專利名稱：：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用熒光體的發(fā)光裝置，詳細(xì)說(shuō)就是涉及使用被紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光高效率激發(fā)而發(fā)光的熒光體的高顯色性、高光束的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：通過(guò)把發(fā)光元件和被該發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出與該發(fā)光元件不同波長(zhǎng)區(qū)域的光的熒光體組合，以得到希望色的光的各種發(fā)光裝置已為公眾所知。特別是近年來(lái)，作為壽命長(zhǎng)且耗電少的白色發(fā)光裝置，把發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)等半導(dǎo)體發(fā)光被廣泛關(guān)注。作為這種白色發(fā)光裝置的具體例已知有(1)把發(fā)出蘭色光的LED與被蘭色光激發(fā)而發(fā)出黃色光的熒光體進(jìn)行組合的方式(2)把發(fā)出紫色光或紫外線的LED與被紫色光或紫外線激發(fā)而分別發(fā)出紅、綠、蘭、黃等色光的熒光體多個(gè)組合的方式。專利文獻(xiàn)1:日本特許第3503139號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2005-126577號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2003-110150號(hào)公報(bào)但上述(1)方式的白色發(fā)光裝置中，由于位于蘭色與黃色中間波長(zhǎng)區(qū)域的光幾乎不存在，并且從熒光體得到的紅色區(qū)域的光少，所以有顯色性低的問(wèn)題。由于是把LED與熒光體的光進(jìn)行混色而得到白色光，所以例如在白色發(fā)光裝置的制造工序中，由于熒光體的涂布量等有偏差，并且LED與熒光體發(fā)出的光量出現(xiàn)不平衡，所以有得到的白色光的光譜也產(chǎn)生偏差的問(wèn)題。另一方面，上述(2)方式的白色發(fā)光裝置雖然顯色性優(yōu)良，但在紫外線區(qū)域或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光區(qū)域具有強(qiáng)激發(fā)帶的熒光體尚未被發(fā)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)高輸出的白色發(fā)光裝置有困難的狀況。因此，強(qiáng)烈希望開(kāi)發(fā)在紫外線區(qū)域或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光區(qū)域具有強(qiáng)激發(fā)帶且能高效率發(fā)出可見(jiàn)光的萸光體。特別是現(xiàn)有知道的含有銦的氮化鎵類(InGaN類)LED在400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域具有良好的發(fā)光特性，因此，強(qiáng)烈希望開(kāi)發(fā)在400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域被高效率激發(fā)而能發(fā)出高發(fā)光強(qiáng)度可見(jiàn)光的焚光體。為了實(shí)現(xiàn)顯色性高的發(fā)光裝置，也強(qiáng)烈希望開(kāi)發(fā)發(fā)光光譜寬的焚光體。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而開(kāi)發(fā)的，其目的在于使用被紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光高效率激發(fā)而發(fā)光的熒光體來(lái)提供一種高顯色性、高光束的發(fā)光裝置。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述課題而反復(fù)研究的結(jié)果是，新發(fā)現(xiàn)通式為M102,aM20bN^X2:MA的熒光體在紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光、特別是400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域被高效率激發(fā)而能發(fā)出高發(fā)光強(qiáng)度的可見(jiàn)光，通過(guò)在發(fā)光裝置中使用該熒光體而以至完成本發(fā)明。該熒光體表示為M'02'aM20-bM3X2:MV其中，M'是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M2是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M3是乂人Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選4奪的至少一種元素、X至少是一種卣素元素、M"是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu"的至少一種元素。a在0.1《a《1.3的范圍，b在0.1《b《0.25的范圍)。即本
發(fā)明內(nèi)容1的發(fā)光裝置具備發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件和被所述紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光激發(fā)而發(fā)出可見(jiàn)光的至少一種以上的熒光體，作為所述熒光體具備由通式M102.aM20bM、2:M4所表示的第一熒光體，(其中，M"是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M2是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M3是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種卣素元素、M"是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu"的至少一種元素。a在0.1《a<1.3的范圍，b在0.1《b《0.25的范圍)。本
發(fā)明內(nèi)容2的發(fā)光裝置具備發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件和被所述紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光激發(fā)而發(fā)出可見(jiàn)光的至少兩種以上的熒光體，各熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光是互補(bǔ)色關(guān)系，把來(lái)自這些熒光體的光進(jìn)行加色混合就得到白色光，作為所述熒光體具備第一熒光體和第二焚光體，第一熒光體由通式M'02'aM20.bM3X2:M4所表示，(其中，M'是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M2是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M3是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種卣素元素、N^是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu"的至少一種元素。a在0.1《a《1.3的范圍，b在O.I《b<0.25的范圍)，第二熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光與所述第一焚光體發(fā)出的可見(jiàn)光是互補(bǔ)色關(guān)系。所述第一熒光體中，當(dāng)把所述通式的M"含有量設(shè)定為c(摩爾比)時(shí)，最好c的范圍是0.03〈c/(a+c)<0.08。所述第一熒光體中，最好所述通式的M'至少必須有Si，Si的比例是80mol。/。以上，所述通式的]Vf至少必須有Ca和/或Sr，Ca和/或Sr的比例是60mol%以上，所述通式的M;至少必須有Sr,Sr的比例是30moJ%以上，所述通式的X至少必須有Cl,Cl的比例是50mol。/。以上。所述第一熒光體中，最好所述通式的a在0.3《a《1.2的范圍，b在O.l《b《0.2的范圍，且M4含有量i殳定為c是0.05《c/(a+c)《0.5。所述第一熒光體的制造方法沒(méi)有特別的限定，但在初始原料中至少含有下面(1)~(4)組成式表示的化合物，且這些各化合物的摩爾比在(1):(2)=1:0.11.0、(2):(3)=1:0.212.0、(2):(4)=1:0.054.0的范圍，把該初始原料進(jìn)行混合和燒結(jié)就能得到第一熒光體。(1)M'02(2)M20(3)M3X2(4)M4(其中，M'是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、N/P是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M3是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種鹵素元素、1V^是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu"的至少一種元素。)所述初始原料中，最好所述組成式(1)的M'至少必須有Si,Si的比例是80mol%以上，所述組成式(2)的]Vf至少必須有Ca和/或Sr,Ca和/或Sr的比例是60mo1°/。以上，所述組成式(3)所述通式的N^至少必須有Sr，Sr的比例是30mol。/。以上，所述通式的X至少必須有Cl,Cl的比例是50molQ/。以上。所述初始原料中，最好所述組成式(1)(4)各化合物的摩爾比在(1):(2)=1:0.25~1.0、(2):(3)=1:0.3~6,0、(2):(4)=1:0.05~3.0的范圍進(jìn)行秤量。且更好是所述各化合物的摩爾比在(1):(2)=1:0.25L0、(2):(3)=1:0.34.0、(2):(4)=1:0.053.0的范圍。所述初始原料中，最好把所述組成式(3)的原料進(jìn)行化學(xué)計(jì)量比以上過(guò)剩量的秤量。該過(guò)剩添加是考慮到在原料混合物的燒結(jié)中卣素元素的一部分被氣化蒸發(fā)，能防止由卣素元素不足而引起的熒光體晶體的缺陷的發(fā)生。該過(guò)剩添加還作為熔劑起作用、有助于促進(jìn)反應(yīng)和提高晶體性。在所述第一熒光體中，對(duì)于其X射線衍射的測(cè)定結(jié)果沒(méi)有特別的限定，但最好是下面的熒光體第一熒光體包含的晶體的至少一部分在使用Cu的Ka特性X射線的X射線衍射圖形中，當(dāng)把在衍射角26為29.0°以上30.5。以下的范圍存在的最高強(qiáng)度的衍射波峰的衍射強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)，在衍射角26為28.0°以上29.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度50以上的衍射波峰，在衍射角26為19.0°以上22.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度8以上的波峰，在衍射角26為25.0°以上28.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為34.5。以上37.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為40.0。以上42.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰，在衍射角26為13.0。以上15.0。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰。在所述第一焚光體中，對(duì)于其X射線衍射的測(cè)定結(jié)果沒(méi)有特別的限定，但最好是下面的熒光體第一熒光體包含的晶體的至少一部分在使用Mo的Koc特性X射線的衍射圖形中，當(dāng)把在衍射角26為12.5°以上15.0°以下的范圍存在的最高強(qiáng)度的衍射波峰的衍射強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)，在衍射角26為12.0°以上14.5。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度50以上的衍射波峰，在衍射角26為8.0°以上10.5°以下的范圍存在顯示》f射強(qiáng)度8以上的波峰，在衍射角26為11.0。以上13.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為15.5。以上17.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度5以上的波峰，在衍射角26為17.5。以上19.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰，在衍射角26為5.0。以上8.0。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰。在所述第一熒光體中，并不特別限定其晶體結(jié)構(gòu)，但第一熒光體包含的晶體的至少一部分最好是具有輝石型晶體結(jié)構(gòu)的晶體。第一熒光體包含的晶體的至少一部分最好是屬于晶系為單斜晶體、布拉維晶格為底心單斜晶格、空間群為C2/m的晶體。在所述第一熒光體中，為了得到更高的發(fā)光強(qiáng)度，最好使熒光體包含的所述晶體的量盡可能地多，盡可能有單相構(gòu)成，所述晶體的含有量最好是20%質(zhì)量以上。更好是在50%質(zhì)量以上來(lái)顯著提高發(fā)光強(qiáng)度。在不降低特性的范圍也可以由其他晶體相或與非晶體相的混合物構(gòu)成，特別是在上述初始原料的混合比中過(guò)剩添加Si〇2，^te由Si02構(gòu)成的晶體即石英、鱗石英、方英石等作為若干副產(chǎn)物合成的熒光體，有時(shí)發(fā)光強(qiáng)度被提高。本發(fā)明的發(fā)光裝置作為激發(fā)光源而使用發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件。因此，根據(jù)發(fā)光裝置的發(fā)光效率、發(fā)光亮度等觀點(diǎn)，最好所述第一熒光體在350~430nm的波長(zhǎng)區(qū)域具有強(qiáng)的激發(fā)帶。根據(jù)發(fā)光裝置的顯色性觀點(diǎn)，最好所述第一熒光體的發(fā)光光譜位于波峰波長(zhǎng)是560~590nm的波長(zhǎng)區(qū)域，半峰值寬度是100nm以上。所述第二熒光體只要發(fā)出與所述第一熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光是互補(bǔ)色關(guān)系的可見(jiàn)光，則其發(fā)光光譜就沒(méi)有特別限定，但對(duì)于得到白色光發(fā)光裝置的目的，由于所述第一熒光體主要是發(fā)出黃色系的光，所以最好使用發(fā)出其互補(bǔ)色光即蘭色光的熒光體。對(duì)于同樣的目的，根據(jù)顯色性的觀點(diǎn)，最好所述第二熒光體的發(fā)光光譜位于波峰波長(zhǎng)是440470nm的波長(zhǎng)區(qū)域，半峰值寬度是3060nm。作為這種理想的第二熒光體的例能舉出以通式Cax_Y-ZMgY(P04)sCl:Eu2+z所表示的熒光體，(其中，x處于4.95<x<5.50的范圍，y處于0<y<1.5的范圍，z處于0.02<z<0.20的范圍，y+z處于0.02<y+z《1.7的范圍。所述發(fā)光元件只要是至少發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光，則其發(fā)光光謙就沒(méi)有特別的限定，但根據(jù)發(fā)光裝置的發(fā)光效率等觀點(diǎn)，最好發(fā)光光語(yǔ)的波J奪位于350nm~43Onm的波長(zhǎng)區(qū)域。作為所述發(fā)光元件的具體例，例如能使用LED、LD等半導(dǎo)體發(fā)光元件、用于從真空放電和熱發(fā)光得到發(fā)光的光源、電子射線激發(fā)的發(fā)光元件等各種光源。省電、壽命長(zhǎng)的發(fā)光裝置。作為這種半導(dǎo)體發(fā)光元件的合適的例，能舉出在400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域發(fā)光特性良好的InGaN類的LED、LD。利用上述這樣構(gòu)成的發(fā)光裝置則可得到能以高輸出而發(fā)出顯色性高的白色光或其他色光的發(fā)光裝置。圖1是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第一實(shí)施例的概略剖面圖；圖2是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第二實(shí)施例的概略剖面圖；圖3是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第三實(shí)施例的概略剖面圖；圖4是表示單晶體基質(zhì)晶體的X射線衍射照片一例的圖；圖5是關(guān)于粉末基質(zhì)晶體X射線衍射(測(cè)定2)的擬合圖；圖6是關(guān)于本發(fā)明熒光體1的X射線衍射(測(cè)定3)的擬合圖；圖7是關(guān)于本發(fā)明熒光體1的使用Cu的Ka特性X射線的X射線衍射測(cè)定結(jié)果的圖8是關(guān)于本發(fā)明熒光體2的使用Cu的Ka特性X射線的X射線衍射測(cè)定結(jié)果的圖9是表示熒光體1的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光語(yǔ)(虛線)的圖10是表示熒光體2的熒光體發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光譜(虛線)的圖11是表示熒光體3的發(fā)光光語(yǔ)(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光語(yǔ)(虛線)的圖12是表示萸光體4的發(fā)光光語(yǔ)(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光譜(虛線)的圖13是表示熒光體1激發(fā)光譜的圖14是表示熒光體5的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體2的發(fā)光光語(yǔ)(虛線)的圖15是表示熒光體5激發(fā)光譜的圖16是表示實(shí)施例等發(fā)出的光的色度坐標(biāo)的色度圖17是表示本發(fā)明實(shí)施例lb的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)的圖18是表示本發(fā)明實(shí)施例2a的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光傳(虛線)的圖19是表示本發(fā)明實(shí)施例2b的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)的圖20是表示本發(fā)明實(shí)施例2c的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)的圖；'圖21是表示本發(fā)明實(shí)施例2d的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光語(yǔ)(虛線)的圖22是表示實(shí)施例等發(fā)出的光的色度坐標(biāo)的色度圖。符號(hào)說(shuō)明1發(fā)光裝置2基板3a電極(陽(yáng)極)3b電極(陰極)4半導(dǎo)體發(fā)光元件5安裝部件6引線7熒光層8殼體蓋部件9金屬底座10a電極端子(陽(yáng)極)10b電極端子(陰極)11開(kāi)口部12透明板13部件14填充部件具體實(shí)施例方式下面，利用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，但是，本發(fā)明不受下面實(shí)施例等任何的限制。圖1是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第一實(shí)施例的概略剖面圖。圖1所示的發(fā)光裝置1為在基板2上形成一對(duì)電極3a(陽(yáng)極)和3b(陰極)。半導(dǎo)體發(fā)光元件4通過(guò)安裝部件5被固定在電極3a上。半導(dǎo)體發(fā)光元件4和電極3a由所述安裝部件5被通電，半導(dǎo)體發(fā)光元件4和電極3b通過(guò)引線6被通電。半導(dǎo)體發(fā)光元件上形成有熒光層7?；?最好由沒(méi)有導(dǎo)電性的導(dǎo)熱性高的材料形成，例如能卩吏用陶瓷基板(氮化鋁基板、氧化鋁基板、莫來(lái)石基板、玻璃陶瓷基板)和玻璃環(huán)氧樹(shù)脂基板等。電極3a和3b是由金和銅等金屬材料形成的導(dǎo)電層。半導(dǎo)體發(fā)光元件4是本發(fā)明發(fā)光裝置使用的發(fā)光元件的一例，例如能使用發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的LED、LD等。作為具體例能舉出InGaN類的化合物。InGaN類的化合物半導(dǎo)體隨In的含有量而使發(fā)光波長(zhǎng)區(qū)域變化。表現(xiàn)出若In的含有量多則發(fā)光波長(zhǎng)成為長(zhǎng)波長(zhǎng)、少時(shí)則成為短波長(zhǎng)的傾向，確認(rèn)波i降波長(zhǎng)在400nm附近左右的含有In的InGaN類化合物半導(dǎo)體的發(fā)光量子效率最高。安裝部件5例如是銀膏等導(dǎo)電性粘接劑或是金錫共晶焊料等，把半導(dǎo)體發(fā)光元件4的下面固定在電極3a上，半導(dǎo)體發(fā)光元件4的下面?zhèn)入姌O與基板2上的電極3a電連接。引線6是金引線等導(dǎo)電部件，例如通過(guò)超聲波熱壓接等，把引線6與半導(dǎo)體發(fā)光元件4的上面?zhèn)入姌O和電極3b接合，而把兩者電連接。后述的第一熒光體或該第一焚光體和第二熒光體利用粘合材料而形成菱光層7，該熒光層7以膜狀覆蓋密封半導(dǎo)體發(fā)光元件4的上面。該熒光層7的形成是例如在制作把熒光體混入到液體狀或凝膠狀的粘合材料中的熒光體膏后，把該熒光體膏涂布在半導(dǎo)體發(fā)光元件4的上面，之后通過(guò)使涂布的熒光體膏的粘合材料固化。作為粘合部件例如能使用硅酮樹(shù)脂和氟樹(shù)脂等。特別是本發(fā)明的發(fā)光裝置由于作為激發(fā)光源而使用了紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光，所以優(yōu)選為耐紫外線性能優(yōu)良的粘合部件。熒光層7能混入與所述第一熒光體和第二熒光體具有不同發(fā)光特性的一種或多種熒光體。由此，能合成各種波長(zhǎng)區(qū)域的光而得到各種色的光。在熒光層7中能混入具有各種物性的熒光體以外的物質(zhì)。例如通過(guò)向焚光層7混入金屬氧化物、氟化合物、硫化物等比粘合劑部件折射率高的物質(zhì)而能提高熒光層7的折射率。由此，使半導(dǎo)體發(fā)光元件4發(fā)出的光向焚光層7射入時(shí)減少所產(chǎn)生的全反射，能獲得提高向熒光層7的激發(fā)光取得效率的效果。且通過(guò)把混入物質(zhì)的粒子徑設(shè)定在納米尺寸而不降低熒光層7透明度就能提高折射率。能把氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦等的平均粒子徑是0.33ym左右的白色粉末作為光散射劑向熒光層7混入。由此，能防止發(fā)光面內(nèi)亮度和色度的不均勻。圖2是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第二實(shí)施例的概略剖面圖。本第二實(shí)施例是被叫做殼體封裝形式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，與第一實(shí)施例把熒光層7形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件4的表面上的情況相比較，本第二實(shí)施例把熒光層7與半導(dǎo)體發(fā)光元件4分開(kāi)配置。對(duì)于與圖1所示的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)元件相同的部分使用相同的符號(hào)而省略i兌明。圖2所示的發(fā)光裝置1的結(jié)構(gòu)為在由金屬制底座8和殼體蓋9形成的氣密空間封入惰性氣體，半導(dǎo)體發(fā)光元件4以經(jīng)由基板2被固定在金屬底座8上的形式被收容在該氣密空間內(nèi)。陶瓷塊13與金屬底座8的開(kāi)口嵌合并被固定。一對(duì)電極端子10a(陽(yáng)極)和10b(陰極)貫通陶瓷塊13而從所述氣密空間內(nèi)向外延伸，該電極端子10a和10b分別通過(guò)引線6而使半導(dǎo)體發(fā)光元件4背通電。殼體蓋部件9的上面中央形成有開(kāi)口部U,從殼體蓋部件9的背面?zhèn)劝言撻_(kāi)口部11堵塞地密封著透明板12。開(kāi)口部11處形成有熒光層7。金屬底座8和殼體蓋部件9通過(guò)把相互的周邊緣部焊接等接合而形成氣密空間。金屬底座8和殼體蓋部件最好是相同的原料，例如能使用各種金屬、科瓦鐵鎳鈷合金、銅-鎢等合金。金屬底座8在氣密空間內(nèi)支承半導(dǎo)體發(fā)光元件4，并具有把半導(dǎo)體發(fā)光元件4產(chǎn)生的熱向氣密空間外散發(fā)的作用，因此，最好是導(dǎo)熱率大的原料。氣密空間內(nèi)封入的惰性氣體例如是從氮?dú)?、氦氣、氬氣等中選擇的至少一種惰性氣體，由此能防止半導(dǎo)體發(fā)光元件4的惡化。陶瓷塊13例如是氧化鋁、氮化鋁等非導(dǎo)電部件，被嵌合固定在金屬底座8形成的開(kāi)口處，使電極端子10a和10b保持與金屬底座8的電絕緣。半導(dǎo)體發(fā)光元件4使用焊料等被固定在基板上，基板2使用焊料等被固定在金屬底座上。電極端子10a、10b是金屬制的導(dǎo)電部件，例如通過(guò)金屬平板的沖壓加工等得到。透明板12是由透光性的原料，例如玻璃、樹(shù)脂等形成的板狀部件，根據(jù)需要也可以形成凸?fàn)罨虬紶疃哂型哥R效果。熒光層7在開(kāi)口部11形成在透明板的表面上，其形成方法與第一實(shí)施例相同。圖3是表示本發(fā)明發(fā)光裝置第三實(shí)施例的概略剖面圖。對(duì)于與圖1所示的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)元件相同的部分則付與相同的符號(hào)而省略說(shuō)明。圖3所示的發(fā)光裝置1為分別在設(shè)定成杯狀的部件13的底部設(shè)置電極端子3a(陽(yáng)極)、在部件的側(cè)面設(shè)置電極端子3b(陰極)。半導(dǎo)體發(fā)光元件4在部件13的底部經(jīng)由安裝部件5而被安裝在電極端子10a的上面。半導(dǎo)體發(fā)光元件4的下面電極與電極端子10a被安裝部件電連接，半導(dǎo)體發(fā)光元件4的上面電極與電極端子10b被引線6電連接。部件13的內(nèi)側(cè)空間填充有填充部件14以^;半導(dǎo)體發(fā)光元件4覆蓋，部件13的上面被透明板12密封。在透明板12的部件側(cè)的面形成有熒光層7。部件13由聚鄰笨二曱酰胺、芳香族尼龍、聚砜、聚酰胺酰亞胺、液晶聚合物、聚碳酸酯等樹(shù)脂構(gòu)成，也可以利用嵌件成型等與電極端子10a、10b一體成型。部件13的內(nèi)側(cè)空間形成有從底部向上部而內(nèi)徑變大的開(kāi)口內(nèi)面，該開(kāi)填充部件14例如是硅酮樹(shù)脂、氟樹(shù)脂等透明樹(shù)脂，最好顯示出良好的耐光性。焚光層7通過(guò)與第一實(shí)施例同樣的方法被形成在透明板的部件內(nèi)側(cè)面上。在以上結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置中，當(dāng)向電極3a、3b或電極端子10a、10b施加驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，則半導(dǎo)體發(fā)光元件4被通電，半導(dǎo)體發(fā)光元件4向熒光層7照射包含紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的固有波長(zhǎng)區(qū)域的光。利用該光則熒光層7內(nèi)的焚光體被激發(fā)，熒光體照射固有波長(zhǎng)區(qū)域的光。利用這種結(jié)構(gòu)和選擇各種半導(dǎo)體發(fā)光元件4和/或熒光體就能設(shè)定照射希望光的發(fā)光裝置。下面詳述本發(fā)明發(fā)光裝置使用的第一熒光體和第二熒光體。第一熒光體例如能如下得到。第一熒光體作為原料能使用由下面(1)~(4)組成式表示的化合物。(1)M102(M'是表示Si、Ge、Ti、Zr、Sn等4價(jià)元素)(2)M20(M2是表示Mg、Ca、Sr、Ba、Zn等2價(jià)元素)(3)M3X2(M3是表示Mg、Ca、Sr、Ba、Zn等2價(jià)元素、X是表示卣素元素)(4)M4(M4是表示E,等的稀土類元素和/或Mn)作為所述()組成式的原料，例如能使用Si02、Ge02、Ti02、Zr02、SnCb等。作為所述(2)組成式的原料，例如能使用2價(jià)金屬離子的碳酸鹽、氧化物、氬氧化物等。作為所述(3)組成式的原料，例如能使用SrCl2、SrCI2'6H20、MgCl2、MgCl2*6H20、CaCl2、CaCV2H20、BaCl2、BaCI2'2H20、ZnCl2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、ZnF2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、ZnBr2、Mgl2、Cal2、Srl2、Bal2、Znl2等。作為所述(4)組成式的原料，例如能使用Eu203、Eu2(C03)3、Eu(OH)3、EuCl3、MnO、Mn(OH)2、MnC03、MnCl2'4H20、Mn(N03)2-6恥等。作為所述(1)組成式的原料，最好M'至少必須有Si，是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素，Si的比例是80mol%以上的化合物。作為所述(2)組成式的原料，最好M"至少必須有Ca和/或Sr，是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素，Ca和/或Sr的比例是60mol%以上的化合物。作為所述(3)組成式的原料，最好N^至少必須有Sr,是從Mg、Ca、Sr、Mg、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素，Sr是30mol%以上的化合物，X是至少必須有Cl的至少一種鹵素元素，Cl的比例是50mol。/。以上的化合物。作為所述(4)組成式的原料，最好144是必須有2價(jià)Eu的稀土類元素，也可以含有Mn或Eu以外的稀土類元素等。最好把所述(1)(4)組成式的原料的摩爾比以(1):(2)=1:0.卜1，0、(2):(3)=1:0.212.0、(2):(4)=1:0.054.0的比例，更好以(1):(2)=1:0.25~1.0、(2):(3)=1:03~6.0、(2):(4)=1:0.053.0的比例，更理想-是以(1):(2)=1:0.251.0、(2):(3)=1:0.3~4.0、(2):(4)=1:0.053.0的比例進(jìn)行秤量，把秤量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。把該原料混合物放入氧化鋁蚶堝中，在還原氣氛的電爐中以氣氛為(5/95)的(H2/N2)、溫度70(TC以上而不到IIOO'C進(jìn)行燒結(jié)340小時(shí)，得到燒結(jié)物。把該燒結(jié)物用熱純水仔細(xì)洗凈，通過(guò)把剩余的氯化物洗掉而能得到本發(fā)明的焚光體。特別是對(duì)于(3)組成式的原料(2價(jià)的金屬卣化物)最好進(jìn)行化學(xué)計(jì)量比以上的過(guò)剩量的秤量。這是考慮到在燒結(jié)中卣素元素的一部分被氣化蒸發(fā)，能防止由鹵素元素不足而引起產(chǎn)生焚光體晶體缺陷。被過(guò)剩加入的(3)的原料在燒結(jié)溫度下液化，并作為固相反應(yīng)的熔劑也起作用、有助于促進(jìn)反應(yīng)和提高晶體性。在所述原料混合物燒結(jié)后，上述被過(guò)剩添加的(3)組成式的原料在制造的熒光體中作為雜質(zhì)存在。于是，為了得到純度和發(fā)光強(qiáng)度高的熒光體就需要把這些雜質(zhì)用熱純水洗掉。為了得到發(fā)光效率高的熒光體，本發(fā)明的熒光體最好極力減少成為雜質(zhì)的金屬元素。特別是Fe、Co、Ni等過(guò)渡性金屬元素有作為發(fā)光阻礙劑的作用，所以最好使用純度高的原料和防止在合成工序中有雜質(zhì)混入，以使這些元素合計(jì)在500ppm以下?！创_定第一熒光體的晶體結(jié)構(gòu)〉本發(fā)明第一熒光體晶體結(jié)構(gòu)等的確定是如以下所述使基質(zhì)晶體的單晶體生長(zhǎng)，并根據(jù)其分析結(jié)果來(lái)進(jìn)行。該基質(zhì)晶體是在所述通式M'02'aM20bM、2:M4中，設(shè)定為M^Si、M2二Ca和Sr、M3=Sr、X=C1,而不含有>44的物質(zhì)?！椿|(zhì)晶體的生成和分析〉基質(zhì)晶體的單晶體的晶體生長(zhǎng)按以下順序?qū)嵤Ｊ紫瘸恿縎i02、CaO、SrCl2各原料而使它們的摩爾比是Si02:CaO:SrCl2=1:0.71:1.07，把秤量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。把該原料混合物放入制劑模具中以100MPa進(jìn)行單軸壓縮成形，得到成形體。把該成形體放入氧化鋁坩堝中加上蓋后，在大氣中以1030。C進(jìn)行燒結(jié)36小時(shí)，得到燒結(jié)物。把得到的燒結(jié)物用熱純水和超聲波洗凈，得到基質(zhì)晶體。在這樣生成的基質(zhì)晶體中得到小0.2mm的單晶體。對(duì)于得到的基質(zhì)晶體通過(guò)以下的方法進(jìn)行元素定量分析，決定組成比(所述通式中的a、b的值)。1、Si的定量分析把基質(zhì)晶體用碳酸鈉在白金坩堝中溶解后，用稀硝酸溶解處理并進(jìn)行定容。把該溶液使用ICP發(fā)光分光分析裝置(SJI大7亍夕乂口、-一抹式會(huì)社制，SPS-4000)來(lái)測(cè)定Si。2、金屬元素的定量分析把基質(zhì)晶體在惰性氣體下由高氯酸、硝酸和氫氟酸進(jìn)行加熱分解，用稀硝酸溶解處理并進(jìn)行定容。把該溶液使用ICP發(fā)光分光分析裝置(SJI大乂r夕乂口v—抹式會(huì)社制，SPS-4000)來(lái)測(cè)定金屬元素。3、Cl的定量分析把基質(zhì)晶體在管狀電爐中燃燒，由吸附液吸附產(chǎn)生的氣體。把該溶液使用Dionex社制的DX-500由離子色譜法決定Cl。4、O的定量分析把基質(zhì)晶體使用LECO社制的氮氧分析裝置TC-436,使樣品在氬氣中熱分解，把產(chǎn)生的氧由紅外線吸收法來(lái)定量。由以上元素定量分析結(jié)果得到的基質(zhì)晶體的大體組成比如下。Si(V1.05(Ca06，Sr0.4)O0.15SrCl2由比重計(jì)測(cè)定的所述基質(zhì)晶體的比重是3.4。對(duì)于基質(zhì)晶體的單晶體，由成像板單晶體自動(dòng)X射線結(jié)構(gòu)解析裝置(RIGAKU制:R-AXISRAPID)測(cè)定使用Mo的Kcc線(波長(zhǎng)人=0.71埃)定X射線衍射圖形(以下叫做測(cè)定I)。4巴由該測(cè)定1得到的X射線衍射照片的一例表示在圖4。使用該測(cè)定1在26<60°(d>0.71埃)的范圍得到的5709個(gè)衍射斑點(diǎn)來(lái)進(jìn)行以下晶體結(jié)構(gòu)的解析。對(duì)于基質(zhì)晶體，從測(cè)定1的X射線衍射圖形使用數(shù)據(jù)處理軟件(RIGAKU制:RapidAuto)如下地決定了基質(zhì)晶體的晶系、布拉維晶格、空間群和晶格常數(shù)。晶系單斜晶體布拉維晶格底心單斜晶格空間群C2/m晶格常數(shù)a=13.3036(12)埃b=8.3067(8)埃c=9.1567(12)埃oc=y=90o(3=110.226(5)°V=949.50(18)埃3然后使用晶體結(jié)構(gòu)解析軟件(RIGAKU制CrystalStracture)利用直接法決定了大致的結(jié)構(gòu)之后，通過(guò)最小二乘法把結(jié)構(gòu)參數(shù)(席占有率、原子坐標(biāo)、溫度因子等)精密化。精密化是對(duì)于IFP2。F的獨(dú)立的1160點(diǎn)的IFI進(jìn)行，其結(jié)果是能得到可靠性因子R,=2.7%的晶體結(jié)構(gòu)模型。該晶體結(jié)構(gòu)模型在以后被叫做"初始結(jié)構(gòu)模型"。把從單晶體求的初始結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和占有率表示在表1。從單晶體求的初始結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和占有率<table>complextableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>從單晶體求的初始結(jié)構(gòu)模型的組成比如下計(jì)算出。Si(V1.0(Ca06，Sr0.4)O'0.17SrCl2上述的解析結(jié)果表明所述基質(zhì)晶體是在廣泛用于X射線衍射的X射線衍射數(shù)據(jù)庫(kù)即ICDD(InternationalCenterforDiffractionDate)中沒(méi)有登錄的新結(jié)構(gòu)的晶體。下面，調(diào)整與焚光體同等形態(tài)的粉末基質(zhì)晶體，調(diào)查是否成為屬于初始結(jié)構(gòu)模型的晶體結(jié)構(gòu)。粉末基質(zhì)晶體的調(diào)整按以下的順序進(jìn)行。首先，秤量Si02、CaO、SrO、81-02各原料而使它們的摩爾比是8102:0&0:81"0:51<:12=1.0:0.7:0.2:1.0,把秤量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。把該原料混合物放入制劑模具中以100MPa進(jìn)行單軸壓縮成形，得到成形體。把該成形體放入氧化鋁坩堝中加上蓋后，以103(TC進(jìn)行540小時(shí)燒結(jié)，得到燒結(jié)物。把得到的燒結(jié)物用熱純水和超聲波洗凈，得到粉末基質(zhì)晶體。為了求出粉末基質(zhì)晶體的詳細(xì)晶體結(jié)構(gòu)，利用名古屋大學(xué)的高分辨率粉末X射線衍射裝置(RIGAKU制特別訂購(gòu)品)使用Mo的Koc特性X射線來(lái)進(jìn)行粉末X射線衍射測(cè)定(以下叫做測(cè)定2)。對(duì)于測(cè)定2的結(jié)果實(shí)施Rietveld全譜擬合法(y—卜《/k卜解析)來(lái)確定晶體結(jié)構(gòu)。在實(shí)施Rietveld全譜擬合法時(shí)，作為模型而使用所述初始結(jié)構(gòu)模型的晶格常數(shù)、原子坐標(biāo)和空間群，通過(guò)最小二乘法把結(jié)構(gòu)模型精密化。其結(jié)果是通過(guò)測(cè)定2觀測(cè)到的衍射圖形與通過(guò)里Rietveld全譜擬合法的計(jì)算衍射圖形很一致，判定一致尺度的R因子表示出11狎=2.84%的非常小的值。由此則斷定所述單晶體的基質(zhì)晶體與粉末的基質(zhì)晶體是相同結(jié)構(gòu)的晶體。圖5是表示關(guān)于測(cè)定2的Rietveld全譜擬合法的擬合圖。圖5的上段，實(shí)線表示由Rietveld全譜擬合法求的計(jì)算的粉末X射線衍射圖形，十字圖標(biāo)表示由測(cè)定2觀測(cè)的粉末X射線衍射圖形。圖5的中段表示由Rietveld全譜擬合法求的計(jì)算的衍射波峰角度。圖5的下段是圖示上段所示的粉末X射線衍射圖形的計(jì)算值與觀測(cè)值的差，了解到兩者幾乎沒(méi)有差，很一致。把精密化了的粉末基質(zhì)晶體的晶格常數(shù)表示如下。a=13.2468(4)埃，b=8.3169(2)埃，c=9.1537(3)埃，cx=Y=90°,|3=110.251(2)V=946.1(1)埃3把精密化了的粉末基質(zhì)晶體的原子坐標(biāo)表示在表2。[表2]從粉末晶體求的原子坐標(biāo)和占有率<table>complextableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>把以測(cè)定2為基礎(chǔ)由Rietveld全譜擬合法計(jì)算的所述粉末基質(zhì)晶體的理侖組成比表示如下?！捶勰┗|(zhì)晶體的理論組成比〉Si02'1.0(Ca0.6,Sr04)O0.17SrCl2以下列舉在所述基質(zhì)晶體中能形成固溶體的元素。在此所說(shuō)的固溶體是指構(gòu)成所述基質(zhì)晶體的元素的組成比的變動(dòng)，或把構(gòu)成所述基質(zhì)晶體的元素的一部分置換成其他元素而具有晶格常數(shù)與基質(zhì)晶體不同的同一晶體結(jié)構(gòu)的?！茨芟蚧|(zhì)晶體固溶的元素組〉Si02的Si置換元素Ge、Ti、Zr、SnCa。.6，Sro.4)O的Ca和/或Sr置換元素Mg、Ba、Zn、Mn和稀土類元素SrCl2的Sr置換元素Mg、Ca、Ba、ZnSrCl2的Cl置換元素F、Br、1還能把由4族元素氧化物構(gòu)成的Si02的一部分置換成1/2(B、P)04，1/2(Al、P)04?！吹谝环俟怏w晶體結(jié)構(gòu)的鑒定〉所述固溶體晶體結(jié)構(gòu)的鑒定能利用X射線衍射與中子線衍射的衍射結(jié)果的同一性來(lái)進(jìn)行判定，但由于從原來(lái)的晶體的結(jié)構(gòu)元素的一部分被置換成能固溶的其他元素的晶體的晶格常數(shù)有變化，所以即使是與原來(lái)的晶體屬于相同晶體結(jié)構(gòu)的晶體，衍射結(jié)果也不完全相同。屬于相同晶體結(jié)構(gòu)的晶體，由于元素的置換晶格常數(shù)越小則衍射角度越向高角度側(cè)移動(dòng)，晶格常數(shù)越大則衍射角度越向低角度側(cè)移動(dòng)。于是，關(guān)于所述粉末基質(zhì)晶體與把構(gòu)成該基質(zhì)晶體的Ca和/或Sr(所述通式的IVP元素)的一部分置換成作為熒光體發(fā)光中心的Eu2+(所述通式的Tvf元素)的第一熒光體(后述的熒光體1)是否屬于相同的晶體結(jié)構(gòu)，則使用以下的判定方法來(lái)評(píng)價(jià)。作為鑒定晶體結(jié)構(gòu)的判定方法，能把所述初始晶體模型的晶格常數(shù)、原子坐標(biāo)和空間群作為模型使用，把判定對(duì)象的X射線衍射(或中子線衍射)的結(jié)果進(jìn)行Rietveld全譜擬合，通過(guò)求R因子來(lái)判定是否是相同結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，只要判定對(duì)象的Rietveld全譜擬合收斂到與所述粉末基質(zhì)晶體的Rietveld全譜擬合相同級(jí)別的低R因子，就能判定晶體是相同結(jié)構(gòu)。通過(guò)比較由Rietveld全譜擬合得到的晶格常數(shù)和原子坐標(biāo)，就能討論微細(xì)結(jié)構(gòu)的不同。為了使用該判定方法，首先，在與所述測(cè)定2同樣的條件下，對(duì)于本發(fā)明的熒光體(后述的熒光體1)測(cè)定X射線衍射圖形(以下叫做測(cè)定3)。根據(jù)得到的X射線衍射圖形來(lái)進(jìn)行把所述初始結(jié)構(gòu)模型作為模型的Rietveld全鐠擬合。其結(jié)果是判定基準(zhǔn)的R因子RWP的值是3.69%而非常小，以與所述粉末基質(zhì)晶體的RWP的值同等水平進(jìn)行收斂。圖6是表示關(guān)于測(cè)定3的Rietveld全譜擬合法的擬合圖。圖6的上段，實(shí)線表示由Rietveld全譜擬合法求的計(jì)算的粉末X射線衍射圖形，十字圖標(biāo)表示由測(cè)定3觀測(cè)的粉末X射線衍射圖形。圖6的中段表示由Rietveld全譜擬合法求的計(jì)算的衍射波峰角度。圖6的下段是圖示上段所示的粉末X射線衍射圖形的計(jì)算值與觀測(cè)值的差，了解到兩者幾乎沒(méi)有差，很一致。由以上則判定第一焚光體與所述基質(zhì)晶體是相同的晶體結(jié)構(gòu)。第二熒光體例如能如下得到。第二熒光體作為原料而使用CaC03、MgC03、CaCl2、CaHP04、Eu203，把這些原料按規(guī)定的比例進(jìn)行秤量以成為摩爾比是CaC03:MgC03:CaCl2:CaHP04:Eu203=0.050.35:0.01~0.50:0.17~0.50:1.00:0.005~0.05，把種量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。4巴該原料混合物放入氧化鋁坩堝中，在含有2-5。/。H2的N2環(huán)境中以溫度800。C以上而不到1200。C進(jìn)行燒結(jié)3小時(shí)，得到燒結(jié)物。把該燒結(jié)物用熱純水仔細(xì)洗凈，通過(guò)把剩余的氯化物洗掉而能得到第二熒光體。對(duì)于得到所述第二原料混合物時(shí)的CaCl2的秤量(摩爾比)最好相對(duì)制造的第二熒光體的組成比進(jìn)行比其化學(xué)計(jì)量比0.5mol以上的過(guò)剩量秤量。由此能防止由Cl2的不足而引起的第二熒光體的晶體缺陷。以下，使用實(shí)施例對(duì)于以上結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置進(jìn)行更具體的說(shuō)明，但下述發(fā)光裝置的原料、制造方法、熒光體的化學(xué)組成等記載并不對(duì)本發(fā)明發(fā)光裝置的實(shí)施例有任何限制。首先詳述本實(shí)施例發(fā)光裝置所使用的熒光體?！礋晒怏w1〉以Si02,0.9(Ca。.5,Sr。.s)O0.17SrCl2:Eu2、」表示的熒光體。本熒光體1是所述第一熒光體的一例并且是合成的熒光體，在通式M'(VaM20bM3X2:!V[4中，設(shè)定為M^Si、M、Ca/Sr(摩爾比50/50)、M3=Sr、X=C1、M4=Eu2+、a=0.9、b=0.17、M"的含有量c(摩爾比)是c/(a+c)=0.1。本熒光體1的制造是首先秤量Si02、Ca(OH)2、SrC一6H20、Eu203各原料，使它們的摩爾比是Si02:Ca(OH)2:SrCl26H20:Eu2〇3=1.0:0.65:1.0:0.13,把秤量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。把該原料混合物放入氧化鋁坩堝中，在還原環(huán)境的電爐中以環(huán)境(5/95)的(H2/N2)、1300。C進(jìn)行燒結(jié)5~40小時(shí)，得到燒結(jié)物。把得到的燒結(jié)物用熱純水仔細(xì)洗凈，得到本熒光體l?！捶俟怏w2〉以Si02.0.9(Ca。.6,Sro.4)00.17SrCl^Eu2;,表示的熒光體。本熒光體2是所述第一熒光體的一例并且是合成的熒光體，在通式M'(VaM20'bM3X2:M4中，設(shè)定為M'-Si、M2二Ca/Sr(摩爾比60/40)、M3=Sr、X=C1、M4=Eu2+、a=0.9、b=0.17、M"的含有量c(摩爾比)是c/(a+c)=0.1。本熒光體2是在原料的混合比中通過(guò)過(guò)剩添加Si02而在熒光體內(nèi)生成方英石的熒光體。本熒光體2的制造是首先秤量Si02、Ca(OH)2、SrCl2'6H20、Eu203各原料，使它們的摩爾比是Si02:Ca(OH)2:SrCl2■6H20:Eu203=1.1:0.45:1.0:0.13,然后以與熒光體l同樣的方法得到本熒光體2?！捶俟怏w3〉以Si02-0,86(Ca0.47,Sr0.52,Ba,)O0.17SrCl2:Eu2+o.,4表示的熒光體。本熒光體3是所述第一熒光體的一例并且是合成的熒光體，在通式M'〇2-aM20bM3X2:M4中，設(shè)定為M^Si、M2=Ca/Sr/Ba(摩爾比47/52/l)、M3=Sr、X=C1、M4=Eu2+、a=0.86、b=0.17、規(guī)定M4的含有量c的量的指標(biāo)是c/(a+c)=0.14。本熒光體3是作為MS元素在Ca和Sr的基礎(chǔ)上更固有Ba的熒光體，是在原料的混合比中通過(guò)過(guò)剩添加Si02而在熒光體內(nèi)生成方英石的熒光體。本熒光體3的制造是首先秤量Si02、CaC03、BaC03、SrCl"6H20、1^1203各原料,使它們的摩爾比是Si02:CaC03:BaC03:SrCl2'6H20:Eu203=1.68:0.45:0.02:1.0:0.13,然后以與熒光體l同樣的方法得到本熒光體3?！礋晒怏w4〉以Si02-0.86(Ca。49,Sra5。，Mg。.01)O0.17SrCl2:Eu2+o.,4表示的熒光體。本熒光體4是所述第一熒光體的一例并且是合成的熒光體，在通式M'CVaM20bM3X2:M4中，設(shè)定為M1=Si、M2=Ca/Sr/Mg(摩爾比49/50/1)、M3=Sr、X=C1、M4=Eu2+、a=0.86、b=0.17、規(guī)定M4的含有量c的量的指標(biāo)是c/(a+c)=0.14。本熒光體4是作為]V^元素在Ca和Sr的基礎(chǔ)上更固有Mg的焚光體，是在原料的混合比中通過(guò)過(guò)剩添加Si〇2而在焚光體內(nèi)生成方英石的焚光體。本焚光體4的制造是首先秤量Si02、CaCC>3、MgC03、SrCl2'6H2〇、Eii2()3各原料，使它們的摩爾比是Si02:CaC03:MgC03:SrCl2.6H20:Eu203=1.68:0.45:0.02:1.0:0.13，然后以與熒光體1同樣的方法得到本熒光體4?！礋晒怏w5〉以(Ca4.67，Mg。5)(P04)3CI:Eu。.。8表示的熒光體。本熒光體5是所述第二熒光體的一例。本熒光體2的制造是首先秤量CaC03、MgC03、CaCl2、CaHP04、Eu203各原料，使它們的摩爾比是CaC03:MgC03:CaCJ2:CaHP()4:Eu203=0.42:0.5:3.0:1.25:0.04，把秤量的各原料放入氧化鋁研缽中進(jìn)行約30分鐘的粉碎混合，得到原料混合物。把該原料混合物放入氧化鋁坩堝中，在含有25%H2的N2環(huán)境中以溫度800。C以上而不到1200。C進(jìn)行燒結(jié)3小時(shí)，得到燒結(jié)物。把得到的燒結(jié)物用熱純水仔細(xì)洗凈，得到本熒光體5?！幢容^用熒光體1〉作為比較用熒光體1而使用以BaMgAlK)On:Eu,Mn表示的熒光體(化成才7°卜二夕義抹式會(huì)社制)。在曰本國(guó)家計(jì)劃"高效率光電轉(zhuǎn)變化合物半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)(21世紀(jì)的光計(jì)劃)"中羅列的近紫外線激發(fā)綠色發(fā)光的熒光體中，已知是該熒光體耐光性優(yōu)良。〈比較用熒光體2〉作為比較用熒光體2而使用以Sr5(P〇4)3Cl:Eu表示的熒光體(化成才7°卜二夕義抹式會(huì)社制)。該熒光體作為三波長(zhǎng)熒光燈用的蘭色焚光體被知曉。確認(rèn)了熒光體1~5的晶體結(jié)構(gòu)是使用X射線衍射裝置(抹式會(huì)社'J#夕制RINT-Ultima3、X射線管球Cu靶封入管)的目的晶體結(jié)構(gòu)。特別是在第一熒光體即熒光體14中被確認(rèn)為是以下的圖7、圖8所代表的兩種衍射圖形。圖7表示關(guān)于熒光體1測(cè)定的使用Cu的Kcx特性X射線的X射線衍射圖形。圖8表示關(guān)于熒光體2測(cè)定的使用Cu的Kcx特性X射線的X射線衍射圖形。從圖7、圖8了解到在任何使用Cu的Koc特性X射線的X射線衍射圖形中，當(dāng)把在衍射角26為29.0°以上30.5°以下的范圍存在的最高強(qiáng)度的衍射波峰的衍射強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)，在衍射角26為28.0°以上29.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度50以上的衍射波峰，在衍射角26為19.0°以上22.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度8以上的波峰，在衍射角26為25.0。以上28.0。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為34.5。以上37.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為40.0。以上42.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰，在衍射角26為13.0。以上15.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰。從這點(diǎn)就表示出所述粉末基質(zhì)晶體、熒光體1和熒光體2都屬于相同的晶體結(jié)構(gòu)。在圖8中確認(rèn)初始模型所沒(méi)有被觀察的衍射波峰在26=21.7°附近。X射線衍射的定性分析結(jié)果確認(rèn)該衍射波峰(圖中的箭頭)的由來(lái)是方英石。由此則了解到熒光體2雖然含有雜質(zhì)，但其晶體結(jié)構(gòu)屬于與所述基質(zhì)晶體、熒光體1是相同的晶體結(jié)構(gòu)。熒光體14的組成比(所述通式中a、b的值)則根據(jù)關(guān)于所述基質(zhì)晶體的晶體結(jié)構(gòu)的各數(shù)據(jù)，使用電子探測(cè)裝置微分析儀(日本電子制JOELJXA-8800R)進(jìn)行測(cè)定，并決定?！捶俟怏w1~4的評(píng)價(jià)結(jié)果〉對(duì)于菱光體1~4和比較用熒光體1,測(cè)定400nm激發(fā)下的積分發(fā)光強(qiáng)度。把比較用熒光體1作為100的相對(duì)值而把其測(cè)定結(jié)果表示在表3。<table>complextableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>積分發(fā)光強(qiáng)度比把比較用熒光體1的積分發(fā)光強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)的相對(duì)值從表3知道熒光體14相對(duì)比較用熒光體1至少表示出1.4倍以上的積分發(fā)光強(qiáng)度。根據(jù)這點(diǎn)了解到熒光體14在400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域能被高效率激發(fā)而發(fā)出高發(fā)光強(qiáng)度的可見(jiàn)光。了解到在原料的混合比中通過(guò)過(guò)剩添加Si02而在熒光體內(nèi)生成方英石的熒光體24,則表示出比熒光體l更良好的發(fā)光特性。圖9表示在400nm激發(fā)下熒光體1的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光譜(虛線)。圖10表示在400nm激發(fā)下熒光體2的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光鐠(虛線)。圖11表示在400nm激發(fā)下熒光體3的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光譜(虛線)。圖12表示在400nm激發(fā)下熒光體4的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用熒光體1的發(fā)光光譜(虛線)。圖9~圖12曲線的縱軸表示熒光體14和比較用熒光體的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度。從圖9~圖12了解到熒光體14任何的發(fā)光光譜的波峰都在5605卯nm的波長(zhǎng)區(qū)域，半峰值寬度在100nm以上。從這點(diǎn)知道熒光體14能發(fā)出顯色性高的寬可見(jiàn)光。圖13表示熒光體1的激發(fā)光譜。從圖13了解到熒光體1的激發(fā)光譜的波t峰位于350~430nm的波長(zhǎng)區(qū)域。從這點(diǎn)知道熒光體1在400nm附近的波長(zhǎng)區(qū)域能被高效率激發(fā)。從圖13了解到熒光體1幾乎不吸收450480nm波長(zhǎng)區(qū)域的光。才艮據(jù)這點(diǎn)，當(dāng)把熒光體1與發(fā)出450~480nm波長(zhǎng)區(qū)域的光的其他熒光體組合使用時(shí)，例如當(dāng)把熒光體1與發(fā)出蘭色光的熒光體組合而構(gòu)成白色發(fā)光裝置時(shí)，由于不吸收蘭色熒光體發(fā)出的光，所以能構(gòu)成發(fā)光效率高且色偏差少的發(fā)光裝置?！礋晒怏w5的評(píng)價(jià)結(jié)果〉對(duì)于熒光體5和比較用熒光體2,測(cè)定400nm激發(fā)下的積分發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果是把比較用熒光體2作為100的熒光體5的積分發(fā)光強(qiáng)度相對(duì)值是141。圖14表示在400nm激發(fā)下熒光體4的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較用焚光體2的發(fā)光光譜(虛線)。從圖14了解到熒光體4比比較用熒光體2的發(fā)光強(qiáng)度良好。由于焚光體5的發(fā)光光譜的半峰值寬度寬到38nm，所以希望使用熒光體5來(lái)構(gòu)成顯色性高的白色發(fā)光裝置。即，使用把上述發(fā)出蘭色光的LED與發(fā)出黃色光的焚光體組合方式的白色發(fā)光裝置中，發(fā)出蘭色光的LED的發(fā)光光語(yǔ)的半峰值寬度是約20nm,與此相對(duì)，而把熒光體4作為蘭色光的光源使用的白色發(fā)光裝置則能得到寬的蘭色光，希望有高的顯色性。圖15表示熒光體5激發(fā)光語(yǔ)。從圖15了解到焚光體5被380430nm波長(zhǎng)區(qū)域的光高效率激發(fā)。下面詳細(xì)敘述實(shí)施例發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)?！窗l(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)(形式1)〉實(shí)施例lalc和2a2d的發(fā)光裝置使用上述第一實(shí)施例的下面具體結(jié)構(gòu)。下面發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)除了使用的熒光體種類之外，實(shí)施例lalc、實(shí)施例2a2d、參照例1和比較例I都是共通的結(jié)構(gòu)。首先，作為基板2使用氮化鋁基板，在其表面使用金來(lái)形成電極3a(陽(yáng)極)和電極3b(陰極)。作為半導(dǎo)體發(fā)光元件4使用在405nm具有發(fā)光波峰的lmm平方的LED(SemiLEDs社制MvpLEDTMSL-V-U40AC)，使該LED的下面粘接在使用擬合器而向所述電極3a(陽(yáng)極)上滴下的銀膏(工4義亍47夕社制84-1LMISR4)上，使該銀膏在175。C環(huán)境下固化1小時(shí)。作為引線6使用(J)45jum的金線，把該金線利用超聲波熱壓接而使LED的上面?zhèn)入姌O與電極3b(陰極)接合。作為粘合材料而使用硅酮樹(shù)脂(東u義々n—二^夕'、-〉卩n—乂社制JCR6140)，向其混入各種熒光體或多種熒光體的混合物而成為30vol%,制作熒光體膏，把該焚光體膏在半導(dǎo)體發(fā)光元件4的上面涂布100Mm厚度后，以80。C環(huán)境下固化40分鐘，然后在15(TC環(huán)境下固化60分鐘的步驟進(jìn)行固定化，形成熒光層7。按照以上熒光體和發(fā)光裝置(形式1)的結(jié)構(gòu)來(lái)制作實(shí)施例lalc、實(shí)施例2a2d、參照例1和比4交例1?！磳?shí)施例lald〉實(shí)施例lald作為所述第一熒光體而使用熒光體14，如表4所示那樣，實(shí)施例la使用焚光體1、實(shí)施例lb使用熒光體2、實(shí)施例lc使用熒光體3、實(shí)施例ld使用焚光體4來(lái)制作所述熒光體膏，使用這些焚光體膏來(lái)制作實(shí)施例lald的發(fā)光裝置?！磳?shí)施例2a2d〉實(shí)施例2a2d是作為所述第一熒光體使用熒光體2、作為所述第二熒光體使用熒光體5的實(shí)施例，把熒光體2和熒光體5按表4所示的配比(重量比)進(jìn)行混合，使用該混合物來(lái)制作所述熒光體膏，使用這些熒光體膏來(lái)制作實(shí)施例2a2d的發(fā)光裝置?！磪⒖祭?〉作為參考例i而僅使用焚光體5來(lái)制作所述熒光體膏，使用該熒光體膏來(lái)制作參考例1的發(fā)光裝置。[表4]表4<table>complextableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>才巴熒光體BaMgAl1()017:Eu(蘭)和熒光體BaMgAl1()017:Eu，Mn(綠)和熒光體La202S:Eu按配比(重量比)3(蘭)12(綠)85(紅)進(jìn)行混合，使用該混合物來(lái)制作所述熒光體膏，使用該熒光體膏來(lái)制作比較例1的發(fā)光裝置。〈實(shí)施例1a~ld和實(shí)施例2a2d的評(píng)價(jià)〉在積分球內(nèi)加入10mA的電流使各發(fā)光裝置發(fā)光，利用分光器(InstrumentSystem社制CAS140B-152)來(lái)測(cè)定發(fā)光光束比和分光光譜。以下詳述其測(cè)定結(jié)果。表5表示向各發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的發(fā)光光束比、色度坐標(biāo)(cx,cy)、色溫(K)和平均顯色系數(shù)(Ra)。發(fā)光光束比表示的是當(dāng)把向比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的光束作為IOO時(shí)的相對(duì)值。[表5]表5<table>complextableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>發(fā)光光束比當(dāng)把向比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的光束作為100的相對(duì)值從該表5了解到，所有實(shí)施例的發(fā)光裝置都是相對(duì)比較例1有6倍以上高光束的發(fā)光裝置。了解到與比較例1的顯色性Ra22.8相對(duì)，所有的實(shí)施例都是Ra60以上的高顯色性。了解到特別是使用了熒光體1與熒光體4混合物的實(shí)施例2a2d確保了Ra70以上的高顯色性。圖16把向各發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)發(fā)出的光的色度坐標(biāo)(cx,cy)表示在色度圖上。圖中作為oc表示的區(qū)域是車輛用燈具的白色規(guī)定(JIS-D-5500)區(qū)域。從表5了解到，僅使用第一焚光體(焚光體2)的實(shí)施例lb的色度坐標(biāo)位于黃色區(qū)域，僅使用第二熒光體(熒光體5)的參考例1的色度坐標(biāo)位于蘭色區(qū)域。了解到使用第一熒光體(熒光體2)與第二熒光體(焚光體5)混合物的實(shí)施例2a2d的色度坐標(biāo)，由于把兩熒光體的光進(jìn)行混色，因此以大致直線并列地位于在實(shí)施例lb的色度坐標(biāo)與參考例1的色度坐標(biāo)之間。了解到熒光體2與熒光體5是互補(bǔ)色關(guān)系，實(shí)施例2a2d的色度坐標(biāo)位于白色區(qū)域，色溫位于30004600K的暖白色日光色的區(qū)域。根據(jù)以上結(jié)果，通過(guò)調(diào)整本發(fā)明第一熒光體與第二熒光體的配比，能在連結(jié)兩熒光體發(fā)光色的色度坐標(biāo)的直線上得到希望色度坐標(biāo)發(fā)光色的發(fā)光裝置。圖17表示向?qū)嵤├齦b和比較例1的發(fā)光裝置施加IOmA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，實(shí)施例lb的發(fā)光光i普(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光"i普(虛線)。圖17中曲線的縱軸表示實(shí)施例lb和比較例1的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度從該圖17了解到，實(shí)施例lb的發(fā)光裝置相對(duì)比較例1表示出寬的發(fā)光光譜，是高顯色性。圖18表示向?qū)嵤├?a和比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，實(shí)施例2a的發(fā)光光鐠(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)。圖19表示向?qū)嵤├?b和比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，實(shí)施例2b的發(fā)光光語(yǔ)(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光鐠(虛線)。圖20表示向?qū)嵤├?c和比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，實(shí)施例2c的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)。圖21表示向?qū)嵤├?d和比較例1的發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，實(shí)施例2d的發(fā)光光譜(實(shí)線)和比較例1的發(fā)光光譜(虛線)。圖18~圖21中曲線的縱軸表示實(shí)施例2a2d和比較例1的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度從該圖18~圖21了解到，實(shí)施例2a2d的發(fā)光裝置相對(duì)比較例1表示出寬的發(fā)光光譜，是高顯色性。比較圖18~圖21的45(K480nm波長(zhǎng)區(qū)域的發(fā)光光譜與圖14所示的焚光體4的發(fā)光光譜，兩發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)和半峰值寬度大致一致。從這點(diǎn)了解到，實(shí)施例2a2d的發(fā)光裝置把第二熒光體(熒光體5)的光幾乎不被第一熒光體(熒光體2)吸收地射出。〈發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)(形式2)〉實(shí)施例的發(fā)光裝置3a3g使用上述第三實(shí)施例的下面具體結(jié)構(gòu)。下面發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)除了使用的焚光體種類之外，實(shí)施例3a3h和比較例2a2h都是共通的結(jié)構(gòu)。首先，作為部件13是使用聚鄰苯二曱酰胺樹(shù)脂利用嵌件成型而把銅制的電極端子1Oa、1Ob—體化的杯狀成形品。接著，作為半導(dǎo)體發(fā)光元件4，使用在405nm具有發(fā)光波峰的lmm平方的LED(SemiLEDs社制MvpLEDTMSL-V-U40AC),向配置在所述杯狀成形品底部的所述電極端子10a(陽(yáng)極)上滴下的銀膏(工47Vi^義r夕社制84-1LMISR4),使LED的下面粘接在該銀膏上，把該銀膏在175"C環(huán)境下固化1小時(shí)。作為引線6使用c))45jum的金線，把該金線利用超聲波熱壓接而使LED的上面?zhèn)入姌O與電極10b(陰極)接合。作為填充部件使用硅酮樹(shù)脂(東k夕、'々3—二7夕、':>卩〕一7社制JCR6140)把所述LED覆蓋，接合到與部件13的上面成為一個(gè)面的位置后，以80。C環(huán)境下固化40分鐘，然后在150。C環(huán)境下固化60分鐘的步驟進(jìn)行固定化。作為粘合材料而使用硅酮樹(shù)脂(東k夕'々-一二^夕、'少'J-一7社制JCR6140)，向其混入各種熒光體或多種萸光體的混合物而成為3Ovol%，制作熒光體膏。把該熒光體膏向作為透明板13的玻璃基板上使用旋轉(zhuǎn)涂布并且在涂布任意的膜厚度后，在150。C環(huán)境下固化60分鐘以形成熒光層7。最后把所述玻璃基板固定在所述杯狀成形品的上面。按照以上熒光體和發(fā)光裝置(形式2)的結(jié)構(gòu)來(lái)制作以下的實(shí)施例3a3h和比4交例2a2h?！磳?shí)施例3a3h〉本實(shí)施例3a3h是作為所述第一熒光體使用所述熒光體2、作為所述第二焚光體使用所述熒光體5的實(shí)施例，4巴熒光體2(黃)和熒光體5(蘭)以配比(重量比)37(黃)63(蘭)進(jìn)行混合，使用該混合物制作所述熒光體膏，把這些焚光體膏使用旋轉(zhuǎn)涂布按表6所示的各自轉(zhuǎn)速和膜厚度進(jìn)行涂布，形成熒光層7，制作實(shí)施例3a3h的發(fā)光裝置?！幢?交例2a2h〉把熒光體(Sr、Ba、Ca)2Si04:Eu2+(黃)(以下叫做比較用熒光體2)和焚光體5(蘭)以配比(重量比)27(黃)73(蘭)進(jìn)行混合，使用該混合物制作所述熒光體膏，把這些熒光體膏使用旋轉(zhuǎn)涂布按表6所示的各自轉(zhuǎn)速和膜厚度進(jìn)行涂布，形成熒光層7，制作比較例2a2h的發(fā)光裝置?！磳?shí)施例3a3h的評(píng)價(jià)〉在積分球內(nèi)加入10mA的電流使各發(fā)光裝置發(fā)光，利用設(shè)置在透明板12上方的瞬間多功能測(cè)光裝置(大冢電子社制MCPD-1000)來(lái)進(jìn)行測(cè)定。以下詳述其測(cè)定結(jié)果。表6表示形成各發(fā)光裝置的焚光層7時(shí)的旋轉(zhuǎn)涂布轉(zhuǎn)速(rpm)、熒光層的膜厚度(Mm)和向各發(fā)光裝置施加lOmA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的色度坐標(biāo)(cx,cy)。表6<table>complextableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>圖22把向各發(fā)光裝置施加10mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)發(fā)出的光的色度坐標(biāo)(cx，cy)表示在色度圖上。根據(jù)表6和圖22，實(shí)施例和比較例都是隨著熒光層7的膜厚度變厚而色度向黃色方向移動(dòng)。這是由于向熒光層7混入的斯托克斯位移(義卜一夕義〉:7卜)大的黃色系熒光體(熒光體2、比較用熒光體2)吸收蘭色系茇光體(熒光體5)的熒光而向黃色光變換，這是由于熒光層7越厚則該變換量越多所產(chǎn)生的現(xiàn)象。.對(duì)于由膜厚度的變化而引起的色度移動(dòng)量來(lái)比較實(shí)施例和比較例，實(shí)施例3a與3h的膜厚度差(205ium)和比較例2a與2h的膜厚度差(202um)大致相同，相對(duì)地伴隨它的色度移動(dòng)量，實(shí)施例是0.07、比較例是0.19，兩者有約2.6倍的差。其原因在于實(shí)施例的熒光層7所含有的黃色系熒光體(熒光體2)比比較例的熒光層7所含有的黃色系熒光體(比較用熒光體2)在蘭色區(qū)域的激發(fā)特性低。因此，對(duì)于圖22中作為ct表示的所述車輛用燈具的白色規(guī)定區(qū)域，比較例僅限于2b與2d之間膜厚度的范圍內(nèi)(約30nm)能實(shí)現(xiàn)，相對(duì)地，實(shí)施例則能在3a與3g之間寬的膜厚度范圍內(nèi)(約190jLim)實(shí)現(xiàn)。其結(jié)果是只要用本實(shí)施例使用的熒光體來(lái)構(gòu)成白色發(fā)光裝置，則即使不精密控制焚光體的涂布量，也能構(gòu)成色度穩(wěn)定的發(fā)光裝置，在工序管理和合格品率的基礎(chǔ)上能制作便宜的發(fā)光裝置。以上根據(jù)實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明的熒光體，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例，當(dāng)然能考慮各種變更、改良、組合和利用形式等。本發(fā)明的發(fā)光裝置能利用在各種燈具，例如照明用燈具、顯示器、車輛用燈具和信號(hào)機(jī)等上。特別是本發(fā)明的白色發(fā)光裝置能期待適用于車輛用前照燈等需要高輸出白色光的燈具。權(quán)利要求1、一種發(fā)光裝置，其具備發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件和被所述紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光激發(fā)而發(fā)出可見(jiàn)光的至少一種以上的熒光體，其特征在于，作為所述熒光體具備由通式M1O2·aM2O·bM3X2:M4所表示的第一熒光體，其中，M1是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M2是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M3是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種鹵素元素、M4是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu2+的至少一種元素，a在0.1≤a≤1.3的范圍，b在0.1≤b≤0.25的范圍。2、一種發(fā)光裝置，其具備發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件和被所述紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光激發(fā)而發(fā)出可見(jiàn)光的至少兩種以上的熒光體，各熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光是互補(bǔ)色關(guān)系，把來(lái)自這些熒光體的光進(jìn)行加色混合就得到白色光，其特征在于，作為所述熒光體具備第一熒光體和第二熒光體，第一熒光體由通式M'()2'aM20'bM3X2:M4所表示，即，其中，M)是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、N^是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種卣素元素、N^是從稀土類元素和Mn構(gòu)成的組中選擇的必須有Eu"的至少一種元素，a在0.1《a《1.3的范圍，b在O.l《b《0.25的范圍，第二熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光與所述第一熒光體發(fā)出的可見(jiàn)光是互補(bǔ)色關(guān)系。3、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，當(dāng)把所述通式的M4含有量設(shè)定為摩爾比c時(shí)，c的范圍是0.03〈c/(a+c)<0.8。4、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述通式的M1至少必須有Si,Si的比例是80mol%以上。5、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述通式的M2至少必須有Ca和/或Sr，Ca和/或Sr的比例是60mol%以上。6、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述通式的M3至少必須有Sr，Sr的比例是30mol%以上。7、如權(quán)利要求1或2所述的熒光體，其特征在于，所述通式的a在0.3《a《1.2的范圍，b在0.1《b《0.2的范圍，且M4含有量c是0.05《c/(a+c)《0.5。8、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述通式的X至少必須有C1，Cl的比例是50mol。/。以上。9、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體的強(qiáng)激發(fā)帶位于350430nm的波長(zhǎng)區(qū)域。10、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體的發(fā)光光語(yǔ)的波峰波長(zhǎng)位于560590nm的波長(zhǎng)區(qū)域，半峰值寬度是100nm以上。11、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體包含的晶體的至少一部分是具有輝石型晶體結(jié)構(gòu)的晶體。12、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體包含的晶體的至少一部分是屬于晶系為單斜晶體、布拉維晶格為底心單斜晶格、空間群為C2/m的晶體。13、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體包含的晶體的至少一部分在使用Cu的Ka特性X射線的X射線衍射圖形中，當(dāng)把在衍射角26為29.0°以上30.5°以下的范圍存在的最高強(qiáng)度的衍射波峰的衍射強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)，在衍射角26為28.0°以上29.5°以下的范圍、在衍射角26為19.0°以上22.0°以下的范圍、在衍射角26為25.0。以上28.0。以下的范圍、在衍射角26為34.5。以上37.5°以下的范圍、在衍射角26為40.0。以上42.5°以下的范圍分別存在至少顯示衍射強(qiáng)度8以上的波峰。14、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一熒光體包含的晶體的至少一部分在使用Cu的Kcx特性X射線的X射線衍射圖形中，在衍射角26為28.0°以上29.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度50以上的衍射波峰，在衍射角26為19.0°以上22.0。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度8以上的波峰，在衍射角26為25.0°以上28.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為34.5。以上37.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為40.0。以上42.5。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰，在衍射角2θ為13.0。以上15.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰。15、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一焚光體包含的晶體的至少一部分在使用Mo的Koc特性X射線的衍射圖形中，當(dāng)把在衍射角2θ為12.5°以上15.0°以下的范圍存在的最高強(qiáng)度的衍射波峰的衍射強(qiáng)度設(shè)定為100時(shí)，在衍射角26為12.0°以上14.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度50以上的衍射波峰，在衍射角2θ為8.0°以上10.5°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度8以上的波峰，在衍射角26為11.0°以上13.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角2θ為15.5。以上17.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度15以上的波峰，在衍射角26為17.5°以上19.5。以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰，在衍射角2θ為5.0°以上8.0°以下的范圍存在顯示衍射強(qiáng)度10以上的波峰。16、如權(quán)利要求1或2所述的熒光體，其特征在于，所述第一熒光體由權(quán)利要求1115中任一項(xiàng)所述的晶體和其他晶體相或與非晶體相的混合物構(gòu)成，混合物中所述晶體的比例在20%重量以上。17、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二熒光體是蘭色發(fā)光熒光體。18、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二熒光體的發(fā)光光譜波峰位于440~470mn的波長(zhǎng)區(qū)域，半峰值寬度是3060nm。19、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二熒光體是以通式Cax-丫-zMgY(P04)sCl:Eu2+z所表示的熒光體，其中，x處于4.95〈x<5.50的范圍，y處于0<y<1.5的范圍，z處于0.02<z<0.20的范圍，y+z處于0.02≤y+z≤1.7的范圍。20、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件的發(fā)光光譜的波峰位于350nm430nm的波長(zhǎng)區(qū)域。21、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件是半導(dǎo)體發(fā)光元件。22、如權(quán)利要求21所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件是InGaN類的LED或LD。全文摘要一種發(fā)光裝置，其使用被紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光高效率激發(fā)而發(fā)光的熒光體來(lái)提供高顯色性、高光束。該發(fā)光裝置具備發(fā)出紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的發(fā)光元件和被所述紫外線或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光激發(fā)而發(fā)出可見(jiàn)光的熒光體，作為熒光體具備由通式M¹O₂·aM²O·bM³X₂∶M⁴表示的熒光體，其中，M¹是從Si、Ge、Ti、Zr、Sn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M²是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、M³是從Mg、Ca、Sr、Ba、Zn構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素、X至少是一種鹵素元素、M4是必須有Eu²⁺的至少一種稀土類元素。a在0.1≤a≤1.3的范圍，b在0.1≤b≤0.25的范圍。文檔編號(hào)C09K11/78GK101345282SQ200810135778公開(kāi)日2009年1月14日申請(qǐng)日期2008年7月14日優(yōu)先權(quán)日2007年7月12日發(fā)明者大長(zhǎng)久芳,巖崎剛,榎本公典申請(qǐng)人:株式會(huì)社小糸制作所