專利名稱：用于給基片進(jìn)行表面處理的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于給基片進(jìn)行表面處理的裝置，該裝置具有至 少一個(gè)用于運(yùn)輸尤其由硅材料制成的基片的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)和至少一個(gè)設(shè)置 用于以液態(tài)的、氣態(tài)的或噴霧狀的處理介質(zhì)在由運(yùn)輸機(jī)構(gòu)確定的運(yùn)輸 平面中濕潤(rùn)基片表面的輸送機(jī)構(gòu)。本發(fā)明同樣涉及一種用于以處理介 質(zhì)濕潤(rùn)尤其由硅材料制成的基片的基片表面的方法。
背景技術(shù)：
由DE 102 25 848 Al公開了 一種用于除去面狀的基片的上側(cè)的涂 層的裝置和方法。在此，用噴嘴將溶劑從上面傾斜地噴到基片上。基 片位于輸送波(Transportwelle )上并且由該輸送波進(jìn)行輸送。基片至 少以 一 個(gè)側(cè)面的端部伸出輸送波，使得從基片流出的包含溶解的涂層 成分的溶劑通過(guò)基片的突出部分從運(yùn)輸機(jī)構(gòu)旁邊流過(guò)。由此應(yīng)該阻止 弄臟運(yùn)輸機(jī)構(gòu)。用溶劑進(jìn)行的涂層剝蝕用于在蝕刻過(guò)程前除去光敏的 涂層，從而確保只有基片的膝光的并且顯影的表面區(qū)域設(shè)有對(duì)蝕刻過(guò) 程起作用的保護(hù)層。因此已經(jīng)通過(guò)對(duì)光敏涂層的曝光和顯影進(jìn)行了涂 層的結(jié)構(gòu)化。在用于表面處理的其它過(guò)程中，尤其在用于涂層剝蝕的過(guò)程中可 以以處理介質(zhì)濕潤(rùn)基片的各個(gè)表面，其中涂層剝蝕在基片例如硅片或 者硅板上進(jìn)行，該硅片或者硅板被稱作晶片并且尤其用于半導(dǎo)體元件 和太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)。應(yīng)該如此進(jìn)行濕潤(rùn)，使得不具有上述那種保護(hù) 層或者具有其它涂層的其余基片表面不被施加的處理介質(zhì)作用，從而 只在以處理介質(zhì)濕潤(rùn)的基片表面上發(fā)生涂層剝蝕。這一點(diǎn)用已知的裝 置不能得到保證。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的任務(wù)是提供一種實(shí)現(xiàn)基片的選擇性的表面處理的裝置和 方法。該任務(wù)根據(jù)本發(fā)明的第一方面通過(guò)具有權(quán)利要求1所述特征的裝 置得到解決，在該裝置中構(gòu)造用于將處理介質(zhì)施加到布置在運(yùn)輸平面 內(nèi)的面朝下的基片表面上的輸送機(jī)構(gòu)，并且設(shè)置至少一個(gè)用于從輸送機(jī)構(gòu)周圍抽吸氣態(tài)和/或霧狀分布的處理介質(zhì)的抽吸機(jī)構(gòu)，其中沿垂直 方向在運(yùn)輸平面下方布置所述至少一個(gè)抽吸機(jī)構(gòu)。本發(fā)明的有利的以 及優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案是其它權(quán)利要求的主題并且在下面進(jìn)行詳細(xì)解釋。 該裝置和方法部分共同解釋，其中這些解釋以及相應(yīng)的特征仍就獨(dú)立 地適用于該裝置和方法。通過(guò)明確的引用說(shuō)明書的內(nèi)容來(lái)表述權(quán)利要 求。面朝下的基片表面基本上是平坦的并且如此進(jìn)行定向，即基片表 面的表面法線至少基本上豎直地沿垂直方向延伸。面朝下的基片表面 布置在運(yùn)輸平面內(nèi)，并且是有待用處理介質(zhì)濕潤(rùn)的表面。其它面朝下 的不在運(yùn)輸平面內(nèi)的基片表面應(yīng)該與此相反不用處理介質(zhì)濕潤(rùn)。運(yùn)輸平面是有待運(yùn)輸?shù)幕佑|運(yùn)輸機(jī)構(gòu)的平面，并且基本上水 平定向或者與水平方向呈銳角。根據(jù)運(yùn)輸機(jī)構(gòu)的布置可以將運(yùn)輸平面 構(gòu)造成彎曲的運(yùn)輸表面，其中至少基本上水平地定向運(yùn)輸表面段。用于以處理介質(zhì)濕潤(rùn)面朝下的基片表面而設(shè)置在運(yùn)輸平面內(nèi)的輸送裝置例如可以構(gòu)造成焊接波(Liitwelle )類型的液體波。也就是說(shuō)， 通過(guò)細(xì)長(zhǎng)的弧形輪廓的棱邊抽吸液態(tài)的處理介質(zhì)，從而產(chǎn)生向上突起 的液體波，該液體波在波峰點(diǎn)中接觸運(yùn)輸平面。也可以考慮將輸送裝置構(gòu)造成噴霧裝置，該噴霧裝置可以發(fā)出基 本上沿垂直方向指向上的噴束。根據(jù)基片的輪廓也可以用噴霧裝置實(shí) 現(xiàn)面朝下的基片表面的選擇性的濕潤(rùn)。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中將處理介質(zhì)直接機(jī)械接觸地施 加在例如構(gòu)造成輥?zhàn)踊蛘咻斔蛶У妮斔脱b置和面朝下的基片表面之 間。為此目的，該輸送裝置具有適合于濕潤(rùn)基片表面的表面結(jié)構(gòu)，并 且必要時(shí)由計(jì)量裝置供給處理介質(zhì)。該輸送裝置可以構(gòu)造成被驅(qū)動(dòng)的 或者可運(yùn)動(dòng)的。以此，可以實(shí)現(xiàn)輸送裝置的外表面在基片表面上用于 傳遞處理介質(zhì)的滾軋過(guò)程，優(yōu)選地沿輸送方向運(yùn)動(dòng)的基片和輸送裝置 的接觸運(yùn)輸平面的外表面具有相同的表面速度。不依賴于基片的面朝下的表面的濕潤(rùn)的類型，在輸送裝置的區(qū)域 內(nèi)會(huì)出現(xiàn)汽化的和/或霧化的處理介質(zhì)，該處理介質(zhì)會(huì)以不希望的方式 沉積在基片的其它非面朝下的表面上。為了阻止這些可能不受保護(hù)的 表面由處理介質(zhì)引起的損壞，設(shè)置抽吸機(jī)構(gòu)，該抽吸機(jī)構(gòu)從輸送裝置 周圍抽吸蒸汽狀的和/或霧狀的處理介質(zhì)并且以此阻止沉積在其它基片表面上。所述至少一個(gè)抽吸機(jī)構(gòu)布置在運(yùn)輸平面下方，從而可以引起 基本上垂直指向下的空氣流并且以此阻止汽化的和/或霧化的處理介質(zhì) 向上上升到運(yùn)輸平面上方。典型的處理介質(zhì)如氫氟酸、鹽酸、硝酸或 鉀堿液的水溶液形成氣體或者霧，該氣體或者霧比空氣重并且可以通 過(guò)運(yùn)輸機(jī)構(gòu)和基片之間發(fā)生的相對(duì)運(yùn)動(dòng)首先上升到運(yùn)輸平面上方。運(yùn)輸平面基本上水平定向或者與水平方向呈銳角。根據(jù)運(yùn)輸機(jī)構(gòu) 的布置，運(yùn)輸平面可以是彎曲的運(yùn)輸表面，其中優(yōu)選基本上水平定向 運(yùn)輸表面段。抽吸機(jī)構(gòu)基于低壓的使用，相對(duì)于輸送裝置周圍的正常 壓力優(yōu)選地如此選擇該低壓，即可以形成至少幾乎無(wú)渦旋的、尤其層 狀的沿垂直方向向下的空氣流。在本發(fā)明的設(shè)計(jì)方案中，將所述至少一個(gè)抽吸機(jī)構(gòu)布置在中間空 間中，該中間空間由至少兩個(gè)相鄰布置的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)和運(yùn)輸平面限界。 以此可以實(shí)現(xiàn)用于給基片進(jìn)行表面處理的裝置的緊湊的構(gòu)造。運(yùn)輸機(jī) 構(gòu)之間的中間空間實(shí)現(xiàn)了通過(guò)抽吸機(jī)構(gòu)吸取的并且基本上沿垂直方向 流下來(lái)的空氣的有利的流動(dòng)。通過(guò)在運(yùn)輸機(jī)構(gòu)之間安置抽吸機(jī)構(gòu)也可 以將多余的處理介質(zhì)直接在出現(xiàn)的地方可靠地抽出并且以此遠(yuǎn)離運(yùn)輸 平面上方的區(qū)域，多余的處理介質(zhì)通過(guò)已經(jīng)用處理介質(zhì)濕潤(rùn)的基片表 面和運(yùn)輸機(jī)構(gòu)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)、尤其是滾軋運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成氣態(tài)的和/或霧 化的狀態(tài)。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，將抽吸機(jī)構(gòu)構(gòu)造成縱向延伸的空 心體，尤其構(gòu)造成管，并且該抽吸機(jī)構(gòu)具有至少一個(gè)抽吸口。以此可 以實(shí)現(xiàn)抽吸機(jī)構(gòu)的簡(jiǎn)單并且廉價(jià)的構(gòu)造。該抽吸機(jī)構(gòu)尤其可以構(gòu)造成 封閉的或者開槽的管橫截面，其中在封閉的管橫截面中設(shè)置一個(gè)或者 多個(gè)抽吸口。在開槽的空心體中，沿縱向中軸線延伸的槽形成了抽吸 口。作為空心體，尤其考慮塑料管或金屬管，這種塑料管或金屬管例 如無(wú)縫地制造并且事后設(shè)置抽吸口 。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，抽吸機(jī)構(gòu)布置在以處理介質(zhì)填充 的處理池的區(qū)域內(nèi)。以此可以實(shí)現(xiàn)該抽吸才凡構(gòu)也可以獲取氣態(tài)的和/或 霧化的處理介質(zhì)，該處理介質(zhì)可以位于用作處理介質(zhì)儲(chǔ)存容器的處理 池上方。以此可以阻止從處理池中出來(lái)的氣態(tài)的和/或霧化的處理介質(zhì) 上升到運(yùn)輸平面上方，從而避免處理介質(zhì)沉積在基片的面朝上的表面 上。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，將抽吸機(jī)構(gòu)布置在處理池中，即 該抽吸機(jī)構(gòu)在尤其沒有構(gòu)造抽吸口的下側(cè)上可以至少部分地由處理介 質(zhì)進(jìn)行濕潤(rùn)。以此可以實(shí)現(xiàn)用于表面處理的裝置的特別緊湊的構(gòu)造。 容納在處理池中的處理介質(zhì)通過(guò)輸送裝置輸向有待濕潤(rùn)的基片表面。 為了能夠確保處理介質(zhì)的有利于裝置的緊湊構(gòu)造的短的輸送路程，如 此布置用于處理介質(zhì)的處理池，即處理介質(zhì)的液面只是略微位于運(yùn)輸 平面下方。抽吸機(jī)構(gòu)應(yīng)該具有足夠的空心橫截面，該空心橫截面確保 以微小的到中等的流速進(jìn)行抽吸用于維持在運(yùn)輸平面上方的區(qū)域內(nèi)渦 旋少的流動(dòng)。因此，優(yōu)選構(gòu)造成縱向延伸的空心體的抽吸機(jī)構(gòu)布置在 處理池和運(yùn)輸平面之間，使得該抽吸機(jī)構(gòu)至少部分地浸入處理介質(zhì)中 并且以此不阻礙處理介質(zhì)的所希望的短的路程。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，至少部分布置在處理池邊緣上的 用于在邊緣側(cè)抽吸氣態(tài)和/或霧狀分布的處理介質(zhì)的抽吸井配屬于處理 池。以此，可以阻止在處理池邊緣上的氣態(tài)或霧狀分布的處理介質(zhì)上 升到運(yùn)輸平面上方并且損壞面朝上的基片表面。該抽吸井可以作為具 有至少一個(gè)抽吸口的至少部分環(huán)繞的細(xì)長(zhǎng)的空心體安置在處理池的邊 緣側(cè)上。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，通過(guò)至少部分包圍處理 池的槽或處理室形成邊緣側(cè)的抽吸井，該槽或處理室限界槽狀的至少 基本上環(huán)繞的開口 ，通過(guò)該開口可以沿垂直方向向下進(jìn)4亍抽吸。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，將抽吸機(jī)構(gòu)的至少一個(gè)抽吸口布 置在抽吸機(jī)構(gòu)的縱向中軸線上方的區(qū)域內(nèi)。以此確保由抽吸機(jī)構(gòu)吸取 的周圍空氣基本上渦旋少地尤其層狀地流入。通過(guò)布置在抽吸機(jī)構(gòu)的 縱向中軸線上方的抽吸口 ，不必以不希望的方式將基本上沿垂直方向 吸取的空氣在抽吸機(jī)構(gòu)的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行轉(zhuǎn)向，并且以此也只是引起微小 的或者不引起渦旋，該渦旋會(huì)導(dǎo)致氣態(tài)的或霧化的處理介質(zhì)不希望地 沉積在非有待濕潤(rùn)的基片表面上。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，將抽吸機(jī)構(gòu)與抽吸管道連接，其 中在抽吸機(jī)構(gòu)和抽吸管道之間設(shè)置至少一個(gè)調(diào)節(jié)閥。通過(guò)抽吸機(jī)構(gòu)與 抽吸管道的連接可以實(shí)現(xiàn)由周圍空氣和氣態(tài)的和/或霧化的處理介質(zhì)組 成的被抽吸的混合物被中心地抽吸以及必要時(shí)需要的中心地供給。抽 吸管道例如可以i殳有用于產(chǎn)生4氐壓的中心的泵裝置，從而可以實(shí)現(xiàn)中 心地觸發(fā)，也就是說(shuō)激活和解除激活以及調(diào)節(jié)所有抽吸機(jī)構(gòu)的吸取體積流量。為了實(shí)現(xiàn)個(gè)別地調(diào)整由各個(gè)抽吸機(jī)構(gòu)通過(guò)抽吸口吸取的吸取 體積流量，至少在抽吸機(jī)構(gòu)和抽吸管道之間設(shè)置調(diào)節(jié)閥，該調(diào)節(jié)閥尤 其可以構(gòu)造成可調(diào)節(jié)的節(jié)流閥并且允許人工地或自動(dòng)地調(diào)節(jié)該抽吸機(jī) 構(gòu)的吸取體積流量。在本發(fā)明的另一種設(shè)計(jì)方案中，將抽吸機(jī)構(gòu)布置在兩個(gè)構(gòu)造成運(yùn) 輸輥?zhàn)拥倪\(yùn)輸機(jī)構(gòu)之間，其中抽吸機(jī)構(gòu)的縱向中軸線平行于運(yùn)輸機(jī)構(gòu) 的旋轉(zhuǎn)軸線布置。這允許該裝置特別緊湊的構(gòu)造，因?yàn)橥ㄟ^(guò)抽吸機(jī)構(gòu) 平行于構(gòu)造成運(yùn)輸輥?zhàn)拥倪\(yùn)輸機(jī)構(gòu)的布置可以實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間的布置。 在此，抽吸機(jī)構(gòu)尤其可以容納在基本上由圓柱形的運(yùn)輸輥?zhàn)雍瓦\(yùn)輸平 面限界的基本上三角形或梯形的中間空間中。通過(guò)運(yùn)輸輥?zhàn)拥膱A柱形 輪廓以及通過(guò)運(yùn)輸輥?zhàn)又g為了運(yùn)輸輥?zhàn)拥南嗤较虻倪\(yùn)動(dòng)所需的間 距獲得該中間空間。該任務(wù)根據(jù)本發(fā)明的第二方面通過(guò)具有權(quán)利要求10所述特征的用于以處理介質(zhì)濕潤(rùn)尤其由硅材料制成的基片的基片表面的方法得到解決，該方法具有以下步驟-用運(yùn)輸機(jī)構(gòu)在運(yùn)輸平面內(nèi)運(yùn)輸基片，-用處理介質(zhì)濕潤(rùn)至少基本上布置在運(yùn)輸平面內(nèi)的指向下的基片 表面，以輸送裝置將該處理介質(zhì)施加在基片表面上，-用沿垂直方向布置在運(yùn)輸平面下方的抽吸機(jī)構(gòu)抽吸汽化的和/或 霧化的處理介質(zhì)，從而阻止處理介質(zhì)沉積在沒有布置在運(yùn)輸平面內(nèi)的 基片表面上。優(yōu)選地沿基本上直線的運(yùn)輸方向在由運(yùn)輸機(jī)構(gòu)確定的運(yùn)輸平面內(nèi) 進(jìn)行基片的運(yùn)輸。為此目的，基片以面朝下的基片表面平放在多個(gè)運(yùn) 輸機(jī)構(gòu)的排列上，該運(yùn)輸機(jī)構(gòu)至少部分地與驅(qū)動(dòng)裝置耦合，由驅(qū)動(dòng)裝 置驅(qū)動(dòng)并且以此可以引起基片的向前運(yùn)動(dòng)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式 中，直接通過(guò)運(yùn)輸機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)面朝下的基片表面的濕潤(rùn)，該運(yùn)輸機(jī)構(gòu)以 此也用作輸送裝置。作為補(bǔ)充方案或者說(shuō)作為替代方案，該濕潤(rùn)也可 以通過(guò)單獨(dú)的輸送裝置實(shí)現(xiàn)，該輸送裝置在兩個(gè)運(yùn)輸機(jī)構(gòu)之間布置在 運(yùn)輸平面下方。通過(guò)抽吸機(jī)構(gòu)引起汽化的和/或霧化的處理介質(zhì)的抽吸， 該抽吸機(jī)構(gòu)沿垂直方向布置在運(yùn)輸平面下方并且引起沿垂直方向向下 的空氣流，從而阻止處理介質(zhì)沉積到?jīng)]有布置在運(yùn)輸平面內(nèi)的基片表 面上。在該方法的設(shè)計(jì)方案中，實(shí)現(xiàn)連續(xù)地運(yùn)輸基片和/或通過(guò)輸送裝置 連續(xù)地供給處理介質(zhì)來(lái)濕潤(rùn)基片表面和/或連續(xù)地抽吸氣態(tài)的或霧化的 處理介質(zhì)。通過(guò)連續(xù)地實(shí)施運(yùn)輸基片和/或供給用于濕潤(rùn)基片表面的處 理介質(zhì)和/或抽吸過(guò)程，可以確保處理介質(zhì)在非有待濕潤(rùn)的基片表面上 只發(fā)生極小的沉積、優(yōu)選消失的沉積、特別優(yōu)選沒有沉積的加工過(guò)程。這些特征和其它特征除了來(lái)自權(quán)利要求還來(lái)自說(shuō)明書和附圖，其以及其它領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)，并且可以是優(yōu)選的并且能夠受到保護(hù)的實(shí)施方 式，這里要求保護(hù)這些實(shí)施方式。將申請(qǐng)文獻(xiàn)分成各個(gè)部分以及中間 標(biāo)題不限制在其下作出的聲明的普遍有效性。


在附圖中示意性示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且在下面對(duì)該實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)解釋。其中圖l是用于對(duì)基片進(jìn)行表面處理的裝置的示意性側(cè)視圖； 圖2是按圖1的裝置的部分剖切的示意性正視圖。
具體實(shí)施方式
在圖l和2中示出的用于給基片2進(jìn)行表面處理的裝置1具有多個(gè) 構(gòu)造成運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)。設(shè)置并且調(diào)整該運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a 用于線性輸送尤其由硅材料制成的基片2。該運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a限定了一 個(gè)運(yùn)輸平面5，該運(yùn)輸平面沿水平方向定向并且與運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a在表 面處相切。該運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a可旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)地支承在裝置1中，并且至 少部分地由沒有示出的驅(qū)動(dòng)裝置以優(yōu)選恒定的可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行 驅(qū)動(dòng)?；?典型地是扁平的平坦的硅板，該硅板具有從大約60mm到 250mm的直徑的圓形輪廓或60mm到250mm邊長(zhǎng)的矩形輪廓?；?優(yōu)選厚度位于O.lmm到2mm的范圍內(nèi)?；?以面朝下的基片表面4 平放在運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a上，并且通過(guò)運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a的相同方向的并 且相同速度的旋轉(zhuǎn)沿輸送方向6運(yùn)動(dòng)。裝置1的任務(wù)例如可以是以濕化學(xué)的方法在使用液態(tài)的處理介質(zhì) 的情況下除去在面朝下的基片表面4上全面涂到基片2上的涂層，而 不損壞涂在基片的其余表面上的涂層。為此目的，基片2以基片表面4平放到運(yùn)輸輥?zhàn)?， 3a上，并且通過(guò)入口 7運(yùn)動(dòng)到在圖中只是示意性示出的、至少幾乎完全封閉的處理 室8中。在處理室8中設(shè)置處理池9，該處理池可以完全以液態(tài)的處理介質(zhì)IO進(jìn)行填充，尤其以氫氟酸(HF(aq,)和/或鹽酸(HCL(aq))和/或硝酸(HN03Uq))和/或鉀堿液(NaOH(aq))的水溶液進(jìn)行填充。 該處理池9與處理室8的底部14間隔開布置，從而在該處理池9和底 部14之間形成抽吸井15，該抽吸井確保處理池9的邊緣區(qū)域上的抽吸。 如在圖2中詳細(xì)示出的，抽吸井15在整個(gè)處理池9下方延伸，并且以 此實(shí)現(xiàn)抽吸氣態(tài)的和/或霧狀的處理介質(zhì)10，該處理介質(zhì)通過(guò)處理池9 的邊緣出去并且不被抽吸機(jī)構(gòu)ll獲取。抽吸井15與側(cè)向安置在裝置1 上的廢氣井16耦合，對(duì)該廢氣井施加低壓。通過(guò)介質(zhì)管道13對(duì)處理 池9供給新鮮的處理介質(zhì)10。為了確保濕潤(rùn)面朝下的基片表面4,運(yùn)輸輥?zhàn)?a承擔(dān)雙重功能， 也就是說(shuō)該運(yùn)輸輥?zhàn)硬恢挥米骰?的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)，而且還用作處理介 質(zhì)10的輸送裝置。為了將處理介質(zhì)IO從處理池9輸送到運(yùn)輸平面5 中，在處理池9中安置運(yùn)輸輥?zhàn)?a,使得運(yùn)輸輥?zhàn)硬糠纸胩幚斫橘|(zhì) 10中。運(yùn)輸輥?zhàn)?a具有可濕潤(rùn)的表面，從而該運(yùn)輸輥?zhàn)涌梢詫⑻幚斫?質(zhì)IO以微小的層厚克服重力向上輸送到運(yùn)輸平面5中，并且可以在滾 軋過(guò)程中，也就是在直接的機(jī)械接觸中將處理介質(zhì)傳遞到基片表面4 上。因?yàn)樘幚斫橘|(zhì)10只是以微小的層厚位于運(yùn)輸輥?zhàn)?a上，所以即 使基片2的厚度微小也確保處理介質(zhì)10不會(huì)到達(dá)面朝上的基片表面 上。為了確保面朝上的基片表面沒有處理介質(zhì)10，設(shè)置抽吸機(jī)構(gòu)11用 于抽吸氣態(tài)的和/或霧狀的處理介質(zhì)，該處理介質(zhì)可能存在于用作輸送 機(jī)構(gòu)的運(yùn)輸輥?zhàn)?a的周圍。處理介質(zhì)IO具有蒸汽壓力，該蒸汽壓力 說(shuō)明了該處理介質(zhì)IO根據(jù)周圍的大氣條件例如環(huán)境溫度和空氣壓力或 多或少地強(qiáng)烈地蒸發(fā)并且與周圍空氣混合。此外，通過(guò)運(yùn)輸輥?zhàn)?a和 處理介質(zhì)10之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)以及通過(guò)輸送機(jī)構(gòu)3a在基片表面4上的 滾軋過(guò)程也會(huì)發(fā)生最小的處理介質(zhì)液滴的剝離，這些處理介質(zhì)液滴作 為細(xì)微分布的霧存在于處理介質(zhì)IO的液面上方。雖然由氣態(tài)的和/或霧 狀的處理介質(zhì)IO與周圍空氣形成的混合物典型地比周圍空氣重。然而 通過(guò)運(yùn)輸機(jī)構(gòu)3a和基片的相對(duì)運(yùn)動(dòng)會(huì)使周圍空氣渦旋，沒有抽吸機(jī) 構(gòu)11該渦旋會(huì)導(dǎo)致氣態(tài)的和/或霧狀的處理介質(zhì)上升到運(yùn)輸平面5上以此，氣態(tài)的和/或霧狀的處理介質(zhì)IO會(huì)沉積在基片2的面朝上的 表面上。因?yàn)檫@是不希望的，所以設(shè)置抽吸機(jī)構(gòu)11，該抽吸機(jī)構(gòu)作為 被施加低壓的管安置在運(yùn)輸輥?zhàn)?a之間并且分別具有多個(gè)抽吸口 12， 通過(guò)這些抽吸口可以在運(yùn)輸平面5下方的區(qū)域內(nèi)抽吸氣態(tài)的和/或霧狀 的處理介質(zhì)10，并且以此不會(huì)超出運(yùn)輸平面5到達(dá)面朝上的基片表面 上。由于該原因，抽吸機(jī)構(gòu)11在垂直的方向上布置在運(yùn)輸平面5下方， 該抽吸才幾構(gòu)引起基本上沿垂直方向流動(dòng)的空氣流，該空氣流優(yōu)選地渦 旋少地形成并且特別優(yōu)選地層狀地形成。抽吸機(jī)構(gòu)11通過(guò)導(dǎo)出管17與抽吸管道18連接，通過(guò)沒有示出的 泵裝置向該抽吸管道施加低壓。為了個(gè)別調(diào)節(jié)抽吸機(jī)構(gòu)11，在導(dǎo)出管 17和抽吸管道18之間設(shè)置調(diào)節(jié)閥19，該調(diào)節(jié)閥構(gòu)造成節(jié)流閥并且影 響由抽吸管道18吸取的體積流量。為了使抽吸機(jī)構(gòu)ll特別緊湊地布置在裝置l中，將管狀構(gòu)造的抽 吸機(jī)構(gòu)11的縱向中軸線21平行于運(yùn)輸輥?zhàn)?a的旋轉(zhuǎn)軸線20定向，并 且將抽吸機(jī)構(gòu)11布置在由運(yùn)輸輥?zhàn)?a和運(yùn)輸表面5以及向下由處理 介質(zhì)10的液面限界的中間空間中。以此，盡管運(yùn)輸輥?zhàn)?的間距微小， 還是實(shí)現(xiàn)了抽吸機(jī)構(gòu)11的大的橫截面。由此，即使在由抽吸機(jī)構(gòu)11 抽吸大的體積流量時(shí)也確保抽吸機(jī)構(gòu)11中微小的流速。此外，也存在 抽吸才幾構(gòu)11的大的外表面，可以將大量抽吸口 12加入該抽吸機(jī)構(gòu)11 中，從而作為結(jié)果可以實(shí)現(xiàn)渦旋少的尤其層狀的沿垂直方向向下的空 氣流，該空氣流確?？煽康爻槲鼩鈶B(tài)或霧狀分布的處理介質(zhì)10。
權(quán)利要求
1.用于給基片(2)進(jìn)行表面處理的裝置(1)，所述裝置具有至少一個(gè)用于運(yùn)輸尤其由硅材料制成的基片(2)的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)(3，3a)和至少一個(gè)用于以液態(tài)的處理介質(zhì)(10)在由運(yùn)輸機(jī)構(gòu)(3，3a)確定的運(yùn)輸平面(5)中濕潤(rùn)基片表面(4)的輸送機(jī)構(gòu)(3a)，其特征在于，構(gòu)造所述輸送機(jī)構(gòu)(3a)用于將處理介質(zhì)(10)施加到布置在運(yùn)輸平面(5)內(nèi)的面朝下的基片表面(4)上，并且設(shè)置至少一個(gè)用于從輸送機(jī)構(gòu)(3a)周圍抽吸氣態(tài)和/或霧狀分布的處理介質(zhì)(10)的抽吸機(jī)構(gòu)(11)，其中沿垂直方向在運(yùn)輸平面(5)下方布置所述至少一個(gè)抽吸機(jī)構(gòu)(11)。
2. 按權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，將所述至少一個(gè)抽吸 機(jī)構(gòu)(11 )布置在一個(gè)中間空間中，該中間空間由至少兩個(gè)相鄰布置 的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)(11)和運(yùn)輸平面(5)限界。
3. 按權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，將所述抽吸機(jī)構(gòu) (11 )構(gòu)造成縱向延伸的空心體，尤其構(gòu)造成管，并且該抽吸機(jī)構(gòu)具有至少一個(gè)抽吸口 (12)。
4. 按上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述抽吸 機(jī)構(gòu)(11)布置在以處理介質(zhì)(10)填充的處理池(9)的區(qū)域內(nèi)。
5. 按權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，將所述抽吸機(jī)構(gòu)(ll) 布置在處理池(9)中，使得該抽吸機(jī)構(gòu)在尤其沒有構(gòu)造抽吸口 (12) 的下側(cè)上可以至少部分地由處理介質(zhì)(10)進(jìn)行濕潤(rùn)。
6. 按權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，為所述處理池(9) 配設(shè)了至少部分布置在處理池邊緣(22)上的用于在邊緣側(cè)抽吸氣態(tài) 和/或霧狀分布的處理介質(zhì)(10)的抽吸井(15)。
7. 按權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述抽吸機(jī)構(gòu)(11) 的至少一個(gè)抽吸口 (12)布置在抽吸機(jī)構(gòu)(11)的縱向中軸線(21) 上方的區(qū)域內(nèi)。
8. 按上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，將所述抽 吸機(jī)構(gòu)(11)與抽吸管道(18)連接，其中在抽吸機(jī)構(gòu)(11)和抽吸 管道(18)之間設(shè)置至少一個(gè)調(diào)節(jié)閥(19)。
9. 按權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，將所述抽吸機(jī)構(gòu)(ll)布置在兩個(gè)構(gòu)造成運(yùn)輸輥?zhàn)拥倪\(yùn)輸機(jī)構(gòu)(3， 3a)之間，其中抽吸機(jī)構(gòu) (11)的縱向中軸線(21)平行于運(yùn)輸機(jī)構(gòu)(3， 3a)的旋轉(zhuǎn)軸線(20) 布置。
10. 用于以處理介質(zhì)(10)濕潤(rùn)尤其由硅材料制成的基片(2)的 基片表面(4)的方法，該方法具有以下步驟-用運(yùn)輸機(jī)構(gòu)(3， 3a)在運(yùn)輸平面(5)內(nèi)運(yùn)輸基片(2)， -用處理介質(zhì)(10)濕潤(rùn)至少基本上布置在運(yùn)輸平面(5)內(nèi)的指向下的基片表面(4),以輸送裝置(3a)將該處理介質(zhì)施加在基片表面(4)上，-用沿垂直方向布置在運(yùn)輸平面(5)下方的抽吸機(jī)構(gòu)(11)抽吸 汽化的和/或霧化的處理介質(zhì)(10)，從而阻止處理介質(zhì)(10)沉積在 不布置在運(yùn)輸平面(5)內(nèi)的基片表面(4)上。
11. 按權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，連續(xù)地運(yùn)輸基片(2) 和/或通過(guò)輸送裝置連續(xù)地供給處理介質(zhì)(2)來(lái)濕潤(rùn)基片表面(4)和/ 或連續(xù)地抽吸氣態(tài)的或霧化的處理介質(zhì)(10)。
全文摘要
用于對(duì)硅晶片進(jìn)行表面處理的裝置，具有用于運(yùn)輸硅晶片的運(yùn)輸輥?zhàn)右约爸辽僖粋€(gè)設(shè)置用于以液態(tài)的處理介質(zhì)沿由運(yùn)輸輥?zhàn)哟_定的運(yùn)輸平面濕潤(rùn)硅晶片表面的輸送裝置，其中，構(gòu)造所述輸送裝置用于將處理介質(zhì)施加到布置在運(yùn)輸平面內(nèi)的面朝下的硅晶片表面上。設(shè)置多個(gè)用于從輸送裝置周圍抽吸氣態(tài)和/或霧狀分布的處理介質(zhì)的抽吸管，其中沿垂直方向在運(yùn)輸平面下方布置這些抽吸管。
文檔編號(hào)B05C1/08GK101331584SQ200680047144
公開日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日
發(fā)明者H·卡普勒 申請(qǐng)人:吉布爾·施密德有限責(zé)任公司