專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)和光學(xué)信息記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)和一種光學(xué)信息記錄方法，它們能夠使用激光而記錄和重放信息，并且涉及適宜于在這樣的介質(zhì)和方法中使用的新化合物。更具體而言，本發(fā)明涉及通過一種適宜于通過使用具有550nm或更短(或440nm或更短)的短波長的激光而記錄信息的加熱模式光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
迄今，使用激光只能進(jìn)行一次記錄信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(光盤)是已知的。這種光盤也稱作一次寫入壓縮盤(所謂的CD-R)，它們具有以下典型結(jié)構(gòu)在透明盤狀襯底上以多層層壓狀態(tài)順序提供包含有機(jī)染料的記錄層、由金屬例如金形成的光反射層，和由樹脂形成的保護(hù)層。通過用近紅外區(qū)激光(波長通常在780nm附近的激光)輻照CD-R，進(jìn)行在CD-R上的信息記錄。更具體而言，記錄層在輻照區(qū)域吸收激光，并且導(dǎo)致溫度局部地升高，由此輻照區(qū)域?qū)崿F(xiàn)物理或化學(xué)變化(例如坑的形成)，從而改變它們的光學(xué)特性；結(jié)果在CD-R上記錄信息。另一方面，通常通過用波長與記錄用的激光相同的激光輻照所述的盤，并且檢測記錄層中光學(xué)特性改變的區(qū)域(記錄區(qū))與保持未改變的區(qū)域(未記錄區(qū))之間的反射率差別，進(jìn)行從所述的盤讀取(重放)信息。
近年來，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)如互聯(lián)網(wǎng)和高清晰度電視(HDTV)得到迅速普及。隨著HDTV播送即將到來，對能夠便宜而容易地記錄圖像信息的大容量記錄介質(zhì)的需求也日益增加。盡管通過使用可見激光(630至680nm)作為記錄激光可以進(jìn)行高密度記錄的上述CD-R和DVD-R已經(jīng)在一定程度上保證了它們本身作為大容量記錄介質(zhì)的位置，但不能認(rèn)為它們具有能夠響應(yīng)未來需要的足夠高的記錄容量。因此，已經(jīng)進(jìn)行了通過使用比DVD-R波長更短的激光而改善記錄密度并且具有比DVD-R更大的記錄容量的光盤的開發(fā)。例如，使用405nm波長的藍(lán)色激光的稱作藍(lán)光版式的光盤現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)在市場上。
公開了記錄和重放方法，其中通過下面的步驟在具有含有機(jī)染料的記錄層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄并且從其中復(fù)制信息用不長于530nm的波長的激光輻照記錄層，使得將激光從記錄層側(cè)引向光反射層側(cè)。更具體而言，在迄今所提出的信息記錄和重放方法中，將在它們相應(yīng)記錄層中使用作為染料的卟啉化合物、偶氮染料、金屬-偶氮染料、喹啉并酞酮(quinophthalone)染料、三次甲基花青染料、具有二氰基乙烯基苯基骨架的染料，香豆素化合物或萘花青(naphthalocyanine)化合物的光盤用藍(lán)色激光(波長為400至430nm或波長為488nm)或藍(lán)綠色激光(波長為515nm)輻照，從而記錄和復(fù)制信息。
此外，公開了信息記錄和重放方法，其中通過用波長為550nm或更短的激光輻照，使用氧雜菁染料作為在記錄層中的染料，在光盤上記錄和從其中復(fù)制信息。
用于這些藍(lán)色激光記錄光盤的背景技術(shù)的染料包括在JP-A-11-053758和JP-A-2001-71638中所公開的那些染料中。

發(fā)明內(nèi)容
但是，本發(fā)明人的研究發(fā)現(xiàn)，使用在這些文獻(xiàn)中所公開的染料的光盤的記錄特性還沒有達(dá)到滿意的水平。此外，發(fā)現(xiàn)使用在JP-A-2001-71638中公開的氧雜菁染料的光盤在實用性方面是不令人滿意的，原因在于氧雜菁染料結(jié)晶的容易性。
并且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用具有特定結(jié)構(gòu)的染料可以解決上述問題，由此完成了本發(fā)明。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，在所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上，通過用550nm或更短波長的激光輻照，在良好的條件下進(jìn)行信息的高密度記錄和重放，此外，其保存性質(zhì)優(yōu)異。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種信息記錄方法，該方法可以在上述條件下記錄和重放信息。
下面是很好地解決上述問題的本發(fā)明實施方案。
一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其包含在襯底上的記錄層，所述的記錄層含有由下式(I-1)或式(I-2)表示的染料化合物，或含有這兩種染料化合物 其中具有相同符號的部分分別具有相同的含義，并且A、B和B1各自獨(dú)立地表示氫原子或一價取代基，Y1和Y2各自表示與C-(E1)x-C或C＝(E2)x＝C一起形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子，E1和E2各自表示完成共軛雙鍵鏈的原子，X1表示＝O、＝NR1或＝C(R2)R3，其中R1、R2和R3各自獨(dú)立地表示一價取代基，X2表示-O、-NR1或-C(R2)R3，其中R1、R2和R3各自獨(dú)立地表示一價取代基，x表示0或1，n表示0、1或2，其中，當(dāng)n為2時，兩個A相同或不同，并且兩個B相同或不同，Mk+表示陽離子，并且k表示1至10的整數(shù)。在上述式中，優(yōu)選至少在部分＝C(R2)R3和-C(R2)R3中的R2或R3為-CN、-COR、-CO2R、-SOR或-SO2R，其中R表示一價取代基，優(yōu)選烷基或芳基。
如[1]中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含包含金屬的光反射層；和/或保護(hù)層。
如[1]或[2]中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述的襯底是在表面部分中具有磁道間距為0.2至0.5μm的預(yù)槽的盤狀襯底(優(yōu)選地，盤狀透明襯底)，并且所述的記錄層是提供在所述襯底的形成預(yù)槽的表面上的。
一種光學(xué)信息記錄方法，其中通過用波長為550nm或更短的激光輻照而在如[1]至[3]中任何一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，該光學(xué)信息記錄介質(zhì)通過用440nm或更短波長的激光輻照，能夠在良好的條件下進(jìn)行信息的高密度記錄和重放，而且其具有令人滿意的保存性質(zhì)。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種能夠在上述條件下記錄和重放信息的信息記錄方法。
下面是很好地實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明實施方案。
一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其包含記錄層，所述的記錄層含有由下式(II-1)表示的染料化合物 其中A、B和B1各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基；Y1和Y2各自表示分別與C-(E1)x-C或C＝(E2)y＝C一起形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子，E1和E2各自表示完成共軛雙鍵鏈的原子，并且x和y各自表示0或1；n表示0、1或2，其中，當(dāng)n為2時，兩個A相同或不同，并且兩個B相同或不同；Mk+表示陽離子，并且k表示1至10的整數(shù)。但是，此處，要求由Y1和Y2分別與C-(E1)x-C和C＝(E2)y＝C結(jié)合而形成的碳環(huán)或雜環(huán)彼此不同。
如[5]中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含包含金屬的光反射層；和/或保護(hù)層。
如[5]或[6]中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含襯底，其中所述的襯底是在表面部分中具有磁道間距為0.2至0.5μm的預(yù)槽的盤狀襯底(優(yōu)選地，盤狀透明襯底)，并且所述的含有染料化合物的記錄層是提供在所述襯底的形成預(yù)槽的表面上的。
一種光學(xué)信息記錄方法，該方法包括通過用波長為440nm或更短的激光輻照而在如[5]至[7]中任何一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息。
實施本發(fā)明的最佳方式本發(fā)明第一實施方案的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的特征在于在其記錄層中結(jié)合有由下式(I-1)或下式(I-2)表示的染料化合物(氧雜菁染料)，或結(jié)合有這兩種染料化合物 本發(fā)明第二實施方案的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的特征在于在其記錄層中結(jié)合有由下式(II-1)表示的染料化合物(氧雜菁染料)
涉及本發(fā)明第一和第二實施方案的染料化合物各自是由(B)顯示陰離子性質(zhì)的染料成分(以下簡稱為陰離子部分)和(C)顯示陽離子性質(zhì)的成分(以下簡稱為陽離子部分)形成的。首先，詳細(xì)描述陰離子部分(B)。在上述式中，A、B、B1和B1相互獨(dú)立的，并且它們中的每一個表示氫原子或一價取代基。這種取代基的實例包括含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的，直鏈，支鏈或環(huán)狀烷基，如甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，異丁基，仲丁基，叔丁基，環(huán)己基，甲氧基乙基，乙氧羰基乙基，氰基乙基，二乙基氨基乙基，羥基乙基，氯乙基，乙酰氧基乙基，三氟甲基和芳烷基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的鏈烯基，如乙烯基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的炔基，如乙炔基；含有6至18個碳原子(優(yōu)選6至10個碳原子)的取代或未取代的芳基，如苯基，4-甲基苯基，4-甲氧基苯基，4-羧基苯基和3，5-二羧基苯基)；含有7至18個碳原子(優(yōu)選7至12個碳原子)的取代或未取代的芳烷基，如芐基和羧基芐基)；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的酰基，如乙酰基，丙酰基，丁酰基和氯乙?；?；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的烷基-或芳基磺?；?，如甲磺?；蛯妆交酋；?；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的烷基亞磺?；?，如甲亞磺酰基，乙亞磺?；托羴喕酋；?；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的烷氧羰基，如甲氧羰基，乙氧羰基和丁氧羰基；含有7至18個碳原子(優(yōu)選7至12個碳原子)的芳氧羰基，如苯氧羰基，4-甲基苯氧羰基和4-甲氧基苯基羰基；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的烷氧基，如甲氧基，乙氧基，正丁氧基和甲氧基乙氧基；含有6至18個碳原子(優(yōu)選6至10個碳原子)的取代或未取代的芳氧基，如苯氧基和4-甲氧基苯氧基；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的烷硫基，如甲硫基和乙硫基；含有6至10個碳原子(優(yōu)選6至8個碳原子)的芳硫基，如苯硫基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的酰氧基，如乙酰氧基，乙基羰基氧基，環(huán)己基羰基氧基，苯甲酰氧基和氯乙酰氧；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的磺酰氧基，如甲磺酰氧基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的氨基甲酰氧基，如甲基氨基甲酰氧基和二乙基氨基甲酰氧基；未取代的氨基或含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代的氨基，如甲基氨基，二甲基氨基，二乙基氨基，苯胺基，甲氧基苯基氨基，氯苯基氨基，吡啶基氨基，甲氧羰基氨基，正丁氧羰基氨基，苯氧羰基氨基，苯基氨基甲?；被?，乙硫基氨基甲?；被?，甲基氨磺?；被?，苯基氨磺?；被一驶被?，乙硫基羰基氨基，環(huán)己基羰基氨基，苯甲?；被纫阴；被谆酋；被捅交酋；被?；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的酰氨基，如乙酰氨基，乙?；谆０被鸵阴Ｑ趸?乙酰基oxtyl)酰氨基；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的脲基，如未取代的脲基，甲基脲基，乙基脲基和二甲基脲基；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的氨基甲?；缥慈〈陌被柞；谆被柞；?，乙基氨基甲?；?，正丁基氨基甲?；?，叔丁基氨基甲?；?，二甲基氨基甲?；?，嗎啉代氨基甲?；瓦量┩樽踊?pyrrolidino)氨基甲酰基；未取代的氨磺?；秃?至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代的氨磺酰基，如甲基氨磺酰基和苯基氨磺?；畸u素原子，如氟，氯和溴；疏基；硝基；氰基；羧基；磺基；磷?；缍已趸柞；缓碗s環(huán)基，如衍生自以下雜環(huán)的一價基團(tuán)噁唑、苯并噁唑、噻唑、苯并噻唑、咪唑、苯并咪唑、假吲哚(indolene)、吡啶、嗎啉、哌啶、吡咯烷、環(huán)丁砜、呋喃、噻吩、吡唑、吡咯、苯并二氫吡喃和香豆素環(huán)。
第一實施方案中，A優(yōu)選為取代基，并且有利的是提高染料的穩(wěn)定性和顏色形成性，該取代基的哈米特取代基常數(shù)(σp)為0.2或更大。取代基的哈米特常數(shù)(σp)例如列于Chem.Rev.，91，165(1991)中。特別優(yōu)選的取代基為氰基，硝基，烷氧基，烷氧羰基，?；?，氨基甲酰基，氨磺酰基，烷基磺酰基和芳基磺?；優(yōu)選為取代基，并且適宜的是該取代為烷基，芳基，烷氧基，氨基或取代的氨基。B1優(yōu)選為鹵素原子或氫原子，特別優(yōu)選氫原子。
第二實施方案中，A、B和B1中的每一個選為烷基，鹵素原子或氫原子，特別優(yōu)選氫原子。
第一實施方案中，由于結(jié)合到Y(jié)1上的[-C(＝CR)-(E)x-C(＝X1)-](以下，為了方便，由W1表示)和結(jié)合到Y(jié)2上的[-C(-CR)＝(E)x＝C(-X2-)-](以下，為了方便，由W2表示)各自處于共軛狀態(tài)，所以由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)各自被認(rèn)為是共振結(jié)構(gòu)之一。第二實施方案中，結(jié)合到Y(jié)1上的部分[-C(＝C)-(E1)x-C(＝O)-](以下，為了方便，由W1表示)和結(jié)合到Y(jié)2上的部分[-C(-C)＝(E2)y＝C(-O-)-](以下，為了方便，由W2表示)各自處于共軛狀態(tài)，所以由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)各自被認(rèn)為是共振結(jié)構(gòu)之一。
由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)，以及由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)，各自優(yōu)選為4至7元環(huán)，特別優(yōu)選5或6元環(huán)。這些環(huán)各自可以與另一個4至7元環(huán)稠合形成稠環(huán)。此外，這些環(huán)各自可以含有取代基。這種取代的實例包括如上面作為由A、B、B1和R表示的取代基所述的那些取代基。形成雜環(huán)的雜原子的適宜實例包括B、N、O、S、Se和Te。這些原子中，相比于其它，優(yōu)選N、O和S。x和y各自為0或1，優(yōu)選0。
X1表不＝O、＝NR1或＝C(R2)R3。X2表不-O，-NR1或-C(R2)R3。R1、R2和R3是相互獨(dú)立的，并且它們各自表示一價取代基。由R1至R3表示的取代基的實例包括如上面作為由A、B和B1表示的取代基所述的那些取代基。優(yōu)選R1、R2和R3各自為烷基(如甲基和乙基)，芳基(如苯基)，氰基，烷氧羰基(如甲氧羰基和丁氧羰基)，烷基磺?；?如甲磺酰基)或芳基磺?；?如苯磺酰基)。本發(fā)明中，優(yōu)選X1為＝O并且X2為-O的情況。
由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)，以及由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)和由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)的實例各自是如下所舉例說明的。此外，在下列式中的Ra，Rb和Rc是相互獨(dú)立的，并且它們中的每一個表示氫原子或取代基。




在上面所述的環(huán)中，相比于其它，優(yōu)選由A-8、A-9、A-10、A-11、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17、A-36、A-39、A-41、A-54和A-57表示的碳環(huán)或雜環(huán)。并且，更優(yōu)選由A-8、A-9、A-10、A-13、A-14、A-16、A-17和A-57表示的環(huán)。特別是，由A-9、A-10、A-13、A-17和A-57表示的那些環(huán)是最適宜的。
有利的是，使碳環(huán)或雜環(huán)或碳環(huán)和雜環(huán)的組合位于根據(jù)本發(fā)明的氧雜菁染料的兩端，使得氧雜氰染料在350nm至390nm的波長區(qū)域具有其最大吸收。更具體地，優(yōu)選位于氧雜氰染料兩端的碳環(huán)或雜環(huán)或碳環(huán)和雜環(huán)中的一個為選自A-8、A-9、A-10、A-11、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17、A-36、A-39、A-41、A-54或A-57中的環(huán)，并且另一個為與所選擇的環(huán)不同的環(huán)，即，與選自A-8、A-9、A-10、A-11、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17、A-36、A-39、A-41、A-54或A-57中的環(huán)不同的環(huán)。
由Ra、Rb和Rc表示的取代基各自包括如上面作為各自由A、B、B1和B1表示的取代基所述的那些取代基。備選地，Ra、Rb和Rc中的任何兩個可以彼此結(jié)合形成碳環(huán)或雜環(huán)。這種碳環(huán)的實例包括4至7元碳環(huán)，如環(huán)己烷環(huán)、環(huán)戊烷環(huán)、環(huán)己烯環(huán)和苯環(huán)，并且這種雜環(huán)的實例包括飽和或不飽和4至7元雜環(huán)，如哌啶環(huán)，哌嗪環(huán)，嗎啉環(huán)，四氫呋喃環(huán)，呋喃環(huán)，噻吩環(huán)，吡啶環(huán)和吡嗪環(huán)。這些碳環(huán)和雜環(huán)還可以被取代。還可以取代這些環(huán)的基團(tuán)的實例包括如上面作為各自由A、B和B1表示的取代基所述的那些取代基。
式(I-1)和(I-2)中，n表示0、1或2，優(yōu)選0或1。當(dāng)n為2時，兩個A可以相同或不同，并且兩個B也可以相同或不同。
式(I-1)中，優(yōu)選n為1，X1為＝O，并且X2為O。式(I-2)中，優(yōu)選n為0，X1為＝C(R2)R3和X2為O。
本發(fā)明的式(II-1)中，由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)不同于由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)。表述“由W1和Y1形成的碳環(huán)或雜環(huán)不同于由W2和Y2形成的碳環(huán)或雜環(huán)”不表示共振結(jié)構(gòu)的表示差別或取代基的差別，如在上述結(jié)構(gòu)A-1至A-64中的Ra、Rb和Rc的差別，而是表示在每個碳環(huán)或每個雜環(huán)以中性狀態(tài)說明并且氫原子實際上被結(jié)合到與式(II-1)中的次甲基鏈部分(＝C(B1)-(C(A)＝C(B))n-連接的碳原子上的情況下的氫原子的pKa值的差別。更具體地，上述表述是指在下面的式(A)和式(B)中標(biāo)記有星號的位置之間的pKa的差別。
例如，可以認(rèn)為在上述結(jié)構(gòu)A-1至A-64中選擇的兩個不同環(huán)中的一個不同于另一個。
n表示0、1或2，優(yōu)選0或1。當(dāng)n為2時，兩個A可以相同或不同，并且兩個B可以相同或不同。
下面，詳細(xì)描述在第一實施方案中的陽離子部分。由Mk+表示的陽離子的實例包括氫離子，金屬離子，如鈉、鉀、鋰、鈣、鐵和銅的離子，金屬復(fù)合物離子，銨離子，吡啶鎓離子，氧離子，锍離子，鏻離子，硒鎓離子和碘鎓離子。這些離子中，相比于其它，優(yōu)選季銨離子。
通常通過對叔胺(例如，三甲胺、三乙胺、三丁胺、三乙醇胺、N-甲基吡咯烷、N-甲基哌啶、N，N-二甲基哌嗪、三亞乙基二胺、N，N，N’，N’-四甲基亞乙基二胺)或含氮雜環(huán)(例如，吡啶環(huán)、甲基吡啶環(huán)、2，2’-聯(lián)吡啶環(huán)、4，4’-聯(lián)吡啶環(huán)、1，10-菲咯啉環(huán)、喹啉環(huán)、噁唑環(huán)、噻唑環(huán)、N-甲基咪唑環(huán)、吡嗪環(huán)、四唑環(huán))進(jìn)行烷基化(Menshutkin反應(yīng))、烯基化、炔基化或芳基化，制備季銨離子。
作為由Mk+表示的季銨離子，優(yōu)選包括含氮雜環(huán)的季銨離子，并且特別優(yōu)選季吡啶鎓離子。
k表示1至10的整數(shù)，優(yōu)選1至4的整數(shù)，特別優(yōu)選1或2。
作為Mk+表示的陽離子，還優(yōu)選由下式(I-3)表示的陽離子。可以容易地通過2，2’-聯(lián)吡啶或4，4’-聯(lián)吡啶和含有需要的取代基的鹵化物之間的Menshutkin反應(yīng)(參見，例如，JP-A-61-148162)，或者根據(jù)JP-A-51-16675和JP-A-1-96171中所述的方法的芳基化反應(yīng)，來制備這些化合物。
式(I-3) 在上面的式中，R5和R6是相互獨(dú)立的，并且它們的每一個表示取代基。R7和R8也是相互獨(dú)立的，并且它們的每一個表示烷基，鏈烯基，炔基，芳烷基，芳基或雜環(huán)。備選地，R5和R6，或R5和R7，或R6和R8，或R7和R8可以相互結(jié)合形成環(huán)，r和s是相互獨(dú)立的，并且它們的每一個表示0至4的整數(shù)。當(dāng)r和s各自為2或更大的整數(shù)時，多個R5可以相同或不同，并且多個R6可以相同或不同。
由R7和R8表示的烷基各自優(yōu)選為含有1至18個碳原子的取代或未取代的烷基，更優(yōu)選為含有1至8個碳原子的取代或未取代的烷基。這樣的烷基的形式可以為直鏈、支鏈或環(huán)狀形式中的任何一種。其實例包括甲基，乙基，正丙基，異丙基，正丁基，異丁基，叔丁基，正己基，新戊基，環(huán)己基，金剛烷基和環(huán)丙基。
下列取代基包括在這些烷基可以含有的取代基的實例中含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的鏈烯基，如乙烯基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的炔基，如乙炔基；含有6至10個碳原子的取代或未取代的芳基，如苯基和萘基；鹵素原子，如F，Cl和Br；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的烷氧基，如甲氧基和乙氧基；含有6至10個碳原子的取代或未取代的芳氧基，如苯氧基和對甲氧基苯氧基；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的烷硫基，如甲硫基和乙硫基；含有6至10個碳原子的取代或未取代的芳硫基，如苯硫基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的?；?，如乙?；捅；缓?至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的烷基磺?；蚍蓟酋；缂谆酋；?qū)妆交酋；?；含?至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的酰氧基，如乙酰氧基和丙酰氧基；含有2至18個碳原子(優(yōu)選2至8個碳原子)的取代或未取代的烷氧羰基，如甲氧羰基和乙氧羰基；含有7至11個碳原子的取代或未取代的芳氧羰基，如萘氧羰基；未取代的氨基或含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代的氨基，如甲基氨基，二甲基氨基，二乙基氨基，苯胺基，甲氧基苯基氨基，氯苯基氨基，吡啶基氨基，甲氧羰基氨基，正丁氧羰基氨基，苯氧基羰基氨基，甲基氨基甲酰基氨基，乙硫基氨基甲?；被交被柞；被?，乙酰基氨基，乙基羰基氨基，乙硫基氨基甲?；被h(huán)己基羰基氨基，苯甲酰基氨基，氯乙?；被图谆酋；被?；含有1至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代或未取代的氨基甲?；?，如未取代的氨基甲酰基，甲基氨基甲酰基，乙基氨基甲?；?，正丁基氨基甲?；?，叔丁基氨基甲酰基，二甲基氨基甲酰基，嗎啉代氨基甲?；瓦量┩樽踊被柞；?；未取代的氨磺?；蚝?至18個碳原子(優(yōu)選1至8個碳原子)的取代的氨磺酰基，如甲基氨磺?；捅交被酋；?；氰基；硝基；羧基；羥基；和雜環(huán)基，如衍生自如下雜環(huán)的一價雜環(huán)基噁唑、苯并噁唑、噻唑、苯并噻唑、咪唑、苯并咪唑、假吲哚、吡啶、哌啶、吡咯烷、嗎啉、環(huán)丁砜、呋喃、噻吩、吡唑、吡咯、苯并二氫吡喃和香豆素環(huán)。
由R7和R8表示的鏈烯基各自優(yōu)選為含有2至18個碳原子的取代或未取代的鏈烯基，更優(yōu)選為含有2至8個碳原子的取代或未取代的鏈烯基，其實例包括乙烯基、烯丙基、1-丙烯基和1，3-丁二烯基。鏈烯基可以含有的取代基的適宜實例是上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。
由R7和R8表示的炔基各自優(yōu)選為含有2至18個碳原子的取代或未取代的炔基，更優(yōu)選為含有2至8個碳原子的取代或未取代的炔基，其實例包括乙炔基和2-丙炔基。炔基可以含有的取代基的適宜實例是上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。
由R7和R8表示的芳烷基各自優(yōu)選為含有7至18個碳原子的取代或未取代的芳烷基，其實例包括芐基和甲基芐基。芳烷基可以含有的取代基的適宜實例是上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。
由R7和R8表示的芳基各自優(yōu)選為含有6至18個碳原子的取代或未取代的芳基，其實例包括苯基和萘基。芳基可以含有的取代基的適宜實例是上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。此外，烷基(如甲基，乙基)也適宜作為芳基可以含有的取代基。
由R7和R8表示的雜環(huán)基各自為衍生自飽和或不飽和的5或6元雜環(huán)的一價基團(tuán)，所述的雜環(huán)由碳原子和氮、氧或/或硫原子組成。這種雜環(huán)的實例包括噁唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、噻唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、咪唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、假吲哚環(huán)、吡啶環(huán)、哌啶環(huán)、吡咯烷環(huán)、嗎啉環(huán)、環(huán)丁砜環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡唑環(huán)、吡咯環(huán)、苯并二氫吡喃環(huán)和香豆素環(huán)。這些雜環(huán)可以含有取代基。這些取代基的適宜實例是上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。
由R5和R6表示的取代基各自包括上面如烷基可以含有的取代基所述的那些取代基。除此之外，其中可以包括烷基(如甲基，乙基)。
r和s是相互獨(dú)立的，并且它們各自表示0至4的整數(shù)，優(yōu)選0或1，特別優(yōu)選0。
在下面的名單中舉例說明了由根據(jù)本發(fā)明的式(I-1)或/和式(I-2)表示的染料化合物的陰離子部分(由[B-]表示)和陽離子部分(由[C-]表示)。但是，不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這些實例限制本發(fā)明的范圍。另外，可以將下面作為根據(jù)本發(fā)明的實例所述的染料化合物的陰離子部分中的一些都表示在式(I-1)和式(I-2)中，但是為了方便，在下面的名單中，將它們的表述統(tǒng)一在式(I-2)中。例如，在名單中的B-1，盡管如下所示，可以將它同時表示在屬于式(I-1)的B-1b中和屬于式(I-2)的B-1a中，但表示在B-1a中，作為這些式的代表。






適宜地在本發(fā)明的第一實施方案中使用的化合物實例示于表1中。表1中所示的每種化合物(染料)實例為其相應(yīng)的陰離子部分和陽離子部分的組合。
表1

可以將本發(fā)明涉及的并且由式(I-1)或式(I-2)表示的染料化合物或這兩種化合物單獨(dú)使用或作為其兩種或更多種的混合物使用。備選地，可以將本發(fā)明涉及的染料化合物與其它染料化合物組合使用。
在下面的名單中舉例說明了由根據(jù)本發(fā)明的式(II-1)表示的染料化合物的陰離子部分(由[B-]表示)和陽離子部分(由[C-]表示)。但是，不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這些實例限制本發(fā)明的范圍。



用于本發(fā)明中的化合物的適宜實例示于下表1中。表1中所示的每種化合物實例(S-)是其相應(yīng)的陰離子部分和陽離子部分的組合。
表2

可以將本發(fā)明涉及的由式(II-1)表示的染料化合物單獨(dú)使用或作為其兩種或更多種的混合物使用。備選地，可以將本發(fā)明涉及的染料化合物與其它染料化合物組合使用。
在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄層中，為了提高記錄層的耐光性，可以結(jié)合各種褪色抑制劑?？梢杂米魍噬种苿┑幕衔锇ㄓ袡C(jī)氧化劑和單線態(tài)氧猝滅劑。作為用作褪色抑制劑的有機(jī)氧化劑，在JP-A-10-151861中公開的化合物是適宜的。作為單線態(tài)氧猝滅劑，可以使用在包括專利說明書的出版物中已知的那些。其實例包括在以下中公開的單線態(tài)氧猝滅劑JP-A-58-175693、JP-A-59-81194、JP-A-60-18387、JP-A-60-19586、JP-A-60-19587、JP-A-60-35054、JP-A-60-36190、JP-A-60-36191、JP-A-60-44554、JP-A-60-44555、JP-A-60-44389、JP-A-60-44390、JP-A-60-54892、JP-A-60-47069、JP-A-63-209995、JP-A-4-25492、JP-B-1-38680、JP-B-6-26028、德國專利350399，以及Nippon Kagakukai-Shi，1141頁，10月刊(1992)。更具體地，有利地使用由下式(II)表示的單線態(tài)氧猝滅劑式(II)

在上面的式中，R21表示可以含有取代基的烷基，并且Q-表示陰離子。
在式(II)中，R21優(yōu)選為可以含有取代基的1-8C烷基，更優(yōu)選為未取代的1-6C烷基。烷基可以含有的取代基的實例包括鹵素原子(如F和Cl)，烷氧基(如甲氧基和乙氧基)，烷硫基(如甲硫基和乙硫基)，?；?如乙酰基和丙?；?，酰氧基(如乙酰氧基和丙酰氧基)，羥基，烷氧基羰基(如甲氧羰基和乙氧羰基)，鏈烯基(如乙烯基)和芳基(如苯基和萘基)。這些取代基中，相比于其它，優(yōu)選鹵素原子，烷氧基，烷硫基和烷氧基羰基。陰離子Q-的適宜實例包括ClCO4-，AsF6-，BF4-和SbF6-。
由式(II)表示的化合物的實例示于表3中。
表3

褪色抑制劑，如上面所述的單線態(tài)氧猝滅劑的使用量通常為所使用的染料量的0.1至50質(zhì)量％，優(yōu)選0.5至45質(zhì)量％，更優(yōu)選3至40質(zhì)量％，特別優(yōu)選5至25質(zhì)量％。
<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的模式>
本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)優(yōu)選為模式[1]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，即，0.7至2mm-厚的襯底以所述的順序提供有含有染料的一次寫入記錄層和0.01至0.5mm厚的覆蓋層，或模式[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，即0.1至1.0mm-厚的襯底以所述的順序提供有含有染料的一次寫入記錄層和0.1至1.0mm厚的保護(hù)襯底。適宜的是模式[1]中的襯底上形成的預(yù)槽的磁道間距為50至500nm，槽寬度為25至250nm和槽深度為5至150nm，模式[2]中的襯底上形成的預(yù)槽的磁道間距為200至600nm，槽寬度為50至300nm和槽深度為30至200nm，和這些預(yù)槽的擺動幅度各自為10至50nm。
模式[1]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)至少具有襯底，一次寫入記錄層和覆蓋層。首先，一步一步地描述這些基本成員。
中的襯底]在一個優(yōu)選的模式[1]中的襯底上，要求形成具有特定幾何形狀的預(yù)槽(導(dǎo)向槽)，即其磁道間距，槽寬度(半寬度)，槽深度和擺動幅度分別在上述范圍內(nèi)。形成具有這樣的幾何形狀的預(yù)槽，目的在于實現(xiàn)比CD-R和DVD-R中的那些記錄密度更高的記錄密度，并且它使得本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)適宜用作響應(yīng)紫色激光的介質(zhì)。
更具體地，要求預(yù)槽的磁道間距在50至500nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為420nm或更小，更優(yōu)選370nm或更小，再優(yōu)選330nm或更小。并且其下限優(yōu)選為100nm或更大，更優(yōu)選200nm或更大，再優(yōu)選260nm或更大。在磁道間距小于50nm時，難以準(zhǔn)確地形成預(yù)槽，并且在某些情況下發(fā)生串?dāng)_的問題。另一方面，當(dāng)磁道間距超過500nm時，在某些情況下產(chǎn)生記錄密度降低的問題。
要求預(yù)槽的槽寬度(半寬度)在25至250nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為200nm或更小，更優(yōu)選170nm或更小，再優(yōu)選150nm或更小。并且其下限優(yōu)選為50nm或更大，更優(yōu)選80nm或更大，再優(yōu)選100nm或更大。
在預(yù)槽的槽寬度小于25nm時，在成型時不能充分地轉(zhuǎn)移槽，并且在某些情況下記錄時的錯誤率增大。另一方面，當(dāng)預(yù)槽的槽寬度超過250nm時，在某些情況下，在記錄時形成的坑變寬，從而導(dǎo)致串?dāng)_和調(diào)制度不足。
要求預(yù)槽的槽深度在5至150nm的范圍內(nèi)，并且其上限優(yōu)選為100nm或更小，更優(yōu)選70nm或更小，再優(yōu)選50nm或更小。并且其下限優(yōu)選為10nm或更大，更優(yōu)選20nm或更大，再優(yōu)選28nm或更大。在預(yù)槽的槽深度小于5nm時，在某些情況下不能得到足夠的記錄調(diào)制度；而當(dāng)預(yù)槽的槽深度超過150nm時，在某些情況下發(fā)生反射率極大的降低。
此外，優(yōu)選將預(yù)槽的最大槽傾角限制為80°或更小，更優(yōu)選為70°或更小，再優(yōu)選為60°或更小，特別優(yōu)選為50°或更小，并且，優(yōu)選將預(yù)槽的最小槽傾角限制為20°或更大，更優(yōu)選為30°或更大，再優(yōu)選為40°或更大。
當(dāng)預(yù)槽的槽傾角小于20°時，得到的跟蹤錯誤信號有時幅度不足，而當(dāng)槽傾角超過80°時，預(yù)槽成型困難。
在本發(fā)明中使用的襯底可以從迄今用作常規(guī)光學(xué)信息記錄介質(zhì)用的襯底材料的各種材料中任意地選擇。
這種襯底材料的實例包括玻璃；丙烯酸類樹脂，例如，聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂，例如，聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；非晶態(tài)聚烯烴；聚酯；和金屬，例如，鋁。如果需要，可以將這些材料以兩種或更多種的組合使用。
這些材料中，考慮到耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和廉價，相比于其它，優(yōu)選熱塑性樹脂，如非晶態(tài)聚烯烴和聚碳酸酯，特別優(yōu)選聚碳酸酯。
在使用這些樹脂時，可以采用注塑來制造襯底。
要求襯底的厚度在0.7至2mm的范圍內(nèi)。并且厚度范圍優(yōu)選為0.9至1.6mm，并且更優(yōu)選為1.0至1.3mm。
為了改善平坦度和提高粘合性，優(yōu)選在襯底的將要提供后面描述的光反射層的一側(cè)，形成底涂層。
底涂層用的材料的實例包括聚合材料，例如，聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纖維素、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯；和表面改性劑如，硅烷偶合劑。
可以以下面的方式形成底涂層通過將如上所述材料溶解或分散在適宜的溶劑中而制備涂布溶液，然后根據(jù)涂布方法如旋涂、浸涂或擠涂，將涂布溶液涂布在襯底的表面上。底涂層的厚度通常為0.005至20μm，并且優(yōu)選為0.01至10μm。
的一次寫入記錄層]以下面的方式形成在一個優(yōu)選的模式[1]中的一次寫入記錄層通過將染料與粘結(jié)劑一起溶解在適宜的溶劑中而制備涂布溶液，將其涂層涂布在襯底上或在后面描述的光反射層上，然后干燥涂層。此處，一次寫入記錄層可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。在多層結(jié)構(gòu)的情況下，多次重復(fù)涂覆涂布溶液的過程。
涂布溶液中的染料濃度通常為0.01至15質(zhì)量％，優(yōu)選0.1至10質(zhì)量％，更優(yōu)選0.5至5質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.5至3質(zhì)量％。
適用于制備涂布溶液的溶劑的實例包括酯類，如乙酸丁酯，乳酸乙酯和乙基溶纖劑；酮類，如甲基乙基酮，環(huán)己酮和甲基異丁基酮；氯化烴類，如二氯甲烷，1，2-二氯乙烷和氯仿；酰胺類，如二甲基甲酰胺；烴類，如甲基環(huán)己烷；醚類，如四氫呋喃，乙醚和二噁烷；醇，如乙醇，正丙醇，異丙醇，正丁醇和雙丙酮醇；含氟溶劑，如2，2，3，3-四氟丙醇；和二元醇醚類，如乙二醇一甲醚，乙二醇一乙醚和丙二醇一甲醚。
考慮到所使用的染料的溶解性，上述溶劑可以單獨(dú)使用或作為其兩種或更多種的混合物使用。根據(jù)想要的目的，還可以將包括抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑和潤滑劑的各種添加劑加入到涂布溶液中。
適用于此處的涂布方法的實例包括噴涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、刀涂法、涂膠輥涂法和絲網(wǎng)印刷法。
涂布時，涂布溶液的溫度優(yōu)選為23至50℃，更優(yōu)選24至40℃。
由此形成的一次寫入記錄層的厚度，當(dāng)在槽(襯底的凸部)上測量時，優(yōu)選為300nm或更小，更優(yōu)選250nm或更小，再優(yōu)選200nm或更小，特別優(yōu)選180nm或更小。厚度的下限優(yōu)選為30nm或更大，更優(yōu)選50nm或更大，再優(yōu)選70nm或更大，特別優(yōu)選90nm或更大。
另外，在背(襯底的凹部)上的一次寫入記錄層的厚度優(yōu)選為400nm或更小，更優(yōu)選300nm或更小，再優(yōu)選250nm或更小。厚度的下限優(yōu)選為70nm或更大，更優(yōu)選90nm或更大，再優(yōu)選110nm或更大。
而且，一次寫入記錄層在槽上的厚度/一次寫入記錄層在背上的厚度的比率優(yōu)選為0.4或更大，更優(yōu)選0.5或更大，再優(yōu)選0.6或更大，特別優(yōu)選0.7或更大。該比率的上限優(yōu)選為小于1，更優(yōu)選0.9或更小，再優(yōu)選0.85或更小，特別優(yōu)選0.8或更小。
當(dāng)涂布溶液含有粘結(jié)劑時，作為其中含有的粘結(jié)劑的實例，可以列舉天然有機(jī)聚合材料，包括明膠，纖維素衍生物，葡聚糖，松香和橡膠；合成有機(jī)聚合材料，包括烴樹脂例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚異丁烯，乙烯基樹脂例如聚氯乙烯、聚偏1，1-二氯乙烯和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，丙烯酸類樹脂如聚丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯，和熱固性樹脂的初步縮合物如聚乙烯醇，氯化聚乙烯，環(huán)氧樹脂，丁醛樹脂，橡膠衍生物，以及苯酚-甲醛樹脂。在將粘結(jié)劑與染料組合使用的情況下，粘結(jié)劑的使用量與染料的使用量的比率通常為0.01至50(按質(zhì)量計)，并且優(yōu)選0.1至5(按質(zhì)量計)。
為了賦予一次寫入記錄層提高的耐光性，一次寫入記錄層中可以結(jié)合有各種褪色抑制劑。作為褪色抑制劑，通常使用單線態(tài)氧猝滅劑?？梢允褂萌缭诔霭嫖锶绻_專利說明書中描述的單線態(tài)氧猝滅劑。
此處可使用的單線態(tài)氧猝滅劑的實例包括在以下出版物中公開的那些JP-A-58-175693，JP-A-59-81194，JP-A-60-18387，JP-A-60-19586，JP-A-60-19587，JP-A-60-35054，JP-A-60-36190，JP-A-60-36191，JP-a-60-44554，JP-A-60-44555，JP-A-60-44389，JP-A-60-44390，JP-A-60-54892，JP-A-60-47069，JP-A-63-209995，JP-A-4-25492，JP-B-1-38680，JP-B-6-26028，德國專利350399，和Nippon Kagakukai-Shi，1141頁，10月刊(1992)。
褪色抑制劑的使用量，例如如上所述的單線態(tài)氧猝滅劑的使用量通常為染料使用量的0.1至50質(zhì)量％，優(yōu)選0.5至45質(zhì)量％，更優(yōu)選3至40質(zhì)量％，特別優(yōu)選5至25質(zhì)量％。
中的覆蓋層]由粘合劑或壓敏粘合劑將一個優(yōu)選的模式[1]中的覆蓋層層壓在上述一次寫入記錄層上或下述的阻擋層上。
對用于本發(fā)明中的覆蓋層沒有特別限制，只要它是透明材料的膜即可。適宜于這樣的應(yīng)用的透明材料的實例包括丙烯酸類樹脂，例如，聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯樹脂，例如，聚氯乙烯或氯乙烯共聚物；環(huán)氧樹脂；非晶態(tài)聚烯烴和三乙酸纖維素。這些材料中，相比于其它，優(yōu)選聚碳酸酯和三乙酸纖維素。
附帶說明，如此處使用的術(shù)語“透明的”是指用于記錄或重放的光入射到材料上時，材料的透光率至少為80％。
此外，覆蓋層可以含有各種添加劑，只要不妨礙本發(fā)明效果的實現(xiàn)即可。例如，其中可以包含用于截斷波長為400nm或更短的光的UV吸收劑和用于截斷波長為500nm或更長的光的染料。
至于覆蓋層的表面特性，優(yōu)選覆蓋層的表面粗糙度的二維和三維粗糙度參數(shù)各自為5nm或更小。
考慮到會集用于記錄和重放的光的能量，還優(yōu)選覆蓋層的雙折射率為10nm或更小。
根據(jù)用于記錄和重放的激光的波長和NA，適當(dāng)確定覆蓋層的厚度。具體而言，用于本發(fā)明中的覆蓋層的厚度為0.01至0.5mm，優(yōu)選為0.05至0.12mm。
此外，優(yōu)選覆蓋層和由粘合劑或壓敏粘合劑形成的層的總厚度為0.09至0.11mm，特別優(yōu)選為0.095至0.105mm。
而且，可以在覆蓋層的入射側(cè)提供保護(hù)層(硬質(zhì)涂層)，其目的在于防止在制造光學(xué)信息記錄介質(zhì)時光入射的表面被擦傷。
作為可以粘附覆蓋層的粘合劑，優(yōu)選使用UV-可固化樹脂、EB-可固化樹脂和熱固性樹脂。這些樹脂中，特別有利地使用UV-可固化樹脂。
當(dāng)所使用的粘合劑是UV-可固化樹脂時，可以原樣地將UV-可固化樹脂，或者以將它溶解于適宜的溶劑如甲基乙基酮或乙酸乙酯中而制備的溶液形式，將其從分配器供給到阻擋層的表面上。為了防止所制造的光學(xué)信息記錄介質(zhì)翹曲，構(gòu)成粘合劑層的UV-可固化樹脂的固化收縮小是適宜的。至于這種UV-可固化樹脂的實例，可以列舉由Dainippon Ink and ChemicalsIncorporated制造的UV-可固化樹脂SD-640。
優(yōu)選將指定量的粘合劑涂布在例如將要粘附于覆蓋層上的阻擋層的表面上，將覆蓋層放置其上，然后使用旋涂技術(shù)將粘合劑在將要粘附的表面和覆蓋層之間均勻地散布，然后固化。
上述方式形成的粘合劑層的厚度優(yōu)選為0.1至100μm，更優(yōu)選為0.5至50μm，再優(yōu)選為10至30μm。
另一方面，用于粘附覆蓋層的壓敏粘合劑包括丙烯酸類、橡膠類和硅氧烷類壓敏粘合劑。這些類型中，考慮到透明性和耐久性，相比于其它，優(yōu)選丙烯酸類壓敏粘合劑。適合作為丙烯酸類壓敏粘合劑的物質(zhì)是通過以下方法獲得的產(chǎn)物將主要單體如丙烯酸-2-乙基己酯或丙烯酸正丁酯，用于提高內(nèi)聚力的短鏈丙烯酸烷基酯或短鏈甲基丙烯酸烷基酯如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸甲基，和為交聯(lián)劑提供交聯(lián)點(diǎn)的單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、馬來酸、丙烯酸羥乙酯和丙烯酸甘油酯共聚。通過適宜控制主要單體、短鏈單體和提供交聯(lián)點(diǎn)的單體的混合比率并且適當(dāng)選擇將要使用的這些單體的種類，可以改變所得產(chǎn)物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)和其中形成的交聯(lián)的密度。
可與上述壓敏粘合劑組合使用的交聯(lián)劑是例如異氰酸酯類交聯(lián)劑。這種異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括異氰酸酯類如甲苯二異氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、1，6-己二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、亞萘基-1，5-二異氰酸酯、鄰-甲苯胺異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯和三苯基甲烷三異氰酸酯；這些異氰酸酯與多元醇的產(chǎn)物；以及由這些異氰酸酯縮合形成的聚異氰酸酯。這些異氰酸酯的商購產(chǎn)品的實例包括Coronate L、Coronate HL、Coronate 2030、Coronate 2031、Millionate MR和MillionateHTL，它們是Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.的產(chǎn)品；TakenateD-102、Takenate D-110N、Takenate D-200和Takenate D-202，它們是TakedaPharmaceutical Company Limited的產(chǎn)品；以及Desmodule L、Desmodule IL、Desmodule N和Desmodule HL，它們是Sumitomo B ayer Urethane Co.，Ltd.的產(chǎn)品。
可以通過如下的方法形成這種壓敏粘合劑的層將該粘合劑以規(guī)定的量均勻地涂布在將要粘附到覆蓋層的阻擋層的表面上，并且將覆蓋層放置在涂布粘合劑上，然后固化粘合劑，或者預(yù)先通過使用規(guī)定量的壓敏粘合劑在覆蓋層的一側(cè)上形成均勻的涂層，將該涂層涂覆到將要粘附的表面上，然后固化粘合劑。
備選地，可以將預(yù)先提供有壓敏粘合劑層的商購壓敏粘合劑膜用作覆蓋層。
如上所述用壓敏粘合劑形成的壓敏粘合劑層的厚度優(yōu)選為0.1至100μm，更優(yōu)選0.5至50μm，再優(yōu)選10至30μm。
中的其它層]除了必需的層外，在一個優(yōu)選的模式[1]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)還可以具有任何其它層，只要不妨礙本發(fā)明效果的實現(xiàn)即可。這樣的其它層的實例包括在襯底的背面(與一次寫入記錄層形成側(cè)相反的一側(cè))上提供的具有所需圖像的標(biāo)簽層、在襯底和一次寫入記錄層之間提供的光反射層(后面描述)、在一次寫入記錄層和覆蓋層之間提供的阻擋層(后面描述)，以及在光反射層和一次寫入記錄層之間提供的界面層。此處，由UV-可固化樹脂、熱固性樹脂或可熱干燥樹脂形成標(biāo)簽層。
另外，這些必需層和任意層中的每個可以是單層，或可以具有多層結(jié)構(gòu)。
中的光反射層]在一個優(yōu)選的模式[1]中，優(yōu)選光學(xué)信息記錄介質(zhì)在襯底和一次寫入記錄層之間具有光反射層，目的在于提高激光反射率并且賦予改善記錄-和-重放特性的功能。
可以通過具有高激光反射率的光反射性材料的真空沉積、濺射沉積或離子鍍，在襯底上形成光反射層。
光反射層的厚度通常為10至300nm，優(yōu)選50至200nm。
另外，激光反射率優(yōu)選為70％或更大。
具有高反射率的光反射性材料的實例包括金屬和半金屬，如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、NI、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi；和不銹鋼?？梢詫⑦@些光反射性材料單獨(dú)使用，或兩種或更多種組合使用，或者作為合金使用。這些材料中，相比于其它，優(yōu)選Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼。在這些金屬中，特別有利地使用Au、Ag、Al和它們的合金。并且Au、Ag和它們的合金是最好的材料。
中阻擋層(中間層)的方法]在一個優(yōu)選的模式[1]中，優(yōu)選光學(xué)信息記錄介質(zhì)在一次寫入記錄層和覆蓋層之間具有阻擋層。
提供阻擋層的目的是為了提高一次寫入記錄層的保存性質(zhì)、改善一次寫入記錄層和覆蓋層的粘合性，并且進(jìn)行反射率和導(dǎo)熱性的調(diào)節(jié)。
對可用于阻擋層的材料沒有特別限制，只要它們能夠透射用于記錄和重放的光并且可實現(xiàn)上述功能即可。但通常地，優(yōu)選該材料對氣體和水分的滲透率低，此外是介電物質(zhì)。這種材料的合適實例包括以下物質(zhì)的氮化物、氧化物、碳化物或硫化物Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo和Ge。這些材料中，優(yōu)選ZnS、MoO2、GeO2、TeO、SiO2、TiO2、ZnO、ZnS-SiO2、SnO2和ZnO-Ga2O3，并且更優(yōu)選ZnS-SiO2、SnO2和ZnO-Ga2O3。
可以使用真空成膜法如真空蒸發(fā)、DC濺射、RF濺射和離子鍍方法來形成阻擋層。這些方法中，相比于其它，優(yōu)選濺射法，特別是RF濺射。
本發(fā)明中的阻擋層的厚度優(yōu)選為1至200nm，更優(yōu)選為2至100nm，再優(yōu)選為3至50nm。
下面，描述在另一個優(yōu)選的模式[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
模式[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)是一種具有粘合型層結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。這樣的層結(jié)構(gòu)的典型實例如下(1)第一種層結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其在襯底上以所述的順序形成一次寫入記錄層、光反射層和粘合劑層，并且在粘合劑層上提供保護(hù)襯底。
(2)第二種層結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其在襯底上以所述的順序形成一次寫入記錄層、光反射層、保護(hù)層和粘合劑層，并且在粘合劑層上提供保護(hù)襯底。
(3)第三種層結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其在襯底上以所述的順序形成一次寫入記錄層、光反射層、第一保護(hù)層、粘合劑層和第二保護(hù)層，并且在第二保護(hù)層上提供保護(hù)襯底。
(4)第四種層結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其在襯底上以所述的順序形成一次寫入記錄層、第一光反射層、第一保護(hù)層、粘合劑層、第二保護(hù)層和第二光反射層，并且在第二光反射層上提供保護(hù)襯底。
(5)第五種層結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其在襯底上以所述的順序形成一次寫入記錄層、第一光反射層、粘合劑層和第二光反射層，并且在第二光反射層上提供保護(hù)襯底。
另外，層結(jié)構(gòu)(1)至(5)僅僅是實例。因此，它們的構(gòu)成層的排列順序可以部分互換，或它們的構(gòu)成層可以部分省略。此外，還可以將一次寫入記錄層形成在保護(hù)襯底側(cè)。這種情況可以提供雙面的記錄-和-重放型光學(xué)信息記錄介質(zhì)。此外，每個構(gòu)成層可以具有單層形式或多層形式。
取本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的一個代表性實例，下面詳細(xì)舉例說明這樣的結(jié)構(gòu)情況其中以所述的順序安置襯底、一次寫入記錄層、光反射層、粘合劑層和保護(hù)襯底。
中的襯底]在另一個優(yōu)選的模式[2]中的襯底上，要求形成具有特定幾何形狀的預(yù)槽(導(dǎo)向槽)，即其磁道間距，槽寬度(半寬度)，槽深度和擺動幅度分別在上述范圍內(nèi)。形成具有這樣的幾何形狀的預(yù)槽，目的在于實現(xiàn)比CD-R和DVD-R中的那些記錄密度更高的記錄密度，并且它使得本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)適宜用作響應(yīng)紫色激光的介質(zhì)。
如上所述，要求預(yù)槽的磁道間距在200至600nm的范圍內(nèi)。更具體地，其上限優(yōu)選為500nm或更小，更優(yōu)選450nm或更小，再優(yōu)選430nm或更小。并且其下限優(yōu)選為300nm或更大，更優(yōu)選330nm或更大，再優(yōu)選370nm或更大。在磁道間距小于200nm時，難以準(zhǔn)確地形成預(yù)槽，并且在某些情況下發(fā)生串?dāng)_的問題。另一方面，當(dāng)磁道間距超過600nm時，在某些情況下產(chǎn)生記錄密度降低的問題。
要求預(yù)槽的槽寬度(半寬度)在50至300nm的范圍內(nèi)。更具體地，其上限優(yōu)選為250nm或更小，更優(yōu)選200nm或更小，再優(yōu)選180nm或更小。并且其下限優(yōu)選為100nm或更大，更優(yōu)選120nm或更大，再優(yōu)選140nm或更大。在預(yù)槽的槽寬度小于50nm時，在成型時不能充分地轉(zhuǎn)移槽，并且在某些情況下記錄時的錯誤率增大。另一方面，當(dāng)預(yù)槽的槽寬度超過300nm時，在某些情況下，在記錄時形成的坑變寬，從而導(dǎo)致串?dāng)_和調(diào)制度不足。
要求預(yù)槽的槽深度在30至200nm的范圍內(nèi)。更具體地，其上限優(yōu)選為170nm或更小，更優(yōu)選140nm或更小，再優(yōu)選120nm或更小。并且其下限優(yōu)選為40nm或更大，更優(yōu)選50nm或更大，再優(yōu)選60nm或更大。在預(yù)槽的槽深度小于30nm時，在某些情況下不能得到足夠的記錄調(diào)制度；而當(dāng)預(yù)槽的槽深度超過200nm時，在某些情況下發(fā)生反射率極大的降低。
在優(yōu)選模式[2]中使用的襯底可以從迄今用作傳統(tǒng)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的襯底材料的各種材料中任意選擇?？捎糜谀Ｊ絒2]中的襯底材料的實例和相比于其它優(yōu)選的實例與模式[1]中的那些相同。
要求襯底的厚度為0.1至1.0mm。并且其優(yōu)選范圍為0.2至0.8mm，特別是0.3至0.7mm。
為了改善平坦度和提高粘合性，優(yōu)選在其上將要提供后面描述的光反射層的襯底一側(cè)上形成底涂層。底涂層的材料的實例、涂布方法和厚度以及相比于其它優(yōu)選的那些與模式[1]中所述的底涂層中的那些相同。
中的一次寫入記錄層]在優(yōu)選模式[2]中的一次寫入記錄層的詳細(xì)描述與優(yōu)選模式[1]中的一次寫入記錄層的詳細(xì)描述相同。
中的光反射層]在優(yōu)選模式[2]中，有時在一次寫入記錄層上形成光反射層，目的在于提高激光反射率并且賦予改善記錄-和-重放特性的功能。模式[2]中的光反射層的詳細(xì)描述與模式[1]中的光反射層的那些相同。
中的粘合劑層]在優(yōu)選模式[2]中的粘合劑層是任選層，其形成的目的在于提高光反射層和保護(hù)襯底的粘合性。作為形成粘合劑層的材料，可光固化樹脂是合適的。為了防止得到的盤的翹曲，特別優(yōu)選使用固化收縮小的可光固化樹脂。這樣的可光固化樹脂的實例包括UV-可固化樹脂(UV-可固化粘合劑)，如由Dainippon Ink and Chemicals Incorporated制造的SD-640和SD-347。為了確保彈性，適宜的是粘合劑層的厚度為1至1,000μm。
中的保護(hù)襯底]作為在優(yōu)選模式[2]中的保護(hù)襯底(模型襯底)，可以使用與上述襯底性能和尺寸相同的材料。保護(hù)襯底的厚度要求為0.1至1.0mm。并且其優(yōu)選范圍為0.2至0.8mm，特別是0.3至0.7mm。
中的保護(hù)層]根據(jù)其層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選模式[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)可以有保護(hù)層，目的在于對光反射層和一次寫入記錄層進(jìn)行物理或化學(xué)保護(hù)。
可用于保護(hù)層的材料的實例包括無機(jī)材料，如ZnS、ZnS-SiO2、SiO、SiO2、MgF2、SnO2和Si3N4，以及有機(jī)材料，如熱塑性樹脂、熱固性樹脂和UV-可固化樹脂。
例如，由粘合劑將通過塑料的擠塑處理得到的膜層壓在光反射層上，可以形成保護(hù)層。備選地，可以使用真空沉積技術(shù)、濺射技術(shù)或涂布技術(shù)來提供保護(hù)層。
在使用熱塑性或熱固性樹脂的情況下，可以以這樣的方式形成保護(hù)層，即，將樹脂溶解在適宜的溶劑中制備涂布溶液，在想要的層上涂布所述的涂布溶液，然后干燥。在使用UV-可固化樹脂的另一種情況下，也可以以下面的方式形成保護(hù)層，即，用原樣的樹脂制備涂布溶液，或者將樹脂溶解在適宜的溶劑中制備涂布溶液，并且在想要的層上涂布，然后用UV射線輻照從而固化涂層。向這些涂布溶液中，還可以根據(jù)所需要的目的加入各種添加劑，如抗靜電劑、抗氧化劑和UV吸收劑。保護(hù)層的厚度通常為0.1μm至1mm。
中的其它層]
除了上述層外，在優(yōu)選模式[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)還可以具有任何其它層，只要不妨礙本發(fā)明效果的實現(xiàn)即可。這種其它層的詳細(xì)描述與模式[1]中的其它層的詳細(xì)描述相同。
<光學(xué)信息記錄方法>
本發(fā)明中的光學(xué)信息記錄是用優(yōu)選模式[1]或[2]中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，采用例如以下方式進(jìn)行的首先，將記錄光如半導(dǎo)體激光從襯底側(cè)或保護(hù)層側(cè)輻照光學(xué)信息記錄介質(zhì)，同時以恒定的線速度(0.5至10m/sec)或恒定的角速度旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)。通過用這樣的光輻照，記錄層吸收光，并且使其溫度局部地升高。并且認(rèn)為這種升溫導(dǎo)致物理或化學(xué)變化(例如，形成坑)，并且進(jìn)一步導(dǎo)致其光學(xué)特性的變化，從而記錄信息。
本發(fā)明中使用的記錄光是振蕩波長為550nm或更小，優(yōu)選440nm或更小，更優(yōu)選為390至450nm的半導(dǎo)體激光。合適光源的實例包括其振蕩波長在390至415nm范圍內(nèi)的紫色半導(dǎo)體激光，和通過光波導(dǎo)將850nm的紅外半導(dǎo)體激光的中心振蕩波長減半而得到的中心振蕩波長為425nm的紫色SHG激光?？紤]到記錄密度，特別有利地使用振蕩波長在390至415nm范圍內(nèi)的紫色半導(dǎo)體激光。通過將用半導(dǎo)體激光從襯底側(cè)或保護(hù)層側(cè)輻照光學(xué)信息記錄介質(zhì)，同時以與上所述相同的恒定線速度旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)，并且檢測由記錄介質(zhì)反射的光，可以進(jìn)行如此記錄的信息的重放。
下面舉例說明本發(fā)明中使用的化合物的合成實施例。使用與下面所示的方法相類似的方法，也可以合成本發(fā)明中使用的其它化合物。
合成實施例1-1化合物(S-1)的合成根據(jù)下面的反應(yīng)方案(1)和(2)進(jìn)行本發(fā)明中使用的一種化合物的合成

在40ml的甲醇中，溶解3.7g的化合物[1]和2.5g的化合物[2]，并且在攪拌下向其中加入1.8g的乙酸鈉。將所得到的溶液在回流下加熱4小時，從而完成這些化合物之間的反應(yīng)。在蒸餾掉溶劑后，由硅膠柱色譜純化反應(yīng)產(chǎn)物，得到1.3g的化合物[3]。
將化合物[3]以0.65g的量溶解于30ml的甲醇中，然后與0.57g的化合物[4]混合，得到作為晶體的產(chǎn)物。過濾出晶體，得到0.7g的化合物(S-1)。由NMR測量確定此產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)。
1H NMR(DMSO-d6)δ＝1.25(s，9H)，1.55(s，6H)，7.2-8.0(m，8H)，8.38(s，1H)，9.00(d，2H)，9.65(d，2H)，10.71(s，1H)。
合成實施例1-2化合物(S-8)的合成根據(jù)下面的反應(yīng)方案(3)和(4)進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的一種化合物的合成

在30ml的乙醇中，溶解1.7g的化合物[5]和0.67g的化合物[6]，并且在攪拌下向其中加入0.84ml的1，8-二氮雜雙環(huán)(5.4.0)-7-十一碳烯(DBU)。將所得到的溶液在回流下加熱2小時，從而完成這些化合物之間的反應(yīng)。在蒸餾掉溶劑后，由硅膠柱色譜純化反應(yīng)產(chǎn)物，得到2.4g的化合物[7]。
將化合物[7]以0.48g的量溶解于10ml的甲醇中，然后與0.29g的化合物[8]混合，得到作為晶體的產(chǎn)物。過濾出晶體，得到0.5g的化合物(S-8)。由NMR測量確定此產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)。
1H NMR(DMSO-d6)δ＝1.16(t，6H)，3.07(s，3H)，4.38(g，4H)，7.6-7.9(m，5H)，8.02(s，1H)，8.14(m，4H)，9.12(d，2H)，9.80(d，2H).
下面舉例說明本發(fā)明中使用的化合物的合成實施例。使用與下面所示的方法相類似的方法，也可以合成本發(fā)明中使用的其它化合物。
合成實施例2-1化合物(S-1’)的合成根據(jù)下面的反應(yīng)方案(1)和(2)進(jìn)行本發(fā)明中使用的一種化合物的合成 在15ml的甲醇中，溶解1.9g的化合物[1]和1.3g的化合物[2]，并且在攪拌下向其中加入1.4g的三乙胺。將所得到的溶液于室溫放置4小時，從而完成這些化合物之間的反應(yīng)。在蒸餾掉溶劑后，將剩余物與20ml的1N鹽酸混合，并且進(jìn)行徹底的攪拌。從而，沉淀出晶體，并且將它們過濾出，得到2.7g的化合物[3]。將0.57g份的化合物[3]加入到34ml的甲醇中，并且還與0.57g的化合物[4]混合。將得到的混合物在回流下加熱2小時，然后冷卻至室溫。將由此沉淀出的晶體過濾出，從而得到0.78g的化合物(S-1)。由NMR測量確定此產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)。
1H NMR(DMSO-d6)δ＝1.58(s，6H)，2.96(s，6H)，7.2-7.9(m，8H)，7.94(s，1H)，9.05(d，2H)，9.70(d，2H)，10.83(s，1H)。
合成實施例2-2化合物(S-4′)的合成根據(jù)下面的反應(yīng)方案(3)和(4)進(jìn)行本發(fā)明中使用的一種化合物的合成 在200ml的乙腈中，溶解17.3g的化合物[1]和8.78g的化合物[2]，并且在攪拌下向其中滴加入5.31ml的乙酸酐。向其中，進(jìn)一步滴加7.91ml的三乙胺，并且由色譜純化所得到的反應(yīng)混合物，得到19.6g的化合物[3]。將0.67g份的化合物[3]溶解于10ml的甲醇中，然后與0.37g的化合物[4]混合。從而，反應(yīng)產(chǎn)物作為晶體沉淀。過濾出這些晶體，得到0.66g的化合物(S-4)。由NMR測量確定此產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)。
1H NMR(DMSO-d6)δ＝1.3(m，1H)，1.5(m，3H)，1.75(m，6H)，3.1(d，6H)，7.2-8.0(m，8H)，8.05(s，1H)，9.00(d，2H)，9.65(d，2H)，10.71(s，1H)。
現(xiàn)在，通過參考下面的實施例，更加詳細(xì)地舉例說明本發(fā)明。
實施例1-1至1-15<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制備>
(襯底的制造)制備擠塑的聚碳酸酯樹脂襯底，所述襯底的厚度為1.1mm、外徑為120mm、內(nèi)徑為15mm，并且具有螺旋預(yù)槽(磁道間距320nm、槽寬度槽上寬度120nm、槽深度35nm、槽傾角65°，擺動幅度20nm)。用激光切割(351nm)進(jìn)行擠塑時使用的壓模的控制。
(光反射層的形成)通過在Ar氣氛中使用由Unaxis Cube進(jìn)行的DC濺射，在襯底上形成APC光反射層(Ag98.1質(zhì)量％，Pd0.9質(zhì)量％，Cu1.0質(zhì)量％)作為厚度為100nm的真空沉積層。通過控制濺射時間，來進(jìn)行光反射層的厚度的調(diào)節(jié)。
(一次寫入記錄層的形成)將表1中所示的化合物(S-1)至(S-15)中的每一種以2g的量加入至100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中并溶解于其中，從而制備含染料的涂布溶液。將由此制備的含染料的涂布溶液在23℃-50％RH的條件下，使用旋涂技術(shù)隨著旋轉(zhuǎn)次數(shù)從300rpm增加到4,000rpm而涂布到上述的光反射層上。通過使所涂布的涂布溶液在23℃和50％RH下放置1小時，形成一次寫入記錄層(槽上的厚度120nm，背上的厚度170nm)。
將以上述方式形成的一次寫入記錄層在清潔爐中進(jìn)行退火處理。以如下方式進(jìn)行退火處理在由垂直套桿支撐的狀態(tài)下，在用隔板在相鄰襯底之間確保間距時，將形成的記錄層在80℃保持1小時。
(阻擋層的形成)在每個一次寫入記錄層上，通過在Ar氣氛中使用Unaxis Cube的RF濺射，形成包含ZnO和Ga2O3(ZnO∶Ga2O37∶3(按質(zhì)量計))的5nm厚度的阻擋層。
(覆蓋層的層壓)使用內(nèi)徑為15mm、外徑為120mm并且一側(cè)有壓敏粘合劑涂層的聚碳酸酯膜(Teijin PureAce，厚度為80μm)作為覆蓋層。調(diào)節(jié)壓敏粘合劑涂層的厚度，使壓敏粘合劑涂層和覆蓋層的總厚度達(dá)到100μm。
然后，將覆蓋層放置在阻擋層上，使得壓敏粘合劑涂層和阻擋層面對面接觸，并且用壓制構(gòu)件加壓，導(dǎo)致覆蓋層的層壓。
實施例2-1至2-10以與實施例1-1至1-15中相同的方式制備光盤，不同之處在于分別使用表2中所示的化合物(S-1’)至(S-10’)代替化合物(S-1)至(S-15)中的每一種。
比較例1至4以與實施例1-15中相同的方式制備光盤，不同之處在于分別使用下面所示的比較化合物(A)至(D)代替化合物(S-1)至(S-15)中的每一種。
由此，制備出如1-1至1-15和2-1至2-10的光學(xué)信息記錄介質(zhì)和比較例1-4的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的評價>
C/N比(載波噪聲比)評價在制備的每個光學(xué)信息記錄介質(zhì)上，使用裝備有403nm激光器和NA為0.85的檢波器的光盤驅(qū)動評價裝置(DDU-1000，由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造)，以66MHz的時鐘頻率和5.28m/s的線速度記錄并且重放0.16μm的信號(2T)。然后，用光譜分析儀(Pulstec MSG2)測量C/N比(記錄后)。順便提及，這些評價是使用本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法進(jìn)行的，并且在槽上進(jìn)行記錄。其中，記錄功率為5.2mW并且重放功率為0.3mW。此外，將所制備的光學(xué)信息記錄介質(zhì)在60℃-80％RH的熱濕環(huán)境中保持24小時，然后進(jìn)行如上所述的相同測量。得到的結(jié)果示于表3中。其中，25dB或更大的C/N比(記錄后)表明復(fù)制信號具有足夠的強(qiáng)度并且適宜于實際使用。
實施例1-16至1-30<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制備>
(襯底的制造)制備擠塑的聚碳酸酯樹脂襯底，所述襯底的厚度為0.6mm、外徑為120mm、內(nèi)徑為15mm，并且具有螺旋預(yù)槽(磁道間距400nm、槽寬度170nm、槽深度100nm、槽傾角65℃，擺動幅度20nm)。用激光切割(351nm)進(jìn)行擠塑時使用的壓模的控制。
(一次寫入記錄層的形成)將表1中所示的化合物(S-1)至(S-15)中的每一種以2g的量加入至100ml的2，2，3，3-四氟丙醇中并且溶解于其中，從而制備含染料的涂布溶液。將由此制備的含染料的涂布溶液在23℃-50％RH的條件下，使用旋涂技術(shù)隨著旋轉(zhuǎn)次數(shù)從300rpm增加到4,000rpm而涂布到襯底上。通過使所涂布的涂布溶液在23℃和50％RH下放置1小時，形成一次寫入記錄層(槽上的厚度170nm，背上的厚度120nm)。
將以上述方式形成的一次寫入記錄層在清潔爐中進(jìn)行退火處理。以如下方式進(jìn)行退火處理在由垂直套桿支撐的狀態(tài)下，在用隔板在相鄰襯底之間確保間距時，將形成的記錄層在80℃保持1小時。
(光反射層的形成)通過在Ar氣氛中使用由Unaxis Cube進(jìn)行的DC濺射，在每個一次寫入記錄層上形成APC光反射層(Ag98.1質(zhì)量％，Pd0.9質(zhì)量％，Cu1.0質(zhì)量％)作為厚度為100nm的真空沉積層。通過控制濺射時間，來進(jìn)行光反射層的厚度的調(diào)節(jié)。
(保護(hù)襯底的層壓)將UV-可固化樹脂(SD661，由Dainippon Ink and Chemicals，Incorporated制造)旋涂在光反射層上，層壓由聚碳酸酯制成的保護(hù)襯底(除了其中不形成預(yù)槽外，與上述襯底相同)，然后用UV射線輻照而固化。
在所制備的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的每一個中，由UV-可固化樹脂構(gòu)成的粘合劑層的厚度為25μm。
實施例2-11至2-20以與實施例1-16至1-30中相同的方式制備光盤，不同之處在于分別使用表2中所示的化合物(S-1’)至(S-10’)代替化合物(S-1)至(S-15)中的每一種。
比較例5至8以與實施例1-16至1-30中相同的方式制備光盤，不同之處在于分別使用下面所示的化合物(A)至(D)代替化合物(S-1)至(S-15)中的每一種。
由此，制備出如1-16至1-30和2-11至2-20的光學(xué)信息記錄介質(zhì)和比較例5-8的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
<光學(xué)信息記錄介質(zhì)的評價>
C/N比(載波噪聲比)評價在制備的每個光學(xué)信息記錄介質(zhì)上，使用裝備有405nm激光器和NA為0.65的檢波器的光盤驅(qū)動評價裝置(DDU-1000，由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造)，以64.8MHz的時鐘頻率和6.6m/s的線速度記錄并且重放0.2μm的信號(2T)。然后，用光譜分析儀(Pulstec MSG2)測量C/N比(記錄后)。順便提及，這些評價是使用本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法進(jìn)行的，并且在槽上進(jìn)行記錄。其中，記錄功率為12mW并且重放功率為0.5mW。此外，將所制備的光學(xué)信息記錄介質(zhì)在60℃-80％RH的熱濕環(huán)境中保持24小時，然后進(jìn)行如上所述的相同測量。結(jié)果示于表3中。其中，25dB或更大的C/N比(記錄后)表明復(fù)制信號具有足夠的強(qiáng)度并且記錄特性適宜于實際使用。此外，25dB或更大的C/N比(在60℃-80％RH的熱濕環(huán)境中貯存24小時后)表明保存性質(zhì)是令人滿意的，并且適宜于實際使用。
表4

表4(續(xù))

比較化合物A(JP-A-11-53758中公開的實例(b)) 比較化合物B(JP-A-11-53758中公開的實例(c)) 比較化合物C(JP-A-2001-71638公開的實例(32)) 比較化合物D(JP-A-2001-71638公開的實例(34))
如從表4中所示的結(jié)果可見，與比較例1至8相比，提供有含有根據(jù)本發(fā)明的化合物的記錄層的記錄介質(zhì)1-1至1-30和2-1至2-20傳送高強(qiáng)度的復(fù)制信號，和在高溫-高濕條件下滿意的保存性質(zhì)。
工業(yè)適用性通過使用根據(jù)本發(fā)明的染料化合物，所得到的光學(xué)信息記錄介質(zhì)可以同時具有優(yōu)異的記錄特性和滿意的保存性質(zhì)。通過使用具有比在CD-R和DVD-R的情況下使用的激光的波長更短的波長的激光，可以顯著地實現(xiàn)這些優(yōu)異的效果，所以本發(fā)明可以提供能夠在更高密度下記錄信息的光學(xué)介質(zhì)，并且可以提供一種通過使用這樣的光學(xué)介質(zhì)記錄和復(fù)制信息的方法。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其包含在襯底上的記錄層，所述的記錄層含有由下式(I-1)或式(I-2)表示的染料化合物，或含有這兩種染料化合物 其中具有相同符號的部分分別具有相同的含義，并且A、B和B1各自獨(dú)立地表示氫原子或一價取代基，Y1和Y2各自表示與C-(E1)x-C或C＝(E2)x＝C一起形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子，E1和E2各自表示完成共軛雙鍵鏈的原子，X1表示＝O、＝NR1或＝C(R2)R3，其中R1、R2和R3各自獨(dú)立地表示一價取代基，X2表示-O、-NR1或-C(R2)R3，其中R1、R2和R3各自獨(dú)立地表示一價取代基，x表示0或1，n表示0、1或2，其中，當(dāng)n為2時，兩個A相同或不同，并且兩個B相同或不同，Mk+表示陽離子，并且k表示1至10的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含包含金屬的光反射層；和/或保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求1或2中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述的襯底是在表面部分中具有磁道間距為0.2至0.5μm的預(yù)槽的盤狀襯底，并且所述的記錄層是提供在所述襯底的形成預(yù)槽的表面上的。
4.一種光學(xué)信息記錄方法，該方法包括通過用波長為550nm或更短的激光輻照而在如權(quán)利要求1至3中任何一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息。
5.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其包含記錄層，所述的記錄層含有由下式(II-1)表示的染料化合物 其中A、B和B1各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基；Y1和Y2各自表示分別與C-(E1)x-C或C＝(E2)y＝C一起形成碳環(huán)或雜環(huán)的原子，E1和E2各自表示完成共軛雙鍵鏈的原子，并且x和y各自表示0或1，條件是由Y1和Y2分別與C-(E1)x-C和C＝(E2)y＝C結(jié)合而形成的碳環(huán)或雜環(huán)彼此不同；n表示0、1或2，其中，當(dāng)n為2時，兩個A相同或不同，并且兩個B相同或不同；Mk+表示陽離子，并且k表示1至10的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求5中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含包含金屬的光反射層；和/或保護(hù)層。
7.如權(quán)利要求5或6中所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其還包含襯底，其中所述的襯底是在表面部分中具有磁道間距為0.2至0.5μm的預(yù)槽的盤狀襯底，并且所述的含有染料化合物的記錄層是提供在所述襯底的形成預(yù)槽的表面上的。
8.一種光學(xué)信息記錄方法，該方法包括通過用波長為440nm或更短的激光輻照而在如權(quán)利要求5至7中任何一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息。
全文摘要
一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其包含在襯底上的記錄層，所述的記錄層含有具有特定結(jié)構(gòu)的染料化合物。一種光學(xué)信息記錄方法，該方法包括通過用波長為550或更短或440nm或更短的激光輻照而在光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息。
文檔編號C09B69/00GK101065252SQ200580038489
公開日2007年10月31日 申請日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者渡邊哲也, 高橋慶太, 片山和俊 申請人:富士膠片株式會社