專利名稱：：用于拋光低介電材料的拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種拋光液，尤其涉及一種用于拋光低介電材料的拋光液。
背景技術(shù)：
：在集成電路制造中，互連技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)在提高，一層上面又沉積一層，使得在襯底表面形成了不規(guī)則的形貌?，F(xiàn)有技術(shù)中使用的一種平坦化方法就是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，CMP工藝就是使用一種含磨料的混合物和拋光墊去拋光一集成電路表面。在典型的化學(xué)機(jī)械拋光方法中，將襯底直接與旋轉(zhuǎn)拋光墊接觸，用一載重物在襯底背面施加壓力。在拋光期間，墊片和操作臺旋轉(zhuǎn)，同時在襯底背面保持向下的力，將磨料和化學(xué)活性溶液(通常稱為拋光液或拋光漿料)涂于墊片上，該拋光液與正在拋光的薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)開始進(jìn)行拋光過程。CMP拋光液主要包括磨料、化學(xué)試劑和溶劑等。磨料主要為各種無機(jī)或有機(jī)顆粒，如二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯、氧化鈰、氧化鐵、聚合物顆粒和/或它們的混合物等。CMP拋光液的溶劑主要為水或醇類。而化學(xué)試劑是用來控制拋光速率和拋光選擇比、改善拋光表面性能以及提高拋光液的穩(wěn)定性，包括氧化劑、絡(luò)合劑、緩蝕劑和/或表面活性劑等。傳統(tǒng)絕緣材料(TEOS)由于具有較高的介電常數(shù)(3.9orhigher)會導(dǎo)致傳導(dǎo)層之間電容增大，從而影響集成電路的速度，使降低效率，隨著集成電路的復(fù)雜化和精細(xì)化，這種基底材料越發(fā)不能滿足更先進(jìn)制程的(65nm或45nm)技術(shù)要求，在襯底中引入低介電材料是集成電路技術(shù)發(fā)展的必然趨勢，隨之產(chǎn)生了許多用于低介電材料(CDO)的拋光漿液，如USP6,046,112公開了采用Zr02為磨料，配合季銨堿，生產(chǎn)成本高，USP6,043，155公開了采用價(jià)格較高的Ce02為磨料粒子，而且由于硬度更高，容易產(chǎn)生表面劃傷。USP6,270,395公開了采用碳，碳化物以及某些金屬氧化物為磨料顆粒，增大了引入表面污染物的可能性，總之，目前在用的低介電材料拋光液都沒有達(dá)到制造成本和技術(shù)表現(xiàn)的完美結(jié)合，普遍存在著表面光潔度，拋光選擇性以及表面形貌控制等方面的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了解決較低的壓力下，低介電材料的去除速率較低及拋光選擇比較難控制的問題，提供一種表面光潔度好的低介電材料的拋光液。本發(fā)明的上述目的通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的拋光液包括磨料和水，還包括一種或多種金屬螯合劑、唑類成膜劑和氧化劑。本發(fā)明拋光液還包括表面活性劑。在本發(fā)明中，所述的磨料為Si02溶膠顆粒、覆蓋鋁或摻雜鋁的SiCb溶膠顆粒，Al203顆粒、高聚物顆?；蛘咚鼈兊幕旌衔?。所述的顆粒的粒徑較佳地是20150nm;更佳地是50120nm。本發(fā)明所述的金屬螯合劑為一種或多種有機(jī)膦酸或聚有機(jī)酸螯合物；所述的有機(jī)膦酸為2-磷酸丁烷-l，2，4三羧酸、羥基亞乙基二磷酸、2—羥基膦?；宜帷被齺喖谆姿?、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸、乙二胺四亞甲基磷酸、多元醇磷酸酯或多氨基多醚基四亞甲基磷酸；所述的聚有機(jī)酸螯合物為聚環(huán)氧琥珀酸、聚天冬氨酸、水解聚馬來酸酐、聚馬來酸酐-聚丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸羥丙酯共聚物或丙烯酸-丙烯酸酯-磷酸-磺酸鹽共聚物。所述的金屬螯合劑重量百分比濃度較佳地為0.012%;更佳地為0.11%。本發(fā)明所述的唑類成膜劑為苯并三氮唑及其衍生物、1-苯基-5-巰基-四氮唑、2-巰基-苯并噻唑或2-巰基苯并咪唑。所述的唑類成膜劑重量百分比濃度較佳地為0.011%;更佳地為0.10.5%。本發(fā)明所述的氧化劑為H202、過硫酸及其鹽或有機(jī)過氧化物。所述的氧化劑重量百分比濃度較佳地為010%;更佳地為0.13%。本發(fā)明所述的表面活性劑為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩性表面活性劑或非離子表面活性劑；所述的表面活性劑為聚丙烯酸及其鹽(PAA)、聚丙烯酰銨、聚乙二醇(PEG)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯亞胺(PEA)、季銨鹽表面活性劑、甜菜堿、氨基酸型表面活性劑、脂肪醇聚氧乙烯醚、殼聚糖或葡聚糖。本發(fā)明所述的聚丙烯酸及其鹽的分子量范圍為200030萬，聚丙烯酰銨的分子量范圍為1000-500萬，聚乙二醇的分子量范圍為20010000，聚乙烯醇的分子量范圍為1000-10萬，聚乙烯亞胺的分子量范圍為100010萬，葡聚糖的分子量范圍為1000-20萬。所述的表面活性劑重量百分比濃度較佳地為0.010.5%;更佳地為0.050.2%。本發(fā)明拋光液還包括有機(jī)胺類化合物、氮雜環(huán)類化合物、甘油或殺菌劑中的一種或多種。所述的有機(jī)胺類化合物為多烯多胺、多羥基多胺、乙二胺或環(huán)胺；所述的氮雜環(huán)類化合物為氮甲基吡咯、氮甲基吡咯垸酮、3-吡咯啉或3-吡咯烷醇。所述的有機(jī)胺類化合物重量百分比濃度較佳地為201000ppm;更佳地為50500ppm。所述的甘油重量百分比濃度較佳地為010%。所述的殺菌劑較佳地為季銨鹽類。所述的殺菌劑重量百分比濃度較佳地為10500ppm。本發(fā)明拋光液PH值較佳地為812;更佳地為10.511.5。本發(fā)明的拋光液較佳的拋光低介電材料為摻雜碳的氧化物(CDO)低介電基底材料包括BD1(blackdiamond1)、BD2(blackdiamond2)或多孑L材茅斗(corematerials)。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明使用一種顆粒尺寸在20150nm之間的二氧化硅溶膠顆粒，配合專利中所述的金屬螯合劑，非常有效的去除鉭阻擋層和低介電材料，并獲較好的表面粗糙度，無表面腐蝕和表面畫傷，較低可清除的表面污染物，并可根據(jù)不同工藝的需求調(diào)整拋光選擇比，獲得理想的表面型貌。并且本發(fā)明的拋光液能在較低的壓力下具有較高的低介電材料的去除速率以及對其它材料的合適的拋光選擇比，拋光后的表面光潔度較好。能用于防止金屬拋光過程中產(chǎn)生的局部和整體腐蝕，減少表面污染物，提高產(chǎn)品良率。圖1為使用對比拋光液1溶膠顆粒拋光后的方塊金屬銅表面上的SEM圖；圖2為使用實(shí)施例12拋光液拋光后的方塊金屬銅表面上的SEM圖；圖3為使用對比拋光液1溶膠顆粒拋光后的細(xì)金屬銅線上的SEM圖；圖4為使用實(shí)施例12拋光液拋光后的方塊金屬銅表面上的SEM圖；圖5為使用實(shí)施例5(改變PH值)的低介電材料去除速率隨拋光液PH值變化情況圖；圖6為使用實(shí)施例5(改變氧化劑濃度)的低介電材料去除速率隨氧化劑濃度變化情況圖；圖7為使用實(shí)施例6(改變螯合劑濃度)的低介電材料去除速率隨中螯合劑濃度變化情況圖。具體實(shí)施方式實(shí)施例1對比拋光液1對比的普通硅溶膠顆粒(70nm)10%和水余量，pH=ll;拋光液1專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%和水余量，pH=ll;拋光液2專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)5%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H2O2l.5y。和水余量，pH=ll;拋光液3專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H2O21.5%和水余量，pH=ll;拋光液4專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2°/。、H202l.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液5專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2°/。、H202l.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%、DEA200ppm和水余量，pH=ll;拋光液6專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10。/。、BTA0.iy。、2-膦酸丁烷-1，2，4三羧酸(PBTCA)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液7專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液8專利中使用的硅溶膠顆粒(100證)10%、BTA0.1%、氣基三亞甲基膦酸(ATMP)0.2%、H202l.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液9專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、乙二胺四亞甲基膦酸(EDTMPA)0.2%、H202l.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液IO專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10。/。、BTA0.1%、聚環(huán)氧琥珀酸(PESA)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液ll專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10。/。、BTA0.1%、聚天冬氨酸(PASP)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=10.9;拋光液12專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10。/。、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H202l.5%、聚乙烯亞胺(分子量為4000)(PEA)0.02%和水余量，pH=10.8;拋光液13專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.05%、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)0.1%和水余量，pH=ll;拋光液14專利中使用的硅溶膠顆粒(100nm)10。/。、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、辛基酚聚氧乙烯醚(triton100)0.05%和水余量，pH=ll;拋光液15AhO3(100nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H202l.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液16Al-Covered(45nm)10%、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;200710163570.2說明書第2/5頁拋光液17鋁摻雜的二氧化硅(45nm)10。/。、BTA0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、H2O21.5%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.2%和水余量，pH=ll;拋光液18專利中使用的SiO210e/。、BTA0.2%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.2%、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物(分子量為5000)0.2%、H2021.5%和水余量，PH=11;拋光液制備方法將一定量硅溶膠加入攪拌器，攪拌下以一定速率定量加入去離子水混合均勻，再加入50%甘油水溶液，攪拌均勻，加入iy。BTA水溶液，攪拌均勻。然后加入有機(jī)酸，表面活性劑水溶液，以及有機(jī)胺和殺菌劑等非必要組分，后用KOH(50%)溶液調(diào)節(jié)至所需PH值即得拋光液。拋光材料BD(low-kmaterial),TEOS，Ta，Cu;拋光條件l1.5Psi，拋光盤及拋光頭轉(zhuǎn)速70/90rpm，拋光墊Politex，拋光液流速100ml/min，LogitechPM5Polisher,拋光后采用DIW和清洗液而后DIW清洗程序。實(shí)施例2拋光液19鋁摻雜的氧化硅顆粒(45nm)10。/。、l-苯基-5-巰基-四氮唑(PMTA)0.01。/。、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.01%、過硫酸0.1%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)0.5%和水余量，pH=10.5;實(shí)施例3拋光液20專利中使用的SiO2溶膠顆粒(80nm)10。/。、1-苯基-5-巰基-四氮唑(PMTA)0.5。/。、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.1Q/。、過硫酸3。/。、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.01和水余量，pH=11.5;實(shí)施例4拋光液21專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(80nm)10。/。、5-氨基-l-H-四氮唑(ATA)1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)2%、過硫酸10%、聚丙烯酰銨(分子量為5000)0.05%和水余量，pH=12;實(shí)施例6拋光液22專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(80nm)10n/。、2-巰基-苯并噻唑0.01%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.01%、過硫酸銨10%、聚乙烯亞胺(分子量為5000)0.1%和水余量，pH=8;實(shí)施例7拋光液23專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(50nm)10%、2-巰基苯并咪唑0.1%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.1%、過硫酸銨10%、聚丙烯酸或聚丙烯鹽(分子量為5000)(PAA)0.1%、甘油5%、乙二胺20ppm、氯化二甲基十二烷基芐基銨10ppm和水余量，pH-ll;實(shí)施例8拋光液24專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(50nm)10%、5-氨基-l-H-四氮唑(ATA)0.5%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)"/o、過硫酸3。/。、聚乙二醇(分子量為400)(PAA)0.01%、甘油10%、氮甲基吡咯500ppm、氯化二甲基十二垸基芐基銨500ppm和水余量，pH=ll;實(shí)施例9拋光液25專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(150nm)10%、BTA0.15%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.05%、過硫酸銨2%、辛基酚聚氧乙烯醚(分子量為5000)0.05%、甘油2%、1，2-二羥乙基乙二胺20ppm、氯化二甲基十二烷基芐基銨100ppm、水余量、pH=ll;實(shí)施例10拋光液26專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(20nm)10%、BTA0.15%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.05%、過氧乙酸10%、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物(分子量為5000)0.5%、甘油2%、1，2-二羥乙基乙二胺500ppm、氯化二甲基十二烷基節(jié)基銨100ppm和水余量，pH=ll;實(shí)施例11拋光液27專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(20nm)10%、BTA0.15%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.05%、過硫酸10%、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物(分子量為5000)0.2%、甘油2%、1，2-二羥乙基乙二胺1000ppm、殺菌劑(氯化二甲基十二烷基節(jié)基銨)100ppm和水余量，pH=9;實(shí)施例12拋光液28專利中使用的二氧化硅溶膠顆粒(20nm)10%、BTA0.15%、多氨基多醚基四亞甲基膦酸(PAPEMP)0.05%、過硫酸10%、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物(分子量為5000)0.2%、甘油2%、1，2-二羥乙基乙二胺1000ppm、殺菌劑(氯化二甲基十二烷基芐基銨)100ppm、氮甲基吡咯烷酮1%和水余量，pH=9;實(shí)施例13低介電材料BD摻雜碳的氧化硅(BD1)及其它基底材料的拋光速率以及表面污染物和表面形貌特性<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>1*:為參照物溶膠顆粒。BD:blackdiamond摻雜碳的氧化硅，TEOS:氧化硅，Ta:金屬鉭-阻擋層金屬材料，Cu:金屬銅；Def:表面污染物情況、DSH:蝶型凹陷大小，效果實(shí)施例專利中使用的Si02溶膠顆粒具有較參照物溶膠顆粒更高的低介電材料去除速率。由于螯合物的加入，可以不同程度地增加低介電材料(BD)的去除速率，不同的添加量和不同種類的影響在圖7顯示，有機(jī)胺類化合物即使微小的添加量即可明顯改變金屬銅的去除速率。雙氧水的濃度影響在圖6中顯示，如圖5中顯示隨拋光液PH的變化可以改變各種基底材料的去除速率，從而改變拋光選擇比，來達(dá)到對表面形貌的矯正，此外表面活性劑的加入也可減少表面污染物的數(shù)量，改善表面光潔度。固含量也是影響B(tài)D去除速率的重要因素，固含量增加，兩者的拋光選擇比也增加。合適的拋光選擇比可以獲得比較好的表面形貌，凹陷較低。總之，通過調(diào)節(jié)固含量以及各種組分的相對含量可以調(diào)整拋光選擇比，改善表面污染物的情況。來滿足不同制程的技術(shù)需求。所有這些的數(shù)據(jù)均在較低的下壓力下取得(DF=1.5Psi)。本發(fā)明所使用的原料和試劑均為市售產(chǎn)品。權(quán)利要求1、一種用于拋光低介電材料的拋光液，該拋光液包括磨料和水，其特征在于還包括一種或多種金屬螯合劑、唑類成膜劑和氧化劑。2、如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液還包括表面活性劑。3、如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的磨料為Si02溶膠顆粒、覆蓋鋁或摻雜鋁的Si02溶膠顆粒、Al203顆粒、高聚物顆?；蛩鼈兊幕旌衔?。4、如權(quán)利要求3所述的拋光液，其特征在于所述的磨料的粒徑是20150nm。5、如權(quán)利要求4所述的拋光液，其特征在于所述的磨料的粒徑是50120nm。6、如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的金屬螯合劑為一種或多種有機(jī)膦酸或聚有機(jī)酸螯合物。7、如權(quán)利要求6所述的拋光液，其特征在于所述的有機(jī)膦酸為2-磷酸丁烷-l，2，4三羧酸、羥基亞乙基二磷酸、2—羥基膦?；宜帷被齺喖谆姿?、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸、乙二胺四亞甲基磷酸、多元醇磷酸酯或多氨基多醚基四亞甲基磷酸。8、如權(quán)利要求6所述的拋光液，其特征在于所述的聚有機(jī)酸螯合物為聚環(huán)氧琥珀酸、聚天冬氨酸、水解聚馬來酸酐、聚馬來酸酐-聚丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸羥丙酯共聚物或丙烯酸-丙烯酸酯-磷酸-磺酸鹽共聚物。9、如權(quán)利要求6所述的拋光液，其特征在于所述的金屬螯合劑重量百分比濃度為0.012%。10、如權(quán)利要求9所述的拋光液，其特征在于所述的金屬螯合劑重量百分比濃度為0.11%。11、如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的唑類成膜劑包括苯并三氮唑及其衍生物、l-苯基-5-巰基-四氮唑、2-巰基-苯并噻唑、苯并咪唑或2-巰基苯并咪唑。12、如權(quán)利要求11所述的拋光液，其特征在于所述的唑類成膜劑重量百分比濃度為0.011%。13、如權(quán)利要求12所述的拋光液，其特征在于所述的唑類成膜劑重量百分比濃度為0.10.5%。14、如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的氧化劑為mo2、過硫酸及其鹽或有機(jī)過氧化物。15、如權(quán)利要求14所述的拋光液，其特征在于所述的氧化劑重量百分比濃度為010%。16、如權(quán)利要求15所述的拋光液，其特征在于所述的氧化劑重量百分比濃度為0.13%。17、如權(quán)利要求2所述的拋光液，其特征在于所述的表面活性劑為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩性表面活性劑或非離子表面活性劑。18、如權(quán)利要求17所述的拋光液，其特征在于所述的表面活性劑為聚丙烯酸及其鹽、聚丙烯酰銨、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯亞胺、季銨鹽表面活性劑、甜菜堿、氨基酸型表面活性劑、脂肪醇聚氧乙烯醚、葡聚糖或殼聚糖。19、如權(quán)利要求17所述的拋光液，其特征在于所述的表面活性劑重量百分比濃度為0.010.5%。20、如權(quán)利要求19所述的拋光液，其特征在于所述的表面活性劑重量百分比濃度為0.050.2%。21、如權(quán)利要求18所述的拋光液，其特征在于所述的聚丙烯酸及其鹽的分子量范圍為200030萬，聚丙烯酰銨的分子量范圍為1000-500萬，聚乙二醇的分子量范圍為20010000，聚乙烯醇的分子量范圍為1000-10萬，聚乙烯亞胺的分子量范圍為100010萬，葡聚糖的分子量范圍為1000-20萬。22、如權(quán)利要求1至21任一項(xiàng)所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液還包括有機(jī)胺類化合物、氮雜環(huán)類化合物、甘油或殺菌劑中的一種或多種。23、如權(quán)利要求22所述的拋光液，其特征在于所述的有機(jī)胺類化合物為多烯多胺、多羥基多胺、乙二胺或環(huán)胺；所述氮雜環(huán)類化合物為氮甲基吡咯、氮甲基吡咯烷酮、3-吡咯啉或3-吡咯烷醇等。24、如權(quán)利要求23所述的拋光液，其特征在于所述的有機(jī)胺類化合物重量百分比濃度為201000ppm。25、如權(quán)利要求24所述的拋光液，其特征在于所述的有機(jī)胺類化合物重量百分比濃度為50500ppm。26、如權(quán)利要求22所述的拋光液，其特征在于所述的甘油重量百分比濃度為010%。27、如權(quán)利要求22所述的拋光液，其特征在于所述的殺菌劑為季銨鹽類。28、如權(quán)利要求27所述的拋光液，其特征在于所述的殺菌劑重量百分比濃度為10500ppm。29、如權(quán)利要求1至21任一項(xiàng)所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液PH值為812。30、如權(quán)利要求29所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液PH值為10.511.5。全文摘要本發(fā)明公開了一種用于拋光低介電材料的拋光液，該拋光液包括磨料和水，其特征在于還包括一種或多種金屬螯合劑、唑類成膜劑和氧化劑。本發(fā)明的拋光液能在較低的壓力下具有較高的低介電材料的去除速率以及對其它材料的合適的拋光選擇比，拋光后的表面光潔度較好。文檔編號C09G1/02GK101130665SQ20061003045公開日2008年2月27日申請日期2006年8月25日優(yōu)先權(quán)日2006年8月25日發(fā)明者穎姚,宋偉紅,宋成兵,荊建芬,陳國棟申請人:安集微電子(上海)有限公司