專利名稱：：熒光體、熒光體片及其制造方法、和使用該熒光體的發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及用于陰極射線管(CRT)、場致發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示器(PDP)等顯示器或熒光燈、熒光顯示管等照明裝置或液晶背照燈等發(fā)光器具中使用的含有氮的熒光體、熒光體片及其制造方法、以及以組合了半導體發(fā)光元件(LED)和該熒光體的白色LED照明為代表的發(fā)光裝置。
背景技術：
：.目前，作為照明裝置使用的放電式熒光燈或白熾燈等含有水銀等有害物質，存在壽命短等各種問題。但是，近年來陸續(xù)開發(fā)了近紫外/紫外藍色發(fā)光的高亮度LED,從該LED發(fā)出的近紫夕卜/紫外藍色的光和在其波長區(qū)域具有激發(fā)帶的熒光體發(fā)出的光混合而獲得白色光，是否可以利用該白色光作為下一代的照明的研究、開發(fā)正在廣泛進行。如果該白色LED照明被實用化，則存在如下優(yōu)點電能向光轉換的效率高，產(chǎn)生的熱量少；因為由LED和熒光體構成，不會像以往的白熾燈那樣燒完，具有長的壽命，并且不含有水銀等有害物質；以及照明裝置可以小型化，可以得到理想的照明裝置。將該高亮度LED和熒光體組合獲得白色光的白色LED照明方式稱為單片型方式，與使用高亮度的紅色LED、綠色LED、藍色LED的3元色LED獲得白色的多片型方式相比，由于具有演色性優(yōu)良，并且可以低成本地制造的優(yōu)點，作為下一代照明受到矚目。作為單片型方式的白色LED照明，有將高亮度藍色LED和由該LED產(chǎn)生的藍色光激發(fā)的發(fā)黃光的熒光體組合的白色LED照明，例如，將使用InGaN系材料的高亮度藍色LED和石榴紅系黃色熒光體(Y,Gd)3(Al,Ga)50u:Ce(YAG:Ce)、Tb3Al5012:Ce、Ca3Sc2Si3012:Ce等組合而得到的白色LED照明。該白色LED照明利用了光的藍色和黃色存在補色關系。起初，該白色LED照明是高亮度的，但是因為在可見光區(qū)域的長波長側的發(fā)光、即紅色成分的發(fā)光不足，因此存在作為照明重要的演色性差的問題，但是最近陸續(xù)開發(fā)了發(fā)光峰波長在黃色到紅色的范圍、發(fā)光光譜具有寬峰的熒光體，以及在近紫外/紫外藍色范圍具有良好的激發(fā)帶的含有氮的熒光體，通過加了該熒光體而改善了演色性。該含氮的熒光體代表性的例如有Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Cax(Al，Si)12(O,N)16:Eu(0<x^1.5)、(Ca,Sr，Ba)Si202N2:Eu、CaAl2Si4N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu等。但是，將高亮度藍色LED和石榴紅系黃色熒光體組合的白色LED照明的石榴紅系黃色熒光體在激發(fā)波長460nm附近不具有平坦的激發(fā)帶，高亮度藍色LED的發(fā)光強度、峰波長有偏差，以及在LED上涂布熒光體時，因為膜厚不同而使透過的藍色光的發(fā)光強度改變，因此藍色和黃色的發(fā)光強度的平衡被破壞，從而產(chǎn)生白色光的色調變化這樣的問題。為了解決該問題，目前廣泛進行的研究是利用由發(fā)出近紫外/紫外光的LED和通過該LED發(fā)出的近紫夕卜/紫外的光激發(fā)而發(fā)紅色(R)光的熒光體、發(fā)綠色(G)光的熒光體、發(fā)藍色(B)光的熒光體獲得的光的混色來獲得白色的白色LED照明方式。該方式通過R、G、B的組合或混合比等，除白色光以外，還可獲得任意的發(fā)光色；或者通過混色關系而不是補色關系獲得白色發(fā)光；并且，通過使用發(fā)光光鐠為寬的R、G、B以及其他熒光體，與組合了高亮度藍色LED和石榴紅系黃色焚光體的方式相比，因為能發(fā)出和太陽光接近的發(fā)光光譜，演色性更優(yōu)異。此外，即使如高亮度藍色LED那樣在發(fā)光強度有偏差時，由于近紫外/紫外線并未利用光的混色，因而不產(chǎn)生白色光色調變化的現(xiàn)象，能夠制造演色性優(yōu)異的沒有色調偏差的白色LED照明。接著，作為在該用途中使用的熒光體，如果是紅色熒光體，例如有Y202S:Eu、La202S:Eu、3.5MgO0.5MgF2-GeO2:Mn、(La,Mn,Sm)202S.Ga203:Eu等，如果是綠色熒光體，例如有ZnS:Cu，Al、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu、BaGa2S4:Eu、SrAl204:Eu、BAM:Eu,Mn、(Ba，Sr,Ca)2Si04:Eu等，如果是藍色熒光體，例如有BAM:Eu、Sr5(P04)3Cl:Eu、ZnS:Ag、(Sr,Ca,Ba，Mg)1Q(P04)6Cl2:Eu等。并且，由于上述的Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Cax(Al,Si)12(O,N)16:Eu(0<x〇1.5)、(Ca，Sr，Ba)Si202N2:Eu、CaAl2Si4N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu在近紫外/紫外中具有高效率的激發(fā)帶，發(fā)光光譜具有寬峰，因而在組合了近紫夕卜/紫外LED和R、G、B以及其他熒光體的白色LED照明中，能改善亮度、演色性。但是，由于沒有可以與高亮度藍色LED和石榴紅系黃色熒光體組合使用的YAG:Ce熒光體那樣的高效率且高亮度的R、G、B以及其他焚光體，因此不能獲得滿意的白色LED照明。因此，對于各種顏色的熒光體，進行發(fā)光特性更優(yōu)異的新型熒光體的開發(fā)，對于藍色熒光體，也正在廣泛進行超越目前的BAM:Eu、Sr5(P04)3Cl:Eu、ZnS:Ag、(Sr，Ca,Ba，Mg)1Q(P04)6Cl2:Eu的新型藍色熒光體的開發(fā)，作為含氮熒光體，最近報道了LakSi3Ns:Cex(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1:特開2003—96446號公報。
發(fā)明內容發(fā)明要解決的課題但是，上述專利文獻l的含氮熒光體雖然是發(fā)光光譜具有寬峰的藍色熒得不到充分的發(fā)光強度和亮度，因而認為用于發(fā)光裝置是不充分的。本發(fā)明是考慮上述課題而完成的，其目的在于提供一種在藍色范圍(峰波長為400nm500nm)上具有寬的發(fā)光光譜，并且在近紫外/紫外的范圍具有寬且平坦的激發(fā)帶，發(fā)光效率和發(fā)光強度/亮度優(yōu)異的新型熒光體、熒光體片及其制造方法、以及使用該熒光體的白色LED照明為代表的發(fā)光裝置。解決課題的方法為了解決上述課題，本發(fā)明對多種含有氮的熒光體組成進行了研究，結果發(fā)現(xiàn)，通過將構成元素、構成元素的摩爾比、焙燒條件等最佳化，獲得下述通式表示的含有氮的新型藍色熒光體。解決上述課題的第1方案是一種熒光體，由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數(shù)為II價的1種以上的元素，A元素是價數(shù)為m價的1種以上的元素，B元素是價數(shù)為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是l種以上的活化劑)，其中，5.0<(a+b)/m<9.0,0^a/m^2.0,0^o<n,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,用波長250nm430nm范圍的光激發(fā)時，發(fā)光光譜中最大峰值波長在400nm500nm的范圍。第2方案是如第1方案中所述的熒光體，其中，0.0Sa/m^2.0，4.0^b/m^8,0，6.0^(a+b)/m^8.0，0<o/m^3.0。第3方案是如第1或第2方案所述的熒光體，其中，0^x^2時，a-xxm，b=(6_x)xm,o=(l+x)xm,n=(8-x)xm。第4方案是如第1第3方案中任一項所述的熒光體，其中，用波長350nm430nm范圍的單色光激發(fā)時，將波長400nm500nm范圍的最大發(fā)光強度作為P腿，最小發(fā)光強度作為Pmin時，P匪/P腿為30%以上。第.5方案是如第1第4方案中任一項所述的熒光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子價為II價的稀土元素中的一種以上的元素；A元素是選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一種以上的元素；B元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一種以上的元素；Z元素是選自稀土元素、過渡金屬元素中的一種以上的元素。第6方案是如第1第5方案中任一項所述的熒光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上元素；A元素是選自A1、Ga、In中的一種以上的元素；B元素是Si和/或Ge;Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的一種以上的元素。第7方案是如第1第6方案中任一項所述的熒光體，其中，M元素是Sr,A元素是Al,B元素是Si,Z元素是Eu。第8方案是如第1~第7方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體表示為通式MmAaBbOoNn:Zz時，M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0扁1~0.5。第9方案是如第1第8方案中任一項所述的熒光體，其中，含有16.0重量％~25.0重量％的Sr、2.0重量％~9.0重量％的Al、0.5重量％11.5重量％的0、23.0重量％32.0重量％的凡超過0且為3.5重量。/。以下的Eu,并且以波長250nm430nm范圍的光激發(fā)時，發(fā)光光譜中最大峰波長為400nm500nm的范圍。第10方案是如第1~第9方案中任一項所述的熒光體，其中，在采用使用了CoKa射線的粉末法測出的X射線衍射圖案中，在布拉格角(20)為35°37°的范圍內出現(xiàn)了強度最強的衍射峰，并且，采用該粉末法測出的X射線衍射圖案在布拉格角(29)為23.6°~25.6°、33°~35°、39.7°~40.7°、43°~44°的范圍內分別發(fā)現(xiàn)2個、2個、l個、l個特征衍射峰，將在布拉格角(20)為35。37。的范圍內看到的強度最強的衍射峰的相對強度作為100%時，這些衍射峰的相對強度為2.0%40%。第11方案是如第1第IO方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的結晶具有斜方晶系結構。第12方案是如第1第11方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的單位體積為345A3385A3。第13方案是如第1第11方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的單位體積為353A3~385A3。第14方案是如第1第13方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的晶格常數(shù)為a是7.85A8.28A，b是9.26A9.58A，c是4.80A4.92A。第15方案是如第1第14方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體粒子中含有的生成相的微晶大小(Dx)為50nm以上。第16方案是如第1第14方案中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體粒子中含有的生成相的微晶大小(Dx)為80nm以上。第17方案是如第1~第16方案中任一項所述的熒光體，其中，包含粒徑為50pm以下的一次粒子和該一次粒子凝聚而成的凝聚體，包含該一次粒子和凝聚體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0|im50.0|im。第18方案是制造第1第17方案中任一項所述的熒光體的方法，其包含以下步驟稱量并混合該熒光體的原料粉末而獲得混合物的步驟；在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟；和粉碎上述焙燒物獲得熒光體的步驟，并且，在焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，作為該焙燒時的氛圍氣體，使用氮氣、稀有氣體等非活性氣體、氨氣、氨氣和氮氣的混合氣體、或氮氣和氬氣的混合氣體中的任何一種。第19方案是如第18方案所述的熒光體的制造方法，其中，使用含有80%以上氮氣的氣體作為上述焙燒爐內的氛圍氣體。第20方案是如第18或第19方案所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，對上述混合物進行2次以上的焙燒，在焙燒和焙燒之間，對焙燒過的混合物進行粉碎混合。第21方案是如第18~第20方案中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，邊在上述焙燒爐內以O.lml/分鐘以上的流量流通氛圍氣體，邊進行焙燒。第22方案是如第21方案所述的熒光體的制造方法，其中，首先在焙燒爐內以O.lml/分鐘以上的流量流通氛圍氣體，同時進行焙燒，接著在上述焙燒爐內不進行氛圍氣體的流通來進行焙燒。第23方案是如第18第22方案中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，上述焙燒爐內的氛圍氣體為0.001MPa1.0MPa的加壓狀態(tài)。第24方案是如第18~第23方案中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，使用氮化物制成的坩鍋作為焙燒用坩鍋。第25方案是一種熒光體片，其中，第1第17方案中任一項所述的熒光體分散在樹脂或玻璃中。第26方案是一種發(fā)光裝置，包括第1第17方案中任一項所述的熒光體或第25方案所述的焚光體片、和發(fā)出第一波長光的發(fā)光部，其中，以上述第一波長的光的部分或全部作為激發(fā)光，從上述熒光體發(fā)出與上述第一波長不同波長的光。第27方案是如第26方案所述的發(fā)光裝置，其中，第一波長是250腿430證的波長。第28方案是如第26或第27方案所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的相關色溫度在10000K2000K的范圍。第29方案是如第26或第27方案所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的相關色溫度在7000K2500K的范圍。第30方案是如第26第29方案中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的平均演色評價數(shù)Ra為80以上。第31方案是如第26第30方案中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的特殊演色評價數(shù)R15為80以上。第32方案是如第26第31方案中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的特殊演色評價數(shù)R9為60以上。第33方案是如第26第32方案中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)出第一波長的發(fā)光部是發(fā)光元件(LED)。發(fā)明效果按照第1第16方案中任一項所述的熒光體，在近紫外/紫外范圍具有高效率的激發(fā)帶，用近紫外/紫外范圍的光激發(fā)時，在藍色范圍(峰波長為400nm500nm)具有發(fā)光光譜，發(fā)光效率和發(fā)光強度/亮度優(yōu)異。按照第17方案所述的熒光體，由于得到的熒光體為粉末狀，容易粉碎，或者能夠以糊劑狀涂布在各種地方。另外，該熒光體的平均粒徑(D50)為1.0|im~50.0^im,因而能提高涂布密度，獲得發(fā)光強度和亮度高的涂布膜。按照第18~第24方案中任一項所述的熒光體的制造方法，能以便宜的制造成本容易地制造第1第17方案中任一項所述的熒光體。按照第25方案所述的焚光體片，可以將該熒光體片和各種發(fā)光部組合,容易地制造多種發(fā)光裝置。按照第26~第33方案中任一項所述的發(fā)光裝置，可以獲得具有期望的發(fā)光色、發(fā)光強度和亮度高的高效率的發(fā)光裝置。具體實施方式下面說明本發(fā)明的具體實施方式，但是本發(fā)明不限于此-這里，M元素是選自上述熒光體中價數(shù)為II價的元素中的1種以上的元素。A元素是選自上述熒光體中價數(shù)為m價的元素中的l種以上的元素。B元素是選自上述熒光體中價數(shù)為IV價的元素中的1種以上的元素。元素O是氧。元素N是氮。Z是在上述熒光體中作為活化劑起作用的元素，是選自稀土元素或過渡金屬元素中的l種以上的元素。另夕卜，在該熒光體中，(a+b)/m為5.0<(a+b)/m<9.0的范圍，a/m為0蕓a/m^2.0的范圍，氧和氮的關系為0^o<n,氮表示為n=2/3m+a+4/3b-2/3o。具有上述特征的本實施方式的熒光體在近紫外/紫外的范圍具有高效率的激發(fā)帶，用波長250nm430nm范圍的光的部分或全部激發(fā)時，顯示具有寬峰的發(fā)光光譜，最大峰波長為400nm500nm范圍，得到高效率的發(fā)光，因此，通過將該焚光體與適當?shù)钠渌伾臒晒怏w混合，并與近紫外/紫外LED等發(fā)光部組合，可以獲得具有期望的發(fā)光色，發(fā)光強度和亮度高的高效率的發(fā)光裝置。本實施方式的熒光體與迄今為止報道的含氮焚光體Lai-xSi3N5:Cex^'J如，參見專利文獻l)相比，發(fā)光強度和亮度優(yōu)異，和目前作為白色LED照明用藍色熒光體使用的BAM:Eu、Sr5(P04)3Cl:Eu、ZnS:Ag、(Sr，Ca，Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu比較時，顯示優(yōu)異的發(fā)光特性，從而可以制造更高亮度的白色LED照明。目前使用的氧化物熒光體BAM:Eu或鹵磷酸鹽熒光體SCAP:Eu的激發(fā)帶在近紫外/紫外區(qū)域的波長380nm以上的長波長側激發(fā)帶急劇下降。與此相反，本實施方式的熒光體因為含有氮，和氧化物熒光體相比共價鍵的比例高，和現(xiàn)在使用的氧化物熒光體或卣磷酸鹽熒光體相比，直到長波長側都具有平坦且良好的激發(fā)帶。因此，與近紫外/紫外LED組合來制造白色LED照明時，能夠抑制白色光的色調不均。本實施方式的熒光體在近紫外/紫外范圍具有高效率的激發(fā)帶，用波長250nm430nm范圍的光激發(fā)時，顯示具有寬峰的發(fā)光光鐠，最大峰波長在400nm500nm的范圍，能獲得高效率的發(fā)光。其詳細的理由還不清楚，但是大致認為如下。首先，本實施方式的熒光體由于在通式MmAaBbOoNn:Z中，m、a、b、o、n的^t滿足5.0<(a+b)/m<9.0,0^a/m^2.0，0^o<n,n=2/3m+a+4/3b-2/3o的范圍，因此在該焚光體采取的結晶結構中，作為發(fā)光中心的活化劑可以以不產(chǎn)生濃度消光的距離規(guī)則地存在，并且，通過激發(fā)光賦予的用于發(fā)光的激發(fā)能量的傳導能有效地進行，因而認為能提高發(fā)光效率。進而，如果該焚光體采取上述結構，則由于成為化學上穩(wěn)定的組成，因此可認為在該熒光體中不易產(chǎn)生對發(fā)光無貢獻的雜質相，能夠抑制發(fā)光強度的降低。即，產(chǎn)生很多雜質相時，每單位面積的熒光體減少，進而由于產(chǎn)生的雜質相吸收激發(fā)光或從熒光體發(fā)出的光，因此發(fā)光效率降低，得不到高的發(fā)光強度。即，如果(a+b)/m在5.0<(a+b)/m<9.0的范圍，a/m在0^a/m^2.0的范圍，則可以避免作為雜質相的發(fā)黃色或橙色光的相的生成，并可以避免藍色的發(fā)光強度減弱，是優(yōu)選的。另外，如果氧和氮的關系滿足0^(Xn,則可以避免因為氧的摩爾比變得比氮的摩爾比大時引起的玻璃化，因而能避免結晶性的降低引起的發(fā)光特性的降低，是優(yōu)選的。并且，具有上述通式MmAaBbOoNn:Z組成的熒光體中，M元素是+II價、A元素是+III價、B元素是+IV價的元素，氮是-III價的元素，因而如果m、a、b、o、n采取n-2/3m+a+4/3b-2/3o的關系，則各元素的價數(shù)加起來為零，該焚光體是穩(wěn)定的化合物，是優(yōu)選的。該熒光體在本實施方式的熒光體的通式MmAaBbOoNn:Z中，m、a、b、o、n的值只要為5.0<(a+b)/m<9.0,0^a/m^2.0，0^o<n，n=2/3m+a+4/3b-2/3o的范圍即可，更優(yōu)選4.0^b/m^8.0,6.0^(a+b)/m^8.0，0<o/m^3.0。這是因為，根據(jù)m、b的值，通過在上述范圍內設定最適合的a、o,能顯著抑制雜質相的生成，并且，可以避免由玻璃化引起的結晶性的降低。此外可i人為，a/m為2.0以下時，可以由A元素、B元素、氧、氮組成結構^見則的穩(wěn)定的網(wǎng)絡，并且原料A1N不會作為未反應的原料殘留，幾乎能全部固溶在由[SiN4]或[(Al,Si)(0,N)4]形成的四面體的網(wǎng)絡中。另外，通過使a、b、o、n的4直采耳又a-xxm,b=(6—x)xm,o=(l+x)xm,n=(8—x)xm,M元素^皮圍在[SiN4]或[(Al,Si)(0,N)4]的四面體中，成為更理想的結構，作為熒光體的發(fā)光效率提高，是優(yōu)選的。這里，x為0^x^2的范圍，更優(yōu)選為0^x^1.0。另一方面，該熒光體用波長350nm430nm范圍的單色光激發(fā)時，將波長400nm500nm中發(fā)光光語的最大發(fā)光強度作為Pmax，最小發(fā)光強度作為Pmin時，P她/P腿優(yōu)選為30%以上。因為如果P畫/P證保持在30%以上，則發(fā)出波長350nm430nm的紫外或近紫外光的各種激發(fā)源或發(fā)光元件的發(fā)光波長即使產(chǎn)生偏差或變動時，也能得到有效且穩(wěn)定地發(fā)出規(guī)定波長的光的熒光體。另一方面，上述M元素優(yōu)選選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子價為II價的稀土元素中的一種以上的元素，更優(yōu)選選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上的元素，最優(yōu)選為Sr或Ba。并且，任何一種情況下，都優(yōu)選M元素中含有Sr。上述A元素優(yōu)選選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一種以上的元素，更優(yōu)選選自Al、Ga、In中的一種以上的元素，最優(yōu)選的是Al。Al的氮化物A1N作為通常的熱傳導材料或結構材料而使用，容易獲得且便宜，環(huán)境壓力小，是優(yōu)選的。上述B元素優(yōu)選選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一種以上的元素，更優(yōu)選Si和/或Ge，最優(yōu)選Si。Si的氮化物Si;jN4作為通常的熱傳導材料或結構材料使用，容易獲得且便宜，環(huán)境壓力小，是優(yōu)選的。上述Z元素是以置換熒光體母體結構中的部分M元素的形式混合的，是選自稀土元素或過渡金屬元素中的一種以上的元素。從在使用本實施方式的熒光體的白色LED照明為代表的各種光源上充分發(fā)揮演色性考慮，優(yōu)選該熒光體的發(fā)光光譜中峰的半幅值較寬。并且，從該觀點看，Z元素優(yōu)選選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的一種以上的元素。其中，使用Eu作為Z元素時，該熒光體為藍色并顯示發(fā)光強度高的寬的發(fā)光光譜，因此，優(yōu)選用作白色LED照明為代表的各種光源的活化劑。本實施方式的熒光體標記為通式MmAaBbOoNn:Zz(5.(K(a+b)/m<9.0，0Sa/m^2.0，0^o<n,n=2/3m+a+4/3b-2/30)時，Z元素的添加量優(yōu)選使M元素和活化劑Z元素的摩爾比z/(m+z)為0.0001~0.50的范圍。M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)如果為該范圍，則能避免由活化劑(Z元素)的含量過剩引起的濃度消光，以及由此帶來的發(fā)光效率的降低，另一方面，還能避免由活化劑(Z元素)的含量過少引起的有助于發(fā)光的原子不足，以及由此帶來的發(fā)光效率的降低。此外，該z/(m+z)值更優(yōu)選在0.001~0.30的范圍。該z/(m+z)的值范圍的最佳值根據(jù)活化劑(Z元素)的種類和M元素的種類而稍有變動。進而，通過控制活化劑(Z元素)的添加量，可以使該熒光體的發(fā)光峰波長轉移設定，并且有益于在獲得的光源中調節(jié)亮度或色度。另夕卜，通過選擇Z元素，可以改變本實施方式的熒光體中發(fā)光峰的波長，并且通過活化多個種類不同的Z元素來改變峰波長，進而可通過敏化作用來提高發(fā)光強度和亮度。進行本發(fā)明的熒光體的組成分析的結果，含有16.0重量％~25.0重量％的Sr、2.0重量％9.0重量。/。的Al、0.5重量％~11.5重量％的O、23.0重量％32.0重量。/c)的N、超過0且為3.5重量。/。以下的Eu。Sr、Al可以有士2.0重量%的分析誤差，殘留的重量為Si和其他元素。并且，從避免熒光體的發(fā)光強度降低的觀點考慮，熒光體中的Fe、Ni、Co各元素的濃度優(yōu)選為100ppm以下，B(硼)、C(碳)的濃度優(yōu)選為0.1重量％以下。另外，由組成分析結果計算出的各元素的m、a、b、o、n的值與由使用的原料的混合比計算出的m、a、b、o、n的值比較時，會有若干的偏差，這認為是在焙燒中非常少的原料分解，或者蒸發(fā)，以及分析誤差引起的。特別是在計算o時，可認為是因為沒有考慮當初原料中含有的氧或表面附著的氧；原料稱量時、混合時和焙燒時原料表面氧化混入的氧；以及焙燒后熒光體表面吸附的水分或氧等。另外，在含有氮氣和/或氨氣的氛圍氣體中焙燒時，可認為焙燒時原料中的氧被抽出并置換成氮，從而引起o、n的若干偏差。接著，參照圖2對本發(fā)明的熒光體顯示的粉末X射線衍射圖案進行說明。圖2是作為本發(fā)明熒光體的一例的后述的實施例2、4、6和比較例2的焚光體釆用CoKa射線進行的粉末X射線衍射圖案，是比較主要的峰的布拉格角(20)和強度的圖。最下部所示的衍射圖案是在JCPDS卡(53-0636)和非專利文獻J.Mater.Chem.,1999，91019-1022中記載的81"2八128^04>414結晶的衍射圖案。從與圖2所示的本實施例中獲得的衍射峰的比較可以看出，本發(fā)明的焚光體和JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si1()04N14結晶的主要峰的整體圖案類似。但是詳細觀察時，本發(fā)明的熒光體的峰和JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si1()04N14結晶的主要峰相比，任何一個布拉格角(29)都向變大的方向轉移，兩者雖然類似，但是認為是具有結晶晶面距離不同的結晶結構。這里，作為帶來兩者的結晶結構的差別的主要原因，認為有在兩者的結晶結構中存在的氧量有差別、和本發(fā)明熒光體中部分Sr置換成了Eu等原因。特別是，由于主要的峰的整體圖案類似，本發(fā)明熒光體生成相的結晶也與JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si,o04N,4結晶一樣，是具有空間群Imm2所示的斜方晶系的結晶體系。本發(fā)明人等通過以上內容，認為本發(fā)明的熒光體雖然是和JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si,o04Nw結晶類似，但是具有結晶晶面距離不同的新的結晶結構，用該熒光體所示的X射線衍射圖案、結晶軸的長度(晶格常數(shù))和晶格的單位體積來規(guī)定具有該新結晶結構的本發(fā)明的熒光體的結構。由該實施方式獲得的熒光體在采用使用了CoKa射線進行的粉末法測出的X射線衍射圖案中，在布拉格角(2e)為3537。的范圍內出現(xiàn)了強度最強的衍射峰，并且采用該粉末法測出的X射線衍射圖案在布拉格角(29)為23.6°25.6°、33。35°、39.7。40.7°、43°~44°的范圍內分別發(fā)現(xiàn)2個、2個、l個、l個特征衍射峰，以布拉格角(29)為35。37。的范圍內看到的強度最強衍射峰的相對強度作為100%時，這些衍射峰的相對強度為2.0%40%。通過滿足這些特征，用波長250nm430nm范圍的光激發(fā)時，能獲得發(fā)光光譜中最大峰波長在400nm500nm范圍的發(fā)光效率更好的熒光體。并且，采用該粉末法的X射線衍射圖案中，以布拉格角(20)為35°~37°的范圍內看到的強度最強衍射峰的相對強度作為100%時，優(yōu)選在布拉格角(2e)為26。~33。、38.7。~39.7。、42.0。42.8。的范圍中沒有相對強度10%以上的衍為在上述范圍看到的衍射峰是由與在波長400nm500nm范圍中顯示發(fā)光光譜的峰的相不同的雜質相引起的。即，如果該雜質相少，效率的降低，從而能夠獲得高的發(fā)光強度。進而，采用使用了CoKot射線進行的粉末法的X射線衍射圖案中，關注處于布拉格角(20)為35。37。范圍的強度最強的衍射峰時，通過在構成元素中含有Al,可知峰會分成2個(參照后述的圖2和圖8中的實施例2、4、6、實施例13、20、45、49、52的各炎光體試料的X射線衍射圖案)。而且，加入Al,峰變成2個的試料有發(fā)光特性變好的傾向。進而，本發(fā)明人在測定上述XRD的峰位置的同時，使用基于上述粉末X射線測定結果的Rietveld方法進行焚光體試料的結晶結構分析。所謂Rietveld方法，是指將實際測定中獲得的X射線實測衍射強度和由通過預測其結晶結構而建立的結晶結構模型理論計算獲得的X射線衍射強度進行比較，通過最小二乘法使后者模型中各種結構參數(shù)更精密，從而減小兩者之差，由此來導出更正確的結晶結構模型的方法。Rietveld分析是使用程序"RIETAN-2000",作為參考的結晶結構使用JCPDS卡53-0636中記載的Sr2Al2Si,。04N,4的結晶結構。才艮據(jù)該Rietveld方法分析結晶結構的結果發(fā)現(xiàn)，在熒光體試料的發(fā)光特性的提高上，該熒光體試料的a軸、b軸、c軸、各晶格的晶格常數(shù)與JCPDS卡中記載的Sr2Al2Siu)04N,4的結晶結構相比越小，或體積越小越好。另一方面，和非專利文獻Z.Anorg.AUg.Chem.,2004,630,1729中報道的SrSi6Ns結晶結構比較時，發(fā)現(xiàn)該熒光體試料的a軸、b軸、c軸、各晶格的晶格常數(shù)比SrSi6N8結晶結構越大，或體積越大越好。該現(xiàn)象的詳細理由還不清楚，但認為是由于熒光體試料中含有的Si原子和Al原子、或氮原子和氧原子被置換，從而晶格和體積發(fā)生變化。此外，由于結晶結構的晶格和體積與結晶結構中包含的Al和氧量相關，本發(fā)明人等想到了該熒光體發(fā)光效率為代表的發(fā)光特性受A1和氧量的影響的觀點。并且，因為該A1和氧量規(guī)定了熒光體晶格的體積，想到了能夠獲得發(fā)光效率好的熒光體的晶格的體積，發(fā)現(xiàn)該晶格的體積為345A3385A3,更優(yōu)選體積為353A3~385A3。此外，因為該A1或氧量也規(guī)定了熒光體的晶格常數(shù)，想到了可以獲得發(fā)光效率好的熒光體的晶格的晶格常數(shù)，發(fā)現(xiàn)該晶格常數(shù)為a是7.85A8.28A，b為9.26A9.58A，c為4.80A4.92A(另外,本發(fā)明中，a軸、b軸、c軸的選取方法參照JCPDS卡中所示。因此，通過原子坐標的選取來更換a軸、b軸、c軸順序也是同義的)。并且，本發(fā)明人想到了熒光體的微晶尺寸對以該熒光體的發(fā)光效率為代表的發(fā)光特性帶來影響的觀點。因此，對于本發(fā)明的熒光體，對由粉末X射線衍射測定獲得的衍射圖案的多個衍射峰計算出半寬度B,使用謝勒式(Sheller，sformula)Dx=0.9X/Bcose(這里，Dx是微晶的大小，人是測定中使用的X射線的波長，B是衍射峰的半寬度，e是衍射峰的布拉格角)，從26為39.7°40.7。、43°~44°、66°66.5°的范圍的3個衍射峰，求得微晶大小(Dx)的平均值。這里，微晶尺寸越大，表示制造的熒光體粒子的結晶性越好，發(fā)現(xiàn)發(fā)光效率的提高。根據(jù)該觀點，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，微晶尺寸為20nm以上、優(yōu)選為50nm以上、更優(yōu)選為80nm時，使用該熒光體作為發(fā)光裝置時能獲得充分的發(fā)光強度。本發(fā)明的熒光體以粉末形式使用時，該熒光體粉末的平均粒徑優(yōu)選為50(im以下。這是因為，由于認為在熒光體粉末中發(fā)光主要在粒子表面產(chǎn)生，因此平均粒徑(另外，本發(fā)明中的平均粒徑是指中值粒徑(D50))如果為50pm以下，則能確保每單位重量粉末的表面積，從而可以避免亮度的降低。此外，該粉末制成糊狀，涂布在發(fā)光體元件等上時也能提高該粉末的密度，從該觀點看，能避免亮度的降低。并且，根據(jù)本發(fā)明人的研究，雖然其原理不清楚，但是從熒光體粉末的發(fā)光效率考慮，可知平均粒徑大于l.Opm是優(yōu)選的。由上，本發(fā)明的熒光體粉末的平均粒徑為1.0[im50[im,更優(yōu)選5.0(im30(im的粒徑。這里所說的平均粒徑(D50),是通過BeckmanCoulter公司制造的LS230(激光衍射散射法)測定的值。并且，根據(jù)上述觀點，本發(fā)明的熒光體粉末的比表面積(BET)值優(yōu)選為0.05m2/g5.00m2/g。本實施方式的熒光體在400nm500nm范圍具有發(fā)光光譜的峰，峰形狀為寬峰，由于發(fā)光強度和亮度優(yōu)異，因此適合作為白色LED照明用熒光體。此外，由于在近紫夕卜/紫外范圍具有良好的激發(fā)帶，因此在例如作為單片型白色LED照明提出的組合了發(fā)出近紫夕卜/紫外光(波長380410nm附近)的LED、和由該LED發(fā)出的近紫夕卜/紫外光激發(fā)的發(fā)紅色(R)光的焚光體、發(fā)綠色(G)光的熒光體、發(fā)藍色(B)光的熒光體，并利用從該R、G、B以及其它熒光體獲得的光混色獲得白色光方式的白色LED照明中使用時，可以在接近最高發(fā)光可以獲得高輸出、演色性好的白色光源和白色LED照明以及使用它們的照明單元。將制成粉末狀的本實施方式的藍色熒光體和公知的綠色熒光體、紅色焚光體組合，制成包含本實施方式的焚光體的焚光體混合物，通過與發(fā)出波長區(qū)域250nm450nm、優(yōu)選發(fā)出波長區(qū)域350nm430nm的任何一種光的發(fā)光部組合，可以制造各種照明裝置或主要是顯示器裝置用的背照燈等。作為組合的綠色熒光體，例如可列舉SrAlSUN7:Ce、Sr2Al2Si1QON14:Ce、SrAl1+xSi4—xOxN7.x:Ce(0^x^l)、(Ba,Sr,Ca)Si202N2:Eu、ZnS:Cu，Al、ZnS:Cu、SrAl204:Eu、BAM:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca,Mg)2Si04:Eu、Sr3Si05:Eu,但是不限于此。另外，作為組合的紅色熒光體，可列舉有Y202S:Eu、La202S:Eu、3.5MgO.0.5MgF2'GeO2:Mn、(La，Mn，Sm)202S'Ga203:Eu、SrS:Eu、CaS:Eu、Sr2Si5N8:Eu、(Ca，Sr)2Si5N8:Eu、(Ba，Sr,Ca)3MgSi208:Eu，Mn、CaAlSiN3:Eu,但是不限于此。作為發(fā)光部，例如可使用在紫外到近紫外的任何范圍內發(fā)光的LED發(fā)光元件、發(fā)出紫外光的放電燈。例如，通過使包含本實施方式的熒光體的熒光體混合物與發(fā)出紫外光的放電燈組合、或者使焚光燈或照明單元、顯示裝置、以及從紫外到近紫外發(fā)光的LED發(fā)光元件組合，可以制造照明單元或顯示裝置。另外，通過將本發(fā)明的焚光體和產(chǎn)生電子射線的裝置組合，也可以制造顯示裝置。將本實施方式的熒光體的混合物和發(fā)光部組合的方法可以用公知的方法來進行，但是在發(fā)光部中使用了LED的發(fā)光裝置的情況下，可以由下述步驟來制造發(fā)光裝置。下面參照附圖，對于在發(fā)光部使用了LED的發(fā)光裝置進行說明。圖15(A)(C)是炮彈型LED發(fā)光裝置的模式剖面圖，圖16(A)(E)是反射型LED發(fā)光裝置的模式剖面圖。另外，在各圖中，相應的部分用同樣的符號表示，有時省略其說明。首先，使用圖15(A),說明在發(fā)光部中使用LED，和上述熒光體混合物組合的發(fā)光裝置的1個例子。在炮彈型LED發(fā)光裝置中，在引線框3的一端設置的杯狀容器5內設置LED發(fā)光裝置2，它們由透光性樹脂4鑄模。該實施方式中，上述焚光體混合物或在硅或環(huán)氧等具有透光性的樹脂中分散了上述熒光體混合物的混合物(下面記為混合物1)全部被埋入杯狀的容器5內。優(yōu)選在樹脂中含有Si02或A1203等光分散材料的結構。接著，使用圖15(B),說明不同發(fā)光裝置的一個例子。該實施方式中，在杯狀容器5上和LED發(fā)光元件2上面涂布了混合物1。接著，使用圖15(C),說明另一個發(fā)光裝置的例子。該實施方式中，在LED發(fā)光元件2的上部設置焚光體混合物1。以上使用圖15(A)(C)說明的炮彈型LED發(fā)光裝置是從LED發(fā)光元件2發(fā)出向上的光，但是向下發(fā)出光的發(fā)光裝置也可以用同樣的方法來制造。例如，在該LED發(fā)光元件2的光的發(fā)出方向上設置反射面、反射板，使從同一發(fā)光元件2發(fā)出的光在反射面上反射，發(fā)射到外部的裝置是反射型LED發(fā)光裝置。因此，使用圖16(A)(E)說明反射型LED發(fā)光裝置和本實施方式的熒光體混合物組合的發(fā)光裝置的例子。首先，使用圖16(A),說明在發(fā)光部中使用反射型LED發(fā)光裝置，并與本實施方式的熒光體混合物組合的發(fā)光裝置的一個例子。反射型LED發(fā)光裝置中，在一個引線框3的前端設置LED發(fā)光元件2，從該LED發(fā)光元件2發(fā)出的光是向下方通過反射面8反射并從上方發(fā)出。該實施方式中，在反射面8上涂布混合物1。并且，為了保護LED發(fā)光元件2，有時在反射面8形成的凹部內填充透明模壓材料9。接著，使用圖16(B)，說明不同的發(fā)光裝置的一個例子。該實施方式中，在LED發(fā)光元件2的下部設置混合物1。接著，使用圖16(C)，說明不同的發(fā)光裝置的一個例子。在該實施方式中，在反射面8形成的凹部內填充混合物1。接著，使用圖16(D),說明不同的發(fā)光裝置的一個例子。在該實施方式中，為了保護LED發(fā)光元件2，在上述透明模壓材料9的上部涂布混合物1。接著，使用圖16(E),說明不同的發(fā)光裝置的一個例子。在該實施方式中，在LED發(fā)光元件2的表面涂布混合物1。炮彈型LED發(fā)光裝置和反射型LED發(fā)光裝置是根據(jù)用途進行分類的，反射型LED發(fā)光裝置有如下優(yōu)點能夠制得較薄、能夠增大光的發(fā)光面積、并能夠提高光的利用效率等。使用以上說明的發(fā)光裝置作為高演色性照明用光源時，由于必須具有演色性優(yōu)異的發(fā)光光譜，因此使用JISZ8726的評價方法，評價加入了包含本發(fā)明的熒光體的熒光體組合物的發(fā)光裝置的演色性。在JISZ8726的評價中，該光源的平均演色評價數(shù)Ra如果為80以上，則可以說是優(yōu)異的發(fā)光裝置。并且，優(yōu)選作為表示日本女性膚色的指標的特殊演色評價數(shù)R15為80以上，如果這樣的話，則可以說是非常優(yōu)異的發(fā)光裝置。但是，根據(jù)不要求演色性的用途或不同目的，不滿足上述指標也可以。因此，從進行波長250nm430nm范圍的任意發(fā)光的發(fā)光部發(fā)出的光照射在包含本實施方式的熒光體的熒光體混合物上，制作該熒光體混合物進行發(fā)光的發(fā)光裝置。另外，作為發(fā)光部，使用進行波長405nm的發(fā)光的紫外LED。其結果，通過混合本發(fā)明的熒光體使該發(fā)光裝置的相關色溫度為IOOOOK到2000K(更優(yōu)選為7000K到2500K)的范圍時，獲得該發(fā)光裝置的平均演色評價數(shù)Ra為80以上，更優(yōu)選具有R15為80以上，R9為60以上的演色性優(yōu)異的發(fā)光裝置。即，判明該發(fā)光裝置是在高亮度下演色性非常優(yōu)異的光源。另一方面，優(yōu)選將本實施方式的熒光體混合物分散在樹脂等中制成熒光體片的結構。作為在制造該熒光體片時使用的介質的材料，考慮有環(huán)氧樹脂、硅樹脂為代表的各種樹脂或玻璃等。作為使用該熒光體片的使用例，可以將該熒光體片和進行適當?shù)陌l(fā)光的光源組合，進行規(guī)定的發(fā)光。另外，激發(fā)該熒光體片的激發(fā)光只要是波長250nm430nm的光即可，以LED等發(fā)光元件為代表，還可以是由Hg放電的紫外線光源、激光光源等。接著，對于本實施方式中的熒光體的制造方法，以制造SrAlxSi6-xO!+xN8-x:Eu(其中，x=0.8,Eu/(Sr+Eu)=0.030)為例進行說明。并且，在熒光體原料的焙燒時因為蒸發(fā)，原料的加入組成和焙燒后的生成的組成不同。特別是在1700。C以上的焙燒和長時間焙燒中，因為Si3N4由于該焙燒而逐漸升華，因此優(yōu)選加入比目標摩爾比更多。但是，由于升華量可以通過焙燒時的條件改變，因此加入量優(yōu)選根據(jù)各焙燒條件調整。在下面的說明中，為方便起見示出了由熒光體原料的混合比例計算的組成式。因而，在本實施方式中，熒光體用原料加入時的組成式標記為SrAlSi6.5OL25N9.50:Eu,對制造方法進行說明。這里，z/(m+z)和Eu/(Sr+Eu)意思相同。并且，因為在加入時活化劑元素的原料中含有的氧量是少量的，可以忽略。一般來說，熒光體大多由固相反應制造，本實施方式的熒光體的制造方法也可以通過固相反應獲得。但是，制造方法不限于此。M元素、A元素、B元素的各原料可以是氮化物、氧化物、碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽等市售的原料，但由于優(yōu)選純度高的，因此優(yōu)選準備2N以上、更優(yōu)選為3N以上的原料。從促進反應的觀點考慮，各原料粒子的粒徑通常優(yōu)選微粒，但是才艮據(jù)原料的粒徑、形狀，獲得的熒光體的粒徑、形狀也會改變。因此，可以根據(jù)最終獲得的焚光體所要求的粒徑或形狀準備具有近似的粒徑的氮化物等原料，優(yōu)選使用50jim以下的粒徑、更優(yōu)選0.1(im10.0i^m粒徑的原料。Z元素的原料優(yōu)選市售的氮化物、氧化物、碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽或單質金屬。當然，各原料的純度優(yōu)選高的，準備2N以上、更優(yōu)選3N以上的原料。特別是使用碳酸鹽作為M元素的原料時，即使不添加作為助熔劑(反應促進劑)的包含本實施方式的熒光體構成元素中不含有的元素的化合物，也可以獲得助熔效果，是優(yōu)選的構成。如果制造組成式SrAlo.8Si5.20i.sN7.2:Eu,則可以調整焙燒時的原料組成的減少量來確定加入組成，使焙燒后各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Eu=0.970:0.8:5.2:1.8:0.030。這里，在制造加入組成式SrAlSi6.5OL25N9.50:Eu(其中,Eu/(Sr+Eu)=0.030)時，作為各元素的原料，例如作為M元素、A元素、B元素的原料，分別準備SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N),作為Z元素，可以準備Eii203(3N)。這些原料分別稱量0.970摩爾SrC03、0.25/3摩爾A1203、(1.0-0.25/3x2)摩爾AlN、6.5/3摩*Si3N4、0.030/2摩*Eu203并進行混合。使用碳酸鹽作為Sr原料是因為，氧化物原料熔點高，不能期待助熔效果，使用碳酸鹽等低熔點原料時，原料本身起助熔作用，促進了反應，提高了發(fā)光特性。另外，在原料中添加微量的C(碳)，焙燒時可以提高還原性，但是，如果在焙燒后的試料中C濃度殘留多的話，則發(fā)光特性降低，因而在焙燒后的試料中含有的C濃度必須調整到0.1重量％以下。并且，使用氧化物作為原料時，為了獲得助熔效果，也可以添加其他物質作為助熔劑，但是此時該助熔劑變成雜質，必須注意有可能使熒光體特性變差。對于該稱量、混合，可以在大氣中進行，但由于各原料元素的氮化物容易受水分影響，可以在充分除去水分的非活性氣體氛圍下的干燥箱內操作。混合方式可以是濕式、干式中任何一種，但如果使用水作為濕式混合的溶劑，則原料分解，因此有必要選擇適當?shù)挠袡C溶劑或液氮。作為裝置，也可以使用球磨或乳缽等通常的裝置。另外，對于該助熔效果，在實施例中說明。混合完的原料加入到坩鍋中，在焙燒爐內邊流通氣氛氣體，邊在1600°C以上、更優(yōu)選在1700。C2000。C保持30分鐘以上，進行焙燒。焙燒溫度如果為1600。C以上，則固相反應良好地進行，可以獲得發(fā)光特性優(yōu)異的熒光體。另外，如果在2000。C以下焙燒，則可以防止過剩的焙燒或產(chǎn)生熔融。并且，焙燒溫度越高，固相反應進行越迅速，因此能縮短保持時間。另一方面，焙燒溫度低時，通過長時間保持該溫度，可以獲得目標的發(fā)光特性。但是，焙燒時間越長，粒子成長的進展會使粒子形狀變大，因此可根據(jù)目標的粒徑設定焙燒時間。作為在焙燒爐內流通的氛圍氣體，不限于氮氣，可以使用稀有氣體等非活性氣體、氨氣、氨氣和氮氣的混合氣體、或氮氣和氫氣的混合氣體中的任何一種。但是，由于如果在該氛圍氣體中含有氧氣則會引起熒光體粒子的氧化反應，因此作為雜質含有的氧氣優(yōu)選盡可能的少，例如為100ppm以下。另外，如果在氛圍氣中含有水分，則與氧氣一樣在焙燒時引起熒光體粒子的氧化反應，因此作為雜質含有的水分優(yōu)選盡可能的少，例如為100ppm以下。其中，使用單一氣體作為氛圍氣體時，優(yōu)選氮氣。也可以采用單獨使用氨氣進行焙燒，但是和氮氣相比，氨氣成本高，并且是腐蝕性氣體，裝置和低溫時的排氣方法需要特別處理，因此使用氨氣時，優(yōu)選以氮氣和氨氣的混合氣體等使氨氣為低濃度來使用。例如，使用氮氣和氨氣的混合氣體時，優(yōu)選氮氣為80%以上，氨氣為20%以下。另外，使用氮氣和其他氣體的混合氣體時，如果氮氣以外的氣體濃度高，由于氛圍氣中氮氣的分壓變低，從促進熒光體的氮化反應的觀點看，可以使用包含80%以上的氮氣的非活性或還原性氣體o另外，優(yōu)選在該焙燒中設置上述氛圍氣體為例如0.1ml/分鐘以上流量的狀態(tài)。這是因為，雖然在熒光體原料的焙燒中由該原料產(chǎn)生氣體，但是通過使包含選自上述氮氣、稀有氣體等非活性氣體、氨氣、氨氣和氮氣的混合氣體、或氮氣和氫氣的混合氣體中的一種以上氣體的氛圍氣體流動，可以防止原料產(chǎn)生的氣體充滿爐內而對反應帶來影響，其結果，可以防止熒光體的發(fā)光特性的降低。特別是，使用碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽等在高溫下分解成氧化物的原料作為熒光體原料時，由于氣體的產(chǎn)生量多，因此優(yōu)選使氣體在焙燒爐內流通，并將產(chǎn)生的氣體排出的結構。另一方面，在熒光體制造中的熒光體原料焙燒階段中，焙燒爐內的壓力優(yōu)選為加壓狀態(tài)，以使大氣中的氧不會混入到爐內。但是，如果該加壓超過l.OMPa(在本發(fā)明中，爐內壓力是指從大氣壓加壓的部分)，則在爐設備的設計上必須有特殊的耐壓設計，因而從生產(chǎn)性考慮，該加壓優(yōu)選為l.OMPa以下。另外，如果該加壓變高，則熒光體粒子間的燒結過度進行，焙燒后的粉碎有時變得困難，因此該焙燒爐內的壓力優(yōu)選為l.OMPa以下，更優(yōu)選為0.001MPa0.1MPa。另外，作為坩鍋，可以使用八1203坩鍋、SisN4坩鍋、A1N蚶鍋、硅鋁氧氮耐熱陶瓷坩鍋、C(碳)坩鍋、BN(氮化硼)坩鍋等可以在上述氣體氛圍氣中使用的坩鍋，其中，優(yōu)選由氮化物制成的坩堝，特別是，如果使用BN坩鍋，則可以避免混入來自于坩鍋的雜質，是優(yōu)選的。作為焙燒后含有的雜質量，如果是B(硼)和/或C在0.1重量％以下，則不會妨礙發(fā)光特性，是優(yōu)選的。焙燒完成后，從坩鍋中取出焙燒物，使用乳缽、球磨等粉碎裝置將其粉碎至規(guī)定的平均粒徑，可以制造組成式Sr2Alo.8Si5.20i.8N7.2:Eu表示的熒光體。得到的熒光體之后根據(jù)需要進行洗滌、分級、表面處理、熱處理。作為洗滌方法，優(yōu)選在使用了氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸等的酸性溶液中的洗滌，這是因為溶解粒子表面上附著的Fe等金屬原子或未反應而殘留的原料粒子。這里，得到的熒光體中含有的Fe、Ni、Co的量優(yōu)選為100ppm以下。使用其他元素作為M元素、A元素、B元素、Z元素時，以及改變作為活化劑的Z元素的活化量時，通過使各原料的混合時的配合量符合規(guī)定的組成比，可以按照與上述同樣的制造方法來制造熒光體。但是，根據(jù)焙燒條件，由于焙燒時引起原料的蒸發(fā)、升華等，因此要考慮原料的加入組成進行原料的混合/焙燒。實施例下面基于實施例來更具體地說明本發(fā)明。(實施例16和比較例1、2)實施例16中，將本發(fā)明中原料的添加組成式SrAlSibONn:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030,n=2/3m+a+4/3b—2/3o,m=l,a=l，o-l)表示的熒光體中的Sr、Al、O的摩爾比分別固定為l、1、1,改變b/m比來制備試料，研究該試料的發(fā)光特性和結構。首先，根據(jù)下面順序制造實施例1的試料。準備SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)，稱量0.970摩爾SrC03、1摩爾A1N、4/3摩爾SbN4、0.030/2摩爾Eu203,在大氣中使用乳缽將各原料混合，使各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Eu=0.970:1:4:0.030。因為SrC03在焙燒時分解為SrO，在計算氧量時以SrO來計算。將混合的原料放到BN坩鍋中，將爐內抽一次真空后，在流動的氮氣氣氛中(流動狀態(tài)，20.0L/分鐘)、爐內壓力為0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800。C,在1800。C下保持/焙燒3小時后，用1小時30分鐘從1800。C冷卻到50°C。然后，在大氣中使用乳缽將焙燒試料粉碎到適當?shù)牧?，獲得b/m-4.0的實施例1熒光體試料。該組成式是根據(jù)使用的原料的混合比例計算的組成。因此，由于焙燒時的Si升華或氧的減少，因此在焙燒后的熒光體生成物中，和原料的混合比例(力口入組成比)相比，-〖人為Si或氧的組成變少。接著，調整各原料的混合比，使該b/m比為b/m=5(實施例2)、b/m=6(實施例3)、b/m=7(實施例4)、b/m=8(實施例5)、b/m=9(實施例6),此外和實施例1一樣，制備實施例26的熒光體試料。另夕卜，調整混合比，使該b/m比為b/m-2(比較例1)、b/m-3(比較例2),此外和實施例1一樣，制備比較例1、2的熒光體試料。測定制造的實施例16、比較例l、2的試料的發(fā)光峰波長和發(fā)光強度。該測定結果示于表1、圖1中。這里，實施例16、比較例1、2中，發(fā)光峰波長是指在熒光體上照射某波長的光或能量時，從該熒光體發(fā)出的光的i普圖中顯示最大峰的波長，發(fā)光強度是指該發(fā)光的峰波長下的強度。另外，發(fā)光光譜和后面所示的激發(fā)光譜的測定使用日本分光(林)公司制造的分光熒光光度計FP-6500來測定。實施例16、比較例1、2中，對熒光體照射波長405nm的光作為激發(fā)光。接著，將b/n^7(實施例4)的峰波長下的發(fā)光強度值標準化為100%,示出各實施例的發(fā)光強度。圖1是縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度，橫軸表示b/m比值的圖。接著，對實施例2、4、6和比較例2的試料測定釆用粉末法進行的X射線衍射圖案。進而，對實施例4的試料進行Rietveld分析。該結果示于圖2。在圖2中，從上面起以比較例2、實施例2、4、6、實施例4的Rietveld分析結果、JCPDS卡(53-0636)的衍射圖案的順序示出了X射線衍射圖案。從表1、圖1的結果可以看出，實施例16的熒光體的發(fā)光強度隨著b/m的比值變大而變強，在b/m=6到b/m=7附近顯示最強的發(fā)光強度。另外，比較例1、2中b/m的比值為3以下的試料，在波長400500nm范圍未發(fā)現(xiàn)發(fā)光光譜的峰,是在波長630nm附近具有發(fā)光光譜的峰的橙色熒光體。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>這里，對圖2的采用粉末法進行的X射線衍射圖案的測定方法進行說明。測定的熒光體在焙燒后使用乳缽、球磨等粉碎裝置粉碎至規(guī)定(優(yōu)選為1.0^im50.0nm)的平均粒徑，在材質是鈦制的貯罐中平平裝入，用XRD裝置、理學電氣抹式會社制造的"RINT2000"進行測定。測定條件表示如下。使用的測定機理學電氣抹式會社制造的"RINT2000"X射線管球CoKa管電壓40kV管電流30mA掃描方法2睛掃描速度0.37分鐘取樣間隔0.01°開始角度(26):10。停止角度(26):90°另外，對于布拉格角(2e)的偏移，認為是因為x射線照射的試料面不平，x射線的測定條件特別是掃描速度的不同等產(chǎn)生的。因此，認為在發(fā)現(xiàn)特征衍射峰的范圍允許引起若干的偏移。為了盡可能地抑制該偏移，在掃描速度為0.37分鐘時，在焚光體試料中不混合Si，通過在X射線的測定后校正Si峰的偏移，求出布拉格角(20)和晶面距離(A)。下面，對于后述的圖8所示的實施例13、20、45、49、52的試料和圖13所示的實施例45、比較例3的試料也同樣進行測定。由圖2的采用粉末法測定的X射線衍射圖案的結果可以看出，顯示強的發(fā)光強度的實施例4和在波長400nm500nm范圍中不具有發(fā)光峰的比較例2、比實施例4的發(fā)光峰小的實施例2、6的衍射圖案進行比較。比較的結果是，在比較例2和實施例2、6中，在實施例4中未發(fā)現(xiàn)衍射峰的布拉格角(2e)上能確認較多的衍射峰，特別是在布拉格角(26)為26°33°、38.7°42.8°的范圍能夠確認衍射峰。另外，在比較例2的衍射圖案中，也看到和實施例4同樣的衍射圖案，但是其產(chǎn)生的比例為全部熒光體生成相的40%左右，判斷含有大量被認為是黃色熒光體的其他生成相。即，在布4立格角(20)為26°33°、38.7°~42.8°范圍的書f射峰被認為是來自與在波長400nm500nm范圍顯示發(fā)光光譜的峰的相不同的相(雜質相)。因而，為了在波長400nm500nm的范圍中具有發(fā)光光譜的峰，以獲得發(fā)光強度強的熒光體，優(yōu)選含有50%以上的上述生成相(和SrAlxSi6_x01+xN8.x同樣的相)，且沒有這些雜質相顯示的衍射峰的熒光體。另夕卜，在圖2中，示出了基于JCPDS卡(53-0636)中報道的Sr2Al2Si10O4N14的結晶結構進行模擬的衍射圖案、和基于Sr2Al2Si,。04N,4的結晶結構對實施例4的X射線衍射圖案進行Rietveld分析而求得的模擬結果。Rietveld法是將實際測定而得到的實測衍射強度和由預測其結晶結構而建立的結晶結構模型并根據(jù)理論計算獲得的衍射強度進行比較，通過最小二乘法使后者模型中各種結構參數(shù)更精密，從而減小兩者之差，由此來導出更正確的結晶結構模型的方法。JCPDS卡(53-0636)中報道的Sr2Al2Si1()04N14的結晶結構是用空間群Imm2表示的斜方晶系,晶格常數(shù)為a=8.279A，b=9.576A,c=4.916A。這里，根據(jù)實施例4的分析結果，結晶結構雖然同樣地為斜方晶系，但是晶格常數(shù)變成a二7.902A,b=9.278A,c=4.838A,結晶單位晶格與JCPDS卡現(xiàn)有報道的結晶單位晶格相比，是非常小的結果。實施例3、5、6也均為同樣的結果。實施例46中，認為晶格常數(shù)比JCPDS卡的值小的理由是，SrAlxSi6-xOpxN8-x的組成式所示的該熒光體生成相中，采取x的值為1以下的組成或者即使x-1但采取氧原子缺失的組成，因而晶格縮小。另一方面，非專利文獻Z.Anorg.AUg.Chem.,2004,630,1729中才艮道的某SrSi6N8結晶結構雖然是具有上述JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si1()04N14結晶一樣的斜方晶系的結晶，但是由于Al原子和氧原子少，晶格常數(shù)為a=7.855A，b=9.260A，c=4.801A,具有比本實施例中獲得的熒光體更小的晶格常數(shù)。如上所述，本發(fā)明人想到了本發(fā)明的熒光體是和JCPDS卡中記載的Sr2Al2Si10O4N14和Z.Anorg.Allg.Chem.，2004,630,1729中記載的SrSieN8結晶結構同樣的結構，但是由于改變了Al或氧原子的存在量，因此具有結晶晶面距離不同的新的結晶結構，是具有SrAl^i6-"nN8-x所示的組成式的新型熒光體。因而，為了獲得發(fā)光效率良好的熒光體，晶格體積在Sr2Al2Si1Q04N14的結晶結構和SrSi6N8的結晶結構之間。即，結晶體積為345A3385A3。更優(yōu)選各結晶的晶格常數(shù)為a是7.85A8.28A，b是9.26A9.58A，c是4.80A4.92A。并且，x的范圍為0^x^2,更優(yōu)選使晶格常數(shù)和單位晶格小的0^x^1.0。另外，由實施例4的分析結果可知，要獲得發(fā)光強度強的熒光體，與從分析結果獲得的衍射圖案接近，在26°33°、38.7°39.7°、42.0°42.8°中沒有雜質相的衍射峰是好的。認為這是因為在原料的混合階段或焙燒條件中，與目標組成相比，當SisN4或A1N原料過量存在時，雖然少，但這些原料會成為雜質相，從而作為衍射峰表現(xiàn)出來。因而，通過調整各焙燒條件的原料混合比等，可以減少這些雜質相。在35。37。的范圍出現(xiàn)的強度最強的衍射峰相對強度作為100%時，上述雜質峰優(yōu)選為10.0%以下。即，在本發(fā)明的試料中，在b/n^6到b/n^7附近顯示最強發(fā)光強度被認為是因為，如果是b/m=6、b/m=7附近的b/m比，則在波長400nm500nm范圍顯示發(fā)光光譜的峰的組成式SrAlxSi^O!+XN8-X所示的相的比例能以50%以上的形態(tài)生成，該b/m比大大偏離b/m=6、b/m=7,A^而能避免產(chǎn)生雜質相。實際上，如果觀察焙燒后的試料，b/m=6、b/m-7的試料雖然整體上接近白色，但是其他的試料能確認黃色或橙色的雜質相。(照射405nm的光作為激發(fā)光時，白色部分發(fā)藍光，黃色、橙色部分分別發(fā)黃色、橙色的光。)但是，必須注意的是，由組成式以SrAlxSi6.xO!+xNs《表示可以理解，b/m比的值總在1)/111=6到b/m-7的范圍并不合適，如果a/m比變化，則認為b/m比的合適值也發(fā)生若干變化。這是因為，該熒光體[SiN4]基本上是組成網(wǎng)絡結構，Al置換其Si的部分位點。因此，優(yōu)選A1的置換量發(fā)生變化時，Si量也發(fā)生若干變化的適合發(fā)光的結構。具體地，優(yōu)選采取上述結構式，即，使Si的量對應于變化的Al置換量而變化，從而適合發(fā)光的結構。另夕卜，從分析結果推定的熒光體生成相的組成和原料加入組成的Si比例不同。這認為是由于作為上述原料的SisN4從1700。C附近開始蒸發(fā)或分解，焙燒時Si減少，組成比產(chǎn)生偏移。這里，根據(jù)焙燒時的焙燒溫度、焙燒時間、焙燒壓力等條件，Si或其他元素的減少量不同，因此要獲得目標生成物，可以預先調整適合各焙燒條件的原料加入量。(實施例715和實施例1624)實施例724中，改變原料稱量/混合時的Si加入組成和氧量，并研究了用于獲得具有強發(fā)光強度的熒光體的加入組成和目標組成。首先，實施例715是針對于實施例16中顯示最優(yōu)異的發(fā)光強度的b/m=7(實施例4)的試料，此次研究改變o/m比時的發(fā)光強度。實施例715根據(jù)下面順序來制造。準備市售的Si3N2(2N)、SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eii203(3N)作為原料，在原料加入的組成SrAlSi7.。0。Nn:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,m=l,a=1,b=7)所示的熒光體中將Sr、Al、Si的摩爾比分別固定為1、1、7,并使o/m比為0/m:0(實施例7),除此之外，與實施例1同樣地制造熒光體試料。同樣地，制造o/m-0.50(實施例8)、o/m=0.75(實施例9)、o/m=1.00(實施例10)、o/m=1.25(實施例11)、o/m=1.50(實施例12)、o/m=1,75(實施例13)、o/m=2.00(實施例14)、o/m=2.50(實施例15)的各試料。測定制造的實施例715的試料的峰波長、發(fā)光強度。該測定結果示于表2、圖3中。這里，圖3是縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度，橫軸表示o/m比值的圖。另外，發(fā)光強度是將oAn-1.75(實施例13)的峰波長下的發(fā)光強度值標準化為100%。并且，使用波長405nm的光作為激發(fā)光。從表2、圖3的結果可以看出，該各熒光體的發(fā)光強度隨著o/m的比值變大而變強，在o/m=1.75附近顯示最強的發(fā)光強度。如上所述，實施例7~15是針對實施例1~6中顯示最優(yōu)異發(fā)光強度的b/m=7(實施例4)的試料，研究改變o/m比時的發(fā)光強度的結果?？芍ㄟ^使b/m比以及o/m比最佳化，能獲得顯示優(yōu)異發(fā)光強度的熒光體。實施例16中，b/m=7、o/m=1的試料顯示最優(yōu)異的發(fā)光強度，但在該實施例715中，通過使b/m-7、o/m=1.75,可以改善約20%的發(fā)光強度。作為其理由，從SrAlxSi6-xOhN^所示組成式可知，Si的位點的一部分用比十IV價的Si離子半徑大的+III價的Al置換，電荷的平衡被破壞，同時結晶結構傾斜，但是為了緩和該傾斜，用比N離子半徑小的-II價的O置換-III價的N位點的一部分，由此來保持電荷的平衡，從而獲得適合發(fā)光的結晶結構。因而可認為，通過Al或Si的比例來改變O的適合量。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>接著，實施例16~24是將上述實施例7~15中設定的b/m=7變更為b/m=6.5來進行研究。首先，根據(jù)下面順序來制造實施例1624。在原料添加組成式SrAlSi6.50。Nn:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,m=l，a=l,b=6.5)所示的熒光體中，將Sr、Al、Si的摩爾比分別固定為l、1、6.5,使o/m比為0/111=0(實施例16)，除此之外，與實施例1同樣制造熒光體試料。同樣地，制造o/m=0.50(實施例17)、o/m=0.75(實施例18)、o/m=1.00(實施例19)、o/m=1.25(實施例20)、0/m-1.50(實施例21)、o/m=1.75(實施例22)、o/m=2.00(實施例23)、o/m=2.50(實施例24)的各試料。測定制造的實施例1624的試料的峰波長、發(fā)光強度。該測定結果示于表3、圖4中。這里，圖4是縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度，橫軸表示o/m比值的圖。并且，發(fā)光強度是將o/m-1.25(實施例20)的峰波長中的發(fā)光強度值標準化為100%。并且，使用波長405nm的光作為激發(fā)光。從表3、圖4的結果可以看出，該各熒光體的發(fā)光強度隨著o/m的比值變大而變強，在0/111=1.00到o/m=1.75附近顯示最強的發(fā)光強度。實施例1624是將實施例715的組成式中的b/m比變更為b/m=7到b/m=6.5,從表3、圖4的結果可知，和實施例1624的結果一樣，如果使b/m比改變，最合適的o/m比也發(fā)生變化。即，如實施例715中所記載，基于SrAlxSi6.xO!+xN8.x的結構式的Al、Si、O、N的平衡是重要的。并且，考慮通過增加加入組成時的氧濃度使試料的熔點降低，這能促進試料的固相反應和提高結晶性，也能用來降低焙燒時的焙燒溫度或縮短焙燒時間。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>(實施例2530)在實施例25~30中，研究了改變a/m比值以獲得具有強發(fā)光強度的熒光體的加入組成和目標組成。即，在原料添加的組成SrAlaSi6.5ONn:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030，n=2/3m+a+4/3b-2/3o,m=l,o=l,b=6.5)所示的熒光體中，將Sr、Si、O的摩爾比分別固定為l、6.5、1,a/m比設定在0.52.0的范圍，混合、焙燒這樣的試料，測定發(fā)光強度。(b/m=6.5,o/m=1.0)首先，根據(jù)下面的順序來制造實施例2530。在各試料的制造中，準備市售的SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eii203(3N)作為原料，對各原料調整各原料的混合比使其為規(guī)定的a/m比，除此之外，和實施例1同樣制造熒光體試料。其中，a/m比值為a/m=0.50(實施例25)、a/m=0.75(實施例26)、a/m=l.OO(實施例27)、a/m=1.50(實施例28)、a/m=1.75(實施例29)、a/m-2.00(實施例30)。對于制造的實施例2530的熒光體試料，照射波長405nm的光作為激發(fā)光，測定峰波長、發(fā)光強度。并且，在發(fā)光強度的測定中，將a/m-1.00(實施例27)的峰波長中發(fā)光強度值標準化為100%進行測定。該實施例2530的熒光體試料的原料加入量和測定結果示于表4、圖5中。圖5中縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度,橫軸表示a/m比值，繪制實施例25~30的熒光體試料的發(fā)光強度而得到的圖。從表4、圖5的結果可以看出，該各熒光體的發(fā)光強度在3/111=1.00附近顯示最強的發(fā)光強度。由此可以認為，b/m=6.5下的Al比例在a/m=1.00附近是優(yōu)選的。另一方面，如果a/m的值超過1.25，則作為發(fā)光特性也發(fā)藍光，但在波長600nm附近具有發(fā)光峰的黃色發(fā)光也變強。作為其原因，認為是和實施例715的說明一樣，如果a/m的值超過1.25,則Al、Si、O、N的平衡被破壞，目標生成相是指生成發(fā)出不同的黃色或橙色的光的雜質相，使本來的藍色發(fā)光特性降低。特別的，在該波長600nm附近具有發(fā)光^奪的雜質相被認為相當于本發(fā)明人在特愿2005-61627中示出的Sr-Al-Si-O-N:Eu系的熒光體。并且，在a/m值超過1.25的焚光體中，考慮本發(fā)明的藍色熒光體和作為該雜質相生成的黃色或^f登色熒光體同時生成混合，因而照射波長250nm430nm的激發(fā)光，藍色光和黃色光混色，從而獲得白色的發(fā)光色，因此可以單獨作為顯示白色發(fā)光的發(fā)光裝置用熒光體使用。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>(實施例3135)實施例3135研究了實施例20制造的焚光體中的活化劑Z元素(Eu)的濃度和發(fā)光強度的關系。這里，實施例20制造的熒光體的組成式中，調整Sr和Eu的原料加入比使活化劑Eu和Sr的關系為m+z=1,制造測定試料。首先，根據(jù)下面的順序來制造實施例31~35。與實施例20同樣地制造試料，調整作為原料的市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)的各原料的混合比，Eu活化濃度為Eu/(Sr+Eu)=O.OOl(實施例31)、Eu/(Sr+Eu)=0.005(實施例32)、Eu/(Sr+Eu)=0.020(實施例33)、Eu/(Sr+Eu)=0.050(實施例34)、Eu/(Sr+Eu)=O.IOO(實施例35),與實施例20同樣地，制造實施例31~35的試料。對于制造的實施例31~35的熒光體試料，照射波長405nm的光作為激發(fā)光，測定峰波長、發(fā)光強度。并且，在發(fā)光強度的測定中，將Eu/(Sr+Eu)-0.050(實施例34)的峰波長的發(fā)光強度值標準化為100%進行測定。該實施例3135的熒光體試料的原料加入量和測定結果示于表5、圖6中。圖6是縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度，橫軸表示Eu/(Sr+Eu)的值，繪制實施例3135的熒光體試料的發(fā)光強度而得到的圖。從表5和圖6的結果可以看出，在Eu/(Sr+Eu)的值小的區(qū)域中，隨著Eu/(Sr+Eu)值的增力o，發(fā)光強度上升，在￡11/(8『+511)=0.050附近達到峰值。認為這是因為Eu/(Sr+Eu)=0.050附近為最合適的活化劑濃度，如果活化劑濃度不到0.05,則可以避免由過量的Eu引起的濃度消光。另一方面，從表5的結果可以看出，隨著Eu/(Sr+Eu)值的增加，發(fā)光光謙的峰波長值確認向長波長側轉移。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>(實施例3644)實施例3744是向具有實施例20的組成的熒光體試料中添加Mn02、SrF2、BaCl2、A1F3、BaO、SrCl2、GaN、LiC03,制造試料，測定得到的熒光體粉末的平均粒徑(D50)、比表面積(BET)和發(fā)光特性(發(fā)光強度、峰波長)。首先，根據(jù)下面順序來制造實施例36~44。準備作為原料的市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、A1203(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(4N)，并準備作為添加劑的市售的SrF2、BaCl2、A1F3、Mn02、BaO、SrCl2、GaN、LiC03。和實施例20同樣地稱量各原料，制成混合原料。在該焙燒前向混合原料中添加1.0重量％的各添加劑，在大氣中使用乳缽進行混合。其中，在實施例37中添加Mn02，在實施例38中添加SrF2，在實施例39中添加BaCl2,在實施例40中添加A1F3，在實施例41中添加BaO,在實施例42中添加SrCl2，在實施例43中添加GaN,在實施例44中添加LiC03。不向實施例36中添加添加劑，制成與實施例20同樣的組成。在BN坩鍋中加入混合原料，在爐內一次抽真空后，在20.0L/分鐘的流通狀態(tài)的氮氣氣氛中，在爐內壓0.05MPa下以15。C/分鐘速度升溫到1800°C,在1800。C下保持/焙燒3小時后，用1小時30分鐘從1800。C冷卻到50°C,制成焙燒試料。然熒光體試料。對制造的實施例3644的熒光體試料測定其平均粒徑(D50)、比表面積(BET),照射波長405nm的光作為激發(fā)光，測定峰波長、發(fā)光強度。并且，在發(fā)光強度的測定中，將(實施例36)的峰波長中的發(fā)光強度值標準化為100%進行測定。該測定結果示于表6。根據(jù)表6的結果，添加本發(fā)明熒光體的構成元素的鹽SrF2的實施例38和添加A1F3的實施例40與無添加的實施例36相比時，得到保持了高發(fā)光特性且BET低(或平均粒徑D50大)的熒光體粉末。并且，對各試料進行SEM觀察的結果，明確了任何試料的粒子表面都是平滑的。如果粒子表面平滑，則使用該粒子制造熒光體膜時，能制造致密的膜，例如使用該熒光體膜作為顯示器用等涂布型的熒光體膜時，能獲得亮度高的膜。即，明確了在本發(fā)明的熒光體中，通過含有氟，可獲得亮度高的熒光體或熒光體膜的效果。另一方面，添加BaCl2的實施例39和添加Mn02的實施例37和無添力口的實施例36進行比較時，明確了通過添加該添加劑，發(fā)光光譜的峰波長約向長波長側移動5.0nm左右。這里，根據(jù)組成分析的結果，得到實施例39中含有2.0wt。/。的Ba，實施例37中含有1.2wt。/。的Mn的結果，因而可知，通過在熒光體母體中使Ba、Mn固溶，發(fā)光光譜的峰波長可以向長波長側轉移。根據(jù)該轉移，發(fā)光光譜向視覺感應度高的長波長側轉移，因此，例如可以提高裝入該熒光體的白色LED的亮度，或者還可以制造各種顏色的白色LED。此外，在添加了BaO的實施例41、添加了SrCl2的實施例42、添加了GaN的實施例43和添加了LiC03的實施例44中，與無添加的實施例36相比，發(fā)光強度幾乎不發(fā)生變化，成為粒徑小的熒光體粉末。即，使用氯化物、氧化物、氮化物作為添加劑時，可知有時會由于峰轉移而得到亮度高的熒光體、或者由于粒徑的降低而獲得致密的熒光體膜。[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>(實施例45~實施例50)在實施例45~50中，研究了在a/m=0下使o/m的比值變化來獲得具有強發(fā)光強度的熒光體的加入組成和目標組成。即，在不含Al的原料加入組成SrSibO。Nn:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,a/m=O)所示的焚光體中，將Sr、Si的摩爾比分別固定為1、7,并將o/m比值設定在0.01.5范圍，制造試料，測定發(fā)光強度。首先，根據(jù)下面的順序制造實施例4550。準備作為原料的市售的Si3N2(2N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N),稱量0.970/3摩爾的Sr3N2、7/3摩爾的Si3N4、0.030/2摩爾的Eu203,在干燥箱中使用乳缽進行混合，使各元素的摩爾比為Sr:Si:Eu=0.970:7:0.030。將混合的原料加入到BN坩鍋中，將爐內一次抽真空后，在氮氣氣氛中(流動狀態(tài)，20.0L/分鐘)、爐內壓為0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800°C,在1800。C下保持/焙燒3小時后，用1小時30分鐘從1800。C冷卻到50°C。然后，在大氣中使用乳缽將焙燒試料粉碎到適當?shù)牧?，得到用加入組成式SrSi7N1():Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030)表示的實施例45的焚光體。實施例46實施例50中，調查了實施例45的試料的o/m比(氧濃度)設定在0.5~1.5范圍內時的特性變化。在各試料的制造中，準備作為原料市售的Sr3N2(2N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N),此外還準備作為供給氧的原料的SrC03(3N)、Si02(3N)，通過以規(guī)定的摩爾比加入各原料，將實施例45的試料的部分N(氮)置換成O(氧)，除此之外，與實施例45同樣地進行制造。對于設定的o/m比為o/m=0.50(實施例46)、o/m=0.75(實施例47)，使用Sr3N2、SrC03、Si3N4、￡11203作為原料，對于o/m=l.OO(實施例48),使用SrC03、Si3N4、Eu203，對于o/m=1.25(實施例49)、o/m=1.50(實施例50)，使用SrC03、Si02、Si3N4、Eu203。例如，在實施例46中，可以稱量0.50摩爾的SrC03、(0.970-0.50)/3摩爾的S。N2、7/3摩爾的SisN4、0.030/2摩爾的Eu203,在實施例49中，可以稱量0.970摩爾的SrC03、(1.25-1.00)/2摩爾的Si02、(7-(1.25-1.00)/2)/3摩爾的Sr3N4、0.030/2摩爾的Eu203。對制造的實施例45-50的熒光體試料照射波長為405nm的光作為激發(fā)光，測定峰波長、發(fā)光強度。該測定結果示于表7、圖7中。這里，圖7的縱軸表示該熒光體試料的發(fā)光強度的相對強度，橫軸表示o/m比值。另外，在發(fā)光強度中，以o/m=1.25(實施例49)的峰波長中的發(fā)光強度值作為100%。從表7、圖7可以看出，該各熒光體的發(fā)光強度隨著o/m比值的增大而變強，在o/m=1.25時顯示最強的發(fā)光強度。此外，如果o/m比值為1.50以上，則發(fā)光強度顯著降低。認為這是因為通過用O(氧)置換部分N(氮)，成為可以將從母體吸收的激發(fā)光的能量有效地傳達到發(fā)光中心的結構，并且作為Sr原料使用的SrC03作為助熔劑起作用，促進了固相反應。但是，0/m比大于1.25時，因為試料玻璃化，發(fā)光中心Eu離子周圍的結構變得不規(guī)則，因此在發(fā)光中心相互之間的間隔產(chǎn)生偏差，發(fā)光強度降低。即，與不含氧的實施例45相比，含若干氧的實施例46~50的組成的結晶結構被最佳化，可以得到優(yōu)異發(fā)光特性的熒光體。另外，根據(jù)表7所示的焙燒后的熒光體的組成分析結果，發(fā)現(xiàn)Si和O與加入組成式相比，有減少的傾向。因此，在實施例4550中，i人為生成了以Si少的SrSi6Ns為母體的SrSi6N8:Eu或SrAlxSi6-x01+xN8-J"S中x=0的組成即SrSi6N80:Eu這樣的以往沒有報道的具有新型結構的熒光體。[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>(實施例51、52)在實施例51、52中，為了實現(xiàn)在熒光體試料中氧濃度的均勻化或Eu元素的均勻分散，在焙燒步驟中，分幾次進行焙燒。首先，在實施例51中，準備作為原料的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)，稱量0.950摩爾的SrC03、0.83摩爾的A1N、0.08摩爾的A1203、6/3摩爾SisN4、0.050/2摩爾Eu203,使熒光體試料中各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Eu=0.950:1:6.0:0.050。在大氣中使用乳缽混合該稱量的各原料。接著，在BN蚶鍋中加入混合的原料，設置在焙燒爐內，將爐內一次抽真空后，在流通的氮氣氣氛中(氮氣流量為20.0L/分鐘)、爐內壓力為0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1600°C,在1600。C下保持3小時，進行第一次焙燒后，用1小時30分鐘從1600。C冷卻到50°C。然后，從爐內取出焙燒試料，在大氣中使用乳缽粉碎到適當?shù)牧?，再次加入到蚶鍋中，設置在焙燒爐內。并且，將爐內一次抽真空后，在流通的氮氣氣氛中(氮氣流量為20.0L/分鐘)、爐內壓力為0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800。C,在1800。C下保持3小時，進行第二次焙燒后，用l小時30分鐘從1800。C冷卻到50°C,從爐內取出焙燒試料。得到的試料在大氣中用乳缽粉碎至適當?shù)牧剑玫綄嵤├?1的熒光體。接著，在實施例52中，和實施例51為同樣的焙燒條件，但是在第2次焙燒時，不流通氮氣，密閉在焙燒爐內進行焙燒，制造試料。對制造的實施例51、52的試料測定作為發(fā)光特性的發(fā)光峰波長、發(fā)光強度。該測定結果示于表8。另外，在發(fā)光強度的測定中，將上述實施例20的峰波長下的發(fā)光強度值標準化為100%進行測定。另外，使用波長405nm的單色光作為激發(fā)光。從表8的結果可以看出，在焙燒步驟中通過分多次進行焙燒，制造的熒光體試料的發(fā)光強度提高了10%以上。這被認為是由于混合/攪拌第l次焙燒后的熒光體試料以及對于該混合/攪拌的熒光體試料進行第2次以后的焙燒，使得熒光體試料中組成發(fā)生進一步的均勻化，從而提高了發(fā)光特性。此外，比較實施例51、52的試料時，發(fā)現(xiàn)實施例52比實施例51的發(fā)光特性更為提高。認為這是因為，在熒光體試料的焙燒時，由于高溫，氧氣急速減少，但是第2次以后的焙燒時，不流通氮氣氣氛，密閉在焙燒爐內進行焙燒，因此有效地發(fā)揮了抑制熒光體試料中過剩的氧氣放出、且超過了維持適當熒光體組成必須的氧氣量而使氧氣減少的現(xiàn)象。因此，為了密閉在焙燒爐內進行焙燒，在密閉前的焙燒階段中，要調整熒光體試料中的氧濃度到維持適當?shù)臒晒怏w組成所必要的氧氣量。具體地，制備該熒光體試料中氧濃度決定用的試料，求出邊改變條件邊進行第一次焙燒的最合適的氧濃度。作為焙燒爐的密閉方法，蓋住裝填了熒光體試料的坩鍋的方法等是筒便的，故優(yōu)選，但由于通過停止氛圍氣體的流通也能獲得密閉的效果，因而停止一定時間氛圍氣體的流通的方法也能同樣地獲得密閉的效果。[表8]<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(實施例53、54、55、56、57)實施例5357是制造和實施例20的熒光體試料一樣，但是將該熒光體試料的Sr元素替換成Ca元素、Ba元素的熒光體試料。首先，在實施例5357的熒光體試料的制造中，通過以規(guī)定的摩爾比混合加入作為熒光體原料的SrC03(3N)、CaC03(3N)、BaC03(3N),改變熒光體試料組成式中M元素的組成。這里，混合使用1種以上的元素作為M元素時，將含有這些多種元素的M元素的總摩爾數(shù)調整到一定來進行混合。具體地，在實施例20的試料的M元素中將調整的M元素的混合比作為Srl.O時，實施例53的試料為Sr0.75:Ba0.25、實施例54的試料為Sr0.5:Ba0.5、實施例55的試料為Sr0.25:Ba0.75、實施例56的試料為Bal.O、實施例57的試料為Ca0.25:Sr0.75。并且，熒光體試料的制造方法是與實施例20同樣地進行，測定制造的實施例53~57的熒光體試料的發(fā)光強度和亮度。參照表9對該測定結果進行說明。另外，在發(fā)光強度和亮度的測定中，將實施例20的萸光體試料的發(fā)光峰波長中的發(fā)光強度和亮度的值標準化為100%。另外，使用波長405nm的光作為激發(fā)光。根據(jù)表9的結果，M元素通過由Sr替換為Ca、Ba,發(fā)光波長在460nm附近，與實施例20相比，發(fā)現(xiàn)有向長波長側移動的傾向。另一方面，發(fā)光強度和亮度也發(fā)現(xiàn)比實施例20稍稍降低的傾向。但是，M元素中Sr元素的Ba元素置換率如果為50%以下，則明確了熒光體試料的發(fā)光強度不會那種程度地降低，可使發(fā)光波長向長波長側轉移。因此，可知M元素中Sr元素的Ba元素置換率是用于獲得長波長的發(fā)光色的有用的方法。[表9]<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(根據(jù)XRD的測定結果研究熒光體中的雜質)通過比較圖8所示的實施例13、20、45、49、52的各熒光體的采用粉末法進行的X射線衍射圖案和圖2所示的實施例2、4、6的各熒光體的采用粉末法進行的X射線衍射圖案，進行根據(jù)XRD的測定結果的熒光體中的雜質研究。從圖8的衍射圖案可以看出，實施例13、20、45、49、52的各熒光體在采用使用了CoKa線的粉末法進行的X射線衍射圖案中，在布拉格角(26)為35。37。的范圍顯示強度最強的衍射峰。另外，根據(jù)該粉末法進行的X射線衍射圖案的布拉格角(20)在23.6°25.6°、33°~35°、39.7°40.7°、43°44°的范圍分別發(fā)現(xiàn)2個、2個、1個、1個特征衍射峰，將在布拉格角(20)為35。~37°范圍發(fā)現(xiàn)的強度最強的衍射峰的相對強度作為100%時，這些衍射峰的相對強度顯示2.0%~40%的衍射峰。另外，在圖8所示的對實施例13、20、45、49、52的各熒光體進if的采用粉末法測定的X射線衍射圖案中，與圖2所示的實施例2、4、6—樣，在布拉格角(20)為26°~33。、38.7。~39.7°、42.0。~42.8°的范圍內的衍射峰強度越小越優(yōu)選。具體地，將布拉格角(26)為35。37。的范圍發(fā)現(xiàn)的強度最強的衍射峰的相對強度作為100%時，優(yōu)選相對強度為10%以下。從結晶相的分析結果也可認為，在上述范圍中發(fā)現(xiàn)的顯示衍射峰的相是與在波長400nm500nm范圍內顯示發(fā)光光i普的峰的相不同的雜質相。另外，圖2、8所示的采用使用了CoKa線的粉末法測定的X射線衍射圖案中，在布拉格角(26)為35°~37°范圍有明顯的強度最強的衍射峰時，實施例45、49所示的未混入A1的衍射圖案是一個衍射峰，而實施例2、4、6、13、20、52的各熒光體由于在構成元素中含有Al,峰變成2個。實施例2、4、6、13、20、52的各熒光體與實施例45、49相比，發(fā)光特性優(yōu)良，由該結果判斷，可知該含Al的峰變成2個的試料有發(fā)光特性優(yōu)異的傾向。(熒光體的組成分析、粒徑、真密度的研究)下面進行實施例13、實施例20、實施例49、實施例52中制造的試料的組成分析結果、粒徑、真密度的研究。對于各熒光體，組成分析、平均粒徑、比表面積的結果示于表IO中，實施例20的試料的SEM照相示于圖9中。這里，圖9中(A)是250倍的照片，(B)是IOOO倍的照片。首先，觀察表IO所示的組成分析的結果，雖然從構成元素的構成比求得的理論值和組成式SrAlxSi6《OhN8.x之間有偏差，但是在實施例13、20、52中x=0.80.9，與實施例49中x=0時的值為相等的值。作為該偏差的主要原因，認為是因為測定誤差或在熒光體制作中混入的雜質引起的，但由于在試料中作為雜質存在的Si3N4,在外觀上出現(xiàn)Sr或Al的比例降低。此外，實施例13、20、52的氧量比理論組成低數(shù)個％,因而生成的試料與理論組成相比，可能成為氧欠缺的結構，或者成為少氧的結構。因而，如果可以通過控制制造條件將熒光體試料中的氧量調整為合適，則認為可使結晶結構更加合適化，從而得到效率更高的熒光體。另外，實施例13、20、42、52的任何一種試料的分析結果，F(xiàn)e、Ni、Co元素的濃度都在100ppm以下，對于C、B的濃度，也為200ppm以下，使發(fā)光特性降低的元素濃度非常少。另外，對于實施例13、20、49、52的試料，由激光衍射散射法測定平均粒徑(D50)時，任何一種試料都為1.0pm50.0^im,在制成糊劑涂布時可以才是高涂布密度，從而可以獲得發(fā)光強度和亮度高的涂布膜。另外，從圖9的SEM照片可以看出，得到的焚光體粉末包括粒徑為50.0jim以下的1次粒子和該1次粒子凝聚而成的凝聚體。另外，隨著一次粒子的成長，形成板狀的粒子，從提高結晶性和提高發(fā)光特性這點看，優(yōu)選在一次粒子中含有板狀粒子。此外，對實施例13、20、49、52的試料進行真密度測定時，可知各熒光體顯示3.42g/cc附近的數(shù)值。另夕卜，真密度的測定使用QUANTACHROME公司制造的UltrapycnometerlOOO。在理想的Sr2Al2Si1()04N14結構中，真密度顯示3.60g/cc附近的數(shù)值，但是該熒光體的真密度是比理想值低的值。作為其原因，認為是由于生成的該熒光體試料如組成分析結果所示，是與理論組成相比氧欠缺或者少的結構。即，氧原子缺失的部分或減少的部分的真密度降低，或者該熒光體試料的生成相與真密度低的Si3Ht混合存在，因而表觀真密度降低。特別是，該熒光體試料即使有氧原子缺失、含有雜質相，也能顯示上述良好的發(fā)光特性，因而可知本發(fā)明的熒光體的真密度只要是3.40g/cc~3.65g/cc范圍即可。[表10<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>根據(jù)實施例13、20、49、52的各焚光體試料的XRD圖案，對各熒光體試料的晶格的晶格常數(shù)和結晶體積、熒光體的微晶尺寸進行分析。分析結果示于表11中。從分析結果看出，實施例13、20、49、52的各熒光體試料的結晶體積為345A3~385A3,各晶格的晶格常數(shù)a為7.85A8.28A，b為9.26A9.58A，c為4.80A4.92A，微晶尺寸為50nm以上。這里，觀察各熒光體試料的發(fā)光特性和晶格體積的關系時，發(fā)現(xiàn)晶格體積增加的同時，發(fā)光特性得到提高。即，作為晶格體積，更優(yōu)選353入3以上。接著，分析圖8所示的實施例13、20、49、52的各熒光體試料的XRD圖案的結果，任何一種熒光體粉末在(130)面的衍射強度都高，并且選擇取向，判斷2b位點的氧原子缺失。另一方面，實施例52得到的熒光體粉末與實施例13、20、49得到的熒光體粉末相比，2b位點的氧原子的缺失量少，另外，從表10所示的組成分析的結果看出，熒光體粉末中的氧濃度稍高。因此，實施例52得到的熒光體粉末在晶格中缺失氧的位點上補充了氧原子而被合適化，由此，晶格體積增加，發(fā)光特性得到提高。[表ll]<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>表12、圖IO是對實施例13、20、49、52的試料測定在25。C300。C下的發(fā)光強度的溫度特性的結果。首先，對于熒光體在溫度25。C下的發(fā)光強度P25、在溫度T。C下的發(fā)光強度PT和該發(fā)光強度的變化的測定進行說明。上述發(fā)光強度P25是指將該熒光體放置在25'C的環(huán)境下，照射后述的規(guī)定波長的激發(fā)光時，測定該發(fā)光體發(fā)出的光的語圖。該測定語圖中具有最大強度的峰定為最大峰，該峰的相對強度值作為P25,將該值設定為1.0。接著，將該熒光體放置在由25。C升溫到T。C的環(huán)境下，與在25。C下測定時同樣地照射激發(fā)光，測定該熒光體發(fā)出的光的譜圖。在該測定譜圖中，求出相當于在25。C測定時定作最大峰的峰相對強度，將其值作為PT。表12是用波長405nm的光作為激發(fā)光照射實施例13、20、49、52的試料，示出改變試料溫度時的結果，圖10是橫軸表示測定溫度T。C,縱軸表示發(fā)光強度的相對強度的值的圖。另外，圖10的圖的縱軸發(fā)光強度的相對強度如上所述，是將各試料P25作為基準1.0,橫軸的測定溫度為25°C、50°C、100°C、150。C、200。C、250°C、300°C。并且，將實施例13用細實線、實施例20用細虛線、實施例49用粗實線、實施例52用單點劃線作圖。從表12、圖10的結果可以看出，實施例13、20、49、52的熒光體由于發(fā)光部的發(fā)熱等使熒光體溫度上升時(白色LED照明中認為從100°C上升到20(TC附近)，由于焚光體的發(fā)光強度的降低小，因此可以得到保持了高發(fā)光強度和高亮度并且色調變化少的發(fā)光，適合用作照明裝置中使用的熒光體。這里，從上述觀點看，熒光體的發(fā)光強度中從室溫到200。C的降低率在50。/。以下((P25-P，)/P25^0.50),進一步優(yōu)選從室溫到100。C的降低率為15。/o以下((P25-P20())/P25^0.15)。并且，在熒光體的發(fā)光強度中的溫度特性中，和構成元素中不含Al的實施例49相比，構成元素中含有Al的實施例13、20、52獲得改善，特別是實施例13、20、52中熒光體組成中氧濃度多的實施例52,明確了發(fā)光特性和溫度特性同時獲得改善。認為這是因為，通過使熒光體組成中的氧濃度合適化，熒光體的結晶結構全體被合適化，因此相對于周圍溫度的變化，形成穩(wěn)定且牢固的結晶結構。<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>(比4交例3~5)將比較例3~5的試料和上述實施例13、20、45、49、51、52的試料進行比較。只十比4交例3進4亍i兌明。比較例3是被認為相當于在發(fā)行物"Onnewrare-earthdopedM-Si-Al-O-Nmaterials，，VanKrevel著，TUEindhoven2000,ISBN90-386-2711-4和特表2003_515655號公報中記載的熒光體BaSi7N1():Eu中Ba置換成Sr的熒光體SrSi7N,o:Eu的熒光體。這些文獻中記載了以下的制造方法在1400。C1565。C的焙燒下制造具有組成式BaSi7N1Q:Eu熒光體，制造在波長640nm680nm范圍內具有發(fā)光光譜的峰的紅色熒光體。因而，比較例3是和實施例45具有相同組成，但是焙燒溫度為160(TC下來制造熒光體試料。只于比4支例4、5進4亍i兌明。比較例4是將目前的近紫外/紫外LED和R、G、B以及其它熒光體組合而制作的作為白色LED照明的藍色熒光體使用的市售的BaMgAl1Q017:Eu(BAM:Eu)焚光體。比較例5是將目前的近紫外/紫外LED和R、G、B以及其它熒光體組合而制作的用作白色LED照明的藍色熒光體的市售的(Sr,Ca,Ba,Mg)^(P04)6Cl2:Eu熒光體。對于制造的比較例3~5的試料，測定峰波長、發(fā)光強度，對于比較例4、5的試料，測定激發(fā)光譜。該測定結果與實施例13、20、49、51、52的試料一起示于表13中，發(fā)光光譜示于圖11,激發(fā)光譜示于圖12。實施例13使用粗實線、實施例20使用細實線、實施例49使用粗虛線、實施例51使用粗單點劃線、實施例52使用長虛線、比較例3使用細虛線、比較例4使用細單點劃線、比較例5使用細雙點劃線來表示。接著，圖13中示出了實施例45和比較例3的熒光體的采用粉末法進行的X射線衍射圖案的測定結果。首先，對實施例45和比較例3進行研究。從表7、13、圖11、13的結果可以看出，實施例45和比較例3是使用不同的焙燒溫度來制造組成式SrSi7Ni。:Eu(Eu/(Sr+Eu)=0.030)表示的熒光體，但是該焙燒溫度在1600。C和180(TC下生成顯示完全不同特性的熒光體，判斷實施例45的焚光體在160(TC的焙燒下不生成。這里，在1800。C下焙燒的實施例45如表7所示，在波長400nm500nm范圍內發(fā)現(xiàn)發(fā)光光譜的峰，但在比較例3中，在波長400nm500nm范圍內不能確認發(fā)光光譜的峰，在波長625nm附近發(fā)現(xiàn)發(fā)光光譜的峰。另外，如圖13所示，在實施例45中發(fā)現(xiàn)的在波長400nm500nm范圍顯示發(fā)光光譜的峰的相的代表性的衍射峰不能從比較例3的衍射圖案確認，即使能確認強度也非常弱。因此，如果焙燒溫度在160(TC以下，認為不生成在波長400nm500nm范圍具有發(fā)光光譜的峰的本發(fā)明的熒光體的相。接著，對實施例13、20、49、51、52和比較例4、5進行研究。從表13、圖11、圖12的結果可以看出，實施例13、20、49、51、52的各熒光體在照射波長405nm的光時，比較例3和作為目前的LED照明用藍色熒光體使用的比較例4的BaMgAlK)On:Eu(BAM:Eu)以及比較例5的(Sr，Ca,Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu熒光體相比，發(fā)光強度強約40%,并且激發(fā)帶與氧化物熒光體的比較例4或囟磷酸鹽熒光體的比較例5相比，由于共價一建的比例多，因此直到若干長波長側都具有良好的激發(fā)帶。特別是在波長300nm430nm的范圍具有優(yōu)異的激發(fā)帶。因此，通過作為將近紫外/紫外LED和R、G、B以及其它熒光體組合而制造的白色LED照明的藍色熒光體使用，可以獲得亮度更高的白色LED照明。另外，如圖12所示，對于實施例13、20、49、51、52的熒光體激發(fā)帶，與比較例4的氧化物熒光體或比較例5的由磷酸鹽熒光體相比，直到長波長側都具有平坦且良好的激發(fā)帶，特別是在波長300nm430nm范圍具有優(yōu)異的激發(fā)帶。這里，在波長400nm500nm具有最大發(fā)光峰的藍色熒光體中，用于使用波長350nm以上的紫外或近紫外的波長作為激發(fā)源的發(fā)光裝置中時，用波長350nm430nm的單色光激發(fā)時，將在波長400nm500nm的發(fā)光光譜的最大發(fā)光強度作為P皿，將最小發(fā)光強度作為Pmin時，優(yōu)選Pmin/Pmax為30%以上。從這個觀點看，圖12所示的在波長250nm以上具有激發(fā)光譜，在波長400nm500nm中具有最大發(fā)光峰的藍色熒光體的實施例13、20、49、51、52的熒光體如表10所示，顯示Pmin/Pm狀為30%以上，即使存在發(fā)出激發(fā)光的發(fā)光元件的波長偏差，也可以作為有效且穩(wěn)定地進行發(fā)光的熒光體使用，并可以抑制白色光的色調偏差。另一方面，比較例4、5的PmJP醒值如表13所示，顯示Pmin/Pmax為22%以下，發(fā)出激發(fā)光的發(fā)光元件存在波長偏差時，難以抑制白色光的色調偏差。[表13]__<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>(裝入了熒光體的發(fā)光裝置的評價)(實施例58)在實施例58中，制造在波長405nm下發(fā)光的發(fā)光元件(LED)激發(fā)時進行相關色溫度5200K的發(fā)光的熒光體混合物，并評價該熒光體混合物的發(fā)光特性、演色性。l)焚光體的準備藍色熒光體SrAl。.8Si5.2Ch.8N7.2:Eu(實施例20的熒光體)是按照實施方式中說明的方法來制造、準備的。綠色熒光體Sr2Al2Si1()ON16:Ce通過下面的方法制造。準備市售的SrC03(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N),稱量各原料，在大氣中使用乳缽進行混合，并使焙燒后各元素的摩爾比Sr:Al:Si:Ce=0.970:1:5:0.030?；旌系脑弦苑勰顟B(tài)在氮氣氣氛中以15。C/分鐘的升溫速度升溫到1800°C,在1800。C下保持/焙燒3小時后，用1小時從1800。C冷卻到20(TC,得到組成式為Sr2Al2Siu)ON^:Ce的熒光體。將得到的試料進行粉碎、分級。另夕卜，通過下面的方法來制造紅色焚光體CaAlSiN3:Eu。準備市售的Ca3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N),稱量各原料，在氮氣氣氛下的干燥箱中使用乳缽進行混合，并使各元素的摩爾比為Ca:Al:Si:Eu=0.970:1:1:0.030?；旌系脑显诘獨鈿夥罩幸?5。C/分鐘的升溫速度升溫到1500°C，在1500。C下保持/焙燒3小時后，用1小時從1500。C冷卻到20(TC,得到組成式為CaAlSiN3:Eu的焚光體。將得到的試料進行粉碎、分級。2)熒光體混合物的制備測定上述SrAl。.8Si5.20L8N7.2:Eu、Sr2Al2Si1()ON16:Ce和CaAlSiN3:Eu這三種熒光體用波長403.5nm的激發(fā)光激發(fā)時的發(fā)光光鐠，從該發(fā)光光譜通過模擬求得熒光體混合物的相關色溫度為5200K時的相對混合比。模擬的結果是，(SrAl。.8Si5.20uN7.2:Eu):(Sr2Al2Si,oON!6:Ce):(CaAlSiN3:Eu)=31.8:65.2:3,0，基于該結果，稱量各熒光體并進行混合，得到熒光體混合物。但是，根據(jù)發(fā)光部的發(fā)光波長(熒光體混合物的激發(fā)波長)、采用該發(fā)光波長的熒光體的發(fā)光效率，優(yōu)選的混合比與模擬的結果會有偏差的情況。這時，可以適當調整焚光體的混合比，以調整實際的發(fā)光光鐠的形狀。3)由發(fā)光元件的評價將具有氮化物半導體的紫外光LED(發(fā)光波長403.5nm)作為發(fā)光部，在該LED上設置上述熒光體混合物與樹脂混合物。該熒光體和樹脂的混合比可以基于上述結果調整以獲得與色溫度5200K相當?shù)陌讜兩?，用公知的方法與該LED的發(fā)光部組合，制造白色LED照明(發(fā)光裝置)。結果，對得到的白色LED照明的發(fā)光元件通電20mA時的發(fā)光光譜如圖14所示。該圖14是縱軸表示相對發(fā)光強度，橫軸表示發(fā)光波長(nm)的圖。該熒光體混合物用發(fā)光部發(fā)出的紫外光激發(fā)/發(fā)光時，可以得到發(fā)出在波長400nm700nm范圍具有寬峰的發(fā)光光譜的白色光的白色LED照明。測定該發(fā)光的色溫度或色度時，色溫為5193K,x=0.3402,y=0.3529。另夕卜，白色LED照明的平均演色系數(shù)(Ra)為91，特殊演色系數(shù)R9為74,R10為80,Rll為90,R12為78，R13為91，R14為95，R15為91。此外，通過適當改變混合的熒光體的混合量和樹脂混合量，能獲得不同色溫度的發(fā)光色。實施例58的色度、演色評價數(shù)、色溫度等測定數(shù)據(jù)的一覽表記載于表14中。[表14]<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>(實施例59)在實施例59中，使實施例58制造的焚光體混合物分散在樹脂中來制造熒光體片，再將該熒光體片和LED元件組合來制造白色LED。首先，使用硅系樹脂作為介質樹脂，實施例58的熒光體混合物分散10wt%,制造熒光體片。接著，如圖15(C)的符號l所示，制造在發(fā)出波長405nm的光的LED元件上設置了該焚光體片的LED。并且，使該LED發(fā)光時，可以發(fā)出與實施例58同樣的白色光。[圖l]是示出對實施例16、比較例1、2的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖2]是示出實施例2、4、6、比較例2的各熒光體釆用粉末法測定X射線衍射圖案的測定結果，以及基于JCPDS卡(53-0636)的Sr2Al2Si1()04N14的結晶結構進行模擬的衍射圖案和基于Sr2Al2Sh。04Nw的結晶結構用Rietveld分析實施例4的X射線衍射圖案而求出的模擬結果的圖。[圖3]是示出對實施例7~15的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖4]是示出對實施例1624的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖5]是示出對實施例2530的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖6]是示出對實施例31~35的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖7]是示出對實施例4550的各熒光體測定發(fā)光強度的測定結果的圖。[圖8]是示出對實施例13、20、45、49、52的各熒光體用粉末法測定的X射線衍射圖案的測定結果的圖。[圖9]是示出實施例20的熒光體粉末的SEM照片。[圖IO]是示出實施例13、20、49、52的各熒光體的發(fā)光強度的溫度特性的圖。[圖11]是示出實施例13、20、49、51、52和比較例3、4、5的各熒光體的發(fā)光光譜的圖。[圖12]是示出實施例13、20、49、51、52和比較例4、5的各熒光體的激發(fā)光譜的圖。[圖13]是示出實施例45和比較例3的熒光體用粉末法測定X射線衍射圖案的測定結果的圖。[圖14]是示出熒光體混合物和發(fā)光部組合的發(fā)光裝置的發(fā)光光譜的圖。[圖15]是示出炮彈型LED發(fā)光裝置的模式的剖面圖。[圖16]是示出反射型LED發(fā)光裝置的模式的剖面圖。符號說明1混合物2發(fā)光元件3引線框4樹脂5容器8反射面9透明模壓材料權利要求1.一種熒光體，由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數(shù)為II價的1種以上的元素，A元素是價數(shù)為III價的1種以上的元素，B元素是價數(shù)為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1種以上的活化劑)，其中，5.0＜(a+b)/m＜9.0，0≤a/m≤2.0，0≤o＜n，n＝2/3m+a+4/3b-2/3o，用波長為250nm～430nm范圍的光激發(fā)時，發(fā)光光譜中最大峰值波長在400nm～500nm的范圍。2.權利要求l所述的熒光體，其中，0.0〇a/m^2.0,4.0^b/m〇8.0，6.0^(a+b)/m^8.0,0.0<o/m^3.0。3.權利要求1或2所述的熒光體，其中，0^x^2時，a=xxm，b=(6-x)xm，o=(l+x)xm,n=(8_x)xm。4.權利要求13中任一項所述的熒光體，其中，用波長350nm430nm范圍的單色光激發(fā)時，將波長400nm500nm范圍的發(fā)光光譜的最大發(fā)光強度作為P腿，將最小發(fā)光強度作為Pmin時，P她/P腿為30%以上。5.權利要求14中任一項所述的熒光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子價為II價的稀土元素中的一種以上的元素；A元素是選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一種以上的元素；B元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一種以上的元素；Z元素是選自稀土元素、過渡金屬元素中的一種以上的元素。6.權利要求15中任一項所述的熒光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上的元素；A元素是選自A1、Ga、In中的一種以上的元素；B元素是Si和/或Ge;Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的一種以上的元素。7.權利要求1~6中任一項所述的熒光體，其中，M元素是Sr,A元素是Al,B元素是Si，Z元素是Eu。8.權利要求1~7中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體表示為通式MmAaBbOoNn:Zz時，M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0.00010.5。9.權利要求1~8中任一項所述的焚光體，其中，含有16.0重量％25.0重量％的Sr、2.0重量％9.0重量％的Al、0.5重量％~11.5重量％的O、23.0重量。/。32.0重量。/。的N、超過O且為3.5重量％以下的Eu,并且以波長250nm430nm范圍的光激發(fā)時，發(fā)光光譜中最大峰波長為400nm500nm的范圍。10.權利要求1~9中任一項所述的熒光體，其中，在采用使用了CoKa射線的粉末法測出的X射線衍射圖案中，在布拉格角(20)為35°37。的范圍內出現(xiàn)了強度最強的衍射峰，并且，采用該粉末法測出的X射線衍射圖案在布拉格角(26)為23.6°~25.6°、33°35°、39.7°~40.7°、43°44°的范圍內分別發(fā)現(xiàn)2個、2個、l個、l個特征衍射峰，將在布拉格角(29)為35°37°的范圍內看到的強度最強衍射峰的相對強度作為100%時，這些衍射峰的相對強度為2.0%~40%。11.權利要求110中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的結晶具有斜方晶系結構。12.權利要求111中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的單位體積為345A3385A3。13.權利要求111中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的單位體積為353A3385A3。14.權利要求113中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體中含有的生成相的晶格的晶格常數(shù)為a是7.85A8.28A,b是9.26A9.58A，c是4.80A4.92A。15.權利要求1~14中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體粒子中含有的生成相的微晶大小(Dx)為50nm以上。16.權利要求114中任一項所述的熒光體，其中，該熒光體粒子中含有的生成相的微晶大小(Dx)為80nm以上。17.權利要求1~16中任一項所述的熒光體，其中，包含粒徑為50pm以下的一次粒子和該一次粒子凝聚而成的凝聚體，包含該一次粒子和凝聚體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0^im50.0jam。18.制造權利要求1~17中任一項所述的焚光體的方法，包含以下步驟稱量并混合該熒光體的原料粉末而獲得混合物的步驟；　在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟；和粉碎上述焙燒物獲得熒光體的步驟，并且，在焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，作為該焙燒時的氛圍氣體，使用氮氣、稀有氣體等惰性氣體、氨氣、氨氣和氮氣的混合氣體、或氮氣和氫氣的混合氣體中的任何一種。19.權利要求18所述的熒光體的制造方法，其中，使用含有80%以上氮氣的氣體作為上述焙燒爐內的氛圍氣體。20.權利要求18或19所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，對上述混合物進行2次以上的焙燒，在該焙燒和焙燒之間，對焙燒過的混合物進行粉碎混合。21.權利要求1820中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，邊在上述焙燒爐內以0.1ml/分鐘以上的流量流通氛圍氣體，邊進行焙燒。22.權利要求21所述的焚光體的制造方法，其中，首先在焙燒爐內以O.lml/分鐘以上的流量流通氛圍氣體，同時進行焙燒，接著在上述焙燒爐內不進行氛圍氣體的流通來進行焙燒。23.權利要求1822中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述混合物獲得焙燒物的步驟中，上述焙燒爐內的氛圍氣體為0.001MPa1.0MPa的加壓狀態(tài)。24.權利要求1823中任一項所述的熒光體的制造方法，其中，使用氮化物制成的坩鍋作為焙燒用坩鍋。25.—種焚光體片，其中，權利要求117中任一項所述的熒光體分散在樹脂或玻璃中。26.—種發(fā)光裝置，包括權利要求1~17中任一項所述的焚光體或權利要求25所述的熒光體片、和發(fā)出第一波長光的發(fā)光部，其中，以上述第一波長的光的部分或全部作為激發(fā)光，從上述熒光體發(fā)出與上述第一波長不同波長的光。27.權利要求26所述的發(fā)光裝置，其中，第一波長是250nm430nm的波長。28.權利要求26或27所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的相關色溫度在10000K2000K的范圍。29.權利要求26或27所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的相關色溫度在7000K2500K的范圍。30.權利要求2629中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的平均演色評價數(shù)Ra為80以上。31.權利要求2630中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的特殊演色評價數(shù)R15為80以上。32.權利要求2631中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，上述發(fā)光裝置的特殊演色評價數(shù)R9為60以上。33.權利要求2632中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)出第一波長的發(fā)光部是發(fā)光元件(LED)。全文摘要本發(fā)明提供一種熒光體，其在藍色范圍(峰波長為400nm～500nm)中具有寬的發(fā)光光譜，并且在近紫外、紫外的范圍具有寬且平坦的激發(fā)帶，發(fā)光效率和發(fā)光強度、亮度優(yōu)異。所述熒光體由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數(shù)為II價的1種以上的元素，A元素是價數(shù)為III價的1種以上的元素，B元素是價數(shù)為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1種以上的活化劑)，其中，5.0＜(a+b)/m＜9.0，0≤a/m≤2.0，0≤o＜n，n＝2/3m+a+4/3b-2/3o，并且用波長為250nm～430nm范圍的光激發(fā)時，發(fā)光光譜中最大峰值波長在400nm～500nm范圍內。文檔編號C09K11/59GK101151346SQ200680010489公開日2008年3月26日申請日期2006年3月30日優(yōu)先權日2005年3月31日發(fā)明者坂根堅之,永富晶申請人:同和電子科技有限公司