決的第一方面問題是(i)改善染料在涂布溶液中的溶解度，(ii)提高涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性，(iii)提高涂層適合性，從而改善形成的涂層的光滑度，和(iv)解決染料在記錄介質(zhì)中沉積的問題。本發(fā)明要解決的另一問題是提供能夠提高光學記錄介質(zhì)靈敏度、不再遭受耐光性的下降以及抗?jié)窈蜔岵⑶冶苊鈸p害在涂布溶液中的穩(wěn)定性的染料。并且再一問題是提供具有優(yōu)異的高度記錄特性的光學記錄介質(zhì)。作為本發(fā)明的發(fā)明人深入細致研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)即使在高速記錄時也可以獲得令人滿意的記錄特性，并且可以在不影響保持質(zhì)量的情況下改善染料的溶解度、溶液老化穩(wěn)定性和涂層適合性，從而實現(xiàn)本發(fā)明。
另外，對于DVD-R型信息記錄介質(zhì)已經(jīng)要求進一步改善性能，如改善反射率和調(diào)制度，并且希望通過進一步改善大于1的數(shù)折射率的實數(shù)部分(由字母n表示)來針對該要求。另外，雙-氧雜菁染料的問題在于，它們的溶解度不足以由它們制備涂布溶液，或者即使由它們制備了涂布溶液，其溶液老化穩(wěn)定性也不足。即使將它們與具有不同結(jié)構(gòu)的染料組合使用以改善溶解度，其中涉及以下缺點不能實現(xiàn)令人滿意的溶解度改善和使由雙-氧雜菁染料產(chǎn)生的上述性能劣化。
本發(fā)明要解決的第二方面問題是獲得更大的大于1的數(shù)折射率的實數(shù)部分n，同時在高速記錄保持優(yōu)異的跳動和雙-氧雜菁染料的儲存穩(wěn)定性特性，并且通過提高染料在涂布溶液中的溶解度、涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性和涂布溶液的涂層適合性，解決記錄介質(zhì)中的染料的沉積問題。
本發(fā)明人將上述專利中公開的各種氧雜菁染料化合物用于DVD-R光學信息記錄介質(zhì)中，研究了它們的性能。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用具有特定結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料的光學記錄介質(zhì)跳動低、調(diào)制因子高并且保持穩(wěn)定性優(yōu)異。這些染料中，特別優(yōu)選雙-氧雜菁染料。
然而，由所述氧雜菁染料形成的薄膜具有尖銳的吸收波形，并且它們的吸收在記錄激光的波長區(qū)中不平。結(jié)果，在試圖提高靈敏度時雙-氧雜菁染料的吸收最大值向更長波長移動，造成在激光波長的吸光度的過分變化，并且導致產(chǎn)生不良效果，如反射率增加過大，因此，難以將雙-氧雜菁染料的吸收最大值調(diào)節(jié)到絕對理想值。雙-氧雜菁染料與最大吸收波長比主要使用的氧雜菁染料更長的染料的組合使用對于提高靈敏度是有效的。然而，這些染料的問題在于在染料涂布溶液的制備中溶解度和涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性不足，并且耐光性差。
作為本發(fā)明的發(fā)明人熱忱研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過將氧雜菁染料與花青染料組合使用，可以在不影響記錄特性和保存穩(wěn)定性的情況下改善染料的溶解度和溶液老化穩(wěn)定性，由此完成了本發(fā)明。
本發(fā)明要解決的第三方面問題是通過使用花青染料與氧雜菁染料更優(yōu)選雙-氧雜菁染料的混合物，改善染料在涂布溶液中的溶解度，提高涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性，增加涂層適合性，并且解決染料在記錄介質(zhì)中的沉淀問題。本發(fā)明的再一目的是提供能夠提高光學記錄介質(zhì)靈敏度、不再遭受耐光性的下降以及抗?jié)窈蜔岵⑶冶苊鈸p害在涂布溶液中的穩(wěn)定性的染料。
作為本發(fā)明的發(fā)明人熱忱研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過將氧雜菁染料與偶氮染料組合使用，優(yōu)選與包含偶氮染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料組合使用，可以在不影響記錄特性和保存穩(wěn)定性的情況下改善染料的溶解度和溶液老化穩(wěn)定性，由此完成了本發(fā)明。
本發(fā)明要解決的第四方面問題是在使用氧雜菁染料時，提高染料在涂布溶液中的溶解度，提高涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性，增加涂層適合性，并且解決染料在記錄介質(zhì)中沉淀問題。本發(fā)明的再一目的是提供一種能夠提高靈敏度同時保持涂層適合性，不再遭受耐光性的下降并且抗?jié)窈蜔岬墓鈱W記錄介質(zhì)。
解決上述問題的方法如下。即 [1]一種光學記錄介質(zhì)，其包含襯底；和在襯底上的記錄層，該記錄層含有至少兩種染料，染料A和染料B，其中染料A和染料B滿足以下條件(1)和(2) (1)分解的開始溫度為150～250℃， (2)染料A在記錄激光波長處的折射率n(A)和消光系數(shù)k(A)與染料B在相同波長處的折射率n(B)和消光系數(shù)k(B)滿足以下關(guān)系 n(B)/n(A)＞0.7 k(B)/k(A)＞10。
[2]如[1]中所述的光學記錄介質(zhì)，其中染料A的陽離子部分和染料B的陽離子部分相同，或者染料A的陰離子部分和染料B的陰離子部分相同。
[3]如[2]中所述的光學記錄介質(zhì)，其中所述陰離子部分是氧雜菁染料的陰離子部分。
[4]如[2]或[3]中所述的光學記錄介質(zhì)，其中所述陽離子部分具有以下結(jié)構(gòu)
[5]如[1]～[4]中任一項所述的光學記錄介質(zhì)，其中染料B與染料A的質(zhì)量比為1～10％。
上述第一方面問題是通過以下方式解決的。
[6]一種光學信息記錄介質(zhì)，包括選自具有以下式(I)所示結(jié)構(gòu)的化合物的兩種或兩種以上化合物
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，存在的超過一個的Ma21、超過一個的Ma22，以及超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同。
[7]如[6]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述的兩種或兩種以上化合物包括具有由以下式(IIIa)表示的結(jié)構(gòu)的化合物和具有由以下式(IIIb)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；

式(IIIa)中，其中R1和R2各自獨立地表示氫原子，未取代的烷基或未取代的芳基，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，各個式中的每個R6各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中當n和m各自是大于1的數(shù)時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子；和 式(IIIb)中，R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q分別具有與式(IIIa)中相同的含義，R1b表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，并且R2b表示取代的烷基或取代的芳基。
[8]一種光學信息記錄介質(zhì)，包括具有由以下式(I)表示的結(jié)構(gòu)并且當形成非晶膜時其吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)的染料，和具有由以下式(II)表示的結(jié)構(gòu)并且其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料；
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，存在的超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同，和
其中Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，并且Q表示一價陽離子，其中當Ka23為大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
[9]如[8]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有由以下式(III)表示的結(jié)構(gòu)的染料，并且具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有選自由以下式(IV)、(V)、(VI)和(VII)所示結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)的染料；
其中R1和R2各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，R1和R2可以相互結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，每個R6表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中當n和m各自大于1時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或2Q表示二價陽離子，和
其中R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43和R44各自獨立地表示氫原子或取代基，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，其中當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子。
[10]一種具有由以下式(VIII)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59和R60各自獨立地表示氫原子或取代基，R61和R67各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，氰基，取代或未取代的氨基甲?；?，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烷氧羰基，取代或未取代的芳氧羰基或者取代或未取代的酰氨基，R62、R63、R64、R65和R66各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的酰氨基或者取代或未取代的雜環(huán)基，并且R71、R72、R73、R74、R75、R76、R77、R78、R79、R80、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87和R88各自獨立地表示氫原子或取代基。
[11]一種光學信息記錄介質(zhì)，包含具有由以下式(I)表示的結(jié)構(gòu)并且當形成非晶膜時它們的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)的至少兩種化合物；和當形成非晶膜時其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的氧雜菁染料；
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同。
[12]如[11]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中當形成非晶膜時其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的氧雜菁染料是具有由以下式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料；
其中Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，并且Q表示一價陽離子，其中，當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
[13]如[12]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中兩種或兩種以上具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料中的一種是具有由以下式(IIIa)表示的結(jié)構(gòu)的染料，兩種或兩種以上具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料中的另一種是具有由以下式(IIIb)表示的結(jié)構(gòu)的染料，并且具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有由以下式(IV)、(V)、(VI)或(VII)表示的結(jié)構(gòu)的染料；
式(IIIa)中，R1和R2各自獨立地表示氫原子，未取代的烷基或未取代的芳基，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，各個式中的R6各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，并且n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中，當n和m各自是大于1的數(shù)時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子； 式(IIIb)中，R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q分別具有與式(IIIa)中相同的含義，R1b表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，并且R2b表示取代的烷基或取代的芳基，和
其中R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43和R44各自獨立地表示氫原子或取代基，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，其中，當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子。
作為本發(fā)明的發(fā)明人深入細致研究的結(jié)果，采用以下光學信息記錄介質(zhì)可以解決上述第二方面的問題。
[14]一種光學信息記錄介質(zhì)，包括具有由以下式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L11和L12各自獨立地表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21、Ka22和Ka23各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子，其中，當Ka21、Ka22和Ka23各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25、超過一個的Ma26、超過一個的Ma28和超過一個的Ma29各自相同或不同。
[15]一種光學信息記錄介質(zhì)，包括具有由以下式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物和具有由以下式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L11和L12各自獨立地表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21、Ka22和Ka23各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子(2Q表示二價陽離子并且3Q表示三價陽離子)，其中，當Ka21、Ka22和Ka23各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25、超過一個的Ma26、超過一個的Ma28和超過一個的Ma29各自相同或不同。
[16]如[15]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中具有由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物占介質(zhì)中使用的全部染料的80～99(包括80和99)質(zhì)量％，并且具有由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物占介質(zhì)中使用的全部染料的1～20(包括1和20)質(zhì)量％。
[17]如[14]～[16]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中在式(I’)和(II’)中含有Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26中的每個的酸核是1，3-二噁烷-4，6-二酮。
作為本發(fā)明的發(fā)明人深入細致研究的結(jié)果，通過以下方式可以解決上述第三方面的問題。
[18]一種光學信息記錄介質(zhì)，包含包括染料的記錄層，其中記錄層中的染料是氧雜菁染料和花青染料的混合物。優(yōu)選所述光學信息記錄介質(zhì)是加熱模式寫后直讀信息記錄介質(zhì)，其包含透明襯底、含有上述染料混合物的記錄層和反射層。
[19]如[18]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)，并且所述花青染料具有由以下式(2’)表示的結(jié)構(gòu) 式(1’)
式(2’)
式(1’)中，Za11和Za12各自表示用于形成酸核的原子團；Ma11、Ma12和Ma13各自表示取代或未取代的次甲基；ka1表示0～3的整數(shù)，并且當ka1表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma11和超過一個的Ma12可以各自相同或不同；Q1表示用于中和電荷的離子；并且y1表示中和電荷所需的數(shù)； 式(2’)中，Za21和Za22各自表示用于形成雜環(huán)的原子團；Ma21、Ma22和Ma23各自表示取代或未取代的次甲基；ka2表示0～3的整數(shù)，并且當ka2表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma21和超過一個的Ma22可以各自相同或不同；R101和R102各自表示取代基；Q2表示用于中和電荷的離子；并且y2表示中和電荷所需的數(shù)。
[20]如[19]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中Q1表示的離子具有由以下式(3’)表示的結(jié)構(gòu) 式(3’)
其中R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示氫原子或取代基；并且R113和R118各自表示取代基。
[21]如[18]～[20]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述花青染料具有由以下式(4’)表示的結(jié)構(gòu) 式(4’)
其中Za31和Za32各自表示用于形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子團；R1a和R2a各自表示取代基；R121、R122、R123、R124、R125、R126和R127各自表示氫原子或取代基；ka3表示0～3的整數(shù)，并且當ka3表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的R121和超過一個的R122可以各自相同或不同；Q3表示用于中和電荷的離子；并且y3表示中和電荷所需的數(shù)。
[22]如[18]～[21]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，并且所述花青染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于750nm的波長范圍內(nèi)。
[23]如[18]～[22]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是(i)通過粘合兩個層壓體形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體每個均包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上，兩個層壓體是以記錄層在內(nèi)部的方式粘合的，或者(ii)通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合層壓體和盤狀保護層形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體包含透明盤狀襯底和含有染料記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上。
作為本發(fā)明的發(fā)明人深入細致研究的結(jié)果，通過以下方式可以解決所述第四方面的問題。
[24]一種光學信息記錄介質(zhì)，包含記錄層，記錄層包含染料，其中記錄層中的染料是氧雜菁染料和偶氮染料的混合物。
[25]如[24]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)，并且所述偶氮染料是包含偶氮染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料 式(1’)
其中Za11和Za12各自表示用于形成酸核的原子團；Ma11、Ma12和Ma13各自表示取代或未取代的次甲基；ka1表示0～3的整數(shù)，并且當ka1表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma11和超過一個的Ma12可以各自相同或不同；Q1表示用于中和電荷的離子；并且y1表示中和電荷所需的數(shù)。
[26]如[25]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中Q表示的離子具有由以下式(3’)表示的結(jié)構(gòu) 式(3’)
其中R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示氫原子或取代基；并且R113和R118各自表示取代基。
[27]如[24]～[26]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述偶氮染料是具有由以下式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料，或者包含具有由式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料 式(2”) A-N＝N-B 其中A表示衍生自偶合劑組分的一價基團，并且B表示衍生自重氮鹽的一價基團。
[28]如[24]～[27]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述偶氮染料是包含具有由以下式(4”)表示的結(jié)構(gòu)的染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料 式(4”)
其中A1和B2各自表示用于形成取代或未取代的芳烴環(huán)或者取代或未取代的芳族雜環(huán)的原子團；并且G表示能夠與金屬離子配位的一價基團。
[29]如[24]～[28]中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，并且所述偶氮染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于700nm的波長范圍內(nèi)。
[30]如[24]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合兩個層壓體形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體每個均包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上，或者如[24]～[29]中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合層壓體和盤狀保護層形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上。
本發(fā)明抗體提供一種光學記錄介質(zhì)，該光學記錄介質(zhì)從低速記錄到高速記錄全都具有高靈敏度，并且具有良好的記錄特性。
通過混合兩種或兩種以上的雙-氧雜菁染料或者將兩種或兩種以上的雙-氧雜菁染料與具有特定結(jié)構(gòu)的染料混合，提高了在制備用于制造光學信息記錄介質(zhì)的染料涂布溶液時的染料溶解度，提高了涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性，提高了涂層適合性從而改善了形成的涂層的光滑度，并且解決了光學記錄介質(zhì)中染料沉積問題。另外，獲得的光學記錄介質(zhì)具有改善的耐光性、耐濕性和耐熱性。此外，前述染料混合物對制成的光學信息記錄介質(zhì)的記錄/讀出性能沒有不利影響。此外，制成的光學信息記錄介質(zhì)即使在高速記錄下也具有令人滿意的記錄性質(zhì)，并且提供優(yōu)異的靈敏度和跳動特性。
根據(jù)本發(fā)明，使用特定結(jié)構(gòu)的染料，實現(xiàn)了由大于1的數(shù)折射率實數(shù)部分n的改進導致的調(diào)制度增加作為優(yōu)異的性能，包括跳動，并且保持了高速記錄中雙-氧雜菁染料的儲存穩(wěn)定性特性。另外，通過將根據(jù)本發(fā)明的染料與雙-氧雜菁染料混合，提高了染料在用于制備光學信息記錄介質(zhì)的染料涂布溶液中的溶解度，制備的涂布溶液具有高的溶液老化穩(wěn)定性和改善的涂層適合性，并且解決了染料在記錄介質(zhì)中的沉積問題。此外，獲得的光學記錄介質(zhì)還提高了耐濕性和耐熱性。而且，根據(jù)本發(fā)明的染料混合物對制備的光學信息記錄介質(zhì)的記錄/讀出性能沒有不利影響。
本發(fā)明能夠提供一種高靈敏度光學記錄介質(zhì)，該光學記錄介質(zhì)不再遭受耐光性的下降，耐濕和熱，并且避免損害在涂布溶液中的穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明，通過使用氧雜菁染料與偶氮染料的混合物，更優(yōu)選雙-氧雜菁染料與偶氮染料的混合物，可以提高染料在涂布溶液中的溶解度，可以改善涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性，并且可以改善涂層適合性，因此，本發(fā)明可以提供不存在染料在記錄介質(zhì)中沉淀問題的信息記錄介質(zhì)。此外，本發(fā)明可以提供這樣的染料，所述染料能夠提高光學記錄介質(zhì)靈敏度、不再遭受耐光性的下降以及抗?jié)窈蜔?，并且避免損害在涂布溶液中的穩(wěn)定性。
附圖簡述

圖1是顯示本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)的層構(gòu)造的典型圖。
[附圖標記描述] 10光學記錄介質(zhì) 12第一襯底 14記錄層 16反射層 18保護層 20粘合層 22第二襯底 實施本發(fā)明的最佳方式 下面將詳細描述本發(fā)明。在說明書和權(quán)利要求書中，“低數(shù)值”至“高數(shù)值”是指大于等于“低數(shù)值”且小于等于“高數(shù)值”。
本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)包含襯底，襯底上具有記錄層，記錄層含有至少兩種染料，染料A和染料B，并且染料A和染料B滿足以下條件(1)和(2) (1)分解的開始溫度為150～250℃， (2)染料A在記錄激光波長處的折射率n(A)和消光系數(shù)k(A)與染料B在 相同波長處的折射率n(B)和消光系數(shù)k(B)滿足以下關(guān)系 n(B)/n(A)＞0.7 k(B)/k(A)＞10。
本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)是作為其一種模式，能夠記錄或復制信息的寫后直讀光學記錄介質(zhì)，例如DVD-R。本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)采取類似于DVD-R的層結(jié)構(gòu)，并且還可以應用于用藍-紫激光進行記錄或復制的HDDVD-R。
光學記錄介質(zhì)如DVD-R包含粘合的兩個襯底(第一襯底，第二襯底)，和至少形成在第一襯底上的圖像-記錄層。另外，優(yōu)選任意形成反射層和保護層。第二襯底還可以類似于第一襯底采取依次形成記錄層和光反射層的結(jié)構(gòu)，或者可以采取不形成層的結(jié)構(gòu)作為保護襯底(模擬襯底)。
這種DVD-R型光學記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的一個實例如圖1所示。在圖1所示的光學記錄介質(zhì)10中，將記錄層14、反射層16和保護層18層壓在第一襯底12上，并且將層壓體的保護層18和第二襯底22在粘合層20處于之間的情況下面對面地粘在一起。
下面以光學記錄介質(zhì)如DVD-R作為實例，描述本發(fā)明的光學記錄介質(zhì)的襯底和每一層。順便提及，此處的層結(jié)構(gòu)和材料僅是示例，本發(fā)明不受其限制。
[襯底] 作為襯底，可以任意使用迄今已經(jīng)用作光學記錄介質(zhì)襯底的各種材料。
作為具體實例，可以列舉玻璃；聚碳酸酯；丙烯酸類樹脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂，例如，聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；非晶態(tài)聚烯烴；聚酯；和金屬，例如，鋁，并且如果需要，可以將這些材料組合使用。
上述材料中，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和便宜考慮，優(yōu)選聚碳酸酯和非晶態(tài)聚烯烴，特別優(yōu)選聚碳酸酯。襯底的厚度優(yōu)選為0.5～1.4mm。
在襯底上螺旋地或者以同心圓狀態(tài)形成用于跟蹤的導槽或者表示信息如地址信號(凹槽，槽脊)的不平度。凹槽的磁道間距優(yōu)選為0.4～0.9μm，更優(yōu)選為0.45～0.85μm，還更優(yōu)選為0.50～0.80μm。凹槽的深度(凹槽深度)優(yōu)選為50～150nm，更優(yōu)選為85～135nm，還更優(yōu)選為100～130nm。凹槽的半值寬度優(yōu)選為20～400nm，更優(yōu)選為280～380nm，還更優(yōu)選為250～350nm。
通常，在凹槽和凹槽之間稱作槽脊的區(qū)域形成按照規(guī)則安置的槽脊預坑(LPP)。通過檢測LLP的位置，進行地址信息的獲取和數(shù)據(jù)記錄時的定位。
可以在其上安置記錄層的襯底表面一側(cè)上安置底涂層以改善平直度和粘附力，并且防止記錄層的劣化。用于形成底涂層的材料的實例包括大分子物質(zhì)，例如，聚甲基丙烯酸甲酯，丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物，苯乙烯-馬來酸酐共聚物，聚乙烯醇，N-羥甲基丙烯酰胺，苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物，氯磺化聚乙烯，硝化纖維素，聚氯乙烯，氯化聚烯烴，聚酯，聚酰亞胺，乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，聚乙烯，聚丙烯和聚碳酸酯；和表面改性劑，例如，硅烷偶合劑。在形成底涂層時，通過將上述物質(zhì)溶解在適宜的溶劑中制備涂布溶液，然后根據(jù)涂布方法，例如，旋涂法、浸涂法或擠涂法，將得到的涂布溶液涂布在襯底表面上。底涂層的厚度為通常在0.005～20μm范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在0.01～10μm范圍內(nèi)。
[記錄層] 本發(fā)明中，記錄層包含至少兩種染料，染料A和染料B，并且染料A和染料B滿足以下條件(1)和(2) (1)分解的開始溫度為150～250℃， (2)染料A在記錄激光波長處的折射率n(A)和消光系數(shù)k(A)與染料B在 相同波長處的折射率n(B)和消光系數(shù)k(B)滿足以下關(guān)系 n(B)/n(A)＞0.7 k(B)/k(A)＞10。
在光學記錄介質(zhì)中，為了能夠進行高速記錄，如上所述，必須提高記錄介質(zhì)的記錄靈敏度，并且本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，控制記錄層的光吸收特性和染料的熱分解特性作為提高記錄介質(zhì)的記錄靈敏度的手段是有效的。即，至于光吸收特性，提高在記錄器的激光波長處(DVD-R情況下，在660nm附近)的光吸收是有效的，因此本發(fā)明采用添加在激光波長附近具有大的光吸收的染料的方法。然而，單獨采用這種方法，一方面改善了靈敏度，但是另一方面，低速記錄時的調(diào)制因子因為反射率和折射率的降低而下降。因此，本發(fā)明的發(fā)明人將注意力投入到染料的熱分解特性上。通過滿足條件(1)，即，通過使用兩種分解開始溫度為150～250℃的染料，并且同時，通過滿足涉及兩種染料的折射率和消光系數(shù)的條件(2)，可以實現(xiàn)從低速記錄到高速記錄全都具有高靈敏度和良好的記錄特性。
通過使用如條件(1)中的分解開始溫度均為150～250℃的染料A和染料B，有助于靈敏度的提高。當分解開始溫度低于150℃時，記錄標記不規(guī)則，跳動惡化，并且高溫和高濕下的儲存穩(wěn)定性下降。而當該溫度超過250℃時，不能獲得足夠的記錄靈敏度。分解開始溫度優(yōu)選為170～230℃，更優(yōu)選為180～220℃。
條件(2)是涉及染料的吸收特性的條件。通過滿足條件(2)，可以獲得良好的吸收特性，從而有助于記錄層的優(yōu)異記錄特性。
條件(2)中，通過滿足n(B)/n(A)＞0.7，低速記錄下的調(diào)制因子變高，從而可以獲得良好的低速記錄特性。當n(B)/n(A)小于或等于0.7時，低速記錄下的調(diào)制因子低，從而不能獲得足夠的特性。n(B)/n(A)的最下限優(yōu)選大于或等于0.72，更優(yōu)選大于或等于0.74。n(B)/n(A)的最上限為1.00。
此外，在條件(2)中，通過滿足k(B)/k(A)＞10，可以獲得足夠的高速記錄下的記錄靈敏度。當k(B)/k(A)小于或等于10時，不能獲得足夠的高速記錄下的記錄靈敏度，從而造成高出錯率。k(B)/k(A)的最下限優(yōu)選大于或等于15，更優(yōu)選大于或等于20。對于k(B)/k(A)的最上限，不存在最上限，因為存在分母k(A)幾乎為0的情況。
用于記錄層中的染料的實例包括偶氮染料(包括金屬螯合偶氮)，氧雜菁染料，花青染料，酞菁染料，咪唑喹喔啉系列染料，吡喃鎓系列，硫代吡喃鎓系列染料，薁鎓(azulenium)系列染料，方鎓(aqualylium)系列染料，Ni或Cr的金屬配合物鹽系列染料，萘醌系列染料，蒽醌系列染料，靛酚系列染料，靛苯胺系列染料，三苯甲烷系列染料，部花青系列染料，氧雜菁系列染料，銨(aminium)系列·二亞銨(diimmonium)系列染料，和亞硝基化合物類。這些染料中，優(yōu)選氧雜菁染料，花青染料，酞菁染料，薁鎓系列染料，方鎓系列染料，和咪唑喹喔啉系列染料，特別優(yōu)選氧雜菁染料。
至于染料A和染料B的組合，優(yōu)選列舉以下情況 染料A是氧雜菁染料并且染料B是花青染料的情況； 染料A是氧雜菁染料并且染料B是偶氮染料的情況； 染料A是氧雜菁染料并且染料B是氧雜菁染料的情況； 染料A是氧雜菁染料并且染料B是酞菁染料的情況； 染料A是花青染料并且染料B是花青染料的情況； 染料A是花青染料并且染料B是偶氮染料的情況； 染料A是花青染料并且染料B是酞菁染料的情況； 染料A是花青染料并且染料B是氧雜菁染料的情況； 染料A是偶氮染料并且染料B是酞菁染料的情況； 染料A是偶氮染料并且染料B是花青染料的情況； 染料A是偶氮染料并且染料B是氧雜菁染料的情況；和 染料A是偶氮染料并且染料B是偶氮染料的情況。
在上述染料A和染料B的組合中， 染料A是氧雜菁染料并且染料B是花青染料的情況； 染料A是氧雜菁染料并且染料B是偶氮染料的情況； 染料A是氧雜菁染料并且染料B是氧雜菁染料的情況；以及 染料A是氧雜菁染料并且染料B是酞菁染料的情況，是更優(yōu)選的。
此外，在染料A是花青染料并且染料B是花青染料的情況下，更優(yōu)選染料A是含有三個次甲基鏈的花青染料并且染料B是含有五個次甲基鏈的花青染料。此處，優(yōu)選含有三個次甲基鏈的花青染料和含有五個次甲基鏈的花青染料分別由后述的式(2’)表示。至于酞菁染料，優(yōu)選JP-A-4-15263中公開的酞菁化合物。
本發(fā)明中，優(yōu)選選擇染料A和染料B，使得染料A的陽離子部分和染料B的陽離子部分，或者染料A的陰離子部分和染料B的陰離子部分相同。通過以這種方式選擇和使用染料A和染料B，記錄層的保存穩(wěn)定性變好。
在這些染料A和染料B中，作為共同的陰離子部分，例如，示例的是有機陰離子如氧雜菁染料、萘二磺酸的陰離子部分，和無機陰離子，例如，ClO4-，PF6-和BF4-，其中優(yōu)選氧雜菁染料的陰離子部分。
在染料A和染料B中，作為共同的陽離子部分，例如，示例的是有機陽離子如季銨離子和聯(lián)吡啶鎓陽離子季銨離子，無機陽離子如Na+，K+和Ca+，和金屬螯合物如金屬二硫醇鹽配合物，并且特別優(yōu)選聯(lián)吡啶鎓陽離子。
從耐光性、對濕和熱的保存穩(wěn)定性和材料的穩(wěn)定性考慮，上述陽離子部分優(yōu)選具有由下式表示的結(jié)構(gòu)。

至于記錄層中染料A和染料B的含量比率，染料B與染料A的質(zhì)量比優(yōu)選為1～10％，更優(yōu)選為2～9％，還更優(yōu)選為3～7％。通過使染料B與染料A的質(zhì)量比為1～10％，可以優(yōu)選地降低使高速記錄時記錄信號質(zhì)量下降的熱干擾。
另一方面，如上所述，優(yōu)選氧雜菁染料作為染料A，而至于氧雜菁染料，優(yōu)選由下式(1)表示的化合物。
式(1)
式(1)中，R11，R12，R13和R14各自表示氫原子，取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜環(huán)基中的任一個；R21、R22和R3各自表示以下中的任一個氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的雜環(huán)基、鹵素原子、羧基、取代或未取代的烷氧羰基、氰基、取代或未取代的?；⑷〈蛭慈〈陌被柞；被?、取代的氨基、磺基、羥基、硝基、取代或未取代的烷基磺?；?氨基、取代或未取代的芳基磺酰氨基、取代或未取代的氨基甲酰氨基、取代或未取代的烷基磺?；⑷〈蛭慈〈姆蓟酋；?、取代或未取代的烷基亞磺?；?、取代或未取代的芳基亞磺?；腿〈蛭慈〈陌被酋；?；m表示大于或等于0的整數(shù)，并且當m大于或等于2時，多個R3可以相同或不同；Zx+表示陽離子；并且x表示大于或等于1的整數(shù)。
式(1)中、R11、R12、R13和R14各自表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜環(huán)基中的任一個。至于由R11、R12、R13和R14表示的取代或未取代的烷基，示例的是含有1～20個碳原子的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、1-丁基、叔丁基、異戊基、環(huán)丙基、環(huán)己基、芐基、苯乙基)。當R11、R12、R13和R14各自表示烷基時，這些烷基可以連接形成碳環(huán)(例如，環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、2-甲基環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基等)，或者雜環(huán)(例如，哌啶基、色滿基、嗎啉基等)。至于由R11、R12、R13和R14表示的烷基，優(yōu)選含有1～8個碳原子的鏈烷基或環(huán)烷基，最優(yōu)選含1～5個碳原子的鏈烷基(直鏈或支鏈)、由R11和R12以及R13和R14形成的1～8個碳原子的環(huán)烷基(優(yōu)選環(huán)己基)、含1～20個碳原子的取代烷基(例如，芐基、苯乙基)。
至于式(1)中由R11、R12、R13和R14表示的取代或未取代的芳基，示例的是含有6～20個碳原子的芳基(例如，苯基、萘基)。至于由R11、R12、R13和R14表示的芳基，優(yōu)選6～10個碳原子的芳基。
式(1)中由R11、R12、R13和R14表示的取代或未取代的雜環(huán)基是由碳原子、氮原子、氧原子或硫原子構(gòu)成的5元或6元飽和或不飽和的雜環(huán)基，例如，示例的是吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、三嗪(triazyl)基、吡咯基、咪唑基、三唑基、呋喃基、噻吩基、噻唑基、噁唑基、異噻唑基和異噁唑基。這些基團可以是苯并稠合環(huán)(例如，喹啉基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噁唑基)。由R11、R12、R13和R14表示的取代或未取代的雜環(huán)基優(yōu)選為含有6～10個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基。
至于由R11、R12、R13和R14表示的取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基和取代或未取代的雜環(huán)基的取代基，示例的是以下取代基S。
取代基S包括含有1～20個碳原子的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、羧甲基、乙氧羰基甲基)、含有7～20個碳原子的芳烷基(例如，芐基、苯乙基)、含有1～8個碳原子的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基)、含有6～20個碳原子的芳基(例如，苯基、萘基)、含有6～20個碳原子的芳氧基(例如，苯氧基、萘氧基)、雜環(huán)基(例如，吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、2-吡咯烷酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2，4-二氧基-咪唑啉嗪(imidazolizin)-3-基、2，4-二氧噁唑啉嗪(dioxyoxazolizin)-3-基、琥珀酰亞胺、鄰苯二甲酰亞胺、馬來酰亞胺)、鹵素原子(例如，氟、氯、溴、碘)、羧基、含有2～10個碳原子的烷氧基-羰基(例如，甲氧羰基、乙氧羰基)、氰基、含有2～10個碳原子的?；?例如，乙?；?、新戊?；?、含有1～10個碳原子的氨基甲酰基(例如，氨基甲?；?、甲基氨基甲?；?、嗎啉代氨基甲酰基)、氨基、含有1～20個碳原子的取代的氨基(例如，二甲氨基、二乙氨基、雙(甲基-磺酰基乙基)氨基、N-乙基-N’-磺基乙氨基)、磺基、羥基、硝基、含有1～10個碳原子的烷基磺酰氨基(例如，甲磺酰基-氨基)、含有1～10個碳原子的氨基甲酰氨基(例如，氨基甲酰氨基、甲基氨基甲酰氨基)、含有1～10個碳原子的磺酰基(例如，甲磺?；⒁一酋；?、含有1～10個碳原子的亞磺?；?例如，亞甲磺?；?、含有0～10個碳原子的氨磺?；?例如，氨磺?；?、甲氨磺酰基)。在羧基和磺基的情況下，它們可以是鹽的形式。
式(1)中的R21、R22和R3各自表示以下中的任一個氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的雜環(huán)基、鹵素原子、羧基、取代或未取代的烷氧羰基、氰基、取代或未取代的?；?、取代或未取代的氨基甲?；?、氨基、取代的氨基、磺基、羥基、硝基、取代或未取代的烷基磺酰氨基、取代或未取代的氨基甲酰氨基、取代或未取代的烷基磺?；⑷〈蛭慈〈姆蓟酋；?、取代或未取代的亞磺酰基和取代或未取代的氨磺?；?。優(yōu)選R21、R22和R3各自表示氫原子、含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷基、含有2～20個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基、含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷氧基、含有6～20個碳原子的取代或未取代的芳基或者鹵素原子，更優(yōu)選氫原子、含1～10個碳原子的取代或未取代的烷基、含1～10個碳原子的取代或未取代的烷氧基、含2～10個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基或者鹵素原子，并且最優(yōu)選氫原子、含1～5個碳原子的未取代烷基、含1～5個碳原子的未取代烷氧基、含有2～6個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基或者鹵素原子。R21、R22和R3可以還含有取代基，并且作為取代基，示例的是上述取代基S。
優(yōu)選m是0并且R21和R22都表示氫原子。還優(yōu)選m是1并且R21、R22和R23都表示氫原子。
式(1)中，m表示大于或等于0的整數(shù)，優(yōu)選為0～5的整數(shù)(大于或等于0且小于或等于5)，更優(yōu)選為0～3的整數(shù)，特別優(yōu)選為0～2的整數(shù)。
式(1)中，當m大于或等于2時，多個R3可以相同或不同，并且各自表示氫原子或者任一上述取代基。
式(1)中，Zx+表示陽離子，并且x表示大于或等于1的整數(shù)。
至于由Zx+表示的陽離子，優(yōu)選季銨離子，更優(yōu)選JP-A-2000-52658中由式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子和JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子。式(I)中，x優(yōu)選為1或2。
下面顯示了由式(1)表示的優(yōu)選化合物的具體實例，但是本發(fā)明不限于此。

















作為染料B，優(yōu)選氧雜菁染料。當染料B是氧雜菁染料時，優(yōu)選稍后描述的由式(II)表示的化合物。
下面詳細描述本發(fā)明。
詳細說明具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料。式(I)中的Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，其實例描述于The Theory of thePhotographic Process，James編輯的第4版，198頁，Macmillan PublishingCo.，Inc.(1977)。更具體而言，可以被取代的這種酸核包括吡唑啉酮-5-酮，吡唑烷-3，5-二酮，咪唑啉-5-酮，乙內(nèi)酰脲，2-或4-硫代乙內(nèi)酰脲，2-亞氨基噁唑烷-4-酮，2-噁唑啉-5-酮，2-硫代噁唑啉-2，4-二酮，異繞丹寧，繞丹寧，茚滿-1，3-二酮，噻吩-3-酮，噻吩-3-酮-1，1-二氧化物，3，3-二氧代[1，3]氧硫雜環(huán)戊烷(oxathiolane)-5-酮，二氫吲哚-2-酮，二氫吲哚-3-酮，2-氧代吲唑鎓，5，7-二氧代-6，7-二氫噻唑并[3，2-a]嘧啶，3，4-二氫異喹啉-4-酮，1，3-二噁烷-4，6-二酮(例如，merdramic acid)，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸，香豆素-2，4-二酮，吲唑啉-2-酮，吡啶并[1，2-a]嘧啶-1，3-二酮，吡唑并[1，5-b]喹唑啉酮，吡唑并吡啶酮和5-或6-元碳環(huán)(例如，己烷-1，3-二酮，戊烷-1，3-二酮，茚滿-1，3-二酮)。這些核中，吡唑-5-酮，吡唑烷-3，5-二酮，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸和3，3-二氧代[1，3]氧硫雜環(huán)戊烷-5-酮，上述核每一種均可被取代，比其它要優(yōu)選。
作為Za21、Za22、Za23和Za24每一個，取代或未取代的1，3-二噁烷-4，6-二酮是最適宜的。
可以取代每個酸核的取代基的實例包括鹵素原子，烷基(包括環(huán)烷基和雙環(huán)烷基)，烯基(包括環(huán)烯基和雙環(huán)烯基)，炔基，芳基，雜環(huán)基，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基，芳氧基，甲硅烷氧基，雜環(huán)氧基，酰氧基，氨基甲酰氧基，烷氧羰基氧基，芳氧羰基氧基，氨基(包括苯胺基)，酰氨基，氨基羰基氨基，烷氧羰基氨基，芳氧羰基氨基，氨磺酰氨基，烷基磺酰氨基，芳基磺酰氨基，巰基，烷硫基，芳硫基，雜環(huán)硫基，氨磺?；?，磺基，烷基亞磺酰基，芳基亞磺?；榛酋；?，芳基磺?；?，酰基，芳氧羰基，烷氧羰基，氨基甲?；?，芳基偶氮基，雜環(huán)偶氮基，亞氨基，膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基和甲硅烷基。這些基團中，1-20C的取代或未取代的烷基和6-20C的取代或未取代的芳基比其它優(yōu)選。
適宜的酸核是不含取代基的、被1-20C的取代或未取代的烷基取代的或者被6-20C的取代或未取代的芳基取代的酸核。
至于由Za21、Za22、Za23和Za24形成的酸核，優(yōu)選2，3-二氫-1，3-茚二酮、吡唑啉酮、吡唑啉二酮和苯并噻吩-酮二氧化物，它們中最優(yōu)選吡唑啉酮。
Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26中的每個獨立地表示取代或未取代的次甲基?？梢匀〈渭谆幕鶊F的適宜實例包括1-20C的烷基(例如，甲基、乙基、異丙基)、鹵素原子(例如，氯、溴、碘、氟)、1-20C的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、異丙氧基)、6-26C的芳基(例如，苯基、2-萘基)、0-20C的雜環(huán)基(例如，2-吡啶基、3-吡啶基)、6-20C的芳氧基(例如，苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基)、1-20C的酰氨基(例如，乙酰氨基、苯甲酰氨基)、1-20C的氨基甲酰基(例如，N，N-二甲基氨基甲?；?、磺基、羥基、羧基、1-20C的烷硫基(例如，甲硫基)和氰基。備選地，每個次甲基可以與另一個次甲基組合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，或者它可以與Za21、Za22、Za23和Za24的構(gòu)成原子組合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26中的每個優(yōu)選是未取代的次甲基或者被乙基、甲基或苯基取代的次甲基，特別優(yōu)選未取代的次甲基。
L是與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基。對所述二價連接基沒有特別限制，只要它在其結(jié)合的生色團之間不形成π-共軛體系即可，但是優(yōu)選表示0-100C、優(yōu)選1-20C的由選自以下的一種基團或者兩種或兩種以上基團的組合構(gòu)成的連接基亞烷基(含1～20個碳原子，如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基和亞戊基)，亞芳基(含6～26個碳原子，如亞苯基和亞萘基)，亞烯基(含2～20個碳原子，如亞乙烯基和亞丙烯基)，亞炔基(含2～20個碳原子，如亞乙炔基和亞丙炔基)，-CO-N(R101)-，-CO-O-，-SO2-N(R102)-，-SO2-O-，-N(R103)-CO-N(R104)-，-SO2-，-SO-，-S-，-O-，-CO-，-N(R105)-或亞雜芳(heterylene)基(含1～26個碳原子，如6-氯-1，3，5-三嗪-2，4-二基和嘧啶-2，4-二基)。此處，R101、R102、R103、R104和R105各自表示氫原子，取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基。另外，超過一個的由L表示的連接基可以存在于其連接的兩個生色團之間，并且兩個或兩個以上的L(優(yōu)選兩個L)可以相互連接形成環(huán)。
L優(yōu)選是構(gòu)成由兩個亞烷基(優(yōu)選兩個亞乙基)連接形成的環(huán)的基團。此處，形成的環(huán)優(yōu)選為5-或6-元環(huán)(特別是環(huán)己烷環(huán))。
式(I)中每個Ka21和Ka22均為0～3的整數(shù)。
當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，存在的超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26可以各自相同或不同。
優(yōu)選式(I)中的Ka21和Ka22都是2。
Q表示用于中和電荷的一價陽離子。因此，2Q表示二價陽離子。對Q表示的離子沒有特別限制，但其可以是衍生自無機化合物的離子，或者衍生自有機化合物的離子。Q表示的陽離子的實例包括金屬離子如鈉離子和鉀離子，和鎓離子如季銨離子，氧鎓離子，锍離子，鏻離子，硒鎓離子和碘鎓離子。
Q表示的陽離子優(yōu)選是鎓離子，更優(yōu)選季銨離子。至于季銨離子，JP-A-2000-52658中由式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子和JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子是特別適宜的。在類似4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子的雙陽離子化合物的情況下，Q對應于雙陽離子化合物的一半。
式(I)中，優(yōu)選各自單獨形成的酸核Za21、Za22、Za23和Za24是吡唑-5-酮，吡唑烷-3，5-二酮，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸，1，3-二噁烷-4，6-二酮或3，3-二氧代[1，3]氧硫雜環(huán)戊烷-5-酮，其是未取代的，或是被1-20C的取代或未取代的烷基或6-20C的取代或未取代的芳基取代的；Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地為未取代的次甲基或被乙基、甲基或苯基取代的次甲基；L是構(gòu)成由兩個亞烷基(優(yōu)選兩個亞乙基)連接形成的環(huán)的基團；Ka21和Ka22都是2；并且2Q表示的陽離子是JP-A-2000-52658中式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子或者JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子。
選自具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的化合物的兩種染料中的酸核的骨架可以相同或不同，但是優(yōu)選選擇具有相同酸核骨架的染料的組合。
更優(yōu)選選自具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的化合物的兩種染料是具有由式(IIIa)表示的結(jié)構(gòu)的染料和具有由式(IIIb)表示的結(jié)構(gòu)的染料。
下面詳細描述式(IIIa)。
在式(IIIa)中，R1和R2各自獨立，并且各自表示氫原子，未取代的烷基或未取代的芳基。優(yōu)選R1和R2獨立地表示未取代的烷基。更優(yōu)選R1和R2是不同的1-6C的未取代的烷基。R3、R4和R5相互獨立，并且各自表示氫原子或取代基。R3、R4和R5中的每個優(yōu)選為氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基5更優(yōu)選每個R3、R4和R5是氫原子，乙基，甲基或苯基。每個R6是氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。并且在一種優(yōu)選的情況下，兩個R6相互結(jié)合形成二價連接基。
L1表示二價連接基，優(yōu)選取代或未取代的亞烷基。至于L1和R6，其中L1和兩個R6相互連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情形是最適宜的。在此情形中的環(huán)結(jié)構(gòu)優(yōu)選是5-或6-元環(huán)結(jié)構(gòu)。n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)。此處，優(yōu)選n和m都是2。Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子。當n和m分別大于1時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同。
下面詳細描述式(IIIb)。
式(IIIb)中的R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q分別具有與式(IIIa)中的相同的含義，并且其適宜的實例也與式(IIIa)中的相同。然而，式(IIIb)中的R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q不需要分別與式(IIIa)中的那些同時一致。R1b表示氫原子，取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基，優(yōu)選為取代或未取代的1-12C烷基。R2b表示取代的烷基或取代的芳基，優(yōu)選取代的1-12C烷基。取代所述烷基的取代基的實例包括鹵素原子，烷基(包括環(huán)烷基和雙環(huán)烷基)，烯基(包括環(huán)烯基和雙環(huán)烯基)，炔基，芳基，雜環(huán)基，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基，芳氧基，甲硅烷氧基，雜環(huán)氧基，酰氧基，氨基甲酰氧基，烷氧羰基氧基，芳氧羰基氧基，氨基(包括苯胺基)，酰氨基，氨基羰基氨基，烷氧羰基氨基，芳氧羰基氨基，氨磺酰氨基，烷基磺酰氨基，芳基磺酰氨基，巰基，烷硫基，芳硫基，雜環(huán)硫基，氨磺酰基，磺基，烷基亞磺酰基，芳基亞磺?；?，烷基磺?；?，芳基磺酰基，酰基，芳氧羰基，烷氧羰基，氨基甲?；蓟嫉?，雜環(huán)偶氮基，亞氨基，膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基和甲硅烷基。這些取代基中，1-20C烷氧基、6-12C芳氧基、2-12C烷氧羰基和6-20C的取代或未取代的酰氧基比其它優(yōu)選。
下面詳細描述式(III)。R1和R2各自獨立，并且各自表示氫原子，取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。備選地，R1和R2可以相互結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選R1和R2中的每個獨立地表示取代或未取代的烷基。更優(yōu)選R1和R2是不同的1-6C的未取代的烷基。R3、R4和R5相互獨立，并且各自表示氫原子或取代基。R3、R4和R5中的每個優(yōu)選為氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基。更優(yōu)選R3、R4和R5中的每個是氫原子，乙基，甲基或苯基，特別優(yōu)選R3、R4和R5都是氫原子。每個R6是氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。并且在一種優(yōu)選的情況下，兩個R6相互結(jié)合形成二價連接基。L1是二價連接基，優(yōu)選取代或未取代的亞烷基。至于L1和R6，其中L1和兩個R6相互連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)的情形是最適宜的。在此情形中的環(huán)結(jié)構(gòu)優(yōu)選是5-或6-元環(huán)結(jié)構(gòu)。n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)。此處，優(yōu)選n和m都是2。每個Q表示用于中和電荷的一價陽離子，因此2Q表示二價陽離子。當n和m各自大于1時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同。
下面描述當形成非晶膜時吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的氧雜菁染料。術(shù)語“氧雜菁染料”定義為由以下式(A)表示的化合物，并且沒有特別限制，只要其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)即可。然而，優(yōu)選所述氧雜菁染料是具有直鏈或環(huán)狀酸核、酸核中次甲基個數(shù)為5～7的染料。在式(A)中，n優(yōu)選為1～3的整數(shù)。具有如式(I)描述中所列舉的環(huán)狀酸核的氧雜菁染料，優(yōu)選由式(I)或式(II)表示的染料，特別是由式(II)表示的染料，相對于其它而言是有利的。
式(A)
R氫或取代基，n大于等于0的整數(shù)。
由式(I)表示的并且其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料的取代基具有與實施方案[1]的式(I)中的取代基相同的含義。染料的酸核優(yōu)選為2，3-二氫-1，3-茚二酮，吡唑啉酮，吡唑啉二酮或苯并噻吩酮二氧化物，特別優(yōu)選吡唑啉酮。Ma21～Ma26、L、Ka21和Ka22與實施方案[1]的式(I)中的那些相同。
下面詳細描述式(II)。在式(II)中，Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子。所述酸核與式(I)中由Za21、Za22、Za23或Za24形成的酸核含義相同，并且其實例所包括的也相同。由Za25和Za26中的每個形成的酸核優(yōu)選為2，3-二氫-1，3-茚二酮，吡唑啉酮，吡唑啉二酮或苯并噻吩酮二氧化物，特別優(yōu)選吡唑啉酮。
Ma27、Ma28和Ma29相互獨立，并且各自表示取代或未取代的次甲基。它們與式(I)中的Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26含義相同，并且它們的實例及其適宜的基團也與式(I)中的那些相同。優(yōu)選Ma27、Ma28和Ma29都是未取代的次甲基。
Ka23表示0～3的整數(shù)，并且它與式(I)中的Ka21和Ka22含義相同。式(I)中優(yōu)選Ka23是2。Q表示一價陽離子。
當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料優(yōu)選為由式(IV)、(V)、(VI)或(VII)表示的染料。
在式(IV)、(V)、(VI)和(VII)中，R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R32和R33(在某些情況下用符號“R”統(tǒng)一表示)相互獨立，并且各自表示氫原子或取代基。這種取代基的實例包括鹵素原子，取代或未取代的烷基(包括環(huán)烷基和雙環(huán)烷基)，取代或未取代的烯基(包括環(huán)烯基和雙環(huán)烯基)，取代或未取代的炔基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的雜環(huán)基，氰基，羥基，硝基，羧基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的芳氧基，取代或未取代的甲硅烷氧基，取代或未取代的雜環(huán)氧基，取代或未取代的酰氧基，取代或未取代的氨基甲酰氧基，取代或未取代的烷氧羰基氧基，取代或未取代的芳氧羰基氧基，取代或未取代的氨基(包括苯胺基)，取代或未取代的酰氨基，取代或未取代的氨基羰基氨基，取代或未取代的烷氧羰基氨基，取代或未取代的芳氧羰基氨基，取代或未取代的氨磺酰氨基，取代或未取代的烷基磺酰氨基，取代或未取代的芳基磺酰氨基，取代或未取代的巰基，取代或未取代的烷硫基，取代或未取代的芳硫基，取代或未取代的雜環(huán)硫基，取代或未取代的氨磺?；?，磺基，取代或未取代的烷基亞磺?；〈蛭慈〈姆蓟鶃喕酋；〈蛭慈〈耐榛酋；〈蛭慈〈姆蓟酋；〈蛭慈〈孽；?，取代或未取代的芳氧羰基，取代或未取代的烷氧羰基，取代或未取代的氨基甲?；?，取代或未取代的芳基偶氮基，取代或未取代的雜環(huán)偶氮基，取代或未取代的亞氨基，取代或未取代的膦基，取代或未取代的氧膦基，取代或未取代的氧膦基氧基，取代或未取代的氧膦基氨基和取代或未取代的甲硅烷基。
更具體而言，R可以表示的取代基包括鹵素原子(例如，氯原子，溴原子或碘原子)，烷基[其具體表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的取代或未取代的烷基，其實例包括烷基(優(yōu)選1-30C烷基，如甲基，乙基，正丙基，異丙基，叔丁基，正辛基，二十烷基，2-氯乙基，2-氰基乙基或者2-乙基己基)，環(huán)烷基(優(yōu)選3-30C的取代或未取代的環(huán)烷基，如環(huán)己基，環(huán)戊基或4-正十二烷基環(huán)己基)，雙環(huán)烷基(優(yōu)選5-30C的取代或未取代的雙環(huán)烷基，即通過從5-30C的雙環(huán)烷烴除去一個氫原子形成的一價基團，如雙環(huán)[1，2，2]庚烷-2-基或雙環(huán)[2，2，2]辛烷-3-基)和包括三環(huán)烷基的具有多個環(huán)結(jié)構(gòu)的烷基。烷基的這種概念適用于下面列舉的取代基中的烷基部分(例如，烷硫基的烷基部分)]，烯基[具體表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的取代或未取代的烯基，其實例包括烯基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的烯基，如乙烯基，烯丙基，丙烯基，香葉基或油烯基)，環(huán)烯基(優(yōu)選3-30C的取代或未取代的環(huán)烯基，即通過從3-30C環(huán)烯上除去一個氫原子形成的一價基團，如2-環(huán)戊烯-1-基或2-環(huán)己烯-1-基)和雙環(huán)烯基(取代或未取代的雙環(huán)烯基，優(yōu)選5-30C的取代或未取代的雙環(huán)烯基，即通過從含有一個雙鍵的雙環(huán)烯烴中除去一個氫原子形成的一價基團，如雙環(huán)[2，2，1]庚-2-烯-1-基或雙環(huán)[2，2，2]辛-2-烯-4-基)]，炔基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的炔基，如乙炔基，丙炔基或三甲代甲硅烷基乙炔基)，芳基(優(yōu)選6-30C的取代或未取代的芳基，如苯基，對甲苯基，萘基，間-氯苯基或鄰-十六?；被交?，雜環(huán)基(優(yōu)選通過從5-或6-元的取代或未取代的芳族或非芳族雜環(huán)化合物除去一個氫原子形成的一價基團，更優(yōu)選3-30C的5-或6-元芳族雜環(huán)基，如2-呋喃基，2-噻吩基，2-嘧啶基或2-苯并噻唑基)，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基(優(yōu)選1-30C的取代或未取代的烷氧基，如甲氧基，乙氧基，異丙氧基，叔丁氧基，正辛氧基或2-甲氧乙氧基)，芳氧基(優(yōu)選6-30C的取代或未取代的芳氧基，如苯氧基，2-甲基苯氧基，4-叔丁基苯氧基，3-硝基苯氧基或2-十四?；被窖趸?，甲硅烷氧基(優(yōu)選3-20C的甲硅烷氧基，如三甲基甲硅烷氧基或叔丁基二甲基甲硅烷氧基)，雜環(huán)氧基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的雜環(huán)氧基，如1-苯基四唑-5-氧基或2-四氫吡喃基氧基)，酰氧基(優(yōu)選甲酰氧基，2-30C的取代或未取代的烷基羰基氧基或6-30C的取代或未取代的芳基羰基氧基，如甲酰氧基，乙酰氧基，新戊酰氧基，硬脂酰氧基，苯甲酰氧基或?qū)?甲氧基苯基羰基氧基)，氨基甲酰氧基(優(yōu)選1-30C的取代或未取代的氨基甲酰氧基，如N，N-二甲基氨基甲酰氧基，N，N-二乙基氨基甲酰氧基，嗎啉代羰基氧基，N，N-二-正辛基氨基羰基氧基，N-正辛基氨基甲酰氧基)，烷氧羰基氧基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的烷氧羰基氧基，如甲氧羰基氧基，乙氧羰基氧基，叔丁氧基羰基氧基或正辛基羰基氧基)，芳氧羰基氧基(優(yōu)選7-30C的取代或未取代的芳氧羰基氧基，如苯氧基羰基氧基，對-甲氧基苯氧基羰基氧基或?qū)?正十六烷氧基苯氧基羰基氧基)，氨基(優(yōu)選氨基，1-30C的取代或未取代的烷基氨基或6-30C的取代或未取代的芳基氨基，如氨基，甲氨基，二甲氨基，苯胺基，N-甲基-苯胺基或二苯基氨基)，酰氨基(優(yōu)選甲酰氨基，1-30C的取代或未取代的烷基羰基氨基或6-30C的取代或未取代的芳基a羰基氨基，如甲酰氨基，乙酰氨基，新戊酰氨基，月桂酰氨基，苯甲酰氨基或3，4，5-三-正辛氧基苯基羰基氨基)，氨基羰基氨基(優(yōu)選1-30C的取代或未取代的氨基羰基氨基，如氨基甲?；被琋，N-二甲基氨基羰基氨基，N，N-二乙基氨基羰基氨基或嗎啉代羰基氨基)，烷氧羰基氨基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的烷氧羰基氨基，如甲氧基羰基氨基，乙氧基羰基氨基，叔丁氧基羰基氨基，正十八烷氧基羰基氨基或N-甲基-甲氧基羰基氨基)，芳氧羰基氨基(優(yōu)選7-30C的取代或未取代的芳氧羰基氨基，如苯氧基羰基氨基，對-氯苯氧基羰基氨基或間-正辛氧基苯氧基羰基氨基)，氨磺酰氨基(優(yōu)選0-30C的取代或未取代的氨磺酰氨基，如氨磺酰氨基，N，N-二甲基氨基氨磺酰氨基或N-正辛基氨基氨磺酰氨基)，烷基-和芳基磺酰氨基(優(yōu)選1-30C的取代或未取代的烷基磺酰氨基和6-30C的取代或未取代的芳基磺酰氨基，如甲磺酰氨基，丁磺酰氨基，苯磺酰氨基，2，3，5-三氯苯磺酰氨基和對-甲基苯磺酰氨基)，巰基，烷硫基(優(yōu)選1-30C的取代或未取代的烷硫基，如甲硫基，乙硫基或正十六烷硫基)，芳硫基(優(yōu)選6-30C的取代或未取代的芳硫基，如苯硫基，對-氯苯硫基或間-甲氧基苯硫基)，雜環(huán)硫基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的雜環(huán)硫基，如2-苯并噻唑基硫基或1-苯基四唑-5-基硫基)，氨磺酰基(優(yōu)選0-30C的取代或未取代的氨磺?；?，如N-乙氨磺?；?，N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺?；?，N，N-二甲基氨磺?；琋-乙?；被酋；?，N-苯甲酰基氨磺?；騈-(N’-苯基氨基甲?；?氨磺?；?，磺基，烷基-和芳基亞磺?；?優(yōu)選1-30C的取代或未取代的烷基亞磺酰基和6-30C的取代或未取代的芳基亞磺?；?，如甲基亞磺?；蛞一鶃喕酋；捅交鶃喕酋；?qū)?甲基苯基亞磺?；?，烷基-和芳基磺?；?優(yōu)選1-30C的取代或未取代的烷基磺?；?-30C的取代或未取代的芳基磺?；缂谆酋；蛞一酋；捅交酋；?qū)?甲基苯磺酰基)，?；?優(yōu)選甲?；?，2-30C的取代或未取代的烷基羰基，7-30C的取代或未取代的芳基羰基或4-30C的取代或未取代的雜環(huán)基羰基，其羰基部分接在環(huán)中的碳原子上，如乙?；挛祯；?，2-氯乙?；?，硬脂酰基，苯甲酰基，對-正辛氧基苯基羰基，2-吡啶基羰基或2-呋喃基羰基)，芳氧羰基(優(yōu)選7-30C的取代或未取代的芳氧羰基，如苯氧羰基，鄰-氯苯氧羰基，間-硝基苯氧羰基或?qū)?叔丁基苯氧羰基)，烷氧羰基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的烷氧羰基，如甲氧羰基，乙氧羰基，叔丁氧羰基或正十八烷氧羰基)，氨基甲?；?優(yōu)選1-30C的取代或未取代的氨基甲酰基，如氨基甲?；?，N-甲基氨基甲?；?，N，N-二甲基氨基甲?；?，N，N-二-正辛基氨基甲?；騈-(甲磺酰基)氨基甲?；?，芳基-和雜環(huán)偶氮基(優(yōu)選6-30C的取代或未取代的芳基偶氮基和3-30C的取代或未取代的雜環(huán)偶氮基，如苯基偶氮基或?qū)?氯苯基偶氮基，和5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮基)，亞氨基(優(yōu)選N-琥珀酰亞氨基或N-苯二甲酰亞氨基)，膦基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的膦基，如二甲基膦基，二苯基膦基或甲基苯氧基膦基)，氧膦基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的氧膦基，如氧膦基，二辛氧基氧膦基或二乙氧基氧膦基)，氧膦基氧基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的氧膦基氧基，如二苯氧基氧膦基氧基或二辛氧基氧膦基氧基)，氧膦基氨基(優(yōu)選2-30C的取代或未取代的氧膦基氨基，如二甲氧基氧膦基氨基或二甲基膦酰基氨基)和甲硅烷基(優(yōu)選3-30C的取代或未取代的甲硅烷基，如三甲代甲硅烷基，叔丁基二甲基甲硅烷基或苯基二甲基甲硅烷基)。
作為R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27和R28每一個，氫原子是最適宜的。
R31、R34、R41、R42、R43和R44中的每一個，盡管其可以表示的取代基包括與上述那些R可表示的取代基相同的取代基，但是優(yōu)選為氫原子，取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基，特別優(yōu)選取代或未取代的芳基。
Ma27、Ma28和Ma29相互獨立，并且各自表示取代或未取代的次甲基。它們的含義分別與式(II)中的Ma27、Ma28和Ma29相同，并且它們的實例和適宜的基團也與式(II)中的那些相同。每個式中的Ka23表示0～3的整數(shù)。Q表示用于中和電荷的一價陽離子。當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
在具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料中，以下式(VIII)表示的結(jié)構(gòu)的染料是最適宜的。

下面詳細描述由式(VIII)表示的結(jié)構(gòu)的染料。
在式(VIII)中，R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59和R60相互獨立，并且各自表示氫原子或取代基。取代基優(yōu)選為取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，鹵素原子，取代或未取代的氨基甲酰基或者取代或未取代的酰氨基。特別適宜的是它們都是氫原子的情況，或者R51、R53、R55、R56、R58和R60都是氫原子，同時R52、R54、R57和R59都是氫原子的情況。R61和R67中的每一個表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，氰基，取代或未取代的氨基甲?；〈蛭慈〈耐檠趸?，取代或未取代的烷氧羰基，取代或未取代的芳氧羰基，或者取代或未取代的酰氨基。這些基團中，取代的和未取代的烷氧羰基，特別是未取代的烷氧羰基比其它優(yōu)選。
R62、R63、R64、R65和R66相互獨立，并且各自表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的酰氨基或者取代或未取代的雜環(huán)基。至于R62、R63、R65和R66，優(yōu)選它們都是氫原子。另一方面，R64優(yōu)選為氫原子或者取代或未取代的芳基。
R71、R72、R73、R74、R75、R76、R77、R78、R79、R80、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87和R88相互獨立，并且各自表示氫原子或取代基。取代基優(yōu)選為取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基、羥基或者取代或未取代的酰氨基。至于R71、R72、R75、R76、R77和R80，優(yōu)選它們都是氫原子。至于R73和R78，優(yōu)選它們每一個均是羥基。至于R74和R79，優(yōu)選它們每一個均是苯基。
至于R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87和R88，優(yōu)選它們都是氫原子。
具有式(I)所示結(jié)構(gòu)的染料以染料膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值的波長優(yōu)選從500nm至小于600nm，更優(yōu)選從550nm至小于590nm，特別優(yōu)選從570nm至小于580nm。
具有式(II)所示結(jié)構(gòu)的染料以染料膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值的波長優(yōu)選從600nm至小于720nm，更優(yōu)選從650nm至小于710nm，特別優(yōu)選從670nm至小于700nm。
下面舉例說明根據(jù)本發(fā)明的由式(I)表示的化合物的適宜實例，但是這些實例不應理解為對本發(fā)明范圍的限制。
化合物(I)-1～(I)-22是由式(I)表示的并且以非晶膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)的雙-氧雜菁染料的化合物實例。作為式(II)表示的染料的實例的化合物(I)-23～(I)-24和化合物(II)-1～(II)-25是以非晶膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的化合物。











典型的氧雜菁染料可以通過它們的相應的活性亞甲基化合物和次甲基源(用于將次甲基引入到次甲基染料中的化合物)之間的縮合反應合成。這些種類化合物的細節(jié)可以參考JP-B-39-22069，JP-B-43-3504，JP-B-52-38056，JP-B-54-38129，JP-B-55-10059，JP-B-58-35544，JP-A-49-99620，JP-A-52-92716，JP-A-59-16834，JP-A-63-316853，JP-B-64-40827，英國專利No.1,133,986和美國專利Nos.3,247,127，4,042,397，4,181,225，5,213,956和5,260,179。這些化合物還公開于JP-A-63-209995，JP-A-10-309871和JP-A-2002-249674中。
雙-氧雜菁染料的合成方法公開于EP-A2-1424691中。
在本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)中，本發(fā)明涉及的并且以非晶膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm波長范圍內(nèi)的兩種染料中的每一種占總?cè)玖系?～98質(zhì)量％，而本發(fā)明涉及的并且以非晶膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料占總?cè)玖系?～20質(zhì)量％。優(yōu)選吸收最大值在500nm至小于600nm波長范圍內(nèi)的兩種染料中的每一種占總?cè)玖系?0～95質(zhì)量％，并且吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料占總?cè)玖系?～10質(zhì)量％。特別優(yōu)選吸收最大值在500nm至小于600nm波長范圍內(nèi)的兩種染料中的每一種占總?cè)玖系?0～95質(zhì)量％，并且吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料占總?cè)玖系?～6質(zhì)量％。本發(fā)明涉及的并且以非晶膜形式表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm波長范圍內(nèi)的兩種染料之間的適宜混合比率為1∶1～1∶5，優(yōu)選為1∶1～1∶4，特別優(yōu)選為1∶1～1∶3。
此外，上述三種染料可以和另外的染料組合使用。此處，優(yōu)選另外組合使用的染料也是氧雜菁染料。
對本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)沒有特別限制，只要其包含由式(I)和(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料作為記錄層即可。然而，當其應用于CD-R時，優(yōu)選本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)具有這樣的構(gòu)造將由具有式(I)和(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料制成的記錄層，光反射層和保護層以所述順序安置在1.2±0.2mm-厚的透明盤狀襯底上，在所述的襯底中形成磁道間距為1.4μm～1.8μm的預槽。另一方面，當本發(fā)明的記錄介質(zhì)應用于DVD-R時，其優(yōu)選實施方案是以下(1)和(2) (1)一種光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)由兩個層壓體構(gòu)成，所述層壓體每個包含在0.6±0.1mm-厚的透明盤狀襯底上的記錄層和光反射層，所述記錄層包括由式(I)和(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料，所述透明盤狀襯底上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽，所述兩個層壓體以記錄層在內(nèi)部的方式粘合使其總厚度為1.2±0.2mm。
(2)一種光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過將層壓體和具有與層壓體相同尺寸的盤狀保護襯底粘合而形成，所述層壓體由形成有磁道間距為0.6～0.9μm的預槽的0.6±0.1mm-厚的透明盤狀襯底、由式(I)和(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料構(gòu)成的記錄層和光反射層形成，所述層壓體和盤狀保護襯底以記錄層在內(nèi)部的方式粘合使其總厚度為1.2±0.2mm。
順便提及，上述DVD-R型的光學信息記錄介質(zhì)還可以被構(gòu)造成在它們各自的光反射層上還配置保護層。
下面詳細說明由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的染料。
在式(II’)中，Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，所述酸核的實例描述于The Theory of the PhotographicProcess，James編輯的第4版，198頁，Macmillan Publishing Co.，Inc.(1977)中。更具體而言，這種酸核包括吡唑啉酮-5-酮，吡唑烷-3，5-二酮，咪唑啉-5-酮，乙內(nèi)酰脲，2-或4-硫代乙內(nèi)酰脲，2-亞氨基噁唑烷-4-酮，2-噁唑啉-5-酮，2-硫代噁唑啉-2，4-二酮，異繞丹寧，繞丹寧，噻吩-3-酮，噻吩-3-酮-1，1-二氧化物，二氫吲哚-2-酮，二氫吲哚-3-酮，2-氧代吲唑鎓，5，7-二氧代-6，7-二氫噻唑并[3，2-a]嘧啶，3，4-二氫異喹啉-4-酮，1，3-二噁烷-4，6-二酮(例如，merdramic acid)，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸，香豆素-2，4-二酮，吲唑啉-2-酮，吡啶并[1，2-a]嘧啶-1，3-二酮，吡唑并[1，5-b]喹唑啉酮，吡唑并吡啶酮，3-二氰基methylidynyl-3-苯基丙腈，和5-或6-元碳環(huán)(例如，己烷-1，3-二酮，戊烷-1，3-二酮，茚滿-1，3-二酮)。這些核中，吡唑-5-酮，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸和1，3-二噁烷-4，6-二酮比其它優(yōu)選。
作為Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26每一個，1，3-二噁烷-4，6-二酮是最適宜的。
可以取代上述每種酸核的取代基的實例包括鹵素原子，烷基(包括環(huán)烷基和雙環(huán)烷基)，烯基(包括環(huán)烯基和雙環(huán)烯基)，炔基，芳基，雜環(huán)基，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基，芳氧基，甲硅烷氧基，雜環(huán)氧基，酰氧基，氨基甲酰氧基，烷氧羰基氧基，芳氧羰基氧基，烷基氨基，芳基氨基，酰氨基，氨基羰基氨基，烷氧羰基氨基，芳氧羰基氨基，氨磺酰氨基，烷基磺酰氨基，芳基磺酰氨基，巰基，烷硫基，芳硫基，雜環(huán)硫基，氨磺酰基，磺基，烷基亞磺?；?，芳基亞磺?；?，烷基磺?；?，芳基磺?；?，?；?，芳氧羰基，烷氧羰基，氨基甲酰基，芳基偶氮基，雜環(huán)偶氮基，亞氨基，膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基和甲硅烷基。這些基團中，1-20C的取代或未取代的烷基和6-20C的取代或未取代的芳基比其它優(yōu)選。
適宜的酸核是不含取代基的酸核、被1-20C的取代或未取代的烷基取代的酸核或者被6-20C的取代或未取代的芳基取代的酸核。
Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29中的每一個獨立地表示取代或未取代的次甲基?？梢匀〈渭谆幕鶊F的適宜實例包括1-20C的烷基(例如，甲基，乙基，異丙基)，鹵素原子(例如，氯，溴，碘，氟)，1-20C的烷氧基(例如，甲氧基，乙氧基，異丙氧基)，6-26C的芳基(例如，苯基，2-萘基)，0-20C的雜環(huán)基(例如，2-吡啶基，3-吡啶基)，6-20C的芳氧基(例如，苯氧基，1-萘氧基，2-萘氧基)，1-20C的酰氨基(例如，乙酰氨基，苯甲酰氨基)，1-20C的氨基甲?；?例如，N，N-二甲基氨基甲酰基)，磺基，羥基，羧基，1-20C的烷硫基(例如，甲硫基)和氰基。備選地，每個次甲基可以與另一次甲基組合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，或者可以與Za21、Za22、Za23、Za24、Za25或Za26的構(gòu)成原子組合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、M27、M28和M29中的每一個獨立地為未取代的次甲基，或者被乙基、甲基或苯基取代的次甲基，特別是未取代的次甲基。
L11和L12各自獨立，并且各自是與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基。對二價連接基沒有特別限制，只要其在結(jié)合的生色團之間不形成π-共軛體系即可，但是優(yōu)選表示0-100C的、優(yōu)選1-20C的由選自以下的一種基團或者兩種或兩種以上基團的組合構(gòu)成的連接基亞烷基(含1～20個碳原子，如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基和亞戊基)，亞芳基(含6～26個碳原子，如亞苯基和亞萘基)，亞烯基(含2～20個碳原子，如亞乙烯基和亞丙烯基)，亞炔基(含2～20個碳原子，如亞乙炔基和亞丙炔基)，-CO-N(R101)-，-CO-O-，-SO2-N(R102)-，-SO2-O-，-N(R103)-CO-N(R104)-，-SO2-，-SO-，-S-，-O-，-CO-，-N(R105)-或亞雜芳基(含1～26個碳原子，如6-氯-1，3，5-三嗪-2，4-二基和嘧啶-2，4-二基)。此處，R101、R102、R103、R104和R105各自表示氫原子，取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基。另外，超過一個的由L11或L12表示的連接基可以存在于其連接的兩個生色團之間，并且超過一個的L11或L12(優(yōu)選兩L11或兩個L12)可以相互連接形成環(huán)。
L11和L12中的每一個優(yōu)選是構(gòu)成由兩個亞烷基(優(yōu)選兩個亞乙基)連接形成的環(huán)的基團。此處，形成的環(huán)優(yōu)選為5-或6-元環(huán)(特別是環(huán)己烷環(huán))。
在式(II’)中，Ka21、Ka22和Ka23相互獨立，并且各自為0～3的整數(shù)。當Ka21、Ka22和Ka23各自是大于1的數(shù)，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25、超過一個的Ma26、超過一個的Ma28和超過一個的Ma29可以各自相同或不同。優(yōu)選在式(II’)中，Ka21、Ka22和Ka23都是2。
Q表示用于中和電荷的一價陽離子。詞語“一價陽離子”表示二價陽離子的一半。因此，2Q表示二價陽離子，并且3Q表示三價陽離子。對Q表示的離子沒有特別限制，其可以是衍生自無機化合物的離子，或者衍生自有機化合物的離子。Q表示的陽離子的實例包括金屬離子如鈉離子和鉀離子，和鎓離子如季銨離子，氧鎓離子，锍離子，鏻離子，硒鎓離子和碘鎓離子。
Q表示的陽離子優(yōu)選是鎓離子，更優(yōu)選季銨離子。至于季銨離子，JP-A-2000-52658中由式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子和JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子是特別適宜的。
在式(II’)中，優(yōu)選各自單獨形成的酸核Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26是吡唑-5-酮，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸或1，3-二噁烷-4，6-二酮，其是未取代的，或是被1-20C的取代或未取代的烷基或6-20C的取代或未取代的芳基取代的，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地為未取代的次甲基或被乙基、甲基或苯基取代的次甲基，L11和L12中的每一個是構(gòu)成由兩個亞烷基(優(yōu)選兩個亞乙基)連接形成的環(huán)的基團，Ka21、Ka22和Ka23都是2，并且Q表示的陽離子是JP-A-2000-52658中式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子的一半或者JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子的一半。
在由式(I’)表示的化合物中，式(I’)中的Za21、Za22、Za23和Za24，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、L11、Ka21、Ka22和Q的含有分別與式(II’)中的相同，并且每個單獨符號表示的基團的適宜范圍也相同。
下面舉例說明本發(fā)明的式(II’)表示的化合物的適宜實例，但是這些化合物不應理解為對本發(fā)明范圍的限制。





下面舉例說明用于本發(fā)明中的并且由式(I’)表示的化合物的適宜實例，但是這些實例不應理解為對本發(fā)明范圍的限制。



典型的氧雜菁染料的部分可以通過其相應的活性亞甲基化合物和次甲基源(用于將次甲基引入到次甲基染料中的化合物)之間的縮合反應合成。這些種類化合物的細節(jié)可以參考JP-B-39-22069，JP-B-43-3504，JP-B-52-38056，JP-B-54-38129，JP-B-55-10059，JP-B-58-35544，JP-A-49-99620，JP-A-52-92716，JP-A-59-16834，JP-A-63-316853，JP-B-64-40827，英國專利No.1,133,986和美國專利Nos.3,247,127，4,042,397，4,181,225，5,213,956和5,260,179。
盡管本發(fā)明涉及的并且具有由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物可以單獨使用，但是還可以使用該化合物與具有由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料的混合物。當它們以混合物形式使用時，優(yōu)選由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的80～99質(zhì)量％，并且由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的1～20質(zhì)量％。
更優(yōu)選由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的85～97質(zhì)量％，并且由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的3～10質(zhì)量％，特別優(yōu)選由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的85～95質(zhì)量％，并且由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的染料占所用染料總量的3～8質(zhì)量％。
還可以將第三種染料與上述混合物組合使用。在這種情況下，優(yōu)選第三種染料也是氧雜菁染料。
存在這樣的情況，即，本發(fā)明涉及的并且具有由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的染料可以作為合成由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料的副產(chǎn)物而形成。在這些情況下，可以將反應產(chǎn)物以混合物形式用于制備光學記錄介質(zhì)，而無需從式(I’)染料中分離式(II’)染料并且純化。從染料的生產(chǎn)率考慮，使用這種反應產(chǎn)物是有利的。
對本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)沒有特別限制，只要其包含由式(II’)表示的染料化合物(優(yōu)選與式(I’)表示的染料組合)作為記錄層即可。然而，當它應用于CD-R時，優(yōu)選本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)具有這樣的構(gòu)造將包含式(II，)表示的結(jié)構(gòu)的染料(優(yōu)選與式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的染料組合)的記錄層，光反射層和保護層以所述順序安置在1.2±0.2mm-厚的透明盤狀襯底上，在所述的襯底中形成磁道間距為1.4μm～1.8μm的預槽。另一方面，當本發(fā)明的記錄介質(zhì)應用于DVD-R時，其優(yōu)選實施方案是以下(1)和(2) (1)一種光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)由兩個層壓體構(gòu)成，所述層壓體每個包含在0.6±0.1mm-厚的透明盤狀襯底上的記錄層和光反射層，所述記錄層包括由式(II’)表示的染料化合物(優(yōu)選與式(I’)表示的染料組合)，所述透明盤狀襯底上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽，所述兩個層壓體以記錄層在內(nèi)部的方式粘合使其總厚度為1.2±0.2mm。
(2)一種光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過將層壓體和具有與層壓體相同尺寸的盤狀保護襯底粘合而形成，所述層壓體由形成有磁道間距為0.6～0.9μm的預槽的0.6±0.1mm-厚的透明盤狀襯底、包括由式(II’)表示的染料化合物(優(yōu)選與式(I’)表示的染料組合)的記錄層和光反射層形成，所述層壓體和盤狀保護襯底以記錄層在內(nèi)部的方式粘合使其總厚度為1.2±0.2mm。順便提及，上述DVD-R型的光學信息記錄介質(zhì)還可以被構(gòu)造成在它們各自的光反射層上還配置保護層。
接著，將描述本發(fā)明中的光學信息記錄介質(zhì)，其中記錄層中的染料是氧雜菁染料和花青染料的混合物。
用于本發(fā)明光學信息記錄介質(zhì)的氧雜菁染料，如果它們是氧雜菁染料，則是足夠的。至于氧雜菁染料的具體實例，示例的是在F.M.Harmer，Heterocyclic Compounds-Cyanine and Related Compounds，John & Wiley &Sons，New York，London(1964)中描述的那些。在氧雜菁染料中，優(yōu)選具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料。
式(1’)
在式(1’)中，Za11和Za12各自表示用于形成酸核的原子團。作為Za11和Za12的具體實例，示例的是在James，The Theory of thePhotographic Process，第4版，198頁，Macmillan Publishing Co.，Inc.(1977)中描述的化合物。具體而言，示例的是核如吡唑-5-酮，吡唑啉-3，5-二酮，咪唑啉-5-酮，乙內(nèi)酰脲，2-或4-硫代乙內(nèi)酰脲，2-亞氨基噁唑烷-4-酮，2-噁唑啉-5-酮，2-硫代噁唑啉-2，4-二酮，異繞丹寧，繞丹寧，5-或6-元碳環(huán)(例如，茚滿-1，3-二酮)，噻吩-3-酮，噻吩-3-酮-1，1-二氧化物，二氫吲哚-2-酮，二氫吲哚-3-酮，2-氧代吲唑鎓，5，7-二氧代-6，7-二氫噻唑并[3，2-a]嘧啶，3，4-二氫異喹啉-4-酮，1，3-二噁烷-4，6-二酮(例如，merdramic acid)，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸，香豆素-2，4-二酮，吲唑啉-2-酮，吡啶并[1，2-a]嘧啶-1，3-二酮，吡唑并[1，5-b]喹唑啉酮，吡唑并吡啶酮，3-二氰基methylidynyl-3-苯基丙腈和merdramic acid，并且更優(yōu)選吡唑-5-酮，巴比妥酸，2-硫代巴比妥酸和1，3-二噁烷-4，6-二酮。
Za11和Za12可以被取代基取代。Za11和Za12的取代基的實例包括取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的芳氧基，取代或未取代的雜環(huán)基，鹵素原子，羧基，取代或未取代的烷氧羰基，氰基，取代或未取代的?；?，取代或未取代的氨基甲?；被?，取代的氨基，磺基，羥基，硝基，取代或未取代的亞磺酰氨基，取代或未取代的脲基，取代或未取代的烷基磺?；?，取代或未取代的芳基磺?；〈蛭慈〈膩喕酋；腿〈蛭慈〈陌被酋；?。
優(yōu)選的取代基包括含1～20個碳原子的取代或未取代的烷基，含2～20個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基，含1～20個碳原子的取代或未取代的烷氧基，含6～20個碳原子的取代或未取代的芳基和鹵素原子，更優(yōu)選的取代基是含1～10個碳原子的取代或未取代的烷基，含1～10個碳原子的取代或未取代的烷氧基，含2～10個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基和鹵素原子，最優(yōu)選的取代基是含1～5個碳原子的未取代的烷基，含1～5個碳原子的未取代的烷氧基，含2～6個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基和鹵素原子。
Ma11、Ma12和Ma13各自表示取代或未取代的次甲基。作為用于取代Ma11、Ma12和Ma13的取代基，示例的是作為用于取代Za11和Za12的取代基而描述的那些。Ma11、Ma12和Ma13各自優(yōu)選表示未取代的次甲基，含1～5個碳原子的未取代的烷基，含1～5個碳原子的未取代的烷氧基，含2～6個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基，鹵素原子取代的次甲基或未取代的次甲基。
ka1表示0～3的整數(shù)，更優(yōu)選1～2的整數(shù)。當ka1大于或等于2時，多個Ma11和Ma12可以相同或不同。
Q1表示用于中和電荷的離子，并且y1表示中和電荷所需的數(shù)。
對Q1表示的離子沒有特別限制，所述離子可以是衍生自無機化合物的離子，或者衍生自有機化合物的離子。Q1表示的離子可以是一價或多價的。Q1表示的陽離子的實例包括金屬離子如鈉離子和鉀離子，和鎓離子如季銨離子，氧鎓離子，锍離子，鏻離子，硒鎓離子和碘鎓離子。
Q1表示的陽離子優(yōu)選是鎓離子，更優(yōu)選季銨離子。至于季銨離子，JP-A-2000-52658中由式(I-4)表示的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子和JP-A-2002-59652中公開的4，4’-聯(lián)吡啶鎓陽離子是特別優(yōu)選的。
在式(1’)表示的染料中，優(yōu)選其中由Q1表示的離子具有由以下式(3’)表示的結(jié)構(gòu)的那些染料。當Q1是二價陽離子時，y1取作1/2，Q1y1作為一個整體表示一價陽離子。
式(3’)
在式(3’)中，R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示氫原子或取代基。取代基的實例包括鹵素原子，烷基(包括環(huán)烷基和雙環(huán)烷基)，烯基(包括環(huán)烯基和雙環(huán)烯基)，炔基，芳基，雜環(huán)基，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基，芳氧基，甲硅烷氧基，雜環(huán)氧基，酰氧基，氨基甲酰氧基，烷氧羰基氧基，芳氧羰基氧基，氨基(包括苯胺基)，酰氨基，氨基羰基氨基，烷氧羰基氨基，芳氧羰基氨基，氨磺酰氨基，烷基-和芳基磺酰氨基，巰基，烷硫基，芳硫基，雜環(huán)硫基，氨磺?；腔?，烷基-和芳基亞磺酰基，烷基-和芳基磺?；?，酰基，芳氧羰基，烷氧羰基，氨基甲?；?，烷基-和雜環(huán)偶氮基，亞氨基，膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基和甲硅烷基。
更具體而言，R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示鹵素原子(例如，氯原子，溴原子，碘原子)，烷基[其表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的取代或未取代的烷基，其實例包括烷基(優(yōu)選含1-30個碳原子的烷基，如甲基，乙基，正丙基，異丙基，叔丁基，正辛基，二十烷基，2-氯乙基，2-氰基乙基或者2-乙基己基)，環(huán)烷基(優(yōu)選含3-30個碳原子的取代或未取代的環(huán)烷基，如環(huán)己基，環(huán)戊基或4-正十二烷基環(huán)己基)，雙環(huán)烷基(優(yōu)選含5-30個碳原子的取代或未取代的雙環(huán)烷基，即通過從含5-30個碳原子的雙環(huán)烷烴除去一個氫原子形成的一價基團，如雙環(huán)[1，2，2]庚烷-2-基或雙環(huán)[2，2，2]辛烷-3-基)和包括三環(huán)烷基的具有多個環(huán)結(jié)構(gòu)的烷基。烷基的這種概念適用于下面列舉的取代基中的烷基部分(例如，烷硫基的烷基部分)]，烯基[表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的取代或未取代的烯基，其實例包括烯基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的烯基，如乙烯基，烯丙基，丙烯基，香葉基或油烯基)，環(huán)烯基(優(yōu)選3-30個碳原子的取代或未取代的環(huán)烯基，即通過從3-30個碳原子環(huán)烯上除去一個氫原子形成的一價基團，如2-環(huán)戊烯-1-基或2-環(huán)己烯-1-基)和雙環(huán)烯基(取代或未取代的雙環(huán)烯基，優(yōu)選5-30個碳原子的取代或未取代的雙環(huán)烯基，即通過從含有一個雙鍵的雙環(huán)烯烴中除去一個氫原子形成的一價基團，如雙環(huán)[2，2，1]庚-2-烯-1-基或雙環(huán)[2，2，2]辛-2-烯-4-基)]，炔基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的炔基，如乙炔基，丙炔基或三甲代甲硅烷基乙炔基)，芳基(優(yōu)選6-30個碳原子的取代或未取代的芳基，如苯基，對甲苯基，萘基，間-氯苯基或鄰-十六?；被交?，雜環(huán)基(優(yōu)選通過從5-或6-元的取代或未取代的芳族或非芳族雜環(huán)化合物除去一個氫原子形成的一價基團，更優(yōu)選3-30個碳原子的5-或6-元芳族雜環(huán)基，如2-呋喃基，2-噻吩基，2-嘧啶基或2-苯并噻唑基)，氰基，羥基，硝基，羧基，烷氧基(優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的烷氧基，如甲氧基，乙氧基，異丙氧基，叔丁氧基，正辛氧基或2-甲氧乙氧基)，芳氧基(優(yōu)選6-30個碳原子的取代或未取代的芳氧基，如苯氧基，2-甲基苯氧基，4-叔丁基苯氧基，3-硝基苯氧基或2-十四?；被窖趸?，甲硅烷氧基(優(yōu)選3-20個碳原子的甲硅烷氧基，如三甲基甲硅烷氧基或叔丁基二甲基甲硅烷氧基)，雜環(huán)氧基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)氧基，如1-苯基四唑-5-氧基或2-四氫吡喃基氧基)，酰氧基(優(yōu)選甲酰氧基，2-30個碳原子的取代或未取代的烷基羰基氧基或6-30個碳原子的取代或未取代的?；驶趸?，如甲酰氧基，乙酰氧基，新戊酰氧基，硬脂酰氧基，苯甲酰氧基或?qū)?甲氧基苯基羰基氧基)，氨基甲酰氧基(優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的氨基甲酰氧基，如N，N-二甲基氨基甲酰氧基，N，N-二乙基氨基甲酰氧基，嗎啉代羰基氧基，N，N-二-正辛基氨基羰基氧基，N-正辛基氨基甲酰氧基)，烷氧羰基氧基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的烷氧羰基氧基，如甲氧羰基氧基，乙氧羰基氧基，叔丁氧基羰基氧基或正辛基羰基氧基)，芳氧羰基氧基(優(yōu)選7-30個碳原子的取代或未取代的芳氧羰基氧基，如苯氧基羰基氧基，對-甲氧基苯氧基羰基氧基或?qū)?正十六烷氧基苯氧基羰基氧基)，氨基(優(yōu)選氨基，1-30個碳原子的取代或未取代的烷基氨基或6-30個碳原子的取代或未取代的芳基氨基，如氨基，甲氨基，二甲氨基，苯胺基，N-甲基-苯胺基或二苯基氨基)，酰氨基(優(yōu)選甲酰氨基，1-30個碳原子的取代或未取代的烷基羰基氨基或6-30個碳原子的取代或未取代的芳基羰基氨基，如甲酰氨基，乙酰氨基，新戊酰氨基，月桂酰氨基，苯甲酰氨基或3，4，5-三-正辛氧基苯基羰基氨基)，氨基羰基氨基(優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的氨基羰基氨基，如氨基甲?；被?，N，N-二甲基氨基羰基氨基，N，N-二乙基氨基羰基氨基或嗎啉代羰基氨基)，烷氧羰基氨基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的烷氧羰基氨基，如甲氧基羰基氨基，乙氧基羰基氨基，叔丁氧基羰基氨基，正十八烷氧基羰基氨基或N-甲基-甲氧基羰基氨基)，芳氧羰基氨基(優(yōu)選7-30個碳原子的取代或未取代的芳氧羰基氨基，如苯氧基羰基氨基，對-氯苯氧基羰基氨基或間-正辛氧基苯氧基羰基氨基)，氨磺酰氨基(優(yōu)選0-30個碳原子的取代或未取代的氨磺酰氨基，如氨磺酰氨基，N，N-二甲基氨基氨磺酰氨基或N-正辛基氨基氨磺酰氨基)，烷基-和芳基磺酰氨基(優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的烷基磺酰氨基和6-30個碳原子的取代或未取代的芳基磺酰氨基，如甲磺酰氨基，丁磺酰氨基，苯磺酰氨基，2，3，5-三氯苯磺酰氨基和對-甲基苯磺酰氨基)，巰基，烷硫基(優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的烷硫基，如甲硫基，乙硫基或正十六烷硫基)，芳硫基(優(yōu)選6-30個碳原子的取代或未取代的芳硫基，如苯硫基，對-氯苯硫基或間-甲氧基苯硫基)，雜環(huán)硫基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)硫基，如2-苯并噻唑基硫基或1-苯基四唑-5-基硫基)，氨磺酰基(優(yōu)選0-30個碳原子的取代或未取代的氨磺?；鏝-乙氨磺?；?，N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺?；?，N，N-二甲基氨磺?；?，N-乙?；被酋；?，N-苯甲?；被酋；騈-(N’-苯基氨基甲?；?氨磺酰基)，磺基，烷基-和芳基亞磺?；?優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的烷基亞磺?；?-30個碳原子的取代或未取代的芳基亞磺?；缂谆鶃喕酋；騺喴一酋；?，和苯基亞磺酰基或?qū)?甲基苯基亞磺?；?，烷基-和芳基磺?；?優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的烷基磺?；?-30個碳原子的取代或未取代的芳基磺酰基，如甲磺?；蛞一酋；捅交酋；?qū)?甲基苯磺酰基)，?；?優(yōu)選甲?；?，2-30個碳原子的取代或未取代的烷基羰基，7-30個碳原子的取代或未取代的芳基羰基或4-30個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)基羰基，其羰基部分接在環(huán)中的碳原子上，如乙?；挛祯；?，2-氯乙?；仓；郊柞；?，對-正辛氧基苯基羰基，2-吡啶基羰基或2-呋喃基羰基)，芳氧羰基(優(yōu)選7-30個碳原子的取代或未取代的芳氧羰基，如苯氧羰基，鄰-氯苯氧羰基，間-硝基苯氧羰基或?qū)?叔丁基苯氧羰基)，烷氧羰基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的烷氧羰基，如甲氧羰基，乙氧羰基，叔丁氧羰基或正十八烷氧羰基)，氨基甲?；?優(yōu)選1-30個碳原子的取代或未取代的氨基甲?；绨被柞；?，N-甲基氨基甲?；?，N，N-二甲基氨基甲?；?，N，N-二-正辛基氨基甲?；騈-(甲磺?；?氨基甲?；?，芳基-和雜環(huán)偶氮基(優(yōu)選6-30個碳原子的取代或未取代的芳基偶氮基和3-30個碳原子的取代或未取代的雜環(huán)偶氮基，如苯基偶氮基或?qū)?氯苯基偶氮基，和5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮基)，亞氨基(優(yōu)選N-琥珀酰亞氨基或N-苯二甲酰亞氨基)，膦基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的膦基，如二甲基膦基，二苯基膦基或甲基苯氧基膦基)，氧膦基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的氧膦基，如氧膦基，二辛氧基氧膦基或二乙氧基氧膦基)，氧膦基氧基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的氧膦基氧基，如二苯氧基氧膦基氧基或二辛氧基氧膦基氧基)，氧膦基氨基(優(yōu)選2-30個碳原子的取代或未取代的氧膦基氨基，如二甲氧基氧膦基氨基或二甲基膦酰基氨基)和甲硅烷基(優(yōu)選3-30個碳原子的取代或未取代的甲硅烷基，如三甲代甲硅烷基，叔丁基二甲基甲硅烷基或苯基二甲基甲硅烷基)。
在上述含有氫原子的官能團中，氫原子可以被除去或被上述取代基取代。作為這種官能團，示例的是烷基羰基-氨基磺?；蓟驶被酋；?，烷基磺?；被驶头蓟酋；被驶?，及其實例，甲磺?；被驶?，對-甲基苯基磺?；被驶?，乙酰氨基磺?；捅郊柞０被酋；?。
優(yōu)選R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120都表示氫原子。
R113和R118各自表示取代基。R113和R118各自優(yōu)選表示取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基。這些基團中，更優(yōu)選取代或未取代的芳基。還更優(yōu)選取代的芳基。當R113和R118各自表示取代的芳基時，優(yōu)選的取代基是羥基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的烷基和鹵素原子。
具有兩個或兩個以上分子通過共價鍵或二價連接基團連接的結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料是優(yōu)選的。
用于本發(fā)明的氧雜菁染料的最優(yōu)選結(jié)構(gòu)是由以下式(5’)表示的結(jié)構(gòu)。
式(5’)
在式(5’)中，Za41、Za42、Za43和Za44各自表示用于形成酸核的原子團；Ma31、Ma32、Ma33、Ma34、Ma35和Ma36各自表示取代或未取代的次甲基；L表示與兩根鍵不形成π共軛體系的二價連接基團；Ka31和Ka32各自表示0～3的整數(shù)；Q表示用于中和電荷的一價陽離子，或者2Q表示二價陽離子。
當Ka31和Ka32表示大于1的數(shù)時，多個Ma31、Ma32、Ma35和Ma36可以相同或不同。
Za41、Za42、Za43和Za44的含義與式(1’)中的Za11和Za12相同，并且其優(yōu)選實例也相同。Ma31、Ma32、Ma33、Ma34、Ma35和Ma36的含義與式(1’)中的Ma11、Ma12和Ma13相同，并且其優(yōu)選實例也相同。L優(yōu)選表示取代或未取代的亞烷基，取代或未取代的亞芳基，取代或未取代的亞烯基或者取代或未取代的亞炔基，或者通過上述基團和選自-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-和-N(R)-的一個或多個基團組合形成的二價連接基。R表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的烯基或者取代或未取代的炔基，并且優(yōu)選氫原子或者取代或未取代的烷基。Q的含義與式(1’)中的Q1相同，并且優(yōu)選實例也相同。
接著，描述由式(2’)表示的染料。式(2’)中的Ma21、Ma22和Ma23的含義與式(1’)中的Ma11、Ma12和Ma13相同，并且優(yōu)選實例也相同。R1和R2各自表示取代基，并且優(yōu)選取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的炔基或者取代或未取代的雜環(huán)基。這些基團還可以被取代，并且作為這些基團的取代基，示例的是如式(3’)的R111、R112、R114、R115、R116、R117和R119中所述的取代基，并且取代基的具體實例也相同。R101和R102各自優(yōu)選表示取代或未取代的烷基，更優(yōu)選含1～8個碳原子的取代或未取代的烷基，還更優(yōu)選含1～8個碳原子的未取代的烷基。R101和R102可以各自相同或不同，但是優(yōu)選相同。ka2的含義與式(1’)中的ka1相同，并且優(yōu)選實例也相同。
Q2表示用于中和電荷的離子，并且y2表示中和電荷所需的數(shù)。Q2代表的離子表示根據(jù)相應染料分子的電荷的陰離子。對Q2表示的離子沒有特別限制，所述離子可以是衍生自無機化合物的離子，或者衍生自有機化合物的離子。Q2表示的離子的電荷可以是一價或多價的。作為Q2表示的陰離子，示例的是鹵素原子，例如，氯離子，溴離子和氟離子；雜多元酸離子，例如，硫酸根離子，磷酸根離子和磷酸氫根離子；有機多價陰離子，例如，琥珀酸根離子，馬來酸根離子，富馬酸根離子和芳族磺酸氫根離子；四氟硼酸根離子和六氟磷酸根離子。
y2表示中和電荷所需的數(shù)。y2的含義與式(1’)中的y1相同。當Q2是二價陰離子時，y2取作1/2，Q2y2作為一個整體表示一價陰離子。
接著，描述由式(4’)表示的染料。式(4’)中的R121、R122和R123各自表示氫原子或取代基。所述取代基與式(1’)中用于取代Ma11、Ma12和Ma13的取代基相同，并且優(yōu)選實例也相同。R124、R125、R126和R127各自表示氫原子或取代基。所述取代基與以下R1a和R2a的取代基相同，并且優(yōu)選實例也相同。R1a和R2a的含義與式(2’)中的R101和R102相同，并且優(yōu)選實例也相同。ka3的含義與式(2’)中的ka2相同，并且優(yōu)選實例也相同。
Q3表示用于中和電荷的離子，并且y3表示中和電荷所需的數(shù)。Q3代表的離子表示根據(jù)相應染料分子的電荷的陰離子。對Q3表示的離子沒有特別限制，所述離子可以是衍生自無機化合物的離子，或者衍生自有機化合物的離子。Q3表示的離子的電荷可以是一價或多價的。作為Q3表示的陰離子，示例的是鹵素原子，例如，氯離子，溴離子和氟離子；雜多元酸離子，例如，硫酸根離子，磷酸根離子和磷酸氫根離子；有機多價陰離子，例如，琥珀酸根離子，馬來酸根離子，富馬酸根離子和芳族磺酸氫根離子；四氟硼酸根離子和六氟磷酸根離子。
y3表示中和電荷所需的數(shù)，并且具有與式(2’)中的y2相同的含義。y3的含義與式(1’)中的y1相同。當Q3是二價陰離子時，y3取作1/2，Q3y3作為一個整體表示一價陰離子。
在用于本發(fā)明的由式(2’)或(4’)表示的花青染料中，Ma21、Ma22和Ma23各自優(yōu)選表示未取代的次甲基，R102和R102各自優(yōu)選表示含1～8個碳原子的未取代的烷基，R124、R125、R126和R127各自優(yōu)選表示取代或未取代的烷基，ka3優(yōu)選表示1或2，Q3優(yōu)選表示無機或有機陰離子，并且y3優(yōu)選表示1，最優(yōu)選滿足上述所有優(yōu)選實施方案。
作為對應于式(1’)和(5’)的化合物，可以示例的是上面顯示的化合物(I)-1～(I)-22、(I)-123～(I)-125。
下面顯示的是不對應式(5’)而是對應式(1’)的化合物的實例。


下面示出了用于本發(fā)明的具有由式(2’)表示的結(jié)構(gòu)的花青化合物的具體實例，但是本發(fā)明不限于這些具體實例。






典型的氧雜菁染料可以通過它們的相應的活性亞甲基化合物和次甲基源(用于將次甲基引入到次甲基染料中的化合物)之間的縮合反應合成。這些種類化合物的細節(jié)可以參考JP-B-39-22069，JP-B-43-3504，JP-B-52-38056，JP-B-54-38129，JP-B-55-10059，JP-B-58-35544，JP-A-49-99620，JP-A-52-92716，JP-A-59-16834，JP-A-63-316853，JP-A-64-40827，英國專利No.1,133,986和美國專利Nos.3,247,127，4,042,397，4,181,225，5,213,956和5,260,179。這些化合物還公開于JP-A-63-209995，JP-A-10-309871和JP-A-2002-249674中。
典型的花青染料描述于The Chemistry of Heterocyclic Compounds，“Cyanine Dyes and Related Compounds”，John Wiley & Sons，New York，London(1964)中。
在本發(fā)明的氧雜菁染料(優(yōu)選由式(1’)表示的染料化合物)中，從非晶膜的光學特性考慮，在記錄激光波長處的大于1的數(shù)折射率的系數(shù)n(實數(shù)部分，折射率)和系數(shù)k(虛數(shù)部分，消光系數(shù))優(yōu)選為2.0≤n≤3.0和0.00≤k≤0.20，更優(yōu)選為2.1≤n≤2.7和0.00≤k≤0.10，最優(yōu)選為2.15≤n≤2.50和0.00≤k≤0.05。
優(yōu)選在形成非晶膜時吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，更優(yōu)選從550nm至小于590nm的氧雜菁染料。優(yōu)選熱分解溫度為100～350℃，更優(yōu)選為150～300℃，還更優(yōu)選為200～300℃的氧雜菁染料。
在本發(fā)明的花青染料(優(yōu)選由式(2’)表示的染料化合物)中，從非晶膜的光學特性考慮，在記錄激光波長處的大于1的數(shù)折射率的系數(shù)n(實數(shù)部分，折射率)和系數(shù)k(虛數(shù)部分，消光系數(shù))優(yōu)選為1.50≤n≤3.0和0.9≤k≤3.00，更優(yōu)選為1.50≤n≤2.00和0.90≤k≤2.00，最優(yōu)選為1.60≤n≤1.90和1.20≤k≤1.50。
優(yōu)選在形成非晶膜時吸收最大值在600nm至小于750nm的波長范圍內(nèi)，更優(yōu)選從650nm至小于730nm的花青染料。優(yōu)選熱分解溫度為100～350℃，更優(yōu)選為150～300℃，還更優(yōu)選為200～300℃的花青染料。
根據(jù)本發(fā)明，氧雜菁染料(優(yōu)選式(1’)表示的染料)和花青染料(優(yōu)選式(2’)表示的染料)的混合比(質(zhì)量比)優(yōu)選為99/1～90/10，更優(yōu)選為98/3～93/7，最優(yōu)選為97/3～95/5。
除了式(1’)和(2’)表示的染料外，還可以使用其它染料作為第三組分。作為這種染料，示例的是偶氮染料(包括與金屬離子的配合物)和吡咯亞甲基(pyrromethene)染料。在這種情況下優(yōu)選的混合比率是用由式(2’)表示的染料和對應于式(2’)的第三種染料的總和計算的。
對本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)沒有特別限制，只要該介質(zhì)以所述染料混合物作為記錄層即可。當本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)應用于CD-R時，優(yōu)選這樣的介質(zhì)構(gòu)造，所述的介質(zhì)包含厚度為1.2±0.2mm的透明盤狀襯底，所述透明盤狀襯底具有磁道間距為1.4～1.8μm的預槽，襯底上依次形成含有由式(1’)和(2’)表示的染料化合物的記錄層、光反射層和保護層。此外，另一方面，當所述介質(zhì)應用于DVD-R時，優(yōu)選以下實施方案(1)和(2)。
(1)厚度為1.2±0.2mm的光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過粘合厚度各自為0.6±0.1mm的兩個層壓體形成，所述層壓體每個均包含其上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽的透明盤狀襯底，含染料混合物的記錄層和光反射層，所述兩個層壓體以記錄層在內(nèi)部的方式粘合。
(2)厚度為1.2±0.2mm的光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過將厚度為0.6±0.1mm的層壓體，所述層壓體包含其上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽的透明盤狀襯底、含染料混合物的記錄層和光反射層，和形狀與所述層壓體盤狀襯底相同的透明盤狀保護襯底以記錄層在內(nèi)部的方式粘合在一起而形成。上述DVD-R光學信息記錄介質(zhì)中，還可以在光反射層上提供保護層。
優(yōu)選將本發(fā)明中的光學信息記錄介質(zhì)用作高于八倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，更優(yōu)選高于十倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，還更優(yōu)選高于十二倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，最優(yōu)選高于十六倍速的高速記錄或復制介質(zhì)。
數(shù)據(jù)傳輸速度優(yōu)選為80Mbps或更高，更優(yōu)選110Mbps，還更優(yōu)選130Mbps或更高，最優(yōu)選170Mbps或更高。
本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)可以用以下方法制造。介質(zhì)的襯底(也包括保護襯底)可以從迄今用于信息記錄介質(zhì)的襯底的各種材料中任意選擇?？捎糜诒景l(fā)明的襯底材料的實例包括玻璃；聚碳酸酯；丙烯酸類樹脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂，例如，聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；非晶態(tài)聚烯烴；和聚酯，并且這些材料可以根據(jù)需要組合使用。順便提及，這些材料可以以膜形式或者剛性板形式使用。上述材料中，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和便宜考慮，優(yōu)選聚碳酸酯和非晶態(tài)聚烯烴，特別優(yōu)選聚碳酸酯。
接著，描述記錄層中的染料是氧雜菁染料和花青染料混合物的光學信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明中用于光學信息記錄介質(zhì)的氧雜菁染料，如果它們是氧雜菁染料，則是足夠的。
作為氧雜菁染料的具體實例，示例的是在F.M.Harmer，HeterocyclicCompounds-Cyanine Dyes and Related Compounds，John & Wiley & Sons，New York，London(1964)中描述的那些。
在氧雜菁染料中，優(yōu)選具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料，更優(yōu)選式(5’)表示的結(jié)構(gòu)的氧雜菁染料。具體實例如上所述。
下面詳細描述用于本發(fā)明的偶氮染料。偶氮染料是通過芳基-或雜芳基重氮鹽(重氮組分)和通過與重氮鹽的偶氮偶合反應形成染料的含有酸性氫原子的化合物(偶合劑組分)的反應而合成的染料。用于本發(fā)明的偶氮染料優(yōu)選為具有由式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料。
下面描述具有由式(2”)和(4”)表示的結(jié)構(gòu)的染料。具有由式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料優(yōu)選是由式(4”)表示的染料。A是通過與重氮鹽的偶氮偶合反應形成染料的含有酸性氫原子的化合物(偶合劑組分)的殘基，即，衍生自偶合劑組分的一價基團。A優(yōu)選表示取代或未取代的芳基，含有1～20個碳原子的含氮5元雜環(huán)基，或者含有2～20個碳原子的含氮6-元雜環(huán)基。在具有由式(4”)表示的結(jié)構(gòu)的染料中，A1表示與結(jié)合的碳原子一起形成芳族烴環(huán)或芳族雜環(huán)的原子團。A1形成的環(huán)優(yōu)選為含有取代基的芳族烴環(huán)(優(yōu)選含有取代基的苯環(huán))，含有1～20個碳原子的含氮5元雜環(huán)，或者含有2～20個碳原子的含氮6-元雜環(huán)，更優(yōu)選含有取代基的芳族烴環(huán)(優(yōu)選含有取代基的苯環(huán))。
下面示出了由取代基A或A1形成的結(jié)構(gòu)的實例。

R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自表示氫原子或取代基。作為這些基團的具體實例，可以示例的是在式(3’)的R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120中描述的那些。
上述環(huán)結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選(IV)、(V)和(VI)。
在上述式中，R11和R13各自優(yōu)選表示含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷基，含有6～20個碳原子的取代或未取代的芳基，氰基，含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷氧羰基，或者含有2～20個碳原子取代或未取代的氨基羰基。R14優(yōu)選表示氰基，含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷氧羰基，含有6～20個碳原子的取代或未取代的芳氧基，或者含有2～20個碳原子的取代或未取代的氨基羰基。R15優(yōu)選表示含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷基，含有6～20個碳原子的芳基，或者含有1～20個碳原子的取代或未取代的氨基羰基氨基。
特別優(yōu)選R13表示氰基，R14表示含有1～20個碳原子的烷氧羰基，R15表示含有1～20個碳原子的取代或未取代的烷基，或者含有6～20個碳原子的取代或未取代的芳基。
B表示衍生自重氮鹽的～價基團，優(yōu)選取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。即，B是重氮組分。重氮組分指能夠?qū)⒑被鳛槿〈碾s環(huán)化合物或者苯衍生物轉(zhuǎn)化成重氮化合物(重氮鹽)且通過與偶合劑的重氮偶合反應引入的部分結(jié)構(gòu)，這是經(jīng)常用于偶氮染料領(lǐng)域中的概念。換言之，重氮組分是取代基，是通過從氨基取代的雜環(huán)化合物或者能夠重氮化的苯衍生物中除去氨基而獲得的一價基團。B優(yōu)選由B2形成的環(huán)。B2表示用于形成取代或未取代的芳族烴環(huán)或者取代或未取代的芳族雜環(huán)的原子團。由B2形成的環(huán)優(yōu)選為含有取代基的芳族烴環(huán)(優(yōu)選含有取代基的苯環(huán))，含有1～20個碳原子的含氮5元雜環(huán)，或者含有2～20個碳原子的含氮6元雜環(huán)，更優(yōu)選含有1～20個碳原子的含氮5元雜環(huán)，或者含有2～20個碳原子的含氮6-元雜環(huán)，還更優(yōu)選含有1～20個碳原子的含氮5元雜環(huán)。
作為A和B表示的一價雜環(huán)基的實例，可以示例以下(AB-1)～(AB-25)。


在上述式中，R21～R50各自表示氫原子或取代基。取代基的實例與R111中所述的那些相同。
b和c各自表示0～6的整數(shù)。
a、p、q和r各自表示0～4的整數(shù)。
d、e、f、g、t和u各自表示0～3的整數(shù)。
h、i、j、k、l和o各自表示0～2的整數(shù)。
當a～u大于等于2時，由R21～R50表示的兩個或兩個以上的取代基可以相同或不同。
在B中的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選以下(a)-1、(a)-2、(b)～(1)的結(jié)構(gòu)。

上述式中，R11、R12、R13、R14、R15、R61～R66、R71和R72各自表示氫原子或取代基。取代基的實例與R111中所述的那些相同。
G表示能夠與金屬離子配位的一價基團。G的實例包括羥基、羧基、氨基(包括烷基氨基)，酰氨基，氨基羰基氨基，烷氧羰基氨基，芳氧羰基氨基，氨磺酰氨基，烷基-或芳基磺酰氨基，巰基，氨磺?；?，磺基，烷基-和芳基亞磺?；被柞；蓟?和雜環(huán)偶氮基，膦基和氧膦基，并且G優(yōu)選表示烷基磺酰氨基。
至于根據(jù)本發(fā)明的偶氮染料化合物，還優(yōu)選通過與金屬離子配位形成的偶氮金屬螯合物染料。螯合物染料具有更優(yōu)異的耐光性，并且是優(yōu)選的。至于金屬螯合物染料，優(yōu)選使用金屬離子如Ni、Cu、Zn、Al、Ti、Fe、B、Cr和Co，特別優(yōu)選Ni、Co和Al。
當因為螯合物結(jié)構(gòu)中配體相對于中心金屬不足而不能形成穩(wěn)定的配合物時，還優(yōu)選加入除式(2”)表示的染料以外的分子作為配體，從而形成穩(wěn)定的螯合物染料。作為另外加入的配體，優(yōu)選含氮、氧和硫原子的化合物。這些化合物中，優(yōu)選胺化合物(包括苯胺)和含至少大于等于1個氮原子的雜環(huán)化合物，最優(yōu)選含有3～20個碳原子的5-或6元胺化合物。
下面顯示用于本發(fā)明中的偶氮染料的具體實例。本發(fā)明不限于這些具體實例。


偶氮染料的合成方法公開于JP-A-3-268994，JP-A-361088，JP-A-7-161069，JP-A-7-251567，JP-A-10-204070，JP-A-11-12483，JP-A-11-166125，JP-A-2001-199169，JP-A-2001-152040和JP-A-2002-114922中。
在本發(fā)明的式(1’)表示的染料化合物中，從非晶膜的光學特性考慮，在記錄激光波長處的大于1的數(shù)折射率的系數(shù)n(實數(shù)部分，折射率)和系數(shù)k(虛數(shù)部分，消光系數(shù))優(yōu)選為2.0≤n≤3.0和0.00≤k≤0.20，更優(yōu)選為2.1≤n≤2.7和0.00≤k≤0.10，最優(yōu)選為2.15≤n≤2.50和0.00≤k≤0.05。
優(yōu)選在形成非晶膜時吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，更優(yōu)選從550nm至小于590nm的染料。優(yōu)選熱分解溫度為100～350℃，更優(yōu)選為150～300℃，還更優(yōu)選為200～300℃的染料。
優(yōu)選在形成非晶膜時吸收最大值在600nm至小于750nm的波長范圍內(nèi)，更優(yōu)選從650nm至小于730nm的偶氮染料。優(yōu)選熱分解溫度為100～350℃，更優(yōu)選為150～300℃，還更優(yōu)選為200～300℃的偶氮染料。
根據(jù)本發(fā)明，氧雜菁染料(優(yōu)選式(1’)表示的染料)和偶氮染料(優(yōu)選式(2”)表示的染料)的混合比(質(zhì)量比)優(yōu)選為99/1～90/10，更優(yōu)選為98/3～93/7，最優(yōu)選為97/3～95/5。
除了氧雜菁染料和偶氮染料外，還可以使用其它染料作為第三組分。作為這種染料，示例的是吡咯亞甲基染料和花青染料。在這種情況下優(yōu)選的混合比率是用偶氮染料和對應于式(2”)的第三種染料的總和計算的。
對本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)沒有特別限制，只要該介質(zhì)含有氧雜菁染料和偶氮染料作為記錄層即可。當本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)應用于CD-R時，優(yōu)選這樣的介質(zhì)構(gòu)造，所述的介質(zhì)包含厚度為1.2±0.2mm的透明盤狀襯底，所述透明盤狀襯底具有磁道間距為1.4～1.8μm的預槽，襯底上依次形成含由式(1’)和(2”)表示的染料化合物的記錄層、光反射層和保護層。此外，當所述介質(zhì)應用于DVD-R時，優(yōu)選以下兩個實施方案。(1)厚度為1.2±0.2mm的光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過粘合厚度各自為0.6±0.1mm的兩個層壓體形成，所述層壓體每個均包含其上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽的透明盤狀襯底，含染料混合物的記錄層和光反射層，所述兩個層壓體以記錄層在內(nèi)部的方式粘合。(2)厚度為1.2±0.2mm的光學信息記錄介質(zhì)，所述光學信息記錄介質(zhì)通過將厚度為0.6±0.1mm的層壓體，所述層壓體包含其上形成有具有0.6～0.9μm磁道間距的預槽的透明盤狀襯底、含染料混合物的記錄層和光反射層，和形狀與所述層壓體盤狀襯底相同的透明盤狀保護襯底以記錄層在內(nèi)部的方式粘合在一起而形成。上述DVD-R光學信息記錄介質(zhì)中，還可以在光反射層上提供保護層。
優(yōu)選將本發(fā)明中的光學信息記錄介質(zhì)用作高于八倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，更優(yōu)選高于十倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，還更優(yōu)選高于十二倍速的高速記錄或復制介質(zhì)，最優(yōu)選高于十六倍速的高速記錄或復制介質(zhì)。
數(shù)據(jù)傳輸速度優(yōu)選為80Mbps或更高，更優(yōu)選110Mbps，還更優(yōu)選130Mbps或更高，最優(yōu)選170Mbps或更高。
本發(fā)明的光學信息記錄介質(zhì)可以用例如下述方法制造。本發(fā)明介質(zhì)的襯底(也包括保護襯底)可以從迄今用于信息記錄介質(zhì)的襯底的各種材料中任意選擇。可用于本發(fā)明的襯底材料的實例包括玻璃；聚碳酸酯；丙烯酸類樹脂如聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂如聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；非晶態(tài)聚烯烴和聚酯。如果需要，這些材料可以兩種或多種組合使用。順便提及，這些材料可以以膜形式或者剛性板形式使用。上述材料中，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和價格考慮，優(yōu)選聚碳酸酯。
可以在其上安置記錄層的襯底表面一側(cè)上涂布底涂層以改善平直度和粘附力，并且防止記錄層的劣化。用于形成底涂層的材料的實例包括大分子物質(zhì)，如聚甲基丙烯酸甲酯，丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物，苯乙烯-馬來酸酐共聚物，聚乙烯醇，N-羥甲基丙烯酰胺，苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物，氯磺化聚乙烯，硝化纖維素，聚氯乙烯，氯化聚烯烴，聚酯，聚酰亞胺，乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，聚乙烯，聚丙烯和聚碳酸酯；和表面改性劑，如硅烷偶合劑。在形成底涂層時，首先通過將上述物質(zhì)溶解在適宜的溶劑中制備涂布組合物，然后根據(jù)涂布方法如旋涂法、浸涂法或擠涂法，涂布在襯底表面上。
此外，在襯底(或底涂層)上形成跟蹤槽或者表示信息如地址信號(預槽)的不平度。優(yōu)選在注塑或擠塑樹脂材料如聚碳酸酯時以上述磁道間距在襯底上直接形成預槽。備選地，可以通過形成預槽層而提供預槽。作為用于預槽層的材料，可以使用選自丙烯酸單酯、二酯、三酯或四酯中的至少一種單體(或低聚物)和光聚合引發(fā)劑的混合物?？梢杂美缫韵路绞叫纬深A槽層首先將上述的丙烯酸酯和光聚合引發(fā)劑混合物的溶液涂布在精確形成的基質(zhì)(壓模)上，然后將襯底安裝在涂布溶液層上，并且用紫外線隔著襯底或壓模照射，從而固化涂層并且將襯底固定在涂層上。其后，從壓模上剝離襯底。
在襯底(或底涂層)形成有預槽的表面上，安置根據(jù)本發(fā)明的含染料(混合物)的記錄層。
記錄層還可以含有各種脫色抑制劑以改善耐光性。此處可用的脫色抑制劑的代表包括JP-A-3-224793中分別用式(III)、(IV)和(V)表示的金屬配合物，二亞銨(diimmonium)鹽和銨鹽，JP-A-2-300287和JP-A-2-300288中公開的亞硝基化合物，和JP-A-10-151861中公開的TCNQ衍生物。
記錄層可以用以下方法形成將本發(fā)明涉及的染料組合和，如果需要，猝滅劑和粘合劑溶解在溶劑中以制備涂布溶液，并且將涂布溶液涂布在襯底表面上，然后干燥。用于形成染料記錄層的涂布溶液的溶劑的實例包括酯類，如乙酸丁酯，乳酸乙酯和乙酸溶纖劑；酮類，如甲基乙基酮，環(huán)己酮和甲基異丁基酮；氯化烴類，如二氯甲烷，1，2-二氯乙烷和氯仿；酰胺類，如二甲基甲酰胺；烴類，如環(huán)己烷；醚類，如四氫呋喃，乙醚和二噁烷；醇化合物，如乙醇，正丙醇，異丙醇，正丁醇和雙丙酮醇；含氟溶劑，如2，2，3，3-四氟丙醇；和二元醇醚類，如乙二醇一甲醚，乙二醇一乙醚和丙二醇一甲醚。在考慮到將要溶解的化合物的溶解度的情況下，這些溶劑可以單獨或者兩種或兩種以上組合使用。優(yōu)選的溶劑是氟溶劑，例如，2，2，3，3-四氟丙醇等。順便提及，如果需要，可以將脫色抑制劑和粘合劑加入到涂布溶液中。此外，可以根據(jù)需要向涂布溶液添加各種添加劑，例如，抗氧化劑，UV吸收劑，增塑劑和潤滑劑。
作為代表性的脫色抑制劑，可以示例的是亞硝基化合物、金屬配合物、二亞銨鹽和銨鹽。這些添加劑公開于例如JP-A-2-300288，JP-A-3-224793和JP-A-4-146189中。
用于記錄層中的粘合劑的實例包括天然的有機大分子物質(zhì)，如明膠，纖維素衍生物，葡聚糖，松香和橡膠；和合成有機聚合物，如烴樹脂(例如，聚乙烯，聚丙烯，聚苯乙烯，聚異丁烯)，乙烯系樹脂(例如，聚氯乙烯，聚偏1，1-二氯乙烯，氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)，丙烯酸類樹脂(例如，聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯)，聚乙烯醇，氯化聚乙烯，環(huán)氧樹脂，丁醛樹脂，橡膠衍生物，以及熱固樹脂如苯酚-甲醛樹脂的原始縮合產(chǎn)物。當使用這種粘合劑作為記錄層的另外構(gòu)成材料時，所用粘合劑的量通常為所用染料總量的0.01～50倍(按質(zhì)量計)，優(yōu)選0.1～5倍(按質(zhì)量計)。換言之，當使用粘合劑時，相對于每100質(zhì)量份染料，粘合劑用量通常是0.2～20質(zhì)量份，優(yōu)選0.5～10質(zhì)量份，更優(yōu)選1～5質(zhì)量份。由此制備的涂布溶液中的染料濃度通常為0.01～10質(zhì)量％，優(yōu)選0.1～5質(zhì)量％。
適用于此的涂布方法的實例包括噴淋法、旋涂法、浸漬法、輥涂法、刀涂法、刮刀輥法和絲網(wǎng)印刷法。記錄層可以是單層或雙層。記錄層的厚度通常為20～500nm，優(yōu)選為30～300nm，更優(yōu)選為50～300nm，最優(yōu)選為50～200nm。
作為涂布溫度，23～50℃將是足夠的，優(yōu)選為24～40℃，更優(yōu)選為25～37℃。
可以將各種脫色抑制劑加入到記錄層中以改善記錄層的耐光性。
作為脫色抑制劑，通常使用單一酸猝滅劑?？梢允褂迷诔霭嫖锢鐚＠f明書中描述的熟知的單一酸猝滅劑。
具體實例描述于JP-A-58-175693，JP-A-59-81194，JP-A-60-18387，JP-A-60-19586，JP-A-60-19587，JP-A-60-35054，JP-A-60-36190，JP-A-60-36191，JP-A-60-44554，JP-A-60-44555，JP-A-60-44389，JP-A-60-44390，JP-A-60-54892，JP-A-60-47069，JP-A-63-209995，JP-A-4-25492，JP-B-1-38680，JP-B-6-26028，德國專利350,399和NipponKagaku-kai Shi，十月刊，1141頁(1992)中。
相對于用于記錄的化合物的量，脫色抑制劑，例如，單一酸猝滅劑的用量通常為0.1～50質(zhì)量％，優(yōu)選為0.5～45質(zhì)量％，更優(yōu)選為3～40質(zhì)量％，特別優(yōu)選為5～25質(zhì)量％。
[反射層] 在記錄層上，安置反射層以在信息復制時提高反射率。作為反射層構(gòu)成材料的反光物質(zhì)是具有高的激光反射率的物質(zhì)，其實例包括金屬或半金屬，如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi和Nd；和不銹鋼。這些物質(zhì)中，Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼優(yōu)選其它，并且Ag是特別有利的。這些物質(zhì)可以單獨使用，或者以兩種或兩種以上的組合或合金形式使用。可以通過上述反射物的氣相沉積、濺射或離子電鍍在記錄層上形成反射層。反射層的厚度通常為10～800nm，優(yōu)選為10～300nm(或者20～500nm)，更優(yōu)選為50～300nm，最優(yōu)選為50～200nm。
[粘合層] 粘合層是在反射層和保護層或保護襯底之間形成的層。
作為構(gòu)成粘合層的粘合劑，優(yōu)選UV固化性樹脂，并且特別優(yōu)選固化收縮因子小的UV固化性樹脂，用以防止盤翹曲。作為這種UV固化性樹脂，可以示例的是例如，UV固化性樹脂(UV固化粘合劑)，例如，“SD-640”、“SD6802”、“SD6830”和“SD-347”(由Dainippon Inks & Chemicals Inc.制造)。為了產(chǎn)生彈性，粘合層的厚度優(yōu)選為1～1,000μm，更優(yōu)選為5～500μm，特別優(yōu)選為10～100μm。
列舉構(gòu)成粘合層的粘合劑的其它實例。粘合劑是可通過輻射曝光而固化的樹脂，并且它們是在分子中含有兩個或兩個以上輻射固化功能團雙鍵的樹脂，示例的是例如，丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酸類、甲基丙烯酰胺類、烯丙基化合物、乙烯基醚類和乙烯基酯類。優(yōu)選使用雙官能團或更多官能團的丙烯酸酯化合物和甲基丙烯酸酯化合物。
作為雙官能團或更多官能團的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯化合物的具體實例，可以使用通過將丙烯酸或甲基丙烯酸加入到脂肪族二元醇中獲得的化合物，并且作為代表性實例，列舉的是例如，乙二醇二丙烯酸酯，丙二醇二丙烯酸酯，丁二烯二醇二丙烯酸酯，己二醇二丙烯酸酯，二甘醇二丙烯酸酯，三甘醇二丙烯酸酯，四甘醇二丙烯酸酯，新戊二醇二丙烯酸酯，三丙二醇二丙烯酸酯，乙二醇二甲基丙烯酸酯，丙二醇二甲基丙烯酸酯，丁二醇二甲基丙烯酸酯，己二醇二甲基丙烯酸酯，二甘醇二甲基丙烯酸酯，三甘醇二甲基丙烯酸酯，四甘醇二甲基丙烯酸酯，新戊二醇二甲基丙烯酸酯，三丙二醇二甲基丙烯酸酯。
另外，還可以使用通過將丙烯酸或甲基丙烯酸加入到聚醚型多元醇如聚乙二醇、聚丙二醇或聚1，4-丁二醇中獲得的聚醚丙烯酸酯、聚醚甲基丙烯酸酯，熟知的二元酸，和通過將丙烯酸或甲基丙烯酸加入到從二元醇獲得的聚酯型多元醇中獲得的聚酯丙烯酸酯、聚酯甲基丙烯酸酯。
此外，可以使用通過向由熟知的多元醇或二元醇與聚異氰酸酯的反應形成的聚氨酯中加入丙烯酸或甲基丙烯酸而獲得的聚氨酯丙烯酸酯和聚氨酯甲基丙烯酸酯。
還可以使用將丙烯酸或甲基丙烯酸加入到雙酚A、雙酚F、氫化雙酚A、氫化雙酚F或它們的烯化氧加成物，和具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化合物中獲得的那些，例如，異氰脲酸烯化氧改性的二丙烯酸酯，異氰脲酸烯化氧改性的二甲基丙烯酸酯，三環(huán)癸烷二甲醇二丙烯酸酯和三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯。
作為輻照，可以使用電子束和紫外線。當使用紫外線時，必須向以下所示化合物中加入光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，使用芳族酮。對芳族酮沒有特別限制，但是優(yōu)選使用在254、313、865nm(這些產(chǎn)生通常用作UV輻照光源的汞燈的發(fā)光點的光譜的波長處)具有較大吸光系數(shù)的那些。這種芳族酮的代表性實例包括苯乙酮、二苯甲酮、苯偶姻乙醚、芐基甲基酮縮醇、苯偶姻異丁基酮、羥基二甲基苯基酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-2-二乙氧基苯乙酮和米蚩酮，并且可以使用各種酮。相對于每100質(zhì)量份UV固化性樹脂，芳族酮的混合比率為0.5～20質(zhì)量份，優(yōu)選為2～15質(zhì)量份，更優(yōu)選為3～10質(zhì)量份。預先含光聚合引發(fā)劑的UV固化型粘合劑產(chǎn)品是可商購的并且可以使用它們。作為紫外線光源，使用汞燈和金屬鹵化物燈。作為燈，使用容量為20～300W/cm的燈，并且輻照時間為0.1～20秒。襯底和燈之間的距離通常優(yōu)選為1～30cm。
作為電子束加速器，可以采用掃描系統(tǒng)、雙掃描系統(tǒng)或幕束(curtainbeam)系統(tǒng)，但是為了能夠相對便宜地獲得大的輸出，優(yōu)選幕束系統(tǒng)。作為電子束特性，加速電壓為100～1,000kV，優(yōu)選為150～300kV，吸收劑量為0.5～20Mrad，優(yōu)選為1～10Mrad。當加速電壓小于或等于10kV時，能力的傳送量不足，而當其超過1,000kV時，用于聚合的能力效率下降，從而在經(jīng)濟上是不利的。
[保護層，保護襯底] 在反射層上，可以安置保護層以保護記錄層免受物理和化學損傷。為了提高抗劃性和耐濕性，還可以在沒有安置記錄層的襯底一側(cè)安置這種保護層。用于保護層的物質(zhì)的實例包括無機物，如SiO、SiO2、MgF2、SnO2和Si3N4；和有機物，如熱塑性樹脂、熱固性樹脂和UV固化性樹脂。可以通過例如，隔著粘合層將由擠塑塑料獲得的膜層壓在反射層和/或襯底上，形成保護層。備選地，可以采用真空沉積、濺射或涂布方法形成保護層。在使用熱塑性樹脂或熱固性樹脂的情況下，可以通過將樹脂溶解在合適的溶劑中以制備涂布溶液，涂布所述涂布溶液然后干燥所涂溶液，形成保護層。在UV固化性樹脂的情況下，涂布樹脂本身或者樹脂溶解在合適溶劑中制備的溶液，然后用UV線輻照以固化樹脂，從而形成保護層。根據(jù)所需目的，還可以向這些涂布溶液中加入各種添加劑，如抗靜電劑、抗氧化劑和UV吸收劑。保護層的厚度通常為0.1～100μm。在上述方法下，可以形成在襯底上含有記錄層、反射層和如果需要的保護層的層壓體。并且可以用以下方法制備含有兩層記錄層的DVD-R信息記錄介質(zhì)在上述方法下形成兩個層壓體，并且將它們以它們各自的記錄層在內(nèi)的方式粘合在一起。另外，通過將在上述方法下形成的一個層壓體和大小與層壓體襯底相同的盤狀保護襯底以記錄層在內(nèi)的方式粘合在一起，可以制備只在一側(cè)含有記錄層的DVD-R信息記錄介質(zhì)。
保護層和保護襯底用于防止?jié)駳鉂B透和產(chǎn)生劃痕。作為構(gòu)成保護層的材料，優(yōu)選使用UV固化性樹脂、可見光固化性樹脂、熱塑性樹脂和二氧化硅，特別優(yōu)選UV固化性樹脂。作為UV固化性樹脂，可以示例的是例如，“SD-640”(由Dainippon Inks & Chemicals Inc.制造)。此外，可以使用SD-347(由Dainippon Inks & Chemicals Inc.制造)、SD-694(由Dainippon Inks & Chemicals Inc.制造)和SKCD1051(由SKC制造)。保護層的厚度優(yōu)選在1～200μm，更優(yōu)選在5～150μm范圍內(nèi)。
在使用保護層作為激光光程的層構(gòu)造中，要求保護層具有透明性。此處，“透明性”是指這樣的透明度能夠透射記錄光并且復制光(透光率為90％或90％以上)。
可以用旋涂法形成保護層。為了形成均勻的層，旋涂的轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選為50～8,000rpm，更優(yōu)選為100～5,000rpm。
當在保護層中使用UV固化性樹脂時，在通過旋涂形成保護層后，通過用UV輻照燈(金屬鹵化物燈)的UV線輻照，使UV固化性樹脂固化在保護層上。
為了使形成的保護層厚度均勻，可以任意進行處理，例如，使樹脂在固化前靜置一段時間。
在DVD-R情況下，代替保護層的是，可以將包含UV固化性樹脂等的粘合層和作為保護襯底的襯底(厚度約0.6mm，材料與上述襯底相同)層壓。
即，在形成反射層后，將UV固化性樹脂(SD640，SD661，SD694，SD6802，SD6830等，由Dainippon Inks & Chemicals Inc.制造)流注到盤上，并且在其上安置例如作為保護襯底的聚碳酸酯襯底(厚度0.6mm)，在通過類似涂布的高速旋轉(zhuǎn)抖落UV固化性樹脂后，從上述襯底輻照UV使UV固化性樹脂固化，從而粘合層壓體。粘合層的厚度為20～60μm。
本發(fā)明中，采用例如以下方式在由此制備的信息記錄介質(zhì)上進行信息記錄。在以恒定的線速度或恒定的角速度旋轉(zhuǎn)信息記錄介質(zhì)的同時，從襯底側(cè)向信息記錄介質(zhì)施以用于記錄的激光，如半導體激光。通過這種激光曝光，據(jù)認為在記錄層和反射層之間的界面形成空腔(空腔是由于記錄層或反射層的變形或者兩者都變形而形成的)，或者在襯底中產(chǎn)生溶脹變形，或者在記錄層中引起脫色或者締合狀態(tài)的變化，從而實現(xiàn)折射率的改變，導致信息的記錄。作為記錄光，在CD-R型記錄介質(zhì)情況下使用振蕩波長在770～790nm范圍內(nèi)的半導體激光束，而在DVD-R型記錄介質(zhì)情況下使用振蕩波長在600～700nm(優(yōu)選620～680nm，更優(yōu)選630～660nm)范圍內(nèi)的半導體激光束?？梢杂靡韵路椒◤椭朴纱擞涗浀男畔⒂貌ㄩL與記錄時所用激光波長相同的半導體激光輻照信息記錄介質(zhì)襯底側(cè)，同時以與記錄時設置的恒定線速度相同的恒定線速度旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)，并且檢測從記錄介質(zhì)反射的光。
實施例 現(xiàn)在將參考以下實施例更詳細地舉例說明本發(fā)明。
[光學記錄介質(zhì)的制備] (實施例1) 通過用聚碳酸酯樹脂注塑形成厚度為0.6mm并且直徑為120mm的襯底，所述襯底具有螺旋槽(深度120nm，寬度350nm，磁道間距0.74μm)。將下面所示的0.95g染料A和下面所示的0.05g染料B溶解在100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中，制備涂布溶液，并且將得到的涂布溶液通過旋涂涂布在上述襯底的形成有槽的一側(cè)的表面上，從而形成記錄層。
染料A
染料B
其后，將銀濺射在涂布有染料的表面上，形成厚度約120nm的反射層，然后使用UV固化性樹脂作為粘合劑將襯底粘附到大小與上述襯底相同的模擬襯底上，從而制各DVD-R盤(光學記錄介質(zhì))。
(比較例1) 除了使用下面所示的染料C代替染料A外，以與實施例1相同的方式制備比較例1的DVD-R盤。
染料C
(比較例2) 除了使用下面所示的染料D代替染料B外，以與實施例1相同的方式制備比較例2的DVD-R盤。
染料D
[光學記錄介質(zhì)的初始特性的評估] 采用制備的光學記錄介質(zhì)和盤驅(qū)動DDU1000(Pulse Tech ProductsCorporation的產(chǎn)品，激光波長660nm，孔徑比0.60)，各以11.08Mbps(單倍速)和177.28Mbps(十六倍速)的數(shù)據(jù)傳輸速率記錄8-16調(diào)制信號。設置記錄功率，使得在每個實施例(比較例)中光學記錄介質(zhì)上的記錄的跳動量最小(最佳記錄功率)，并且測量跳動、14T調(diào)制因子和反射率。結(jié)果示于下面的表1中。
[光學記錄介質(zhì)的保存穩(wěn)定性的評估] 在用DVDT-R(Expert Magnetics的產(chǎn)品)以四倍速記錄，并且用DVD-CATS(Audio Development的產(chǎn)品)測量PI誤差之后，將每個樣品置于以下保存環(huán)境中，在完成保存試驗后再次測量PI誤差。
(1)高溫高濕加速試驗(在80℃、85％RH保存96小時) (2)采用光輻照的退化試驗(進行4Mlx·Hr的氙燈曝光) 獲得的結(jié)果示于下面的表1中。
在表1中，染料A和染料B之間陽離子部分或陰離子部分相同的情況標記為“○ ”，不同的情況標記為“×”。
(表1) 從表1可見，與比較例1和2中的光學記錄介質(zhì)相比，實施例1中的光學記錄介質(zhì)在單倍速記錄(低速記錄)和十六倍速記錄(高速記錄)中都具有高靈敏度，并且跳動、14T調(diào)制因子和反射率中的每個記錄特性都優(yōu)異。此外，實施例和比較例的保存穩(wěn)定性之間存在顯著差異。
(實施例1-1) 旋涂適合性的評估 將以表1所示比例混合的染料(總量0.2g)溶解在10ml的2，2，3，3-四氟丙醇中，旋涂在聚碳酸酯襯底上，然后通過視覺觀察檢查是否存在涂層條紋。
(實施例1-2) 溶液老化穩(wěn)定性的試驗 制備表1中所示染料組合的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且讓其在20℃靜置一星期。通過視覺觀察，檢查得到的溶液的晶體沉淀。
獲得的結(jié)果示于表1-1中。
晶體沉淀狀態(tài)分為A～D級(A最好)，此處采用的標準如下。
A根本觀察不到晶體沉淀。
B幾乎觀察不到晶體沉淀。
C略微觀察到晶體沉淀。
D觀察到相當多的晶體沉淀。
表1-1 從表1-1所示結(jié)果可見，在使用三組分體系的染料混合物的情況下，沒有觀察到涂層條紋，并且獲得高質(zhì)量平直度的涂層。在使用根據(jù)本發(fā)明的其它染料混合物的情況下也觀察到這種趨勢。另外，還發(fā)現(xiàn)三組分體系的溶液老化穩(wěn)定性非常優(yōu)良。
(實施例1-3) 下面進行光學信息記錄介質(zhì)的試驗。
<光學信息記錄介質(zhì)的制備> 通過擠塑，將聚碳酸酯樹脂形成為具有螺旋槽(深度130nm，寬度310nm，磁道間距0.74μm)的0.6mm-厚、120mm-直徑的襯底。
將1.25g對應于表1-4中級別編號201的染料I-7、染料I-14和染料II-3(50/45/5)的混合物溶解在100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中制備涂布溶液，采用旋涂法將涂布溶液涂布在形成有槽的襯底表面上，從而形成染料層。
在涂有染料的表面上濺射銀，形成厚度約150nm的反射層。使用UV固化性樹脂(Daicureclear SD640，由DAINIPPON INK &CHEMICALS，INCORPORATED制造)作為粘合劑，將由此形成的反射層粘合在0.6mm-厚的模擬襯底上，從而形成盤。
<光學信息記錄介質(zhì)的評估> 使用DDU-1000和多信號發(fā)生器(由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造；激光波長660nm，孔徑比0.60)，在單倍速(11.08Mbps，速度等于標準速度)、八倍速(88.64Mbps)和十倍速(110.8Mbps)傳輸速率中的每個傳輸速率下記錄8-16調(diào)制信號。
所用記錄策略示于表1-2中。單倍速記錄和十倍速記錄是各自使用一種記錄策略進行的，而八倍速記錄是使用脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略進行的。
設置記錄功率，使得介質(zhì)上每個記錄中的跳動量最小。其后，用與記錄用的激光具有相同波長的激光復制記錄的信號，并且測量其中的跳動數(shù)。得到的結(jié)果示于表1-3中。
表1-2記錄策略 記錄數(shù)據(jù)
記錄策略A
記錄策略B，C，D
表1-3 (實施例1-4) 采用與實施例1-3中相同的方式制備DVD-R盤，不同之處在于改變?nèi)玖戏N類或/和其混合比率以分別符合表1-4中所示的級別編號202～207。以10X對這些盤樣品中的每一個進行記錄和復制試驗。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)級別編號201～207的盤(這些盤每個都使用三種染料(根據(jù)本發(fā)明)的混合物)在靈敏度、跳動和溶液老化穩(wěn)定性方面均突出。
表1-4 (實施例2-1) 染料化合物(II’)的合成 以下是合成染料化合物(II’)-1的反應方案
<方法步驟1> 將丙二酸(5.2g，0.05mol)和濃硫酸(0.5ml)加入到乙酸酐(10ml)中，在室溫下攪拌使原料化合物徹底溶解。將得到的溶液在攪拌下于冰浴中冷卻，向其中緩慢滴加2-戊酮(4.3g，0.05mol)。此外，在室溫繼續(xù)攪拌4小時。將由此得到的反應混合物用乙酸乙酯萃取，用水洗滌兩次，干燥，然后轉(zhuǎn)移到蒸發(fā)器中。減壓蒸餾溶劑。由此得到7.15g的中間體1，為油狀物(產(chǎn)率83％，0.414mol)。
<方法步驟2> 將甲醇(100ml)加入到中間體2(5.70g，0.02mol)中，并且再向其中加入吡啶(15.8g，0.2mol)。在室溫攪拌得到的混合物的同時，滴加含在甲醇(20ml)中的中間體1(3.44g，0.02mol)的溶液，歷時30分鐘。在室溫繼續(xù)攪拌3小時。結(jié)果，分離出紫色晶體。將這些晶體濾出并且用甲醇洗滌。由此得到4.5g的中間體3，為紫色晶體(產(chǎn)率為68.7％，0.0137mol)。
<<中間體4的合成>> 將1，4-環(huán)己二酮(22.43g，0.2mol)和丙二酸(41.62g，0.4mol)溶解在乙酸酐(85ml)中，向其中加入濃硫酸(1.2ml，0.02mol)并且在冰浴中攪拌。在室溫繼續(xù)攪拌3小時。然后，隨著反應進行，分離出淺棕色晶體。將這些晶體濾出，用了冰冷卻的蒸餾水洗滌并且干燥。由此得到12.5g的中間體4，為淺棕色晶體(產(chǎn)率為22.0％)。
<方法步驟3> 將中間體3(6.5g，16.9mmol)和上述合成中獲得的中間體4(2.40g，8.44mmol)加入到二甲基甲酰胺(30ml)中，并且向其中滴加三乙胺(3.5ml，25mmol)。得到的混合物在50℃攪拌3小時，并且在室溫再攪拌1小時。其后，將得到的反應溶液與100ml的乙酸乙酯和蒸餾水混合，進一步攪拌。將分離的乙酸乙酯層用水洗滌兩次，然后減壓蒸餾除去乙酸乙酯。由此獲得的殘余物經(jīng)過硅膠柱色譜(乙酸乙酯/甲醇＝6/1)純化，得到0.57g的紫色粉末，對應于中間體5(產(chǎn)率為4.8％)。
<方法步驟4> 于攪拌下，將用作抗衡陽離子的中間體6(0.37g，0.66mmol)溶解在加熱到40℃的120ml甲醇中。將該溶液保持在40℃并且攪拌，向其中滴加含在20ml甲醇中的中間體5(0.92g，0.66mmol)的溶液。由此分離出晶體，將它們過濾，得到0.85g的所需化合物(II’)-1，為綠色粉末(產(chǎn)率為92.2％)。
由此獲得的化合物(II’)-1的結(jié)構(gòu)由1H-NMR測量證實。
1H-NMR(DMSO-d6)0.89(t，6H)，1.32-1.46(m，4H)，1.51(s，6H)，1.72-1.85(m，4H)，1.99(s，16H)，7.05-7.32(m，9H)，7.35-7.56(m，12H)，7.57-7.83(m，15H)，7.90(s，3H)，9.00(d，6H)，9.66(d，6H)，10.71(s，3H) 根據(jù)上述合成實施例，可以容易地合成本發(fā)明涉及的其它染料。式(I’)表示的染料可以采用JP-A-2004-188968中描述的方法合成。
(實施例2-2) 光學常數(shù)的評估 采用反射分光橢圓光度法，評估根據(jù)本發(fā)明的每種染料化合物的光學特性值(大于1的數(shù)折射率的實數(shù)部分n和虛數(shù)部分k)。作為用于通過分光橢圓光度法進行光學特性評估的樣品，采用的是在玻璃襯底上形成的旋涂膜。該旋涂膜是通過將所需染料化合物溶解在2，2，3，3-四氟丙醇中使得到的溶液的濃度達到25mM，然后將該溶液流延在旋轉(zhuǎn)的玻璃襯底上而形成的。
<含比較化合物的旋涂膜的形成> 作為比較例，由在單倍速記錄(以與標準速度相等的速度記錄)中能夠確保滿意記錄的比較化合物形成旋涂膜。此處，使用的比較化合物是由式(I’)表示的化合物。
對分別由示例化合物(II’)-1～(II’)-7形成的旋涂膜進行光學特性評估，并且從獲得的評估結(jié)果確定660nm處的n和k值。這些值示于表2-1中。
表2-1 下面顯示了具有非晶膜的染料的耐光性試驗結(jié)果。
(實施例2-3) 將表2中所示的每種染料組合制成1.0重量％的四氟丙醇溶液。采用旋涂機將制備的每種溶液涂布在玻璃襯底上并且干燥，形成非晶膜。通過100,000lux的旋轉(zhuǎn)木馬型氙褪色計(fade-o-meter)對這些膜進行耐光性試驗。在用氙光照射前的透射密度為1.0的區(qū)域中，從照射前的透射光學密度和照射后的有效密度之間的比率確定每個膜樣品的染料殘留率。
發(fā)現(xiàn)當將所用染料制成涂布溶液時，它們具有優(yōu)異的溶解度。并且當用旋涂機涂布這些涂布溶液時，它們能夠以均勻的表面條件形成膜。
表2-2 <<評估條件>> [1]溶液老化穩(wěn)定性試驗 制備表2中所示染料組合的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且讓其在20℃靜置一星期。通過視覺觀察，檢測得到的溶液的晶體沉淀情況。
將晶體沉淀狀態(tài)分為1～3個等級(3最好)，采用的標準如下。
B根本觀察不到晶體沉淀。
C略微觀察到晶體沉淀。
D觀察到相當多的晶體沉淀。
[2]耐光性試驗 將表2中所示的每種染料組合制成1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且采用旋涂法涂布在玻璃襯底上。其后，用來自旋轉(zhuǎn)木馬型氙褪色計的氙光(100,000lux)照射由此形成的每個涂層一星期，進行強迫脫色試驗。計算強迫試驗前后透射光學密度之間的比率，并由此確定染料殘留率。
比較染料(A)
JP-A-2002-211136中公開的化合物 (實施例2-4) 光學記錄試驗 <<光學記錄介質(zhì)的制備>> 通過擠塑，將聚碳酸酯樹脂形成具有螺旋槽(深度130nm，寬度310nm，磁道間距0.74μm)的0.6mm-厚、120mm-直徑的襯底。
將1.25g對應于實施例2-3的表2-2中試驗編號3的根據(jù)本發(fā)明的化合物2和化合物(II’)-1(90/10)的混合物溶解在100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中制備涂布溶液，采用旋涂法將涂布溶液涂布在形成有槽的襯底表面上，從而形成染料層。
在涂有染料的表面上濺射銀，形成厚度約150nm的反射層。使用UV固化性樹脂(Daicureclear SD640，由DAINIPPON INK &CHEMICALS，INCORPORATED制造)作為粘合劑，將由此形成的反射層粘合在0.6mm-厚的模擬襯底上，從而形成盤。
<<光學記錄介質(zhì)的評估>> 使用DDU-1000和多信號發(fā)生器(由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造；激光波長660nm，孔徑比0.60)，在單倍速(11.08Mbps，速度等于標準速度)、八倍速(88.64Mbps)和十倍速(110.8Mbps)傳輸速率中的每個傳輸速率下記錄8-16調(diào)制信號。
所用記錄策略示于表2-3中。單倍速記錄和十倍速記錄是各自使用一種記錄策略進行的，而八倍速記錄是使用脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略進行的。
設置記錄功率，使得介質(zhì)上每個記錄中的跳動量最小。其后，用與記錄用的激光波長相同的激光復制記錄的信號，并且測量其中的跳動數(shù)。得到的結(jié)果示于表2-4中。
該實施例中制成的盤的跳動低，并且在單倍速、八倍速和十倍速傳輸速率下的反射率都高。
作為八倍速記錄特性，在脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略中都實現(xiàn)了滿意的跳動。
表2-3記錄策略 記錄數(shù)據(jù)
記錄策略A
記錄策略B，C，D
表2-4 (實施例2-5) 如表2-5所示，使用對應于表2-2中所列試驗編號1～12的染料或染料組合代替實施例2-3試驗編號3中所用的染料組合，制備DVD-R盤。對這些盤樣品的每一個進行記錄和復制試驗。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，試驗編號1、3、5、7和9的盤(這些盤每一個都使用根據(jù)本發(fā)明的混合形式的兩種染料)具有優(yōu)異的性能，并且決不次于單一地使用染料的試驗編號2、4、6、8和11的盤。另一方面，使用本發(fā)明范圍外的兩種染料混合物的試驗編號12的盤的跳動惡化。表2-5中所示的跳動數(shù)據(jù)是在十倍速記錄和復制下確定的值。
表2-5 (實施例3-1) 制備下表所示染料的1.0wt％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液作為涂布溶液。用旋涂機將涂布溶液涂布在玻璃襯底上并且干燥，制備染料非晶膜，對所述膜進行耐光性和溶液老化穩(wěn)定性試驗。得到的結(jié)果示于表1中。主要染料的非晶膜的最大吸收波長示于下面的表3-2中。
在制備涂布溶液時，本發(fā)明試驗編號1～10的染料混合物具有優(yōu)異的溶解度。此外，在旋涂中，可以制備均勻平直度的染料膜。
[評估條件] [1]溶液老化穩(wěn)定性試驗 制備染料的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且讓其在20℃靜置一星期。通過視覺觀察，檢測得到的溶液的晶體沉淀情況。
○根本觀察不到晶體沉淀。
△略微觀察到晶體沉淀。
×觀察到相當多的晶體沉淀。
[2]耐光性試驗 制備染料的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且用旋涂機涂布在玻璃襯底上。其后，用來自旋轉(zhuǎn)木馬型氙褪色計的氙光(100,000lux)通過將360nm光的透光率縮減至1/2的UV減弱濾光器照射兩天，對由此形成的每個涂層進行強迫脫色試驗。計算強迫試驗前后透射光學密度之間的比率，并由此確定染料殘留率。
表3-1 表3-2 [結(jié)果] 與單獨使用染料時相比，使用式(1’)表示的染料與式(2’)表示的染料的組合的每個試驗(110)都表現(xiàn)出改善的溶液老化穩(wěn)定性。
(實施例3-2) 光學記錄試驗 [光學記錄介質(zhì)的制造] 用聚碳酸酯樹脂通過注塑形成具有螺旋槽(深度130nm，寬度310nm，磁道間距0.74μm)的厚度為0.6mm且直徑為120mm的襯底。
將1.25g對應于實施例3-1的表3-1中試驗編號1的染料(I)-7/染料C-4(95/5)溶解在100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中制備涂布溶液，采用旋涂法將涂布溶液涂布在上述襯底形成有槽的表面上，從而形成染料層。
其后，在涂有染料的表面上濺射銀，形成厚度約150nm的反射層。然后使用UV固化性樹脂(DAICURE_ CLEAR SD640，由Dainippon Inksand Chemicals Inc.制造)作為粘合劑，將所述襯底粘合在厚度為0.6mm的模擬襯底上，從而形成盤。
[光學記錄介質(zhì)的評估] 使用DDU1000和多信號發(fā)生器(由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造；激光波長660nm，孔徑比0.60)，在單倍速(11.08Mbps)、八倍速(88.64Mbps)和十倍速(110.8Mbps)中的每個數(shù)據(jù)傳輸速率下記錄8-16調(diào)制信號。
所用記錄策略示于表3-3中。單倍速記錄和十倍速記錄是各自使用一種記錄策略進行的，而八倍速記錄是使用脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略進行的。
設置記錄功率，使得介質(zhì)上每個記錄中的跳動量最小。其后，用與記錄用的激光波長相同的激光復制記錄的信號，并且測量其中的跳動數(shù)。得到的結(jié)果示于表3-4中。與比較例相比，該實施例在單倍速記錄、八倍速記錄和十倍速記錄的每個記錄中都具有低的跳動和高反射率。
至于八倍速記錄特性，在脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略中該實施例都實現(xiàn)了滿意的跳動。
表3-3記錄策略 記錄數(shù)據(jù)
記錄策略A
記錄策略B，C，D
表3-4 (實施例3-3) 用下面表3-5中所示的實施例3-1的試驗編號1～11的染料(在溶液老化前)制造DVD-R盤。用每個制備的樣品進行十倍速記錄和復制。結(jié)果，可見以混合物形式使用兩種染料的試驗編號1～10(發(fā)明)的盤，與單獨使用染料的試驗編號11的盤相比，靈敏度得到改善。此時，如上所述，染料涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性得到提高。
(表3-5) (實施例4-1) 制備下表所示染料的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液作為涂布溶液。用旋涂機將涂布溶液涂布在玻璃襯底上并且干燥，制備染料非晶膜，對所述膜進行耐光性和溶液老化穩(wěn)定性試驗。
在制備涂布溶液時，本發(fā)明試驗編號1～10的染料混合物具有優(yōu)異的溶解度。此外，在旋涂中，可以制備均勻平直度的染料膜。
[評估條件] [1]溶液老化穩(wěn)定性試驗 制備所述染料的1.0質(zhì)量％的2，2，3，3-四氟丙醇溶液，并且讓其在20℃靜置一星期。通過視覺觀察檢測得到的溶液的晶體沉淀情況。
○根本觀察不到晶體沉淀。
△略微觀察到晶體沉淀。
×觀察到相當多的晶體沉淀。
(表4-1) [結(jié)果] 與單獨使用染料時相比，使用與偶氮染料組合的氧雜菁染料的每個試驗都具有改善的溶液老化穩(wěn)定性。
(實施例4-2) 光學記錄試驗 [光學記錄介質(zhì)的制造] 用聚碳酸酯樹脂通過注塑形成具有螺旋槽(深度130nm，寬度310nm，磁道間距0.74μm)的厚度為0.6mm且直徑為120mm的襯底。
將1.25g對應于實施例4-1的表4-1中試驗編號1的染料(I)-7/染料A-1(50/50)溶解在100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中制備涂布溶液，采用旋涂法將得到的涂布溶液涂布在上述襯底形成有槽的表面上，從而形成染料層。
其后，在涂有染料的表面上濺射銀，形成厚度約150nm的反射層。然后使用UV固化性樹脂(DAICURE_ CLEAR SD640，由Dainippon Inksand Chemicals Inc.制造)作為粘合劑，將所述襯底粘合在厚度為0.6mm的模擬襯底上，從而形成盤。
[光學記錄介質(zhì)的評估] 使用DDU1000和多信號發(fā)生器(由Pulse Tech Products Corporation制造；激光波長660nm，孔徑比0.60)，在單倍速(11.08Mbps)、八倍速(88.64Mbps)和十倍速(110.8Mbps)中的每個數(shù)據(jù)傳輸速率下記錄8-16調(diào)制信號。
所用記錄策略示于表2中。單倍速記錄和十倍速記錄是各自使用一種記錄策略進行的，而八倍速記錄是使用脈沖寬度顯著不同的兩種記錄策略進行的。
設置記錄功率，使得介質(zhì)上每個記錄中的跳動量最小。其后，用與記錄用的激光波長相同的激光復制記錄的信號，并且測量其中的跳動量。得到的結(jié)果示于表3中。該實施例在單倍速記錄、八倍速記錄和十倍速記錄的每個記錄中都具有低的跳動和高反射率。
至于八倍速記錄特性，在脈沖寬度顯著不同的記錄策略下獲得滿意的跳動。
(表4-2)記錄策略 記錄數(shù)據(jù)
記錄策略A
記錄策略B，C，D
表4-3 (實施例4-3) 如下面表4所示，包括實施例4-1，試驗編號1，用表4-1中所示的試驗編號1～11的染料制造DVD-R盤。用每個制備的樣品進行十倍速記錄和復制。
結(jié)果可見，與單獨使用染料的試驗編號11的盤相比，以混合物形式使用兩種染料的試驗編號1～10(發(fā)明)的盤的靈敏度得到改善。同時，如上所述，染料涂布溶液的溶液老化穩(wěn)定性也得到提高。
(表4-4) 本專利申請基于2004年6月23日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2004-184884)，2004年7月30日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2004-222939)，2004年10月4日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2004-291117)，2005年1月28日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-21613)，2005年4月5日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-108861)，2005年4月8日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-112226)，2005年4月26日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-127921)，2005年6月17日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-78075)，2005年6月17日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-178226)和2005年6月17日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2005-178074)，并且上述專利的內(nèi)容作為參考而引入到本發(fā)明的說明書中。
工業(yè)適用性 本發(fā)明提供從低速記錄到高速記錄全都具有高靈敏度并且具有優(yōu)異的記錄特性的光學記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種光學記錄介質(zhì)，其包含襯底；和在襯底上的記錄層，該記錄層含有至少兩種染料，染料A和染料B，其中染料A和染料B滿足以下條件(1)和(2)
(1)分解的開始溫度為150～250℃，
(2)染料A在記錄激光波長處的折射率n(A)和消光系數(shù)k(A)與染料B在相同波長處的折射率n(B)和消光系數(shù)k(B)滿足以下關(guān)系
n(B)/n(A)＞0.7
k(B)/k(A)＞10。
2.如權(quán)利要求1中所述的光學記錄介質(zhì)，其中染料A的陽離子部分和染料B的陽離子部分相同，或者染料A的陰離子部分和染料B的陰離子部分相同。
3.如權(quán)利要求2中所述的光學記錄介質(zhì)，其中所述陰離子部分是氧雜菁染料的陰離子部分。
4.如權(quán)利要求2或3中所述的光學記錄介質(zhì)，其中所述陽離子部分具有以下結(jié)構(gòu)
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的光學記錄介質(zhì)，其中染料B與染料A的質(zhì)量比為1～10％。
6.一種光學信息記錄介質(zhì)，包括選自具有以下式(I)所示結(jié)構(gòu)的化合物的兩種或兩種以上化合物
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，存在的超過一個的Ma21超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同。
7.如權(quán)利要求6中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述的兩種或兩種以上化合物包括具有由以下式(IIIa)表示的結(jié)構(gòu)的化合物和具有由以下式(IIIb)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
式(IIIa)中，R1和R2各自獨立地表示氫原子，未取代的烷基或未取代的芳基，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，每個R6表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中當n和m各自是大于1的數(shù)時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子；和
式(IIIb)中，R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q分別具有與式(IIIa)中相同的含義，R1b表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，并且R2b表示取代的烷基或取代的芳基。
8.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含
具有由以下式(I)表示的結(jié)構(gòu)并且當形成非晶膜時其吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)的染料；和
具有由以下式(II)表示的結(jié)構(gòu)并且其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的染料；
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，存在的超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同，和
其中Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，并且Q表示一價陽離子，其中當Ka23為大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
9.如權(quán)利要求8中所述的光學信息記錄介質(zhì)，
其中具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有由以下式(III)表示的結(jié)構(gòu)的染料，并且
具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有選自分別由以下式(IV)、(V)、(VI)和(VII)表示的結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)的染料；
其中R1和R2各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，R1和R2可以相互結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，R6表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中當n和m各自為大于1的數(shù)時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子，和
其中R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43和R44各自獨立地表示氫原子或取代基，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，其中，當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子。
10.一種具有由以下式(VIII)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59和R60各自獨立地表示氫原子或取代基，R61和R67各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，氰基，取代或未取代的氨基甲?；?，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烷氧羰基，取代或未取代的芳氧羰基或者取代或未取代的酰氨基，R62、R63、R64、R65和R66各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的酰氨基或者取代或未取代的雜環(huán)基，并且R71、R72、R73、R74、R75、R76、R77、R78、R79、R80、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87和R88各自獨立地表示氫原子或取代基。
11.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含具有由以下式(I)表示的結(jié)構(gòu)并且當形成非晶膜時它們的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)的至少兩種化合物；和當形成非晶膜時其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的氧雜菁染料；
其中Za21、Za22、Za23和Za24各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25和Ma26各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21和Ka22各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子，其中，當Ka21和Ka22各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25和超過一個的Ma26各自相同或不同。
12.如權(quán)利要求11中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中當形成非晶膜時其吸收最大值在600nm至小于720nm的波長范圍內(nèi)的氧雜菁染料是具有由以下式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料；
其中Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，并且Q表示一價陽離子，其中，當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同。
13.如權(quán)利要求12中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中兩種或兩種以上具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料中的一種是具有由以下式(IIIa)表示的結(jié)構(gòu)的染料，兩種或兩種以上具有由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的染料中的另一種是具有由以下式(IIIb)表示的結(jié)構(gòu)的染料，并且具有由式(II)表示的結(jié)構(gòu)的染料是具有由以下式(IV)、(V)、(VI)或(VII)表示的結(jié)構(gòu)的染料；
式(IIIa)中，R1和R2各自獨立地表示氫原子，未取代的烷基或未取代的芳基，R3、R4和R5各自獨立地表示氫原子或取代基，多個R6各自獨立地表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，兩個R6可以相互結(jié)合形成二價連接基，L1表示二價連接基，并且n和m各自獨立地表示0～2的整數(shù)，其中，當n和m各自是大于1的數(shù)時，超過一個的R3和超過一個的R4各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子或者2Q表示二價陽離子；
式(IIIb)中，R3、R4、R5、R6、n、m、L1和Q分別具有與式(IIIa)中相同的含義，R1b表示氫原子，取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，并且R2b表示取代的烷基或取代的芳基，和
其中R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43和R44各自獨立地表示氫原子或取代基，Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，Ka23表示0～3的整數(shù)，其中，當Ka23是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma27和超過一個的Ma28各自相同或不同，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子。
14.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含具有由以下式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L11和L12各自獨立地表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21、Ka22和Ka23各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子，其中，當Ka21、Ka22和Ka23各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25、超過一個的Ma26、超過一個的Ma28和超過一個的Ma29各自相同或不同。
15.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含
具有由以下式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；和
具有由以下式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物；
其中Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26各自獨立地表示形成酸核的原子，Ma21、Ma22、Ma23、Ma24、Ma25、Ma26、Ma27、Ma28和Ma29各自獨立地表示取代或未取代的次甲基，L11和L12各自獨立地表示與其兩根鍵一起不形成π-共軛體系的二價連接基，Ka21、Ka22和Ka23各自獨立地表示0～3的整數(shù)，并且Q表示用于中和電荷的一價陽離子，其中，當Ka21、Ka22和Ka23各自是大于1的數(shù)時，超過一個的Ma21、超過一個的Ma22、超過一個的Ma25、超過一個的Ma26、超過一個的Ma28和超過一個的Ma29各自相同或不同。
16.如權(quán)利要求15中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中具有由式(I’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物占介質(zhì)中使用的全部染料的80～99質(zhì)量％，并且具有由式(II’)表示的結(jié)構(gòu)的化合物占介質(zhì)中使用的全部染料的1～20質(zhì)量％。
17.如權(quán)利要求14～16中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中在式(I’)和(II’)中包含Za21、Za22、Za23、Za24、Za25和Za26中的每個的酸核是1，3-二噁烷-4，6-二酮。
18.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含包括染料的記錄層，其中記錄層中的染料是氧雜菁染料和花青染料的混合物。
19.如權(quán)利要求18中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)，并且所述花青染料具有由以下式(2’)表示的結(jié)構(gòu)
式(1’)
式(2’)
式(1’)中，Za11和Za12各自表示用于形成酸核的原子團；Ma11、Ma12和Ma13各自表示取代或未取代的次甲基；ka1表示0～3的整數(shù)，并且當ka1表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma11和超過一個的Ma12可以各自相同或不同；Q1表示用于中和電荷的離子；并且y1表示中和電荷所需的數(shù)；
式(2’)中，Za21和Za22各自表示用于形成雜環(huán)的原子團；Ma21、Ma22和Ma23各自表示取代或未取代的次甲基；ka2表示0～3的整數(shù)，并且當ka2表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma21和超過一個的Ma22可以各自相同或不同；R101和R102各自表示取代基；Q2表示用于中和電荷的離子；并且y2表示中和電荷所需的數(shù)。
20.如權(quán)利要求19中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中Q1表示的離子具有由以下式(3’)表示的結(jié)構(gòu)
式(3’)
其中R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示氫原子或取代基；并且R113和R118各自表示取代基。
21.如權(quán)利要求18～20中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述花青染料具有由以下式(4’)表示的結(jié)構(gòu)
式(4’)
其中Za31和Za32各自表示用于形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子團；R1a和R2a各自表示取代基；R121、R122、R123、R124、R125、R126和R127各自表示氫原子或取代基；ka3表示0～3的整數(shù)，并且當ka3表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的R121和超過一個的R122可以各自相同或不同；Q3表示用于中和電荷的離子；并且y3表示中和電荷所需的數(shù)。
22.如權(quán)利要求18～21中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料在形成非晶膜時表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，并且所述花青染料在形成非晶膜時表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于750nm的波長范圍內(nèi)。
23.如權(quán)利要求18～22中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是(i)通過粘合兩個層壓體形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體每個均包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上，兩個層壓體是以記錄層在內(nèi)部的方式粘合的，或者(ii)通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合層壓體和盤狀保護層形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上。
24.一種光學信息記錄介質(zhì)，包含含染料的記錄層，其中記錄層中的染料是氧雜菁染料和偶氮染料的混合物。
25.如權(quán)利要求24中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料具有由以下式(1’)表示的結(jié)構(gòu)，并且所述偶氮染料是包含偶氮染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料
式(1’)
其中Za11和Za12各自表示用于形成酸核的原子團；Ma11、Ma12和Ma13各自表示取代或未取代的次甲基；ka1表示0～3的整數(shù)，并且當ka1表示2或更大的整數(shù)時，超過一個的Ma11和超過一個的Ma12可以各自相同或不同；Q1表示用于中和電荷的離子；并且y1表示中和電荷所需的數(shù)。
26.如權(quán)利要求25中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中Q表示的離子具有由以下式(3’)表示的結(jié)構(gòu)
式(3’)
其中R111、R112、R114、R115、R116、R117、R119和R120各自表示氫原子或取代基；并且R113和R118各自表示取代基。
27.如權(quán)利要求24～26中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述偶氮染料是具有由以下式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料，或者包含具有由式(2”)表示的結(jié)構(gòu)的染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料
式(2”)
A-N＝N-B
其中A表示衍生自偶合劑組分的一價基團，并且B表示衍生自重氮鹽的一價基團。
28.如權(quán)利要求27中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述偶氮染料是包含具有由以下式(4”)表示的結(jié)構(gòu)的染料和金屬離子的偶氮金屬螯合物染料
式(4”)
其中A1和B2各自表示用于形成取代或未取代的芳烴環(huán)或者取代或未取代的芳族雜環(huán)的原子團；并且G表示能夠與金屬離子配位的一價基團。
29.如權(quán)利要求24～28中任一項所述的光學信息記錄介質(zhì)，其中所述氧雜菁染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在500nm至小于600nm的波長范圍內(nèi)，并且所述偶氮染料作為非晶膜表現(xiàn)出的吸收最大值在600nm至小于750nm的波長范圍內(nèi)。
30.如權(quán)利要求24中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合兩個層壓體形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體每個均包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上，或者如權(quán)利要求24～29中所述的光學信息記錄介質(zhì)，其是通過以記錄層在內(nèi)部的方式粘合層壓體和盤狀保護層形成的厚度為1.2±0.2mm的加熱模式型介質(zhì)，所述層壓體包含透明盤狀襯底和含有染料的記錄層，所述透明盤狀襯底具有在其上形成的0.6～0.9μm磁道間距的預槽并且直徑為120±3mm或80±3mm和厚度為0.6±0.1mm，所述記錄層形成在形成有預槽的襯底的表面上。
全文摘要
一種光學記錄介質(zhì)，其包含襯底和在襯底上的記錄層，該記錄層含有至少兩種染料，染料A和染料B，其中染料A和染料B滿足以下條件(1)和(2)(1)它們分解的開始溫度為150～250℃，(2)染料A在記錄激光波長處的折射率n(A)和消光系數(shù)k(A)與染料B在相同波長處的折射率n(B)和消光系數(shù)k(B)滿足以下關(guān)系n(B)/n(A)＞0.7，k(B)/k(A)＞10。
文檔編號C09B67/00GK1972810SQ20058002044
公開日2007年5月30日 申請日期2005年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月23日
發(fā)明者御子柴尚, 元木益司, 柴田路宏, 新居一巳, 田中長彥, 塚瀨正昭 申請人:富士膠片株式會社