專利名稱：具有高效率的芳族電致發(fā)光化合物，以及使用該化合物的電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含稠環(huán)的電致發(fā)光化合物以及使用該化合物的電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
近來，信息時(shí)代的快速來臨增大了作為人類與電子信息器件之間的界面的顯示器 的重要性。在世界上，人們對(duì)有機(jī)發(fā)光器件(OLED)進(jìn)行了積極的研究，將其作為新的平板 顯示器技術(shù)，這是因?yàn)檫@種OLED是自發(fā)光型器件，具有優(yōu)良的顯示性質(zhì)，而且因?yàn)槠骷Y(jié) 構(gòu)簡單而便于制造，所以可以使用這種OLED制造超薄超輕的顯示器。這種OLED器件通常 包括位于由金屬制成的陽極和陰極之間的各種有機(jī)化合物的薄層，通過所述陰極和陽極注 入的電子和空穴分別被輸運(yùn)通過電子注入層和電子輸運(yùn)層以及空穴注入層和空穴輸運(yùn)層， 輸送到電致發(fā)光層，形成激子，形成的激子蛻變到穩(wěn)態(tài)而發(fā)光。與此同時(shí)，由于OLED器件的 性質(zhì)很大程度上取決于所用的有機(jī)電致發(fā)光化合物的性質(zhì)，因此人們對(duì)電致發(fā)光材料進(jìn)行 了積極的研究。在功能方面，人們將發(fā)光材料劃分為主體材料和摻雜劑材料，通常人們已知一種 具有最優(yōu)良電致發(fā)光性質(zhì)的器件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中的電致發(fā)光層是通過將摻雜劑摻雜入主體 內(nèi)而制成的。近來，人們迫切需要開發(fā)一種具有高效率和長壽命的有機(jī)電致發(fā)光(EL)器 件，特別是考慮到中等尺寸或大尺寸OLED面板所需的EL性質(zhì)水平，迫切需要開發(fā)一種遠(yuǎn)優(yōu) 于現(xiàn)有電致發(fā)光材料的材料。在此方面，主體材料的開發(fā)是要解決的重要問題之一。此時(shí)， 在有機(jī)EL器件中作為能量輸運(yùn)體以及固態(tài)中溶劑的主體材料應(yīng)當(dāng)具有所需的性質(zhì)，其純 度應(yīng)當(dāng)很高，而且具有合適的分子量，使其可以進(jìn)行氣相沉積。另外，其應(yīng)當(dāng)具有高的玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度和高的熱分解溫度，以獲得熱穩(wěn)定性，而該熱穩(wěn)定性又是為了實(shí)現(xiàn)長壽命所需 的高電化學(xué)穩(wěn)定性所要求的，所述材料應(yīng)當(dāng)能夠很容易地形成無定形薄膜，應(yīng)當(dāng)具有優(yōu)良 的與其它相鄰層中的材料的粘合力，而層間移動(dòng)應(yīng)不會(huì)發(fā)生?，F(xiàn)在已有各種主體材料，其典型例子包括可購自出光興產(chǎn)株式會(huì)社(Idemitsu Kosan Co. , Ltd.)的二苯基乙烯基聯(lián)苯(DPVBi)以及購自伊斯特曼柯達(dá)公司(Eastman Kodak Company)的二萘基蒽(DNA)，但是在效率、壽命和色純度方面尚有很大的改進(jìn)的余 地。 DPVBi的問題在于熱穩(wěn)定性，因?yàn)槠洳ＡЩD(zhuǎn)變溫度低于100°C，為了改進(jìn)這個(gè)問 題，人們開發(fā)出了 DPVPAN和DPVPBAN(其中分別在DPVBi的聯(lián)苯內(nèi)引入了蒽和雙蒽)將玻 璃化轉(zhuǎn)變溫度提高至高于105°C，從而改進(jìn)了熱穩(wěn)定性，但是色純度和發(fā)光效率仍未達(dá)到令 人滿意的水平。 另外，當(dāng)人們使用掃描探針顯微鏡對(duì)通過氣相沉積在ITO上形成的DNA薄膜進(jìn)行 觀察的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)DNA具有低的薄膜穩(wěn)定性，因此容易結(jié)晶的現(xiàn)象。已知這種現(xiàn)象對(duì)器件的 壽命有壞的影響，為了改進(jìn)DNA的這一缺陷，人們開發(fā)了 mDNA和tBDNA(其中在DNA的2位 上引入了甲基或叔丁基)以破壞分子的對(duì)稱性，從而提高膜穩(wěn)定性，但是其色純度和電致 發(fā)光效率也未達(dá)到令人滿意的水平。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光化合物，該化合物具有優(yōu)良的骨架，其發(fā) 光效率優(yōu)于現(xiàn)有的主體材料，具有合適的色坐標(biāo)，并提供一種有機(jī)電致發(fā)光化合物，由于其 結(jié)晶低，因此具有良好的薄膜穩(wěn)定性。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用上述有機(jī)電致 發(fā)光化合物的電致發(fā)光器件。技術(shù)解決方案下面將詳細(xì)描述本發(fā)明。本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光化合物，該化合物包含下式1所示的稠環(huán)，本發(fā)明 還涉及一種使用所述化合物作為電致發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。本發(fā)明的有機(jī)電 致發(fā)光化合物除了被用作發(fā)光層以外還被用作其它層。式1 式中，環(huán)A是稠合的芳基，其中至少兩個(gè)環(huán)稠合；立地是C6-C30芳基， 隊(duì)至禮獨(dú)立地是氫、C1-C2tl直鏈或支鏈烷基或烷氧基，以及C6-C3tl芳基或雜芳基和鹵素基團(tuán)； 所述稠合芳基、芳基、雜芳基、烷基和烷氧基任選地被C1-C2tl直鏈或支鏈的烷基、芳基和鹵素 基團(tuán)取代。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物的特征在于，在式1中，環(huán)A形成至少兩個(gè)稠環(huán)，可 以具體地用以下式2至式7表示式2 式3 式 4其中，在式2至式7中，Ar1, AivRnUdP R4的定義與式1中的定義相同，R11至 R13獨(dú)立地為氧，C1-C2tl直鏈或支鏈烷基或烷氧基以&C6-C3(I芳基或雜芳基和商素基團(tuán)；11為1 至3 ；所述烷基和烷氧基、芳基和雜芳基任選地被以下基團(tuán)取代=C1-C2tl直鏈或支鏈的烷基、 芳基和鹵素基團(tuán)。在以上的式1至式7中，所述Arl和Ar2可以獨(dú)立地為苯基，甲苯基，聯(lián)苯基，萘基， 蒽基和芴基，所述R1至R4以及R11至R13獨(dú)立地包括氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁 基、戊基、己基、乙基己基、庚基、辛基、異辛基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、環(huán)戊基、環(huán) 己基、苯基、甲苯基、聯(lián)苯基(byphenyl)、芐基、萘基、蒽基和芴基。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物可以為以下化合物，但不限于此
發(fā)明實(shí)施方式制備實(shí)施例1CYHDNA 的制備 向圓底燒瓶中加入70毫升二氯甲烷和15. 8克(118. 8毫摩)的氯化鋁，然后將 8.0克(54.0毫摩)異苯并呋喃-1，3-二酮和8. 8毫升(64. 8毫摩)1，2，3，4-四氫化萘溶 解在800毫升二氯甲烷中，將其緩慢加入所述裝有氯化鋁的燒瓶內(nèi)。在25°C攪拌24小時(shí) 之后，將該反應(yīng)混合物緩慢地加入30毫升35%的鹽酸和150毫升冰水的混合溶液中，再攪 拌20分鐘。反應(yīng)混合物用200毫升的乙酸乙酯萃取，重結(jié)晶，然后干燥，從而制得10. 6克 (37. 8毫摩)的化合物[1-1]。放入10. 6克(37. 8毫摩)化合物[1-1]，50. 4克(378. 1毫摩)氯化鋁以及11. 1 克(189.0毫摩)的氯化鈉，在130°C回流攪拌4小時(shí)。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至25°C，然后加入 60毫升四氫呋喃，將其溶解在這60毫升的四氫呋喃中，然后加入30毫升的水，從而使得反 應(yīng)完成。反應(yīng)完成之后，反應(yīng)產(chǎn)物用100毫升二氯甲烷萃取，在減壓條件下干燥，從而制得 3克(11. 4毫摩)化合物[1-2]。將8. 5克(40. 9毫摩)2-溴代萘溶解在50毫升的四氫呋喃中之后，在_72°C將4. 3 毫升(45. 7毫摩)的正丁基鋰(2. 5M的正己烷溶液)緩慢地加入所述溶解有2-溴代萘的 50毫升四氫呋喃中，然后攪拌2小時(shí)，然后向其中加入3.0克(11. 4毫摩)化合物[1-2]， 在室溫下攪拌24小時(shí)。通過緩慢加入50毫升蒸餾水使得反應(yīng)完成之后，反應(yīng)混合物用250 毫升四氫呋喃萃取，在減壓條件下干燥，制得3. 5克(6. 8毫摩)化合物[1-3]。將3. 5克(6. 8毫摩)化合物[1_3]，4. 5克(27. 1毫摩)碘化鉀和5. 8克(54. 6 毫摩)亞膦酸氫鈉(sodium hydrophosphinate)溶解在30毫升乙酸和10毫升二氯甲烷的 混合溶液中，回流攪拌24小時(shí)。通過將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至25°C并緩慢加入20毫升水使得反 應(yīng)完成之后，反應(yīng)產(chǎn)物用200毫升二氯甲烷萃取，重結(jié)晶，然后干燥，從而以11%的總產(chǎn)率 制得2. 8克(5. 8毫摩)的化合物CYHDNA。1H NMR(200MHz, CDCl3) δ = 1. 60 (m，4Η)，2. 85 (m，4Η)，7. 32 (m，6Η)，7. 40 (t，2Η)， 7. 54 (d, 2H)，7. 67-7. 73 (m, 8H)，7. 89 (d, 2H)MS/FAB 484. 22 (實(shí)測(cè))，484. 63 (計(jì)算)制備實(shí)施例2PHDNN 的制備 通過與制備實(shí)施例1類似的方式，使用10克(50. 5毫摩)萘并(2，3_C)呋喃_1， 3- 二酮和9. 5克(60. 5毫摩)1-溴代苯制得12. 5克(35. 2毫摩)化合物[2_1]。通過與制備實(shí)施例1相同的方式，使用12. 5克(35. 2毫摩)化合物[2_1]，46. 9 克(351. 9毫摩)氯化鋁和10. 3克(175. 9毫摩)氯化鈉制得3. 6克(10. 6毫摩)的化合 物[2-2]。通過與制備實(shí)施例1類似的方式，使用8. 0克(38. 6毫摩)2-溴代萘，3. 9毫升 (42. 7毫摩)正丁基鋰(2. 5M的正己烷溶液)和3. 6克(10. 6毫摩)化合物[2_2]制得3. 8 克(6. 4毫摩)化合物[2-3]。通過制備實(shí)施例1的方式，使用3. 8克(6. 4毫摩)化合物[2_3]，4. 2克(25. 3毫 摩)碘化鉀和5. 4克(50. 9毫摩)亞膦酸氫鈉制得2. 9克(5. 2毫摩)的化合物[2_4]。將2. 9克(5. 2毫摩)化合物[2_4]以及0. 7克(6. 0毫摩)苯基硼酸 (phenylboronic acid)溶解在30毫升甲苯和15毫升乙醇的混合溶液中，將其加入0. 2克 (1. 7毫摩)四(三苯基膦)鈀(0) [Pd(PPh3)4]和2. 3毫升2M的碳酸鈉水溶液中，然后回 流攪拌5小時(shí)。通過將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫并緩慢加入15毫升水使得反應(yīng)完成之后，反應(yīng) 混合物用300毫升二氯甲烷萃取，在減壓條件下干燥，從而以9%的總產(chǎn)率制得2. 6克(4. 7 毫摩)的化合物PHDNN。1H NMR (200MHz，CDCl3) δ = 7. 22—7. 32 (m，9Η)，7. 48 (d，2Η)，7. 54 (d，3Η)， 7. 67-7. 73 (m, 11H)，7. 89 (d, 3H)MS/FAB :556· 22 (實(shí)測(cè))，556. 69 (計(jì)算)制備實(shí)施例3NDNN 的制備依照與制備實(shí)施例2相同的方式制得3. 0克(4. 9毫摩)化合物NDNN，總產(chǎn)率為 9 %，不同之處在于，使用2. 9克(5. 2毫摩)化合物[2-4]和1. 1克(6. 4毫摩)萘硼酸 (naphthaleneboronic acid)。1H NMR (200MHz，CDCl3) δ = 7· 32 (m，8Η)，7· 54 (d，4Η)，7· 67—7. 73 (m，14Η)， 7. 89(d，4H)MS/FAB :606· 23 (實(shí)測(cè))，606. 75 (計(jì)算)
制備實(shí)施例4PDNBA 的制備 在圓底燒瓶(100毫升)中加入1.7克(70. 1毫摩)的Mg屑，然后加入少量I2片 和10毫升的四氫呋喃。將11克(42. 5毫摩)9_溴代菲溶解在10毫升四氫呋喃中，在0°C 下緩慢地加入裝有鎂的燒瓶中，然后在25°C攪拌30分鐘。將9. 9克(43. 4毫摩)的5-溴 異苯并呋喃-1，3-二酮和12. 7克(95. 6毫摩)氯化鋁加入燒瓶中，攪拌24小時(shí)。將反應(yīng) 溶液緩慢加入150毫升IN的鹽酸水溶液中，攪拌30分鐘，然后反應(yīng)溶液用200毫升的二氯 甲烷萃取，在減壓條件下干燥，從而制得11. 4克(28. 2毫摩)化合物[4-1]。通過制備實(shí)施例2的方式，使用11. 4克(28. 2毫摩)化合物[4-1]，37. 9克(284. 4 毫摩)氯化鋁和8. 3克(142. 2毫摩)氯化鈉，制得2. 6克(6. 8毫摩)化合物[4_2]。通過制備實(shí)施例2的方式，使用5. 1克(24. 6毫摩)2_溴代萘，2. 5毫升(27. 3毫 摩)正丁基鋰(2. 5M的正己烷溶液)和2. 6克(6. 8毫摩)化合物[4_2]，制得2. 2克(3. 7 毫摩)二羥基化合物。通過制備實(shí)施例3的方式，使用2. 2克(3. 7毫摩)二羥基化合物， 2. 5克(14. 8毫摩)碘化鉀以及3. 1克(29. 6毫摩)亞膦酸氫鈉，制備1. 95克(3. 2毫摩) 化合物[4-3]。通過與制備實(shí)施例3相同的方式，使用1. 95克(3. 2毫摩)化合物[4-3],470. 7 毫克(3. 9毫摩)苯基硼酸，0. 2克(1. 7毫摩)四(三苯基膦)鈀(0) [Pd (PPh3) 4]和2. 3毫 升2M的碳酸鈉水溶液制得1. 16克(2. 3毫摩)化合物PDNBA，總產(chǎn)率為5%。1H 匪R (200MHz，CDCl3) δ = 7. 22-7. 32 (m, 9H)，7. 48-7. 54 (m, 7H)，7. 73 (d, 1H)， 7. 82-7. 89(d,2H) ,8. 93(d，2H)MS/FAB :506· 2 (實(shí)測(cè))，506. 63 (計(jì)算)制備實(shí)施例5NDNDBA 的制備依照與制備實(shí)施例2相同的方式，使用1.95克(3. 2毫摩)的制備實(shí)施例4中制 備的化合物[4-3]，0.664克(3. 9毫摩)的萘硼酸，0. 2克(1. 7毫摩)的四(三苯基膦)鈀(O) [Pd (PPh3)4], 2. 3毫升的2M的碳酸鈉水溶液以及30毫升甲苯與15毫升乙醇的混合溶 液，制得1. 2克(2. 2毫摩)化合物NDNDBA,總產(chǎn)率為5%01H NMR (200MHz，CDCl3) δ = 7. 22-7. 32 (m, 8H)，7. 48-7. 54 (m, 6H)，7. 67-7. 89 (m, 10H) ,8. 12(d，2H)，8. 93(d，2H)MS/FAB :556· 22 (實(shí)測(cè))，556. 69 (計(jì)算)實(shí)施例1使用本發(fā)明的化合物的OLED器件的制造制造了具有使用本發(fā)明電致發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)的OLED器件。首先，將由玻璃制得的用于OLED的透明電極氧化銦錫薄膜(15Ω / □)依次用三 氯乙烯、丙酮、乙醇和蒸餾水進(jìn)行超聲波清洗，并將其放在異丙醇中儲(chǔ)存。然后，將ITO基片裝在氣相沉積設(shè)備的基片夾(folder)中，將具有以下結(jié)構(gòu)的 4，4’，4〃 -三(N，N-(2-萘基)-苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)置于氣相沉積設(shè)備的小室 (cell)中，然后，排氣，使室內(nèi)真空最高達(dá)到10_6托。在小室上施加電流，使2-TNATA蒸發(fā)， 在ITO基片上氣相沉積60納米厚度的空穴注入層。 然后，向該氣相沉積設(shè)備的另一個(gè)小室中加入具有以下結(jié)構(gòu)的Ν，Ν' -二(α-萘 基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)，對(duì)該小室施加電流，使得NPB蒸發(fā)，從而在所述 空穴注入層上氣相沉積厚度為20納米的空穴輸運(yùn)層。
形成空穴注入層和空穴輸運(yùn)層后，在其上面氣相沉積電致發(fā)光層，具體如下。在所 述氣相沉積設(shè)備的一個(gè)小室內(nèi)加入本發(fā)明的化合物(例如化合物CYHDNA)，在另一個(gè)小室 內(nèi)加入具有以下結(jié)構(gòu)的摻雜劑電致發(fā)光材料。然后以100 1的沉積速度在空穴輸運(yùn)層上 氣相沉積厚度為35納米的電致發(fā)光層。

二萘嵌苯
CYHDNA然后，將具有以下結(jié)構(gòu)的三(8-羥基喹啉)鋁(III)(Alq)沉積為20納米厚度的 電子輸運(yùn)層，然后將具有以下結(jié)構(gòu)的8-羥基喹啉鋰(lithiumquinolate) (Liq)沉積為1-2 納米厚的電子注入層。然后，采用另一個(gè)氣相沉積設(shè)備，沉積150納米厚的Al陰極，從而制 造 OLED。 在該OLED器件中使用的各材料在10_6乇真空升華純化后用作電致發(fā)光材料。比較例1使用常規(guī)電致發(fā)光材料制造OLED器件依照實(shí)施例1所述的相同方式形成了空穴注入層和空穴輸運(yùn)層。在氣相沉積設(shè)備 的一個(gè)小室內(nèi)加入二萘基蒽(DNA)作為藍(lán)色電致發(fā)光材料，在該氣相沉積的另一個(gè)小室內(nèi) 加入具有以下結(jié)構(gòu)的二萘嵌苯作為另一種藍(lán)色電致發(fā)光材料。采用100 1的氣相沉積速 度，在空穴輸運(yùn)層上氣相沉積厚35納米的電致發(fā)光層。 然后根據(jù)與實(shí)施例1所述相同的方式，沉積了電子輸運(yùn)層和電子注入層，然后使 用另一個(gè)氣相沉積設(shè)備氣相沉積了厚150納米的Al陰極，制造0LED。實(shí)施例2制造的OLED器件的電致發(fā)光性質(zhì)分別在500坎德拉/平方米和2，000坎德拉/平方米的條件下，測(cè)量了包含實(shí)施例 1和比較例1中制備的本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物以及常規(guī)的電致發(fā)光化合物的OLED器 件的電致發(fā)光效率，其結(jié)果列于下表1。特別是在藍(lán)色的電致發(fā)光材料中，基于在大約2000 坎德拉/平方米條件下的亮度數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)量，這是因?yàn)榈土炼让娣e內(nèi)的電致發(fā)光性質(zhì)以及 應(yīng)用于面板內(nèi)的亮度是非常重要的。[表 1] 如表1所示，使用參比"電致發(fā)光效率/Y"值(該值表示類似于量子效率的趨 勢(shì))，當(dāng)比較例1 (包含眾所周知的常規(guī)電致發(fā)光材料DNA: 二萘嵌苯的OLED器件)與使用 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物的OLED器件進(jìn)行比較的時(shí)候，使用本發(fā)明的電致發(fā)光化合 物的OLED器件具有較高的"電致發(fā)光效率/Y"值。工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物，其優(yōu)點(diǎn)在于可以制得驅(qū)動(dòng)壽命很優(yōu)越的OLED 器件，因?yàn)樵撈骷哂辛己玫碾娭掳l(fā)光效率以及優(yōu)良的材料壽命性質(zhì)。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物的特征還在于，當(dāng)將其用作其它層以及發(fā)光層的時(shí)候，具有升級(jí)的優(yōu)良的EL性質(zhì)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的相同目的，可容易地將以上描述所揭 示的理念和具體實(shí)施方式
用作基礎(chǔ)，用來改變或者設(shè)計(jì)其它的實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員 也會(huì)理解，這些等價(jià)的實(shí)施方式不會(huì)背離所附權(quán)利要求書所述的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種式1表示的有機(jī)電致發(fā)光化合物式中，環(huán)A是稠合的芳基，其中至少兩個(gè)環(huán)稠合；Ar1和Ar2獨(dú)立地是C6-C30芳基；R1至R4獨(dú)立地是氫、C1-C20直鏈或支鏈烷基或烷氧基，以及C6-C30芳基或雜芳基和鹵素基團(tuán)；所述稠合芳基、芳基、雜芳基、烷基和烷氧基任選地被C1-C20直鏈或支鏈的烷基、芳基和鹵素基團(tuán)取代。FPA00001142753900011.tif
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物，該化合物選自式2至式7所示的那些化 合物 其中，在式2至式7中，Ar1, Ar2, R1, R2, R3和R4的定義與式1中的定義相同，R11至R13 獨(dú)立地為氫，C1-C2tl直鏈或支鏈烷基或烷氧基以及C6-C3tl芳基或雜芳基和鹵素基團(tuán)；11為1 至3 ；所述烷基和烷氧基、芳基和雜芳基任選地被以下基團(tuán)取代=C1-C2tl直鏈或支鏈的烷基、 芳基和鹵素基團(tuán)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2獨(dú)立地選自 苯基，甲苯基，聯(lián)苯基，萘基，蒽基和芴基。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物，其特征在于，所述R1至R4和R11至R13獨(dú) 立地選自氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、乙基己基、庚基、辛基、異 辛基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、苯基、甲苯基、聯(lián)苯基、芐基、萘基、 蒽基和芴基。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物，其選自以下化合物
6.一種電致發(fā)光器件，包含權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物。
7.—種電致發(fā)光器件，其包含位于陰極和陽極之間的如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的 有機(jī)電致發(fā)光化合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包含稠環(huán)的有機(jī)電致發(fā)光化合物，以及包含所述化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物的優(yōu)點(diǎn)在于，其EL性質(zhì)優(yōu)于現(xiàn)有的電致發(fā)光材料，這是因?yàn)楸景l(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物的結(jié)晶低和色純度令人滿意而具有良好的薄膜穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)C09K11/06GK101874095SQ200780101752
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2007年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者尹勝洙, 權(quán)赫柱, 郭美英, 金圣珉, 金奉玉 申請(qǐng)人:葛來西雅帝史派有限公司