專利名稱：：用于cmp的拋光流體和方法
技術領域：
：本發(fā)明整體涉及一種修飾半導體晶片的暴露表面的方法，尤其涉及一種使用研磨制品以及可用于拋光半導體晶片的溶液來修飾結構化半導體晶片的暴露表面的方法。
背景技術：
：在集成電路制造過程中，半導體制造中使用的半導體晶片通常經歷許多工序，包括沉積、圖案化、和蝕刻步驟。這些半導體晶片的制造步驟的詳情由Tonshoff等人報道，"AbrasiveMachiningofSilicon"，公布于AnnalsoftheInternationalInstitutionforProductionEngineeringResearch(國際工藝設計研究協(xié)會的記錄)，(第39/2/1990巻)，第621-635頁。在每個制造步驟中，經常有必要或希望修飾或精制晶片的暴露表面，以制備用于后續(xù)制作或制造步驟的晶片。例如，沉積步驟之后，在晶片表面上的沉積材料或層通常需要在其它沉積或后續(xù)加工進行之前進一步加工。又例如，蝕刻步驟之后，經常需要在晶片的蝕刻表面區(qū)域上分層沉淀導電或絕緣材料或兩者。該工藝的具體實例被用于金屬波紋裝飾工藝中。在波紋裝飾過程中，圖案被蝕刻在氧化介質層內。蝕刻之后，將可選的粘著/阻擋層沉淀在整個表面上，然后將金屬沉淀在粘著/阻擋層上。然后，通過除去表面上的沉淀金屬和粘著/阻擋層區(qū)域來修飾、精制或精修沉淀的金屬層。通常，除去足夠的表面金屬，以使得晶片的外露表面既包含金屬又包含氧化物介電材料。暴露的晶片表面的俯視圖將顯示一個平表面，其中金屬對應于蝕刻的圖案，而介電材料鄰近所述金屬。位于晶片修飾表面上的金屬和氧化物介電材料內在地具有不同的物理特性，諸如不同的硬度值。用于修飾由波紋裝飾工藝制造的晶片的研磨制品必須仔細設計，以使得同時修飾所述材料而不刮擦任一種材料的表面。此外，研磨制品必須能夠在晶片上產生平的外露表面，所述表面具有暴露的金屬區(qū)域和暴露的介電材料區(qū)域。這種修飾沉淀的金屬層直至氧化物介電材料暴露在晶片外表面上的工藝，由于位于晶片表面上的金屬特征具有亞微米尺寸，因此不會留出什么邊緣來出錯。很明顯，沉淀金屬的移除速率必須很快，以使制造成本最小化。此外，未蝕刻區(qū)域的金屬移除必須做得徹底。此外，留在蝕刻區(qū)域內的金屬必須限制在離散的范圍或區(qū)域，并且留下的金屬在一個范圍或區(qū)域內必須是連續(xù)的，以確保適當?shù)膶щ娦?。簡而言之，所述金屬修飾工藝必須在亞微米尺度上均勻、可控和可再生。一種修飾或精制晶片暴露表面的傳統(tǒng)方法是使用包含多個分散在液體中的松散磨料粒子的槳液來處理晶片表面。通常，這種漿液被施加到拋光片上，然后把晶片表面對著該片進行研磨或磨擦，以除去或去掉晶片表面上的材料。一般來講，所述漿液也包含與晶片表面化學反應的試劑。這種工藝通常被稱之為化學-機械平面化或拋光(CMP)工藝。然而，CMP漿液的一個問題是，該工藝必須仔細監(jiān)控以便獲得所需的晶片表面外形。另一個問題是松散的研磨漿液會產生臟亂。另一個問題是漿液產生大量的粒子，這些粒子必須從晶片表面上除去，并在晶片處理前處置掉。這些漿液的處理和處置涉及半導體晶片制造者的額外加工成本。
發(fā)明內容本發(fā)明利用了下述方法的優(yōu)點，所述方法是使用研磨制品來修飾半導體晶片表面，以將至少兩種不同的材料暴露在晶片表面上。這些材料通常具有不同的硬度值和不同的磨損特性。本發(fā)明涉及一種CMP漿液方法的新的替換方法，并使用研磨制品來修飾或精制半導體表面。這種替代性CMP工藝報道于美國專利No.5，958，794禾PNo.6，194，317中。可用的研磨制品具有紋理的研磨表面，所述表面包含分散在粘結劑中的磨料粒子。使用過程中，研磨制品接觸半導體晶片表面，通常是在有流體或液體存在的情況下，進行運動，所述運動被調適于修飾晶片上暴露的材料表面區(qū)域，并提供平的、均勻的晶片表面。使用這些固結的研磨制品克服了與CMP漿液有關的許多問題。簡而言之，本發(fā)明提供了一種可用于修飾晶片表面的固結研磨化學機械拋光或平面化組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子。當大部分絡合劑選自簡單一官能的或簡單雙官能的酸或其鹽時，液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3:1。所述混合物還基本上不含磨料粒子。在另一個實施例中，本發(fā)明提供了一種化學機械拋光體系，所述體系包括固結研磨片和可用于修飾晶片表面的拋光組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子。當大部分絡合劑為簡單一官能的或簡單雙官能的酸或其鹽時，液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3:1。此外，所述混合物還基本上不含磨料粒子。在本發(fā)明的一個實施例中，修飾晶片的方法可以從導電材料層開始，所述導電材料分布在至少一種介電材料上。所述介電材料通常具有蝕刻圖案表面，S卩，圖案化的表面。這種晶片可通過接觸并對著研磨制品相對移動晶片的暴露主表面(即，暴露的導電材料)來修飾。所述研磨制品通常包括具有多個紋理的三維研磨復合物的暴露主表面，所述復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子。這種接觸和運動通常保持在研磨制品的多個研磨復合物和導電材料之間，直至晶片的暴露表面基本上成平的，并且所述表面包含至少一個暴露的導電材料區(qū)域和至少一個暴露的介電材料區(qū)域，并且導電材料的暴露表面和介電材料的暴露表面基本上以單個平面形式排列。介電材料可被一個或多個中間材料諸如粘著/阻擋層覆蓋。通常，導電材料移除之后，暴露的介電材料表面基本上不含中間材料。作為另外一種選擇，導電材料的移除可能僅暴露中間材料和導電材料的表面。當需要時，持續(xù)的修飾還可在晶片表面上暴露介電材料和導電材料。本發(fā)明的方法尤其適于修飾導電表面，在本文中常稱之為第二材料。所述導電表面可由多種一般具有小于約O.lohm-cm的電阻率值的導電材料制成。目前優(yōu)選的導電材料包括金屬，諸如鎢、銅、鋁、鋁銅合金、金、銀、鈦、氮化鈦、釕或這些金屬的各種合金。優(yōu)選的介電材料一般具有小于約5的介電常數(shù)。在另一方面，本發(fā)明提供修飾適于半導體器件制造的半導體晶片表面的方法。本發(fā)明的一種方法包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有蝕刻圖案化的表面的第一材料和至少一種在所述第一材料表面上鋪展的第二材料。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的第二材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述研磨復合物包含多個固結分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述第二材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片，直至晶片的暴露表面基本上成平的，并且包括至少一個暴露的第一材料區(qū)域和一個暴露的第二材料區(qū)域。本發(fā)明的另一種方法包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有蝕刻圖案化的表面的介電材料和至少一種在至少一種介電材料表面上鋪展的導電材料。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的導電材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述多個研磨復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述導電材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片，直至晶片的暴露表面基本上成平的，并且包括至少一個暴露的導電材料區(qū)域和至少一個暴露的介電材料區(qū)域。本發(fā)明的方法也包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有圖案化表面的介電材料，所述介電材料基本上用至少一種中間材料覆蓋，而所述中間層基本上用至少一種導電材料覆蓋。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的導電材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述多個研磨復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述導電材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片，直至晶片的暴露表面包括至少一個暴露的導電材料區(qū)域和至少一個暴露的中間層區(qū)域或至少一個暴露的介電材料區(qū)域。中間層可以是，例如，障礙層或傳導層。使用本發(fā)明，本發(fā)明的拋光組合物(也稱之為工作液體)中金屬離子和其它組分的組合將提供協(xié)同響應，即改善導電金屬表面的移除速率，從而允許使用降低的氧化劑濃度和低金屬離子濃度。工作液體中較低的氧化劑濃度是優(yōu)選的，因為一般來講，較低的含量使在CMP加工過程中導電金屬的腐蝕最小化。較低的金屬離子濃度是優(yōu)選的，以便使由金屬離子造成的晶片表面污染最小化。一般來講，所述協(xié)同響應提供了比其中一部分組分或其中一部分組分的移除速率的線性內推更好的移除速率。此外，在工作液體或拋光組合物中包含絡合劑也是有益的，不僅可提高移除速率，還可防止氧化劑過早分解(延長混合物的貯存期)。本發(fā)明的一個尤其可用的實施例是組合使用固結的研磨片和基本無研磨劑的拋光組合物。這種組合提供了極好的金屬表面移除速率，同時產生低凹陷和低腐蝕。本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供了一種使用工作液體(也稱為拋光流體)的可用于鎢CMP的固結研磨CMP工藝。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點從以下的具體實施方式和權利要求中將顯而易見。本公開的上述
發(fā)明內容并不旨在描述本公開的每個示例性實施例或每個實施方案。接下來的具體實施方式更具體地示出了使用本文原理的某些優(yōu)選的實施例。具體實施方式本文的所有數(shù)字均可以被術語"約"修飾。用端點列舉的數(shù)值范圍可包括包含在該范圍內的所有數(shù)字(如，1至5包含1、1.15、2、2.75、3、3.80、4、和5)。已發(fā)現(xiàn)，在寬的工藝條件和氧化劑濃度范圍下，CPS-ll(得自3M公司，供銅拋光使用)不能以可接受的移除速率移除鎢。因此，人們便尋求用于鎢的固結研磨CMP的不同拋光溶液。本發(fā)明提供了幾種溶液。在一個實施例中，本發(fā)明提供一種用于修飾晶片表面的固結研磨化學機械拋光組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子。當大部分絡合劑選自簡單單管能酸、簡單雙官能酸、其鹽、或它們的組合時，液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3:1。所述混合物還基本上不含磨料粒子。本發(fā)明的拋光流體(或工作流體，或組合物)可用于任何已知的CMP方法，并且已知尤其可用于固結研磨CMP中。更具體地講，本發(fā)明的拋光流體可用于鎢的CMP。因此，本發(fā)明提供適于半導體器件制造的半導體晶片的表面修飾方法，諸如固結研磨CMP。本發(fā)明的一種方法包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有蝕刻圖案的表面(圖案化表面)的第一材料和至少一種在所述第一材料表面上鋪展的第二材料。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的第二材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述研磨復合物包含多個固結分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述第二材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片，直至晶片的暴露表面基本上成平的，并且包括至少一個暴露的第一材料區(qū)域和一個暴露的第二材料區(qū)域。本發(fā)明的另一種方法包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有蝕刻圖案的表面的介電材料和至少一種在至少一種介電材料表面上鋪展的導電材料。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的導電材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述多個研磨復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述導電材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片，直至晶片的暴露表面基本上成平的，并且包括至少一個暴露的導電材料區(qū)域和至少一個暴露的介電材料區(qū)域。本發(fā)明的另一種方法包括提供一種晶片，所述晶片包含至少一種具有圖案表面的介電材料，所述介電材料基本上用至少一個中間層覆蓋，而所述中間層基本上用至少一種導電材料覆蓋。在如本文所述的工作液體的存在下，所述晶片的導電材料接觸固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述多個研磨復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子，然后在所述導電材料接觸多個研磨復合物的同時，相對移動所述晶片直至晶片的暴露表面包括至少一個暴露的導電材料區(qū)域和至少一個暴露的介電材料區(qū)域。本發(fā)明的方法能夠獲得鎢CMP所期望的移除速率，同時提供低腐蝕和低凹陷。本發(fā)明會形成大體平的表面，使得所述表面相對于下層結構是平的，其可以是晶片的有源區(qū)域。在實施中時，晶片和研磨制品之間的運動在至少約0.1磅每平方英寸(psi)(0.7千巾白(kPa))，更優(yōu)選至少約0.2psi(1.4kPa)范圍內的壓力下進行。使用的最大壓力一般低于約25psi(172kPa)，更優(yōu)選低于約15psi(103kPa)。在本發(fā)明的一個實施例中，晶片和研磨制品相對于彼此旋轉和/或運動。例如，研磨制品或晶片或研磨制品和晶片兩者相對于彼此旋轉，以及沿晶片和研磨制品的相對中心線性移動。晶片和研磨制品也可以橢圓或數(shù)字八型圖案或其它所需圖案移動，使得速度大致沿著該路徑變化。晶片和研磨制品之間的旋轉運動或旋轉速度可介于lrpm(轉每分鐘)至10，000rpm之間。研磨制品的優(yōu)選旋轉速度為當研磨制品以至少約10rpm，更優(yōu)選20rpm的速度旋轉時。優(yōu)選的旋轉速度通常低于l，OOOrpm，更優(yōu)選低于約250rpm，或者甚至更低，諸如低于約120rpm。晶片的優(yōu)選旋轉速度是當晶片以至少約2rpm，更優(yōu)選至少約50rpm，或者甚至更高諸如至少約100rpm的速度旋轉時。晶片的優(yōu)選最大旋轉速度通常低于約l,OOOrpm，更優(yōu)選低于約500rpm，在一些實施例中低于約100rpm。此外，還可在平面化工藝中使用兩個或更多個加工條件。例如，第一加工部分可具有比第二加工部分更高的界面壓力。晶片和/或研磨制品的旋轉和平移速度在平面化工藝過程中也可變化。其它工具，諸如線性運動工具，可用于相對類似的相對運動中。CMP工藝中使用的工作液體量取決于被拋光晶片的類型和尺寸、工作液體中化合物的濃度、以及選擇的CMP拋光工具。一般來講，使用的工作液體范圍(單位為mL/min)為至少約5，至少約50，或者甚至更高，諸如至少約80。在其它實施例中，使用的工作液體的范圍(單位為mL/min)為約1000或更小，低于約400，或者甚至更低，諸如低于約250。在一個實施例中，晶片的導電表面用研磨制品在工作液體的存在下進行修飾，該液體根據(jù)晶片表面的組合物進行選擇。在一些應用中，工作液體通常包含水(如，蒸餾水或去離子水)。工作液體與研磨制品組合，有助于化學機械拋光工藝中的加工。在拋光的化學部分，工作液體(或其中的組分)可與外面的或暴露的晶片表面反應。接著在加工的機械部分，研磨制品可移除此反應產物。在金屬表面加工過程中，優(yōu)選的是工作液體為包含化學蝕刻劑(諸如氧化劑)的水溶液。例如，鎢的化學拋光可下面情況下進行，即在工作液體中的氧化劑自身或與工作液體中的其它添加劑組合與鎢反應，形成氧化的鎢表面層。機械過程在研磨制品從晶片表面移除此氧化金屬時進行。作為另外一種選擇，所述金屬可在與工作流體中的成分反應之前首先被機械移除。一種可用的工作液體是包含多種不同添加劑的水溶液。合適的添加劑包含絡合劑、氧化劑或鈍化劑、金屬離子諸如過渡金屬離子，或添加劑的組合?？蓳饺牍ぷ髁黧w內的優(yōu)選氧化劑包括過化合物，例如，包含至少一個過氧基(-O-O-)的化合物。過化合物的實例包括過氧化氫、過硫酸的銨、鈉和鉀鹽、一過硫酸鹽、有機過氧化物(諸如二叔丁基過氧化物)。其它可用的氧化劑包括氯化銅、氯化鐵、鉻-硫酸、鐵氰化鉀、硝酸、過渡金屬復合物，諸如鐵氰化物、乙二胺四乙酸銨鐵、檸檬酸鐵銨、檸檬酸鐵、草酸銨鐵、硝酸鐵、檸檬酸銅、草酸銅、葡萄糖酸銅、甘氨酸銅、酒石酸銅等。其它合適的氧化劑也包括鹵素的含氧酸及其鹽，諸如堿金屬鹽。這些酸在Cotton&Wilkinson,AdvancedInorganicChemistry(高級有機化學)，第五版中有所描述。這些酸的陰離子通常包含鹵素原子諸如氯、溴、或碘。這些鹵素鍵合了一個、兩個、三個或四個氧原子。實例包括氯酸(HOC102)、亞氯酸(HOCIO)、次氯酸(H0C1)、以及它們各自的鈉鹽，如氯酸鈉、亞氯酸鈉、和次氯酸鈉。類似的溴和碘類似物是已知的。也可使用氧化劑的混合物，只要它們不干擾需要的結果。去離子水中氧化劑的濃度(按不含研磨劑的總流體重量百分比計，即使在使用研磨劑時)通常為至少約0.2，至少約1，或者甚至更高。在其它實施例中，此氧化劑濃度低于約50%，低于約30%，或者甚至更低。暴露的金屬晶片表面的氧化和溶解可通過在工作液體中加入金屬離子來增強。金屬在Dickerson、Gray禾BHaight的ChemicalPrinciples(化學原理)，第3版中大致有所描述。包括在金屬定義中的是半金屬和過渡金屬。金屬離子的選擇將取決于多種因素，包括被修飾的晶片表面以及工作液體的總體組成，尤其是氧化劑，當用本公開內容作指導時由本領域的技術人員特別選擇。一般來講，優(yōu)選的是使金屬離子的還原電勢小于氧化劑的還原電勢，而大于被修飾的金屬表面的還原電勢，使得氧化劑可氧化金屬離子，而金屬離子可氧化需要的晶片表面材料，接著還原的金屬離子被氧化劑再氧化。另外，優(yōu)選的是使用具有至少2+或更高氧化態(tài)的金屬離子，使得一旦金屬表面被金屬離子氧化，還原的金屬離子的最低氧化態(tài)不低于l+。這個方面通常防止金屬離子被還原成金屬固體并沉淀到工作液體中，或鍍在被修飾的金屬表面上?？捎玫慕饘匐x子的實例包括Cu、Fe、Ag、Au、Ta、Ti、Ce、Mn、Mg、Sn、Mo、禾BSb的離子。金屬離子通常通過加入包含相應金屬離子的有機和/或無機鹽來加入工作液體中。示例的鹽包括硝酸鐵、硫酸鐵、硫酸亞鐵、乙酸亞鐵、氯化鐵、氯化銅、乙酸銀等。也可使用金屬離子的組合，只要選擇的組合不干擾需要的結果。在一些實施例中，不使用I群組和II群組的金屬。一般來講，工作液體中的金屬離子濃度(單位為mmol每克工作液體，無研磨劑，如果使用的話)通常為至少約9xl0—6，36xl0—6，或者甚至更高。在其它實施例中，工作液體中的金屬離子濃度(單位為mmol每克工作液體，無研磨劑，如果使用的話)通常為低于約0.036，低于約0.009，或者甚至更低。在其它實施例中，工作液體中金屬離子的含量(單位為份每一百萬份(ppm)工作液體，無研磨劑，如果使用的話)通常為至少約1、2、10、20、30、50，或者甚至更高。在其它實施例中，這個量為至少約100、175、250、500，或者甚至更高。在其它實施例中，這個量為低于約2,000,低于約1,000，低于約500，或者甚至更低。金屬的氧化和溶解的增強可通過加入絡合劑金屬的配體和/或螯合劑。這些化合物可配位和/或鍵合至金屬上以增加金屬或金屬氧化物在水中的溶解度，如McCleverty編的ComprehensiveCoordinationChemistry,第5巻，Wilkinson,Gillard中大致描述。絡合劑通常由羧基或其鹽構成。簡單的羧酸包含羧基-COOH，連接到氫(HCOOH)或烷基(RCOOH)。簡單的羧酸可具有一個羧基(即，簡單的一官能羧酸)或多個羧酸基團(即，簡單的多官能羧酸)，如簡單的雙官能羧酸(即，簡單的二羧酸)和簡單的三官能羧酸(即，簡單的三羧酸)。示例的簡單一官能羧酸包括，例如，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸和、異丁酸。示例的簡單雙官能羧酸包括，例如，草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、戊二酸、和己二酸?？杉尤牖蛴糜诠ぷ饕后w中的合適添加劑包括單齒絡合劑，諸如氨氣、胺、鹵化物、類鹵化物、羧酸酯、硫醇鹽、和也稱為配體的那些?？杉尤牍ぷ饕后w中其它添加劑包括多齒絡合劑，通常為多齒胺和多齒羧酸。合適的多齒胺包括乙二胺、二亞乙基三胺、三乙烯四胺，或它們的組合。合適的多齒羧酸和/或其鹽包括上述的簡單二羧酸、檸檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、次氨基乙酸，或它們的組合?？杉尤牍ぷ饕后w中的另一種添加劑包括羥基取代的一官能羧酸及其鹽。示例的一官能羥基羧酸包括甘油酸(即，2，3-二羥基丙酸))、乙醇酸、乳酸(如，L-乳酸、D-乳酸和DL-乳酸)、羥基丁酸、3-羥基丙酸、甲基乳酸(如，2-羥基異丁酸)、和3，4-二羥基苯甲酸。兩種單齒和多齒絡合劑的組合包括氨基酸(諸如甘氨酸)，和常用的分析螯合劑(諸如乙二胺四乙酸(EDTA)和它的多種類似物)。其它可用的螯合劑或絡合劑包括，例如，聚磷酸鹽、1，3-二酮、氨基醇、芳族雜環(huán)堿、酚、氨基苯酚、肟、席夫堿、抗壞血酸及類似結構、以及硫化合物。也可使用上述絡合劑的混合物，只要它們不干擾需要的結果。去離子水中的絡合劑濃度(按重量計的百分比)通常為至少約0.002、0.02，或者甚至更高。在其它實施例中，這個量低于約20，低于約10，或者甚至更低。絡合劑也可提高溶液穩(wěn)定性，諸如通過抑制由工作液體中的金屬離子所導致的氧化劑分解。如果過化合物(例如過氧化氫)是工作液體中的氧化劑，這可能是特別重要的。當大部分絡合劑選自簡單單管能酸、簡單雙官能酸、其鹽、或其組合時，所述組合物中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比(Mc/Mm)應當為至少1比1，優(yōu)選大于3:1，更優(yōu)選大于4或5比1，并且在一些實施例中大于10比1。優(yōu)選的范圍是摩爾比介于15比1和200比1之間。其它酸或鹽可使用其它比率。上述比率對應于每個分子具有一個至四個絡合位點的絡合劑。當每個分子的絡合位點數(shù)增加時，所述比率應當相應調低以考慮較高的絡合位點數(shù)。如果使用絡合劑的混合物，則Mc/Mm比率應當根據(jù)存在的所有絡合劑的總摩爾數(shù)來計算。如果使用金屬離子的混合物，則Mc/Mm比率應當根據(jù)存在的所有金屬離子的總摩爾數(shù)來計算。大部分絡合劑包括使用的絡合劑總摩爾數(shù)的至少一半。在一些實施例中，使用至少約60摩爾百分比(mol%)、70摩爾％或者甚至更多的簡單酸或簡單酸的鹽?？稍诠ぷ饕后w中加入緩沖劑來控制pH，從而減少由于沖洗水引起的微量組分稀釋造成的pH變化，和/或由于水源而引起的去離子水pH的差異。pH可對鎢表面的性質和鎢移除速率具有顯著影響。最優(yōu)選的緩沖劑是與半導體、CMP后清潔要求相容的，并且具有還原勢能雜質(諸如堿金屬)。此外，目前優(yōu)選的緩沖劑可調節(jié)至跨越酸性至接近中性至堿性的pH范圍。多元酸用作緩沖劑，并且當完成或部分用氫氧化銨中和制得銨鹽時，它們是代表性實例，包括磷酸-磷酸銨、多磷酸-聚磷酸銨、硼酸-四硼酸銨、硼酸-五硼酸銨體系。其它合適的緩沖劑包括有機酸及其相應的鹽，尤其是銨鹽。三元和多元質子傳遞物及其鹽，特別是銨鹽是優(yōu)選的。這些可能包括基于以下質子傳遞物的銨離子緩沖體系，所有都具有至少一個pKa大于7:天冬氨酸、谷氨酸、組氨酸、賴氨酸、精氨酸、鳥氨酸、半胱氨酸、酪氨酸、和肌肽。金屬的抗蝕劑是己知的。例如，銅的代表性抑制劑包括苯并三唑及其衍生物，通稱為唑衍生物，諸如甲基苯并三氮唑。已知銅被氧化亞銅稍微鈍化，尤其是在中性或微堿性pH下。此外，已知磷酸鹽處于鈍化劑中，諸如用于鋅和鋼的涂層中。在CMP工作流體中包含鈍化劑可保護尚未接觸研磨劑的金屬表面區(qū)域不被蝕刻劑過早或過多地移除，或控制多少氧化劑與暴露的金屬表面反應。鈍化劑的一個例子是苯并三唑。其它鈍化劑列于Leidheiser的TheCorrosionofCoppers,Tin,andTheirAlloys,(1971)，第119-123頁中。鈍化劑的量和類型將部分取決于需要的平面化標準(如，切割速率、表面光潔度、和平面性)?？捎糜阪u的鈍化劑或蝕刻抑制劑包括4-乙基-2-噁唑啉-4-甲醇、2,3，5-三甲基吡嗪、2-乙基-3,5-二甲基吡嗪、喹喔啉、噠嗪、吡嗪、谷胱甘肽(還原的)、噻吩、巰基吡啶N-氧化物、硫胺素鹽酸鹽、四乙基秋蘭姆二硫化物。所述工作液體也可包含其它添加劑，諸如表面活性劑、潤濕劑、緩沖劑、潤滑劑、皂等。這些添加劑的選擇是提供所需的有益效果，而不破壞下面的半導體晶片表面。例如，固結研磨工藝中，潤滑劑可包含在工作液體中以減小平面化過程中研磨制品與半導體表面之間的摩擦。無機粒子也可包含在工作液體中。這些無機粒子可有助于切割速率。這些無機粒子的例子包括氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、碳酸鈣、氧化鉻、二氧化鈰、鈰鹽(如，硝酸鈰)、石榴石、硅酸鹽、以及二氧化鈦。這些無機粒子的平均粒度應當小于約1,000埃，優(yōu)選小于約500埃，更優(yōu)選小于約250埃。盡管可將粒子加入工作液體中，但目前優(yōu)選的工作液體基本上不含無機粒子，如未與研磨制品相連的松散磨料粒子。優(yōu)選的是，工作液體包含按重量計小于1%，優(yōu)選按重量計小于0.1%，并且在一些實施例中更優(yōu)選按重量計0%的無機粒子。在一些實施例中，本發(fā)明提供一種化學機械拋光體系，所述體系包含固結的研磨片和可用于修飾晶片表面的拋光組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子；其中當絡合劑是簡單單管能酸或簡單雙官能酸或其鹽時，液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3:1;并且其中所述混合物基本上不含磨料粒子。在一些方面，此體系以有或無使用說明的套盒或多組分體系形式提供，并且它可提供成使得氧化劑保持與金屬離子和固結研磨片分離直至使用日或使用時，或直至拋光操作需要所述組合物。接觸溶液的金屬表面的性質與溶液的pH以及金屬的電化學勢有關。例如，當pH大于約4時，鎢趨于被腐蝕。當pH小于4時，形成自鈍化的鎢氧化物涂層。因此，拋光溶液的pH可以是很重要的。對于鎢拋光，優(yōu)選的是具有約0.5至7，更優(yōu)選至少約1，或至少約1.5的pH。在其它實施例中，優(yōu)選的pH低于約5，低于約3，或者甚至更低。被修飾表面如金屬或金屬氧化物的性質也可對研磨片的作用具有顯著影響。因此，CMP拋光體系，即拋光片和拋光溶液，必須一起優(yōu)化以獲得最期望的結果。如果使用固結的研磨片，研磨粒子的選擇可取決于拋光溶液的性質，例如溶液的pH。一般來講，對于固結的磨料拋光片，期望的是在水溶液中穩(wěn)定，即，由防止被水溶脹的或疏水的聚合物構成，并且對拋光溶液是穩(wěn)定的，以使片的壽命最大。工作液體的量優(yōu)選足以有助于從表面上移除金屬或金屬氧化物沉淀。在許多實施例中，有足夠的液體來自基本工作液體和/或化學蝕刻劑。在其它實施例中，優(yōu)選的是除了第一工作液體之外，還具有存在于平面化界面處的第二液體。這種第二液體也可包含第一液體中所使用的組分，并且它可完全不同。據(jù)信可商購獲得的鎢漿液(除去磨料粒子的)可用作使用固結磨料拋光片的鎢CMP的基本上不含研磨劑的拋光溶液。這種漿液的例子包括MicroplanarCMP3550、CMP3510、CMP3100、CMP3010禾口CMP3005,得自EKCtechnology,DuPontElectronicTechnologies;Semi-SperseW2000禾口W2585,得自CabotMicroelectronicsCorp.;和MSW1500系列漿液和MSW2000系列漿液，得自RohmandHaasElectronicMaterials。這些漿液可獲得或可變成具有少量磨料粒子或無磨料粒子?；蛘撸山柚魏我阎姆椒◤纳虡I(yè)槳液中除去磨料粒子。一個這種方法是過濾漿液，諸如使用以下實例中所述的方法。在另一個實施例中，這種漿液液體基液可通過加入選擇的上述工作流體組分來修飾或強化。一般來講，優(yōu)選的是拋光溶液以合理的速度氧化鎢。盡管用于固結研磨(FA)鴇CMP的優(yōu)選方法是具有基本上不含研磨劑的拋光溶液，但據(jù)信可將少量的適當研磨劑加入無研磨劑的拋光流體中，或當除去大量研磨劑后留在液體中，同時獲得可用的結果。在其它CMP體系中，使用FA方法提供了低凹陷和低腐蝕。兩個結果都已證實使用了FA鎢CMP?？色@得最多5,000A/min的鎢移除速率，這取決于工藝條件(參見以下的實例得到更多指導)。在可接受的晶片通過量所需的那些范圍內移除速率是滿意的。另外，當既包含氧化硅又包含氮化硅區(qū)域的有圖案STI晶片在相同拋光條件下使用FA片和示例工作流體一起拋光時，氧化硅和氮化硅移除速率均為約2A/min，得到非常高的鉤/氧化硅和鉤/氮化硅比率。盡管在此實驗中Ti和TiN速度未特別測量，但FA方法迅速除去Ti/TiN層，如鎢厚度和總拋光時間所測定的。本發(fā)明可用于涉及固結研磨制品的半導體晶片平面化。下面的實例進一步說明了本發(fā)明的目標和優(yōu)點，但是這些實例中所提到的具體材料和數(shù)量，以及其它條件和細節(jié)，均不應被解釋為對本發(fā)明的不當限制。實例過氧化氫，描述成在水中按重量計30%，CMOS,穩(wěn)定的，和檸檬酸鐵銨(綠色)獲自J.T.Baker(MallinckrodtBaker，Inc.PhillipsburgNJ的一個分支)，并且在未另外指明的情況下，材料可得自化學品供應庫，諸女口Sigma-Aldrich，Inc.,St.Louis,MO。材料固結研磨劑可使用銅(Cu)CMP固結磨盤，以商品名M6100(MWR66)和MWR131得自3MCompany(St.Paul,MN)。兩種固結研磨劑都具有"T63"幾何形狀，三維固結研磨劑，所述研磨劑具有三側具有約63高度的錐體，并且每側盡管不相同，具有約125ym的長度，并且包含氧化鋁研磨劑。固結的研磨薄片使用壓敏粘結劑(以商品名9671得自3M)層合到20/90子片(在聚碳酸酯薄片上的泡沫薄片，可得自3MCompany)上。晶片八英寸(200mm)直徑的一般鎢晶片獲自RamcoTechnology,Inc.(LosAltos,CA)。所述晶片為用以下各層按順序涂敷在硅表面的單晶硅約500nm(5，OOOA)的四乙基正硅酸鹽(TEOS)，約15nm(150A)的鈦，約10nm(100A)的氮化鈦，和約800nm(8,000A)的cvd鉤。類似構造的其它晶片獲自CypressSemiconductorCorp.(SanJose,CA)。具有MIT854型模無虛設結構的八英寸直徑(200mm)的鴿有圖案晶片得自RamcoTechnology。所述有圖案晶片具有以下晶片層400nm(4，000A)的PETEOS，約15nm(150A)的鈦，約10nm(100A)的氮化鈦，和約600nm(6,000A)的CVD鎢。拋光溶液一些去離子(DI)水與其它成分(如每個實例中所指定的)混合，用特氟隆涂敷的磁力攪拌棒攪拌溶液直至觀察到完全溶解。測試工序移除速率測定移除速率通過測定被拋光層從初始厚度到最終厚度的厚度變化來計算。對于八英寸直徑的晶片，厚度測量采用ResMap168-4點探針Rs繪圖工具(CredenceDesignEngineering,Inc.,Cupertino,CA)。采用排除5mm邊緣的八十一點直徑掃描。晶片不均勻性測定晶片不均勻性百分比的測定是通過計算在晶片表面各點處被拋光層厚度變化的標準偏差(如從移除速率測定得到的)，所述標準偏差除以被拋光層厚度變化的平均值，然后所得值乘以100，這樣結果以百分比記錄。過氧化氫濃度測定過氧化氫濃度的測定是使用過氧化物試條(EMQuant過氧化物試條，由EMScience,EMIndustries,Inc.,Gibbstown,NJ的一個分支制造)。使用試條容器上描述的一般測試程序。當可適用時，工作液體用DI水稀釋到試條可檢測的適當濃度范圍。然后考慮稀釋因子來測定樣品中存在的過氧化氫量。一般拋光工序晶片使用MIRRA3400化學-機械拋光體系(AppliedMaterials,Inc.,SantaClara,CA)或EbaraModelEP0112CMP工具(EbaraTechnologies,Inc.,Sacramento,CA)進行拋光。對于Mirra拋光，用一層上述PSA將直徑20英寸(50.8cm)的拋光片層合到拋光工具的臺板上。所述片用去離子(DI)水高壓沖洗10秒，然后以lOlrpm的臺板速度，99rpm的載體速度，120mL/min拋光溶液流速用拋光晶片適應3-8分鐘。在此拋光過程中，施加到TITAN載體內管、固結環(huán)和膜上的壓力分別為31.0千帕(kPa)(4.5psi)、34.5kPa(5.0psi)、31.0kPa(4.5psi)。用包含建議過氧化氫含量的CPS-ll拋光溶液(可得自3MCompany)和八英寸直徑的Cu盤或一般鎢晶片和任何一種記錄的鎢拋光溶液進行片初試。片初試后，每個晶片以150mL/min的溶液流速進行拋光60秒。除非在具體的實例中指出，鎢晶片拋光的工藝條件如下膜壓力27.6kPa(4.0psi)，固結環(huán)壓力34.5kPa(5.0psi)，內管壓力41.4kPa(6.0psi)，臺板速度79rpm，載體速度101rpm，使用具有MWR66拋光片的開槽固結環(huán)和處于鎖定位置的拋光溶液遞送臂。比較實例CE-1至CE-6和實例1至6均在Mirra3400拋光。對于EP0112拋光，用一層上述PSA將直徑22.5"的MWR66拋光片層合到拋光工具的臺板上。所述片用去離子(DI)水沖洗10秒。通過以79rpm的臺板速度，101rpm的載體速度，41.4kPa(6.0psi)的頂環(huán)壓力，27.6kPa(4.0psi)的背側壓力和150mL/min的拋光溶液流速拋光8個鴿一般晶片(每個1分鐘)，進行片初試。初試的拋光溶液包含95.854%DI水，4.066%過氧化氫和0.080%擰檬酸鐵銨(綠色)。片初試后，所有鎢晶片拋光實例的工藝條件如下頂環(huán)壓力27.6kPa(4.0psi)，背側壓力17.3kPa(2.0psi)，臺板速度79rpm，載體速度101rpm，使用195mL/min的溶液流速。一般晶片的拋光時間為1分鐘，而有圖案晶片為2分鐘。比較實施例CE-7至CE-ll和實施例7至10使用此方法拋光。關鍵的拋光溶液參數(shù)和鎢一般晶片拋光結果總結在表1中，包括拋光溶液金屬離子濃度，拋光溶液中絡合劑摩爾數(shù)與金屬離子摩爾數(shù)之比(Mc/Mm),過氧化氫濃度，鎢晶片移除速度和晶片不均勻度。實例1拋光溶液856.5gDI水，7.9g檸檬酸鐵銨(綠色)，135.7g30%(wt.)過氧化氫。pH為4.5。對于包含檸檬酸鐵銨(綠色)的樣品，存在的金屬離子的摩爾數(shù)根據(jù)化合物中鐵的重量分數(shù)為0.15計算。對于下表，存在的絡合劑的摩爾數(shù)根據(jù)存在的檸檬酸根離子的重量分數(shù)為0.85的假設計算。從而，它表示存在的有機絡合劑的最大可能量。該值可能稍低，這取決于化合物中銨離子的量。實例2拋光溶液859.5gDI水，5.0g由6.66g檸檬酸鐵銨(綠色)和993.34gDI水組成的溶液，135.5g30。/。(wt.)過氧化氫。實例3拋光溶液1，863.7gDI水，30X(wt.)過氧化氫。pH為4.8。實例4拋光溶液1,592.7gDI水，30。/。(wt.)過氧化氫。pH為4.9。0.80g檸檬酸鐵銨(綠色)，135.5g0.80g檸檬酸鐵銨(綠色)，406.5g實例5拋光溶液1，626.8gDI水，2.23g2-二羥基異丁酸，100g由1，997.6gDI水和2.38g硫酸亞鐵水合物組成的溶液，271g30%(wt.)過氧化氫。pH為2.82。實例6拋光溶液3，452.9gDI水，0.52g硝酸鐵(III)九水合物，4.46g2-羥基異丁酸，542g30。/。(wt.)過氧化氫。pH為2.67。比較實例CE-1拋光溶液25g檸檬酸，2，000g30。/。(wt.)過氧化氫。拋光片MWR131。工藝條件膜壓力31.0kPa(4.5psi)，固結環(huán)壓力62.1kPa(9.0psi)，內管壓力62.1kPa(9.0psi)，臺板速度101rpm，載體速度99rpm。工藝構造有槽的固結環(huán)，處于片中心的拋光溶液遞送臂(溶液被遞送至片上，大約離片中心1.25-2.5cm(0.5-1.0英寸))。此實例顯示當不存在本發(fā)明的其它組分時，要獲得可接受的移除速率必需高含量的過氧化氫。比較實例CE-2拋光溶液2，850gDI水，150g硝酸鐵(III)九水合物。pH為1.55。比較實例CE-3拋光溶液1863.5gDI水，1.45g硝酸鐵(III)九水合物，135g30。/。(wt.)過氧化氫。pH為2.71。然而，過氧化氫的迅速分解阻礙了鎢晶片拋光。比較實例CE-4拋光溶液3，500gDI水，538.5g30。/。(wt.)過氧化氫。比較實例CE-5拋光溶液922.5gDI水，7.9g檸檬酸鐵銨(綠色)。pH為4.6。比較實例CE-6拋光溶液856gDI水，3.74g無水乙酸鐵(II)(CAS#3094-87-9，得自AlfaAesar,Karlsruhe,Germany),135.5g30。/c)(wt)過氧化氫。pH為3.49。然而，過氧化氫的迅速分解阻礙了鎢晶片拋光。比較實例CE-7拋光溶液1730.3gDI水，271g30。/。(wt.)過氧化氫，pH為5.46。比較實例CE-8拋光溶液1719.8gDI水，9.25g2-羥基異丁酸，271g30%(wt.)過氧化氫。pH為2.59。比較實例CE-9拋光溶液1990.4gDI水，0.40g硝酸鐵(III)九水合物，9.25g2-羥基異丁酸。pH為2.55。實例7拋光溶液6,916g溶液，包含13，754.8gDI水，3.2g硝酸鐵(III)九水合物和74.0g2-羥基異丁酸。然后將l,084g30。/。(wt.)過氧化氫加入6,916g包含金屬離子的溶液中。pH為2.47。比較實例CE-10拋光溶液1726.4gDI水，1.45g硝酸鐵(III)九水合物，0.42g甲基丙二酸，271g30。/。(wt.)過氧化氫。溶液pH為2.40。過氧化氫分解過快以至于不允許鉤晶片拋光。一天后，溶液的過氧化氫濃度為0mg/L，如過氧化物試條所顯示。比較實例CE-ll拋光溶液1726.8gDI水，1.45g硝酸鐵(III)九水合物，0.80g甲基丙二酸，271g30。/。(wt.)過氧化氫。溶液pH為2.29。兩天后，溶液的過氧化氫濃度為2mg/L，如過氧化物試條所顯示。實例8拋光溶液1726.0gDI水，1.45g硝酸鐵(III)九水合物，1.60g甲基丙二酸，271g30。/。(wt.)過氧化氫。溶液pH為2.20。兩天后，溶液的過氧化氫濃度為約30g/L(大約3%)，如過氧化物試條所顯示。實例9拋光溶液3452.7gDI水，0.80g硝酸鐵(III)九水合物，4.46g2-甲基丙二酸，542g30。/。(wt.)過氧化氫。溶液pH為2.57。拋光一般鎢晶片、有圖案的鎢晶片和STI有圖案晶片。一般晶片的移除速率示于表1中。兩分鐘拋光后，有圖案的晶片很清楚，包括Ti和TiN層。凹陷和腐蝕良好。90%密集陣列(9um線/lum空間)、100um(分離線)和lOum線(陣列)分別產生569人、476人和369人的總顯示消退(TIR)值。有圖案的STI晶片拋光兩分鐘。氧化物損耗為2人/分鐘，而氮化物損耗也為2人/分鐘。從而，對鎢有很高的選擇性。實例10拋光溶液與實例33相同的組合物。拋光前使溶液陳化4天。溶液pH為2.52。拋光一般鎢晶片和有圖案的鎢晶片。一般晶片的移除速率示于表1中。兩分鐘拋光后，有圖案的晶片很清楚，包括Ti和TiN層。凹陷和腐蝕良好。90%密集陣列(9ym線/1um空間)、100um(分離線)禾卩10um線(陣列)分別產生550人、476人和341A的TIR。與實例33的結果對比，所述拋光溶液顯示在加入過氧化氫后具有極好的貯存期，無明顯的氣泡形成說明只觀察到很少的過氧化氫分解。比較實例CE-12拋光溶液1728.9gDI水，0.14g硝酸鐵(ni)九水合物，346g30。/"wt.)過氧化氫。過氧化氫的分解阻礙了鉤晶片拋光。表1:拋光溶液參數(shù)和鎢移除結果<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>從上述具體實施方式中顯而易見的是，不脫離本發(fā)明可進行各種修改。因此，本發(fā)明的范圍將僅受所附權利要求的限制。所有出版物和專利均以引用方式并入本文，其相同程度好象每個單獨的出版物或專利都被具體和單獨地以引用方式并入。權利要求1.一種可用于修飾晶片表面的固結研磨化學機械拋光組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子；其中當大部分所述絡合劑選自簡單單官能酸、簡單雙官能酸、其鹽或其組合時，所述組合物中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3∶1；并且其中所述混合物基本上不含磨料粒子。2.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中當大部分所述絡合劑為簡單單官能酸、簡單雙官能酸、其鹽、或其組合時，所述液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少4:1。3.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中所述混合物基本上不含鈍化劑。4.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中所述絡合劑是多齒的。5.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中所述金屬離子為選自如下金屬的離子Cu、Fe、Ag、Au、Ta、Ti、Ce、Mn、Mg、Sn、Mo、Sb以及它們的組合。6.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中所述金屬離子為Fe和/或Mn的離子。7.根據(jù)權利要求1所述的拋光組合物，其中所述絡合劑選自檸檬酸、2-羥基異丁酸、乳酸、草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、戊二酸、和己二酸、它們相應的鹽、以及它們的混合物。8.如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述氧化劑為至少一種過化合物。9.如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述氧化劑為過氧化氫。10.—種化學機械拋光體系，其包含固結研磨片和可用于修飾晶片表面的拋光組合物，所述組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子；其中當大部分所述絡合劑為簡單單官能酸、簡單雙官能酸、其鹽、或其組合時，所述液體中存在的絡合劑與金屬離子的摩爾比為至少3:1;并且其中所述混合物基本上不含磨料粒子。11.根據(jù)權利要求10所述的拋光體系，其中所述固結研磨片包含固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物，其中所述研磨復合物包含多個固結分散在粘結劑中的磨料粒子。12.根據(jù)權利要求10所述的體系，其中所述氧化劑保持與所述金屬離子和所述固結的研磨片分離直至使用時。13.—種修飾適于半導體器件制造的半導體晶片表面的方法，其包括a)提供包括至少一種具有蝕刻形成圖案的表面的第一材料和在所述第一材料的表面上鋪展的第二材料的晶片；b)在根據(jù)權利要求1所述的工作液體的存在下，使所述晶片的第二材料與固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物接觸，其中所述研磨復合物包含多個固結分散在粘結劑中的磨料粒子；和c)在所述第二材料與所述多個研磨復合物接觸的同時，相對移動所述晶片，直至所述晶片的暴露表面基本上成平的，并且包括至少一個暴露的第一材料區(qū)域和一個暴露的第二材料區(qū)域。14.一種修飾適于半導體器件制造的晶片表面的方法，其包括a)提供包括至少一種具有圖案化表面的介電材料的晶片，所述介電材料基本上被至少一個中間層覆蓋，并且所述中間層基本上被至少一種導電材料覆蓋；b)在根據(jù)權利要求1所述的工作液體的存在下，使所述晶片的所述導電材料與固結在研磨制品上的多個三維研磨復合物接觸，其中所述多個研磨復合物包含多個固結和分散在粘結劑中的磨料粒子；和。在所述導電材料與所述多個研磨復合物接觸的同時，相對移動所述晶片，直至所述晶片的暴露表面包括至少一個暴露的導電材料區(qū)域、至少一個暴露的中間層區(qū)域和/或至少一個暴露的介電材料區(qū)域。15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述中間材料為粘著/阻擋層。16.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述導電材料或所述第二材料包含鎢。17.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述磨料粒子為二氧化硅粒子或金屬氧化物，所述金屬氧化物可選地選自氧化鋁粒子、二氧化鈰粒子、以及它們的組合。18.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述研磨制品被連接到子片上和/或由子片支承，可選地其中所述子片是層壓體，并且可選地其中所述層壓體包含聚碳酸酯片和/或聚氨酯泡沫。19.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中(c)部分的所述暴露的晶片表面具有小于4,000埃的Rt值，可選地其中(c)部分的所述暴露表面具有小于1,000埃的Rt值。20.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述研磨復合物還包含至少一種添加劑，可選地其中所述添加劑選自研磨料粒子子表面修飾添加劑、鈍化劑、偶聯(lián)劑、填料、膨脹劑、纖維、抗靜電劑、引發(fā)劑、懸浮劑、潤滑劑、潤濕劑、表面活性劑、顏料、染料、UV穩(wěn)定劑、絡合劑、鏈轉移劑、促進劑、催化劑、活化劑、以及它們的組合。21.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述晶片還包含基本上覆蓋所述介電材料的阻擋層。22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述晶片還包含第二阻擋層。全文摘要本發(fā)明提供幾種拋光組合物，該組合物可用于修飾表面，諸如適于半導體器件制造的半導體晶片，尤其是當用于固結研磨平面化技術中時。所述拋光組合物包含水的增效混合物、氧化劑、絡合劑、和金屬離子。還提供了幾種表面平面化的方法。文檔編號C09K3/14GK101297015SQ200680039800公開日2008年10月29日申請日期2006年10月20日優(yōu)先權日2005年10月24日發(fā)明者杰弗里·S·科洛奇申請人:3M創(chuàng)新有限公司