專利名稱：：具有高初始亮度的防潮電致發(fā)光磷光體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電致發(fā)光(electroluminescent)磷光體(phosphors),更特別涉及已經(jīng)處理為防潮的電致發(fā)光磷光體。本發(fā)明再更特別涉及具有極大降低的潮濕引發(fā)劣化和高初始亮度的電致發(fā)光磷光體。
背景技術(shù)：
：電致發(fā)光(EL)燈可以大致分成兩類(1)通常通過氣相沉積技薄膜而制成的;蓴膜E^燈；'和(2)^分散在樹脂中并:交替層形式涂在塑料片上的微粒材料制成的厚膜EL燈。在后一情況下，厚膜電致發(fā)光燈可以構(gòu)造成薄的撓性發(fā)光設(shè)備，從而使它們適于更廣泛的用途。圖1中顯示了傳統(tǒng)厚膜EL燈的截面示意圖。燈2具有兩個介電層20和22。涂在塑料膜12b上的第一導(dǎo)電材料4(如石墨)形成燈2的笫一電極(該電極還可以包含金屬箔)；而涂在第二塑料膜12a上的透明導(dǎo)電材料6(如氧化銦錫)的薄層形成第二電極。夾在兩個導(dǎo)電電極4和6之間的是介電材料14的兩層20和22，所述介電材料可以是例如氰乙基纖維素、氰乙基淀粉、聚-(甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸乙酯)和/或氟烴聚合物。與第一電極4相鄰的是其中嵌有鐵電材料10(優(yōu)選鈦酸鋇)顆粒的介電材料14的層。與第二電極6相鄰的是其中嵌有電致發(fā)光磷光體8顆粒的介電材料14的層。當向電極施加交變電壓時，由磷光體發(fā)出可見光。可用于厚膜EL燈的電致發(fā)光磷光體主要由已^皮各種活化劑，例如Cu、Au、Ag、Mn、Br、I和Cl摻雜的石克化鋅構(gòu)成。在美國專利Nos.5,009,808、5,702,643、6,090,311和5,643,496中描述了硫化鋅基EL磷光體的實例。優(yōu)選的EL磷光體包括可以凈皮Cl和/或Mn共摻雜的ZnS:Cu磷光體。電致發(fā)光磷光體，特別是ZnS:Cu磷光體的亮度由于在電場施加過程中存在濕氣而明顯降低。已經(jīng)報道，硫化鋅基磷光體的亮度降低是由石?？瘴坏脑黾釉斐傻?，所述碌u空位通過下列反應(yīng)產(chǎn)生ZnS+2H20—>S02+Zn+2H2硫以S02形式從磷光體中逸出；結(jié)果，在磷光體中留下硫空位和鋅。因此，重要的是加入防潮保護措施以延長EL燈的光發(fā)射。通常，耐受性。在美國專利Nos.5,220,243、5,244,750、6,309,700和6,064,150中描述了此類涂層的實例。在磷光體顆粒懸浮在氣體流化床中的同時經(jīng)化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)形成這些無機涂層。通常，在磷光體顆粒表面上沉積薄而連續(xù)的涂層，由此保護它們免受大氣濕度的影響。用于EL磷光體的優(yōu)選涂層由三曱基鋁(TMA)的水解產(chǎn)生。在經(jīng)此引用并入本文的美國專利Nos.5,080,928和5,220,243中描述了水解的TMA涂層和CVD法。水解的TMA涂層的組成被認為主要為羥基氧化鋁(A100H),但是在組成上可以隨反應(yīng)條件在氧化鋁和氫氧化鋁之間變化。為方便起見，水解的TMA涂層的組成在本文中被稱作羥基氧化鋁(AIOOH),但是要理解的是，這也包括從氧化鋁(A1203)到氫氧化鋁(Al(OH)3)的整個組成范圍。TMA與水的反應(yīng)可以如下描述A1(CH3)3+(3+n)/2H20—〉A(chǔ)10(3-n)/2(OH)n+3CH4(0Sn蘭3)圖2是對于在50。C,90。/。相對濕度下在EL燈中工作的傳統(tǒng)A100HCVD涂覆的EL磷光體，隨鋁含量(涂層厚度)而變的IOO小時維持率(保持)的圖。100小時維持率是指100小時光輸出除以0小時光輸出并乘以100%,(100小時/0小時)xl00%。與未涂覆的磷光體相比，CVD包封的EL磷光體總是由于涂覆過程而經(jīng)受初始亮度的顯著損失。據(jù)猜測，這種降低可能由外涂層的存在造成的磷光體顆粒內(nèi)部的電場降低虧1起。發(fā)明概述本文所用的術(shù)語初始亮度(IB)是指在燈初次工作時在電致發(fā)光燈中的磷光體亮度。為了進行測量并使燈的光輸出穩(wěn)定化，可能經(jīng)過數(shù)分鐘的簡短期間。這也被稱作O小時亮度。由于潮濕引發(fā)的劣化造成的亮度迅速降低，優(yōu)選將含有未涂覆磷光體的EL燈層壓在防潮包裝中以進行初始亮度測量。對于涂覆的EL磷光體，殘留的初始亮度(RIB)表示為百分比并相對于相同EL磷光體在其未涂覆狀態(tài)下在EL燈中在相同條件下工作時的初始亮度測定；RIB-(IB(涂覆的)/IB(未涂覆))xlO()Q/()。優(yōu)選地，本發(fā)明的涂覆的EL磷光體的殘留初始亮度為至少90%。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，原子層沉積(ALD)能夠在EL磷光體顆粒上提供比傳統(tǒng)CVD法更薄的涂層，同時保持相當?shù)姆莱北Ｗo水平和更高的初始亮度水平。ALD是有吸引力的薄膜沉積技術(shù)，因為其允許對沉積法進行原子級控制。ALD涂層具有許多優(yōu)異的特征，例如共形性(conformality)、均勻性、可再現(xiàn)性和精確的厚度控制。實際上，ALD是使用兩種化學(xué)蒸氣前體的特殊類型的CVD，這兩種前體以兩者不會同時以氣相存在于反應(yīng)器中的方式周期性注入沉積系統(tǒng)。這樣做的目的是迫使前體在ALD沉積過程中在基底上而非在氣相中反應(yīng)。在經(jīng)此引用并入本文的美國專利Nos.6,913，827和6,613,383中描述了ALD涂覆法的實例。在ALD沉積法中，一種前體作為單層吸附在表面上；隨后吹掃該系統(tǒng)以除去過量前體；注入第二前體以便與吸附的材料反應(yīng)；然后再吹掃該系統(tǒng)。在每一前體脈沖后使用載氣流(通常N2)和真空泵送吹掃該系統(tǒng)。重復(fù)ALD沉積周期，每一前體的定量供料時間為大約10至20秒，直至獲得所需薄膜厚度。這導(dǎo)致在非常復(fù)雜的表面，例如半導(dǎo)體器件上的高縱橫比形貌上的非常均勻的沉積。該反應(yīng)是自限制的且生長速率通常為每周期大約0.1至1.5A,產(chǎn)生非常無缺陷的薄膜。由于基本每次一個單層地形成涂層，ALD比現(xiàn)有CVD法更可能獲得更致密的涂層。對于ALD施加的羥基氧化鋁涂層，已經(jīng)證實，需要至少大約900A，更優(yōu)選大約1200A的涂層厚度以有效保護EL磷光體免受潮濕引發(fā)的劣化。不幸地，要花費大約800個ALD沉積周期以獲得1200A厚度。為了成本有效并促進大規(guī)模制造，在明顯更少的ALD周期，優(yōu)選100個或更少ALD沉積周期下實現(xiàn)相當?shù)男阅?高初始亮度和高防潮性)是理想的。否則，為了建立EL磷光體的強防潮層，ALD是耗時的并且不是非常成本有效的方法。盡管美國專利Nos.5,080，928和5,220,243中所述的CVD法造成比ALD更多的初始亮度損失，但CVD法已經(jīng)在工業(yè)規(guī)才莫上成功地H證。由此，理想的是，提供利用CVD和ALD技術(shù)的益處同時使其缺點最小化的混合涂覆法并由此提供具有強防潮性和高的殘留初始強度的EL磷光體。由此，在本發(fā)明的一個方面中，提供由硫化鋅基電致發(fā)光磷光體的獨立顆粒構(gòu)成的電致發(fā)光磷光體，其中各個顆粒被包封在無機涂層中。在并入在50°C,90%相對濕度環(huán)境中在IOOV和400Hz下工作的電致發(fā)光燈中時，該涂覆的磷光體表現(xiàn)出至少90%的殘留初始亮度和至少60%的100小時維持率。更優(yōu)選地，在50。C和90。/。相對濕度下在EL燈中工作時，殘留初始亮度為至少90%且100小時維持率為至少75%。在本發(fā)明的另一方面中，提供了混合的(hybrid)ALD/CVD涂覆法，其包括下列步驟(a)形成電致發(fā)光磷光體顆粒的流化床；(b)將第一氣相前體引入流化床；(c)吹掃流化床；(d)將第二氣相前體引入流化床以便與第一前體反應(yīng)并在磷光體顆粒上形成無機涂層；(e)吹掃流化床；(f)重復(fù)步驟(a)至(e)直至達到所需涂層厚度；和(g)將第一和第二氣相前體同時引入流化床以進一步提高涂層厚度。盡管A100H是優(yōu)選涂層，預(yù)計可以通過本發(fā)明的方法以類似益處在電致發(fā)光磷光體上施加其它無機涂層。這類其它無機涂層包括但不限于，氮化鋁、二氧化硅和二氧化鈦。附圖簡述圖1是傳統(tǒng)厚膜EL燈的截面示意圖。圖2是對于在50°C,90%相對濕度下工作的傳統(tǒng)CVD涂覆的EL磷光體，隨鋁含量而變的100小時維持率的圖。圖3是對于通過本發(fā)明的混合ALD/CVD法制成的涂覆的磷光體，100小時濕維持率相對于總鋁涂覆重量的圖。發(fā)明詳述為了更好理解本發(fā)明以及本發(fā)明的其它和進一步目的、優(yōu)點和能力一起，參考聯(lián)系上述附圖給出的下列公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求。本發(fā)明是電致發(fā)光磷光體，其中各個獨立的磷光體顆粒被包封在無機涂層(優(yōu)選羥基氧化鋁)中。包封的磷光體對大氣濕度表現(xiàn)出極端不敏感性并在燈中僅經(jīng)受極小的初始亮度損失。本發(fā)明的方法將ALD為EL磷光體顆粒提供產(chǎn)生極少初始亮度損失的涂層的優(yōu)點與作為公認大規(guī)模制造技術(shù)的CVD的已證實的優(yōu)點相結(jié)合。特別地，本發(fā)明的方法是混合涂覆法，其包括首先在流化床中使用ALD法使EL磷光體顆粒被薄無機薄膜涂覆，隨后通過CVD法施加另外的涂層。在優(yōu)選方法中，通過向磷光體顆粒流化床中以ABAB....次序引入一系列交替劑量的氣化三曱基鋁(TMA)和水蒸汽，以便在磷光體顆粒表面上基本一次一個單層地沉積羥基氧化鋁薄膜，形成ALD涂層。這兩種前體相繼在惰性載氣中脈沖到涂覆反應(yīng)器中，在脈沖之間進行吹掃以防止氣相反應(yīng)。流化床反應(yīng)器保持在450K和1Torr壓力下。由于每對前體脈沖(一個周期)產(chǎn)生幾乎一個單層薄膜，可以通過沉積周期數(shù)精確控制所得薄膜的厚度。涂層厚度可以與沉積在磷光體上的鋁的量相關(guān)聯(lián)。例如，大約0.2重量％(wt.°/。)鋁相當于大約IIOA的AIOOH涂層厚度。這也是通過100個ALD周期沉積的量，這是施加在EL磷光體上的ALD涂層的優(yōu)選量。使用濺射中性質(zhì)譜學(xué)(SNMS)測量法和作為參比材料的標準丁&205薄膜評估涂層厚度。然后使用CVD法在流化床反應(yīng)器中進一步涂覆ALD涂覆的磷光體。通過將氣化TMA和水蒸汽前體同時進料到保持在450K和1大氣壓下的流化床反應(yīng)器中，進行CVD法。CVD法比ALD法迅速得多地形成A100H涂層，因為反應(yīng)物同時引入并且不必反復(fù)吹掃反應(yīng)器。為了滿足在501790%相對濕度條件下對EL燈的100小時維持率要求，CVD法優(yōu)選持續(xù)直到沉積的鋁總量達到大約1重量％至大約2.5重量％,更優(yōu)選至少大約2.2重量％。參照下列實施例更詳細描述本發(fā)明。但是，應(yīng)該理解的是，本發(fā)明無論如何不受這類具體實施例的限制。厚膜電致發(fā)光試驗燈以下列通用方式構(gòu)造。將磷光體與粘合劑(DuPontMicrocircuitMaterialsLuxprint8155粘合劑)〉'昆合。'液體粘合劑中磷光體的百分比為60重量％。將磷光體懸浮液篩網(wǎng)印刷到具有透明的導(dǎo)電氧化銦錫層的0.0065-0.0075英寸厚的PET薄膜，例如可獲自CPFilms的OC-200上。聚酯篩網(wǎng)具有每英寸137或140根線。在干燥后，通過兩次施加4太酸鋇i真充的介電油墨(DuPontMicrocircuitMaterialsLuxprint8153電致發(fā)光介電絕緣體)，形成介電層，其施加在磷光體層上并在施加之間干燥。在將介電層干燥后，在介電層上施加背面碳電極(DuPontMicrocircuitMaterialsLuxprint7144CarbonConductor)。在電致發(fā)光燈上施加層的優(yōu)選方法是篩網(wǎng)印刷，也稱作"絲網(wǎng)(silk-screening)，，。但是，也可以成功地使用其它涂覆技術(shù)，例如拖拉(draw)刮刀涂覆和輥到輥(roll-to-roll)涂覆。在干燥后，該電致發(fā)光燈準備好進行亮度和維持率試驗。在濕度箱中測試的燈要求背面碳電極被覆蓋以防止液態(tài)水進入燈。在這種情況下，在碳電極上施加薄壓敏膠帶(3MScotch821帶)。實施例1將大約2.0千克發(fā)綠光的ZnS:Cu電致發(fā)光磷光體(Type729,OSRAMSYLVANIAProductsInc.,Towanda,PA)裝入用于ALD涂覆的振動流化床反應(yīng)器。流化床反應(yīng)器是具有金屬盤作為氣體分配器的不銹鋼塔。高純氮氣是流化氣體。整個反應(yīng)器^皮蛤殼型爐圍繞且反應(yīng)器溫度保持在450K。使用三曱基鋁(TMA)和去離子水作為前體且反應(yīng)^皮分成兩個自限制的半反應(yīng)以沉積羥基氧化鋁涂層。一系列氣動活化閥控制前體在涂覆周期中的自動和相繼定量供料。這兩種前體均經(jīng)由其蒸氣壓輸送并將該系統(tǒng)排空并始終保持在1.0Torr的壓力下。在每一前體劑量后，用氮氣吹掃該系統(tǒng)以去除未反應(yīng)的物類以及在反應(yīng)過程中形成的任何曱烷。該方法持續(xù)100個ALD涂覆周期以形成ALD涂覆的磷光體。實施例2在此實施例中，將實施例1中制成的600克ALD涂覆的EL磷光體裝入總長度為60厘米的4.1厘米內(nèi)徑石英管。使含有TMA前體的氮氣通過反應(yīng)器底部的5微米孔徑金屬熔塊，由此將反應(yīng)器內(nèi)的磷光體顆粒床流化。將夾帶在氮氣流中的水蒸汽通過中空攪拌器引入反應(yīng)器并通過位于攪拌器中的多孔金屬噴霧器注入顆粒流化床。使氣化的TMA和水蒸汽同時和連續(xù)流入反應(yīng)器直至涂覆過程結(jié)束。TMA和水鼓泡器分別保持在4rC和74°C。通過TMA和水鼓泡器的氮氣載氣的流速分別控制在1.5升/分鐘和2.0升/分鐘。此外，通過圍繞反應(yīng)器的爐元件將反應(yīng)器溫度保持在450K。流化床反應(yīng)器始終在大氣壓下運行。在2小時涂覆過程中在不同時間從反應(yīng)器中收集幾個50克樣品。這些樣品包括CVD#1(1小時)、CVD#2(1,25小時)、CVD#3(1.5小時)、CVD#4(1.75小時)和CVD#5(2小時)。將樣品送交燈試驗并通過原子吸收光譜法分析鋁濃度。實施例3如實施例2中那樣制備此實施例中的磷光體，只是CVD涂覆時間延長到4.0小時。從此實施例中收集的樣品包括CVD弁6(2.5小時)、CVD#7(3小時)、CVD#8(3.5小時)和CVD#9(4小時)。測試由實施例1中所用的相同未涂覆磷光體制成的傳統(tǒng)CVD涂覆磷光體的對照試樣以便與ALD/CVD涂覆實施例進行比較。通過將氣化的TMA和水蒸汽前體同時引入在CVD涂覆過程中保持在大氣壓和450K下的流化床反應(yīng)器，將此磷光體包封。涂覆過程持續(xù)直到沉積的鋁量達到3.8重量。/q,這在傳統(tǒng)cvd法的情況下代表產(chǎn)生殘留初始亮度與高防潮性的最佳組合的涂層厚度(圖2)。作為另一對照物，使用相同的未涂覆磷光體用800個ALD沉積周期制造ALD涂覆的磷光體。制造含有未涂覆磷光體以及包封的磷光體的厚膜電致發(fā)光試驗燈。含有未涂覆磷光體的對照燈專門包裝在ACLAR(HoneywellInc.供應(yīng)的水不可透的透明薄膜)中，從而使未涂覆磷光體的濕度敏感性最小化。含有包封的磷光體的相同的燈在100V和400Hz下在兩種環(huán)境中工作100小時。在燈試-瞼#1中，條件為2rC和50%相對濕度。對于燈試馬全#2,在濕度室中在50。C和90%相對濕度下進行加速環(huán)境測試。燈和磷光體測量概括在表1和2中。容易發(fā)生潮濕引發(fā)的劣化的磷光體在加速環(huán)境測試下表現(xiàn)出光輸出的迅速降低并因此具有差的100小時維持率值。也測定ALD涂覆的和ALD/CVD涂覆的磷光體的鋁含量，其以總涂覆磷光體重量的百分比表示。如表1和2中所示，ALD/CVD涂覆的燈的100小時濕維持率隨著鋁量的增加，即隨著A100H涂層厚度的增加而增加。通過繪制磷光體的鋁含量相對于IOO小時濕維持率(圖3),據(jù)顯示，在高于大約0.6重量。/。Al，100小時維持率與提高的涂覆重量呈線性關(guān)系改進，直至鋁量達到1.1重量％,此后逐漸水平穩(wěn)定。再參看所述表，可以看出，樣品CVD弁7上的涂層(1.9重量。/。Al)仍然太薄以致不能提供具有與標準CVD涂覆的磷光體相當?shù)姆莱北Ｗo水平的磷光體，分別為74.3%相對于76.1%100小時維持率。在800周期下，ALD涂覆的磷光體(1.6重量％Al)與標準CVD涂覆的磷光體的IOO小時維持率相當,76.9%相對于76.1%。由此，較薄的800周期ALD涂覆的磷光體也具有比略厚的(1.9重量。/。Al)CVD存7樣品更好的100小時維持率。為了獲得與800周期ALD涂覆的對照物(76.9%)和CVD涂覆的對照物(76.1%)類似的IOO小時維持率性能，ALD/CVD涂覆的磷光體的涂覆重量需要為至少大約2.2重量Q/。A1，其比800周期ALD涂覆的對照物高0.6重量％Al,但仍然明顯低于CVD涂覆的對照物的3.8重量％Al。通過ALD/CVD混合涂覆法制成的CVD#8和CVD#9樣品與800周期ALD和CVD涂覆的對照物相比均具有相等或更好的100小時維持率結(jié)果。與未涂覆的基礎(chǔ)磷光體相比，這兩種ALD/CVD涂覆的磷光體僅經(jīng)受8-9%的初始亮度損失，與此相比，CVD涂覆的對照物經(jīng)受20%的損失。盡管800周期ALD涂覆的對照物在涂覆后僅損失大約4%初始亮度，制造涂層所必須的800ALD周期所需的時間明顯長于樣品CVD#8和CVD#9所用的總100ALD周期和CVD涂覆。結(jié)果，本發(fā)明的混合ALD/CVD涂覆法應(yīng)該是比800周期ALD法更成本有效的方法，保持磷光體的至少90%初始亮度并仍然提供高的防潮水平。此外，由于涂層較薄(較低的Al重量％)，與傳統(tǒng)CVD包封方法相比減少了TMA前體消耗。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>盡管已經(jīng)顯示和描述了在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中目前考慮的內(nèi)容，但本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在不背離由所附權(quán)利要求確定的本發(fā)明的范圍的情況下對其作出各種變動和修改。權(quán)利要求1.電致發(fā)光磷光體，包含硫化鋅基電致發(fā)光磷光體的獨立顆粒，其中各個顆粒被包封在無機涂層中，該磷光體在并入在50℃、90％相對濕度環(huán)境中在100V和400Hz下工作的電致發(fā)光燈中時表現(xiàn)出至少90％的殘留初始亮度和至少60％的100小時維持率。2.權(quán)利要求1的磷光體，其中100小時維持率為至少75%。3.權(quán)利要求l的磷光體，其中電致發(fā)光磷光體為ZnS:Cu。4.權(quán)利要求l的磷光體，其中無機涂層為羥基氧化鋁。5.權(quán)利要求4的磷光體，其中100小時維持率為至少75%。6.權(quán)利要求4的磷光體，其中電致發(fā)光磷光體為ZnS:Cu。7.包封電致發(fā)光磷光體的方法，包括(a)形成電致發(fā)光磷光體顆粒的流化床；(b)將第一氣相前體引入流化床；(c)吹掃流化床；(d)將第二氣相前體引入流化床以便與第一前體反應(yīng)并在磷光體顆粒上形成無機涂層；(e)吹掃流4t床；(f)重復(fù)步驟(a)至(e)直至達到所需涂層厚度；和(g)將第一和第二氣相前體同時引入流化床以進一步提高涂層厚度。8.權(quán)利要求7的方法，其中第一或第二氣相前體是氣化的三甲基鋁或水蒸汽且涂層是羥基氧化鋁。9.權(quán)利要求8的方法，其中在重復(fù)步驟(a)至(e)大約100個周期后達到步驟(f)中的所需涂層厚度。10.權(quán)利要求7的方法，其中步驟(g)持續(xù)直到磷光體在并入在50°C、90%相對濕度環(huán)境中在100V和400Hz下工作的電致發(fā)光燈中時表現(xiàn)出至少60%的100小時維持率。11.權(quán)利要求9的方法，其中步驟(g)持續(xù)直到涂覆的磷光體的鋁含量為大約1重量％至大約2.5重量％。12.權(quán)利要求8的方法，其中步驟(f)中的所需涂層厚度為大約IIOA。13.權(quán)利要求12的方法，其中步驟(g)持續(xù)直到涂覆的磷光體的鋁含量為大約2.2重量％。14.包封電致發(fā)光磷光體的方法，包括(a)形成電致發(fā)光磷光體顆粒的流化床；(b)將氣化的三甲基鋁引入流化床；(c)吹掃流4匕床；(d)將水蒸汽引入流化床以便與三甲基鋁反應(yīng)并在磷光體顆粒上形成羥基氧化鋁涂層；(e)吹掃流^ft床；(f)重復(fù)步驟(a)至(e)直至達到所需涂層厚度；和(g)將氣化的三甲基鋁和水蒸汽同時引入流化床以進一步提高涂層厚度。15.權(quán)利要求14的方法，其中氣化的三甲基鋁在步驟(d)中引入，且水蒸汽在步驟(b)中引入。16.權(quán)利要求14的方法，其中在涂覆的磷光體的鋁含量為大約0.2重量％時達到步驟(f)中的所需涂層厚度。17.權(quán)利要求16的方法，其中步驟(g)持續(xù)直到涂覆的磷光體的鋁含量為大約2.2重量％。18.涂覆的電致發(fā)光磷光體，包含硫化鋅基電致發(fā)光磷光體的獨立顆粒，其中各個顆粒被包封在羥基氧化鋁涂層中，該磷光體表現(xiàn)出至少90%的殘留初始亮度并具有與CVD涂覆的具有羥基氧化鋁涂層的磷光體相當?shù)姆莱毙裕渲蠧VD涂覆的磷光體的鋁含量為3.8重量％。19.權(quán)利要求18的涂覆的磷光體，其中涂覆的電致發(fā)光磷光體的鋁含量為大約2.2重量％。全文摘要描述了電致發(fā)光(EL)磷光體，其中各個獨立的磷光體顆粒包封在無機涂層，優(yōu)選羥基氧化鋁中。包封的磷光體表現(xiàn)出對大氣濕度的極端不敏感性并且在燈中僅經(jīng)受極小的初始亮度損失。施加涂層的方法是混合方法，其包括首先在流化床中使用原子層沉積(ALD)法使EL磷光體顆粒被薄無機薄膜涂覆，其中前體在重復(fù)的周期中相繼引入，隨后通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法施加另一涂層，其中前體同時引入。文檔編號C09K11/02GK101360804SQ200780001477公開日2009年2月4日申請日期2007年1月15日優(yōu)先權(quán)日2006年1月26日發(fā)明者C·范,D·本杰明,D·謝佩克,F·施瓦布,J·科維列斯基,T·黨申請人:奧斯蘭姆施爾凡尼亞公司