專利名稱：：噴水激光切割用粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及噴水激光切割(々才一夕一-工y卜夕、V^y歹)用粘合片，更詳細(xì)地說，涉及在通過噴水激光來切割半導(dǎo)體晶片和/或半導(dǎo)體相關(guān)材料時為了進(jìn)行固定而使用的噴水激光切割用粘合片。
背景技術(shù)：
：以往，半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體相關(guān)材料等通過使用旋轉(zhuǎn)刀片來切割，并分離為芯片和IC部件。在該切割工序中，通常，為了固定半導(dǎo)體晶片等而將半導(dǎo)體晶片粘接在粘合片上，并且，晶片等被切割為芯片狀后，通過拾取從粘合片上剝離下來。但是，在該方法中，由于切割刀片產(chǎn)生的物理應(yīng)力，引起切飛(夕、',7，,)或產(chǎn)生裂紋、碎片等缺陷，從而產(chǎn)生使這些芯片等的品質(zhì)降低、該切割方法的生產(chǎn)性也降低這樣的問題。特別是，近年來，由于需要電子裝置小型化、薄膜化，因而成為更加嚴(yán)重的問題。因此，作為代替使用切割刀片的半導(dǎo)體晶片等的切割技術(shù)，提出了使用激光束的切割方法，特別是使用由液體噴射引導(dǎo)的激光束進(jìn)行的切斷、穿孑L、熔接、刻印和剝離等的材料加工方法(例如專利文獻(xiàn)1)。在該方法中，由于晶片等只暴露于來自上方的水流，因而可以防止旋轉(zhuǎn)刀片帶來的物理應(yīng)力而引起的切飛等。另外，在使用該激光技術(shù)的切割方法中，存在由于利用水流而引起的芯片等容易從固定它們的粘合片上剝落的問題，對此，提出了可以適用于噴水激光切割的粘合片(例如，專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)l:W095/32834號專利文獻(xiàn)2:特開2001-316648號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供一種粘合片，該粘合片通過在噴水激光切割中使來自液體流的液體的透過性更加良好，同時使基材膜和粘合劑層的粘合力提高，在切割后的拾取中，可防止粘合劑從基材膜上剝離以及粘合劑附著在被加工物上，并且，能夠進(jìn)行極薄的半導(dǎo)體晶片或材料的加工。解決課題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的噴水激光切割用粘合片的特征是，在具有平均開口徑53(Him的孔的基材膜上疊層粘合劑層而構(gòu)成。在該噴水激光切割用粘合片中，基材膜優(yōu)選網(wǎng)狀膜或由纖維徑10200(im的單絲或復(fù)絲形成的膜。另外，粘合劑層的厚度優(yōu)選為130pm。發(fā)明效果采用本發(fā)明的噴水激光切割用粘合片，由于使用具有規(guī)定大小的平均開口徑的基材膜，因此，在噴水激光切割時，可以確保來自液體流的液體的透過性良好，同時可以防止由液體進(jìn)行的切割中從被加工物的粘合片上的剝離。另外，由于平均開口徑比較小，可抑制基材表面的起伏，從而使表面平坦。其結(jié)果，可以提高對被加工物的粘合性，并可以確實(shí)地進(jìn)行切割中的被加工物的固定。另外，由于可以使基材膜與粘合材料層的粘合性良好，因此在切割后的拾取中，可以防止粘合劑從基材膜上剝離以及粘合劑附著在被加工物上。圖1是本發(fā)明的激光加工用粘合片的概略平面圖。的粘合力的方法的圖。符號說明10激光加工用粘合片11膠帶保持用板12兩面膠帶13粘合劑層14膠帶具體實(shí)施例方式本發(fā)明的噴水激光切割用粘合片主要包括基材膜和設(shè)置于其上的粘合劑層。這里，所謂噴水激光切割用粘合片是指在使用由液體流(通常為水流)引導(dǎo)的激光束的切割中使用，并且可以在切割時使來自該液體流的液體從粘合片的一側(cè)表面流向另一側(cè)表面的粘合片，所述液體例如是從粘合劑層側(cè)直接或間接地向粘合片上供給規(guī)定壓力以上的液體流時的液體。此時的規(guī)定壓力通?？梢詾閹譓Pa左右以上。作為基材膜，可列舉膜、由纖維制成的非織造布和織造布(即，網(wǎng)狀膜)等。作為該纖維，可列舉聚合物纖維、合成纖維、天然纖維、無機(jī)纖維等。作為膜，可列舉含有合成樹脂，例如聚乙烯和聚丙烯等聚烯烴(具體地，低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、未拉伸聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物等)、聚酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚氨酯、EVA、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚酰胺、縮醛樹脂、聚苯乙烯、聚砜、聚碳酸酯、尼龍、氟樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物等橡膠成分的聚合物等的膜；作為聚合物纖維，可列舉PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等；作為合成纖維，可列舉人造絲或乙酸纖維素等；作為天然纖維，可列舉棉、絲綢或羊毛等；作為無機(jī)纖維，可列舉玻璃纖維或碳纖維等。其中，優(yōu)選由聚烯烴制成或包含由聚烯烴制成的層。由此，可以確保對激光切割的適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度和擴(kuò)展性2個特性。這些可以制成一層或兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外，這些纖維可以是單絲或復(fù)絲的任一種。為了使后述的基材膜的平均開口徑均勻，優(yōu)選為單絲。基材膜具有孔。該孔優(yōu)選為在厚度方向貫通的孔，但也可以是多個孔相連結(jié)果在厚度方向上連通的孔。特別是，基材膜的孔優(yōu)選基材膜以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成時的開口?；哪さ目障堵蕛?yōu)選為30%左右以下，其平均開口徑優(yōu)選為530(im左右。這里所說的平均開口徑，在孔為大致圓形時是指其直徑，孑L為多邊形等時是指其一邊的長度。另外，從其它觀點(diǎn)看，孔的大小為例如10(iml3.0mn^左右，優(yōu)選為25(11112左右以上、100|11112左右以上、1000pm2左右以上、0.1mn^左右以上，并且優(yōu)選為3.0mn^左右以下、2.0mn^左右以下、1.1mm2左右以下、900pn^左右以下。空隙率/網(wǎng)孔的平均開口徑過大時，與粘合劑的接觸面積變少，不能確?；哪ず驼澈蟿┑某浞值恼澈闲?，另夕卜，由于粘合劑埋入到空隙/網(wǎng)孔的開口中，因此有時不能確保粘合劑表面的平滑性。由此，在粘合片與被加工物的界面產(chǎn)生空隙等，激光加工時的尺寸精度變差，或者根據(jù)被加工物的種類(玻璃、硅晶片等)而在切割時產(chǎn)生"缺損"。另一方面，空隙率/網(wǎng)孔的平均開口徑過小時，粘合片的粘合劑層的表面粗糙度雖然可以確保均勻的狀態(tài)，但粘合劑幾乎不埋入到空隙/網(wǎng)孔的開口中，錨定效果(楔(<St/)效果)降低，粘合力也降低。另外，噴水激光切割時使用的水難以透過基材膜，產(chǎn)生被加工物飛散等問題。為了使基材膜成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，例如，優(yōu)選纖維徑為10150(im左右，從液體的透過性的觀點(diǎn)看，更加優(yōu)選25~80(im左右。從防止片的破損或半導(dǎo)體晶片等的加工中的切斷，同時抑制制造成本的觀點(diǎn)看，基材膜的厚度優(yōu)選為10400pm，更優(yōu)選為30~250pm。另外，網(wǎng)狀膜可以實(shí)施電暈放電處理、火焰處理、等離子體處理、濺射蝕刻處理或底涂(例如底漆(primer))、氟處理等表面處理；采用藥劑的脫脂處理等，用以提高與粘合劑的粘合性。其中，優(yōu)選實(shí)施底涂處理。本發(fā)明的基材膜優(yōu)選斷裂伸長率超過100%,更優(yōu)選為150%。這是因?yàn)橥ㄟ^基材膜伸長，在切割工序后，可以容易地從粘合片上拾取芯片等。而且，基材膜優(yōu)選拉伸強(qiáng)度超過0.1N/20mm，更優(yōu)選高于0.3N/20mm。這是為了避免粘合片本身的破損和/或切斷。斷裂伸長率和拉伸強(qiáng)度例如可以使用長度5.0cm、寬度20mm的試樣通過拉伸試驗(yàn)機(jī)測定。進(jìn)行試驗(yàn)時的拉伸速度在室溫下為300mm/分(基于ASTMDIOOO)。斷裂伸長率可以如下算出。斷裂伸長率=(斷裂時的長度-原來長度)/(原來長度)x100。/。，拉伸強(qiáng)度是斷裂時的測定值。粘合劑層由涂布在基材膜一面上的粘合劑層構(gòu)成。該粘合劑可以是壓敏型、熱敏型、光敏型中的任意一種類型，但優(yōu)選通過能量線照射而固化的類型的粘合劑。由此，可以容易地從被加工物上剝離下來。作為能量線，例如可以利用紫外線、可見光線、紅外線等各種波長的能量線，但由于在切割中使用的激光束是400nm以下的激發(fā)波長或400nm以上的激發(fā)波長的激光等，因此優(yōu)選使用不會由于照射所使用的切割裝置的激光束而發(fā)生固化的粘合劑，所述400nm以下的激發(fā)波長的激光，例如激發(fā)波長為248nm的KrF準(zhǔn)分子激光、308nm的XeCI準(zhǔn)分子激光、YAG激光的第三高次諧波(355nm)、第四高次諧波(266nm);所述400nrn以上的激發(fā)波長的激光，例如可吸收經(jīng)由多光子吸收過程得到的紫外線區(qū)域的光且可利用多光子吸收消融(abration)進(jìn)行20pm以下寬度的切割加工等的波長為750~800nm附近的鈥藍(lán)寶石激光等脈沖寬度為le巧秒(0.000000001秒)以下的激光等。作為粘合劑層的形成材料，可以使用含有橡膠類聚合物、(曱基)丙烯酸類聚合物等的公知的粘合劑，特別優(yōu)選(曱基)丙烯酸類聚合物。由此，在制成光敏型粘合劑時，即使不添加用于能量線固化的特別的單體/低聚物成分等，也可以進(jìn)行固化。作為橡膠類聚合物，例如可以是天然橡膠(例如聚異戊二烯等)、合成橡膠(例如苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯類、丁二烯-丙烯腈類、氯丁二烯類橡膠等)的任一種。作為構(gòu)成(甲基)丙烯酸類聚合物的單體成分，例如可舉出，具有曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基以及十二烷基等碳原子數(shù)30以下，優(yōu)選碳原子數(shù)4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸烷基酯或曱基丙烯酸烷基酯。這些(曱基)丙烯酸烷基酯既可以單獨(dú)使用也可以同時使用兩種以上。作為除上述以外的單體成分，例如可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(曱基)丙烯酸羧乙酯、(曱基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸以及巴豆酸等含有羧基的單體、馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體、(曱基)丙烯酸2-羥乙酯、(曱基)丙烯酸2-羥丙酉旨、(甲基)丙烯酸4_羥丁酯、(曱基)丙烯酸6_羥己酉旨、(曱基)丙烯酸8-羥辛酯、(曱基)丙烯酸10-羥癸酯、(曱基)丙烯酸U-羥基月桂酯以及(曱基)丙烯酸(4-羥曱基環(huán)己基)曱酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯酰胺-2_曱基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(曱基)丙烯酸酯以及(曱基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的單體；2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群辛姿峄膯误w；(曱基)丙蹄酰胺、(曱基)丙烯酸N-羥曱基酰胺、(曱基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，曱基丙烯酸二曱基氨乙酯、曱基丙烯酸叔丁基氨乙酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰基嗎p林、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。這些單體成分既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。另外，為了(曱基)丙烯酸類聚合物的交聯(lián)，可以任意使用多官能單體。作為多官能單體，例如可舉出己二醇二(曱基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(曱基)丙烯酸酯、新戊二醇二(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯、環(huán)氧(曱基)丙烯酸酯、聚酯(曱基)丙烯酸酯以及聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。從粘合特性等觀點(diǎn)看，多官能單體的使用量優(yōu)選為所有單體成分的30重量％以下，更優(yōu)選為20重量％以下。另外，優(yōu)選使用具有碳-碳雙鍵等能量線固化性官能團(tuán)的單體和/或低聚物。作為單體/低聚物，例如可舉出，聚氨酯(曱基)丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二(曱基)丙烯酸酯等。它們既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。它們的配合量沒有特別限制，但如果考慮到粘合性，則相對于100重量份構(gòu)成粘合劑的(甲基)丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選為5~500重量份左右，更優(yōu)選為70~150重量份左右。另外，在構(gòu)成光敏型粘合劑時，優(yōu)選使用光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，例如可舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)曱酮、oc-羥基-a，a-曱基苯乙酮、曱氧基苯乙酮、-2,2-二曱氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮、2-曱基-l-[4-(曱硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-l等苯乙酮類化合物；笨偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、曱氧苯曱酰甲基醚(anisoinmethylether)等苯偶姻醚類化合物；2-曱基-2-羥丙基苯酮等a-酮醇類化合物；芐基二曱基酮縮醇等酮縮醇類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；l-苯酮-l,l-丙二酮-2-(鄰乙氧羰基)肟等光學(xué)活性肟類化合物；二苯曱酮、苯酰安息香酸、3,3，-二曱基-4-曱氧基二苯曱酮等二苯曱酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-曱基噻噸酮、2,4-二曱基噻噸酮、異丙基p塞噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌、卣化酮、?；趸?acylphosphinoxide)以及?；⑺狨サ?。它們既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于IOO重量份構(gòu)成粘合劑的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選為0.1~10重量份左右，更優(yōu)選為0.5~5重量份左右。而且，為了提高基礎(chǔ)聚合物的重均分子量，可以任意添加交聯(lián)劑。作為交聯(lián)劑，可舉出多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮雜環(huán)丙烷化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、酸酐化合物(無水化合物)、多胺、含有羧基的聚合物等。它們既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。使用交聯(lián)劑時，考慮到不會使剝離粘合力過度降低，其使用量相對于100重量份基礎(chǔ)聚合物，通常優(yōu)選為0.01~5重量份左右。另外，除上述成分以外，可以任意含有以往公知的增粘劑、防老劑、填充劑、防老劑、著色劑等添加劑。丙烯酸類聚合物的制備例如可以使用溶液聚合法、乳液聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法等公知的方法使一種或兩種以上的單體或它們的混合物進(jìn)行聚合。其中優(yōu)選溶液聚合法。這里使用的溶劑例如可舉出醋酸乙酯、曱苯等極性溶劑。溶液濃度通常為20~80重量％左右。在聚合物的制備中，可以使用聚合引發(fā)劑。作為聚合引發(fā)劑，可以舉出，過氧化氫、過氧化苯曱酰、叔丁基過氧化物等過氧化物類。優(yōu)選單獨(dú)使用，但也可以與還原劑組合制成氧化還原類聚合引發(fā)劑使用。作為還原劑，例如可舉出，亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、鈷鹽等離子化的鹽、三乙醇胺等胺類、醛糖、酮糖等還原糖等。另外，可以使用2,2，-偶氮雙-2-曱基丙基脒酸鹽、2,2，-偶氮雙-2，4-二曱基戊腈、2,2，-偶氮雙-N,N，-二亞曱基異丁基脒酸鹽、2,2，-偶氮二異丁腈、2,2，-偶氮雙-2-曱基-N-(2-羥乙基)丙酰胺等偶氮化合物。它們既可以單獨(dú)使用，也可以同時使用兩種以上。反應(yīng)溫度通常為50-85T左右，反應(yīng)時間為18小時左右。從防止對^皮加工物的污染等觀點(diǎn)看，丙烯酸類聚合物特別優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量少者，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上，更優(yōu)選為80萬~300萬左右。粘合劑層的厚度可以在不會從被加工物上剝離的范圍內(nèi)適宜調(diào)整，但從能夠確保充分的粘合強(qiáng)度，同時在從片上取下半導(dǎo)體晶片等后，可防止在該晶片等的背面殘存不需要的粘合劑殘?jiān)?，另外，由于粘結(jié)層的切斷而能夠使水容易地通過的觀點(diǎn)考慮，粘合劑層的厚度更加優(yōu)選1~30pim左右、l~20pm左右、3-30pm左右、3-20pm左右。由此，可以將在切割時由于照射激光束或液體流引起的振動而導(dǎo)致的粘合劑層的共振控制在最小限度，并可以抑制振幅，防止芯片的裂紋、碎片等。另外，可以確實(shí)地進(jìn)行切割時的被加工物的固定。另外，如后所述，粘合劑層與基材膜一樣，優(yōu)選含有穿孔。穿孔可以通過關(guān)于基材膜的后述方法中的任一種方法形成，優(yōu)選通過與基材膜的穿孔同時形成，從而使基材膜和粘合劑層的穿孔大致一致。本發(fā)明的粘合片可以利用該
技術(shù)領(lǐng)域：
公知的片的制造方法形成。例如，首先，準(zhǔn)備基材膜。接著將粘合劑與基材膜疊層。這時，既可以直接在基材膜上涂布，或者利用轉(zhuǎn)移涂布方法疊層，也可以在基材膜上壓延疊層粘合劑，所述轉(zhuǎn)移涂布方法是將粘合劑涂布在涂布了剝離劑的處理材料(7?？趇7材料)上，干燥后，在基材膜上疊層該粘合劑。這些涂布方法可以利用例如反向輥涂布法、凹版涂布法、簾式涂布法、口模涂布法、擠出以及其它在工業(yè)上應(yīng)用的涂布法等各種方法。另外，準(zhǔn)備的基材膜可以以基材膜的狀態(tài)具有穿孔，也可以在基材膜上涂布粘合劑后形成。本發(fā)明的粘合片例如優(yōu)選算術(shù)平均粗糙度Ra為l.O(im以下，更加優(yōu)選為0.8nm以下、0.6pm以下。由此，可以確?；哪づc粘合劑層的粘合性、粘合劑層和被加工物的粘合性。本發(fā)明的粘合片優(yōu)選具有1.5N/20mm以上、更優(yōu)選3N/20mm以上的粘合強(qiáng)度。而且，優(yōu)選不足10N/20mm、更優(yōu)選不足8N/20mm。即，隨著切割技術(shù)向使用噴水激光技術(shù)的變遷，對切割用粘合片的粘合力的臨界意義發(fā)生了變化，其結(jié)果，即使通過較弱的粘合力，也可以在切割時確保晶片等的良好粘結(jié)，同時，可以防止芯片或部件從粘合片上剝離。此外，由于初期粘合力的降低，可以降低拾取時的芯片或IC部件等的缺損等缺陷。特別是，在光敏型粘合劑的情況下，可以有效且迅速、筒便地降低照射能量線后的粘合劑的粘合力。能量線照射后的粘合強(qiáng)度優(yōu)選不足0.2N/20mm,更優(yōu)選不足0.18N/20mm。這里，粘合強(qiáng)度是在測定溫度為23士3。C、剝離角度180°、剝離速度300mm/分(基于ASTMD1000)的條件下，在Si鏡狀晶片上測定時的值。實(shí)施例以下詳細(xì)地說明本發(fā)明的噴水激光切割用粘合片的實(shí)施例。(粘合劑層的形成)在醋酸乙酯中，通過常規(guī)方法使60重量份丙烯酸曱酯、35重量份丙烯酸2-乙基己酯、5重量份丙烯酸共聚。由此，得到含有重均分子量為70萬的丙烯酸類共聚物的溶液。接著，在含有丙烯酸類共聚物的溶液中，添加IOO重量份使季戊四醇三丙烯酸酯和二異氰酸酯反應(yīng)而得到的紫外線固化性低聚物(在25°C下的粘度為10Pa'sec)、3重量份光聚合引發(fā)劑(商品名'MV^力、年二:r651"、于/:7人^亇^亍一.^5力/PX、公司制造)和2重量份多異氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"、日本聚氨酯公司制造)，得到丙烯酸類紫外線固化型粘合劑溶液。實(shí)施例和比4交例使用線徑20pm的聚對苯二曱酸乙二醇酯制成的網(wǎng)孔的平均開口徑為3^im、5pm、30iim口(空隙率30%)、50pm口(空隙率55%)、10(Hmi口(空隙率85%)，平均厚度分別為45pm的網(wǎng)狀膜作為基材，分別涂布上述制造的粘合劑，使厚度為5pm、15pm、30jim、50pm,制作激光加工用粘合片。(算術(shù)平均粗糙度Ra的測定)測定實(shí)施例和比較例制作的粘合片的算術(shù)平均粗糙度Ra。使用亍y〕一少制造的高度差(段差)/表面粗糙度微形狀測定裝置P-15,如圖l所示，對得到的激光加工用粘合片的粘合劑層表面，在激光加工用粘合片IO寬度方向(例如，寬度E^400mm)的3處(X、Y、Z)，長度方向?yàn)殚g隔D(例如10m)的10處，對總計30處進(jìn)行測定，將得到的平均粗糙度作為算術(shù)平均粗糙度Ra。各處的測定距離是在粘合劑層一側(cè)的表面測定長度50mm的-巨離。(基材膜和粘合劑層的粘合力)如圖2所示，以SUS板作為膠帶保持用板11，通過日東電工公司制造的兩面膠帶12(No.500)將粘合片10固定。在粘合片10的粘合劑層13—側(cè)貼合日東電工公司制造的BT-315膠帶14，使用JISB7721中規(guī)定的拉伸試驗(yàn)機(jī)以剝離角度180°、剝離速度300mm/分的速度將日東電工公司制造的BT-315膠帶14沿箭頭方向剝離，并將此時的值作為"粘合力"。在測定粘合力時，在粘合劑層和基材膜之間粘合劑層未被剝離的情況下，它們的粘合力為獲得的值以上。(評價)使用實(shí)施例和比較例得到的粘合片切割硅晶片，測定加工時的水的透過性、加工精度(芯片飛散和芯片缺損的發(fā)生)，進(jìn)行綜合的評價。切割條件如下。激光波長1064nm切割速度50mm/s激光直徑50jim噴水壓40MPa芯片大小lmmxlmm晶片大小13.7cm(5英寸)晶片厚度150pm另外，水透過性的測定時，將水不透過的情況表示為x、將部分透過的情況表示為△、將水透過的情況表示為O。加工精度如下表示將芯片飛散和芯片缺損均產(chǎn)生50%以上的情況作為x、將發(fā)生不到50。/。的情況作為A、將芯片飛散和芯片缺損均不發(fā)生的情況作為〇。雖然基于水透過性和加工精度等進(jìn)行了綜合評價，但對發(fā)生了拾取不良的情況標(biāo)注*。開<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>由表1可知，空隙率/網(wǎng)孔的平均開孔徑過大時，與粘合劑的接觸面積變少，不能確?；哪ず驼澈蟿┑某浞值恼澈闲?，另外，由于粘合劑埋入到空隙/網(wǎng)孔開口中，不能確保粘合劑表面的平滑性。由此，在粘合片和被加工物的界面產(chǎn)生空隙等，激光的加工精度變差，或者在切割時發(fā)生缺損?？障堵?網(wǎng)孔的平均開孔徑過小時，可知粘合片的粘合劑層的表面粗糙度雖然可以確保均勻的狀態(tài)，但粘合劑幾乎不埋入到空隙/網(wǎng)孔的開口中，錨定效果(楔效果)降低，粘合力也降低。另外，噴水激光切割時使用的水難以透過基材膜，產(chǎn)生被加工物飛散等問題。另一方面，基材膜具有規(guī)定范圍內(nèi)的平均開口徑時，表面粗糙度和粘合性均良好，并可以抑制產(chǎn)生芯片的M和芯片的缺損兩者。特別是，盡管來自于水流的水可以容易地將粘合片抽出，而且可以充分確保粘合劑和芯片間的粘合性，難以發(fā)生芯片飛散。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的噴水激光切割用粘合片不僅可以利用于由液體流導(dǎo)向的激光束能夠進(jìn)行切割的對象，即半導(dǎo)體相關(guān)材料(例如半導(dǎo)體晶片、BGA封裝材料、印刷電路、陶瓷板、液晶裝置用玻璃部件、片材、電路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導(dǎo)體激光的發(fā)光/受光元件基板、MEMS基板或半導(dǎo)體封裝材料等)等，而且對于所有種類的材料，都可以在廣泛的范圍內(nèi)使用。權(quán)利要求1.一種噴水激光切割用粘合片，該粘合片是在基材膜上疊層粘合劑層而形成的，所述基材膜具有平均開口徑5～30μm的孔。2.權(quán)利要求1所述的噴水激光切割用粘合片，其中，基材膜是網(wǎng)狀膜。3.權(quán)利要求1所述的噴水激光切割用粘合片，其中，基材膜由纖維徑10~200pm的單絲或復(fù)絲形成。4.權(quán)利要求1所述的噴水激光切割用粘合片，其中，粘合劑層的厚度為130,。全文摘要本發(fā)明提供一種粘合片，其在噴水激光切割中，通過使來自液體流的液體的透過性更加良好并且穩(wěn)定化，在芯片或IC部件等的剝離時不會產(chǎn)生缺損等缺陷，并且能夠進(jìn)行極薄的半導(dǎo)體晶片或材料的加工。該噴水激光切割用粘合片在基材膜上疊層了粘合劑層，基材膜包括由纖維形成的網(wǎng)狀物。文檔編號C09J7/02GK101177598SQ20071018507公開日2008年5月14日申請日期2007年11月6日優(yōu)先權(quán)日2006年11月6日發(fā)明者三木翼,佐佐木貴俊,山本晃好,新谷壽朗,淺井文輝,高橋智一申請人:日東電工株式會社