專利名稱：膜形成方法及電光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種膜形成方法及電光裝置。
背景技術(shù)：
根據(jù)現(xiàn)有資料，己知有防止在基板涂敷溶液時其圖案的外緣部的膜厚 比其他部分厚的技術(shù)。該技術(shù)使從噴嘴向基板的寬度方向的端部噴射涂敷 的溶液的量中向?qū)挾确较虻膬?nèi)方噴射涂敷的量多于端部的量(例如，參照 專利文獻(xiàn)l)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2006-289239號公報(bào)。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，如果削減圖案外緣部的涂敷量，則外緣部 比中央部更容易干燥，當(dāng)使圖案干燥之際，圖案外緣部的溶液濃度比圖案 中央部的溶液濃度上升。有在圖案內(nèi)產(chǎn)生這種濃度的梯度時，為了補(bǔ)平該 梯度，而使溶液中的溶劑從中央部向外緣部移動的課題。因此，存在由于 削減圖案外緣部的涂敷量，反而使外緣部的厚度比其他部分厚的問題。
艮P，如圖8 (a)所示，當(dāng)在基材BM上涂敷材料液L并使其干燥時， 由于外緣LE側(cè)比中央C側(cè)更容易干燥，因此，材料液L的外緣LE側(cè)的 溶質(zhì)的濃度比中央C側(cè)的濃度上升。并且，為補(bǔ)平該濃度的梯度，材料液 L中的溶劑如箭頭S所示向外緣LE側(cè)移動。由此，如圖8 (b)所示，膜 F的外緣部的厚度T1比其他部分的膜厚t厚。例如，當(dāng)將膜F的膜厚t設(shè) 定為約0.3um 1.2um的范圍時，外緣部的膜厚Tl為例如約3nm 5 um左右的范圍。另外，膜厚T1比其他部分的膜厚t大的外緣部的寬度 Wl例如為約lmm左右以下的范圍。
另外，在液晶裝置等的電光裝置的基板上形成的膜中，如果膜的外緣 部變厚，則成為電光裝置出現(xiàn)顯示不良從而顯示質(zhì)量降低的主要原因
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠防止膜形成時材料液向外緣部移動，從而防止外 緣部的膜厚比其他部分厚的膜形成方法以及顯示質(zhì)量高的電光裝置。
為解決上述課題，本發(fā)明提供一種膜形成方法，其在基材的涂敷區(qū)域 涂敷材料液，并使所述材料液干燥而形成膜，所述膜形成方法的特征在于， 具有隔壁形成工序，其在所述涂敷區(qū)域形成框狀的隔壁；材料液涂敷工 序，其在所述涂敷區(qū)域涂敷所述材料液；干燥工序，其使所述材料液干燥，
其中，在所述隔壁形成工序中，在比所述涂敷區(qū)域的外緣靠所述涂敷區(qū)域 的中央側(cè)，形成所述隔壁的所述中央側(cè)的側(cè)面，所述隔壁的高度形成為小 于所述材料液在涂敷時的膜厚且在干燥后的所述膜的膜厚以上。
通過按上述方法形成，當(dāng)將膜的材料液涂敷到基材上的涂敷區(qū)域并使 其干燥時，利用溶劑的蒸發(fā)而使材料液的膜厚逐漸減少。并且，在涂敷材 料液時，浸漬于材料液中的隔壁不久與材料液的膜厚等高，到達(dá)材料液的 表面。由此，通過隔壁，材料液被分隔為隔壁的外側(cè)的涂敷區(qū)域的外緣側(cè) 和由隔壁包圍的涂敷區(qū)域的中央側(cè)。當(dāng)材料液的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)時，材料 液的膜厚低于隔壁的高度，材料液的溶質(zhì)濃度上升。材料液越靠近涂敷區(qū) 域的外緣越容易干燥，越靠近涂敷區(qū)域的中央部越難以干燥。因此，涂敷 區(qū)域的外緣部的材料液的溶質(zhì)的濃度比中央部的濃度上升，從而在涂敷區(qū) 域的外緣部和中央部之間產(chǎn)生濃度的梯度。這時，由于利用隔壁將材料液 的外緣部與中央部分隔開，因此，溶劑從材料液的溶質(zhì)濃度低的涂敷區(qū)域 的中央部向溶質(zhì)濃度高的外緣部的移動被隔壁所限制。從而，能夠防止膜 形成時材料液中的溶劑從中央部向外緣部移動，進(jìn)而防止外緣部的膜厚比 其他部分厚。另外，由此，能夠充分確保涂敷材料液之后用于確保平坦性 的調(diào)平時間，從而能夠提高膜的平坦性。
另外，在本發(fā)明的膜形成方法的特征在于，在所述隔壁形成工序中， 從所述中央側(cè)向所述外緣側(cè)多重形成多個所述隔壁。
通過按上述方法形成，在所述干燥工序中，材料液從涂敷區(qū)域的中央 部到外緣部之間，與形成單一的隔壁比較，被分隔為更多的區(qū)域。由此， 能夠使在各區(qū)域分隔的材料液的外緣部側(cè)和中央部側(cè)之間的干燥的容易 度處于更接近的狀態(tài)，從而能夠防止在被分隔的區(qū)域內(nèi)的外緣部側(cè)與中央 部側(cè)之間產(chǎn)生濃度的梯度。從而，能夠更有效地防止在膜形成時材料液中的溶劑從涂敷區(qū)域的中央部向外緣部移動，從而能夠使膜厚更均勻，進(jìn)而 能夠更加可靠地防止外緣部的膜厚比其他部分厚。
另外，本發(fā)明的膜形成方法的特征在于，在所述隔壁形成工序中，涂 敷所述材料液并使其干燥，從而形成由所述材料液構(gòu)成的所述隔壁。
通過按上述方法形成，能夠使用與膜同樣的材料，利用與膜的形成同 樣的裝置及方法來形成隔壁，不需要用于形成隔壁的新裝置和新材料。從 而，能夠容易地進(jìn)行膜的形成，進(jìn)而提高生成率。
另外，本發(fā)明的膜形成方法的特征在于，在所述材料液涂敷工序中， 使用液滴噴出法來涂敷所述材料液。
通過按上述方法形成，能夠使材料液均勻且正確地涂敷到基材上的涂 敷區(qū)域。
另外，本發(fā)明的膜形成方法的特征在于，所述膜是對液晶分子的取向 加以限制的取向膜。
通過按上述方法形成，能夠使取向膜的膜厚均勻，從而能夠提高使用 了取向膜的產(chǎn)品的質(zhì)量。
另外，本發(fā)明的電光裝置通過在對置的一對基板間夾持電光材料而 成，所述電光裝置的特征在于，利用上述任一項(xiàng)中所述的膜形成方法，在 所述基板的所述電光材料側(cè)的表面上形成所述膜。
通過按上述方式構(gòu)成，由于在基板的電光材料側(cè)的表面形成的膜為膜 厚均勻且平坦的膜，因此，能夠使基板間的間隔一定，從而能夠提高電光 裝置的顯示質(zhì)量。


圖1 (a)是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶裝置的俯視圖，(b)是沿(a) 的H-H'線的剖視圖。
圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶裝置的等效電路圖。
圖3是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的取向膜形成方法的局部放大俯視圖。
圖4是沿圖3的A-A'線的剖視圖。 圖5是沿圖3的A-A'線的剖視圖。圖6是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的與圖5相當(dāng)?shù)钠室晥D。 圖7是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的與圖5相當(dāng)?shù)钠室晥D。 圖8 (a)及(b)是說明現(xiàn)有的取向膜形成方法的剖視圖。 圖中IO-TFT陣列基板(基材、基板)，11-隔壁，lla-第一隔壁(隔 壁)，llb-第二隔壁(隔壁)，llc-第三隔壁(隔壁)，12、 12b-側(cè)面，16-取向膜(膜)，20-對置基板(基材、基板)，22-取向膜(膜)，24-隔壁， 50-液晶層(電光材料)，100-液晶裝置(電光裝置)，C-中央，h-高度，L-材料液，LE-外緣，LA-涂敷區(qū)域，T-膜厚，t-膜厚。
具體實(shí)施例方式
〈第一實(shí)施方式〉
下面，基于附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。以下，作為電光 裝置的一例，對將薄膜晶體管(Thin Film Transistor: TFT)作為像素開關(guān) 元件的有源矩陣型的液晶裝置進(jìn)行說明。此外，在以下說明所用的各圖中， 為使各層和各構(gòu)件成為在圖面上可識別程度的大小，使每個層和每個構(gòu)件 比例不同。
(液晶裝置)
圖1 (a)是將本實(shí)施方式的液晶裝置與各結(jié)構(gòu)要素一起從對置基板側(cè) 看的俯視圖，圖1 (b)是沿圖1的H-H，線的剖視圖。圖2是在液晶裝置 的圖像顯示區(qū)域中以矩陣狀形成的多個像素中的各種元件、配線等的等效 電路圖。
如圖l (a)所示，液晶裝置100具有通過密封件52被貼合的TFT陣 列基板10和對置基板20。密封件52設(shè)置為沿對置基板20的外周的俯視 下大致為矩形框狀，在通過該密封件52劃分的區(qū)域中封入液晶。在密封 件52的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)形成有遮光膜53，所述遮光膜53由遮光性材料構(gòu) 成且在俯視下大致為矩形框狀。并且，該遮光膜53的內(nèi)側(cè)的區(qū)域構(gòu)成為 圖像顯示區(qū)域10a。在密封件52的形成區(qū)域的外側(cè)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201 及外部電路安裝端子202沿TFT陣列基板10的一邊(圖示下邊)而形成， 沿與該一邊鄰接的兩個邊分別形成有掃描線驅(qū)動電路204、 204。在TFT 陣列基板10的剩余一邊(圖示上邊)形成有多個配線205，所述多個配線205連接圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)的掃描線驅(qū)動電路204、204之間。另外， 在對置基板20的各角部配置有作為導(dǎo)電粒子的基板間導(dǎo)通構(gòu)件206，所述 導(dǎo)電粒子用于實(shí)現(xiàn)TFT陣列基板10與對置基板20之間的電導(dǎo)通。
如圖1 (b)所示，通過密封件52使TFT陣列基板10和與之對置的 對置基板20貼合。并且，在通過TFT陣列基板10和對置基板20之間的 密封件52所劃分的區(qū)域內(nèi)夾持有液晶層50。在TFT陣列基板10的內(nèi)面 側(cè)(液晶層50側(cè))形成有像素電極9，還形成有覆蓋像素電極9并對液晶 分子的取向加以限制的取向膜16。另一方面，在對置基板20的內(nèi)面?zhèn)?液 晶層50側(cè))形成有俯視下為柵格狀的遮光膜23，所述遮光膜23與TFT 陣列基板10上的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素開關(guān)用TFT (后述)的形成區(qū)域 對置。另外，對置電極21覆蓋遮光膜23而形成在對置基板20的整個面 上，還形成有覆蓋對置電極21的取向膜22。這里，取向膜16、 22例如通 過聚酰亞胺而形成。另夕卜，取向膜16、 22以約0.3um 1.2um左右范圍 的膜厚而形成。
在密封件52的內(nèi)側(cè)(圖像顯示區(qū)域10a側(cè))，在取向膜16、 22的外 緣部，在TFT陣列基板10及對置基板20上形成有凸?fàn)畹母舯?1、 24。 隔壁11、 24沿俯視下大致為矩形狀形成的取向膜16、 22的外緣16e、 22e 而形成，如圖1 (a)所示，其形成俯視下大致為矩形框狀。在TFT陣列 基板10及對置基板20上形成有多個隔壁11、 24。此外，在圖1 (a)及 圖l (b)中，為使圖面清晰，將多個隔壁ll、 24省略為兩個來表示。
從俯視下為矩形狀形成的取向膜16、 22的形成區(qū)域的中央側(cè)(中心 線CL側(cè))向取向膜16、 22的形成區(qū)域的外緣16e、 22e側(cè)多重形成隔壁 11、 24。另外，在多重形成的隔壁ll、 24中，在最外周形成的隔壁ll、 24，或在其內(nèi)側(cè)形成的隔壁11、 24的中心線CL側(cè)的側(cè)面位于比取向膜 16、 22的外緣16e、 22e靠中央側(cè)(中心線CL側(cè))，高度為取向膜16、 22 的膜厚以上。
另夕卜，在液晶裝置100的圖像顯示區(qū)域10a中，如圖2所示，多個像 素100a以矩陣狀構(gòu)成，并在這些像素100a的每一個中形成有像素開關(guān)用 TFT30,供給像素信號S1、 S2、…、Sn的數(shù)據(jù)線6a與TFT30的源極電連 接。寫入數(shù)據(jù)線6a的像素信號Sl、 S2、…、Sn可以此順序按線順次供給，也可以按組對相鄰接的多個數(shù)據(jù)線6a之間供給。另外，F(xiàn)TF30的柵極與 掃描線3a電連接，并以規(guī)定的定時使脈沖的掃描信號G1、 G2、…、Gm 以此順次按線順次施加在掃描線3a上。
由于像素電極9與TFT30的漏極電連接，使作為開關(guān)元件的TFT30 僅在一定期間導(dǎo)通，從而，將從數(shù)據(jù)線6a供給的像素信號Sl、 S2、…、 Sn以規(guī)定的定時寫入各圖案。如此進(jìn)行后，借助像素電極9寫入液晶的規(guī) 定電平的像素信號S1、 S2、…、Sn在圖1 (b)所示的對置基板20的對 置電極21之間被保持一定期間。另外，為防止保持的像素信號S1、S2、…、 Sn泄露，與在像素電極9和對置電極21之間形成的液晶電容并聯(lián)地附加 蓄積電容60。另外，蓄積電容60由電容線3b的一部分構(gòu)成。取向膜形成方法
下面，例舉本實(shí)施方式的液晶裝置100的取向膜16、 22的形成方法 來對本發(fā)明的膜形成方法進(jìn)行說明。這里，對在TFT陣列基板IO上涂敷 材料液，并使其干燥而形成取向膜16的方法進(jìn)行說明。另外，在以下的 說明中，以取向膜16的形成工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說明，其他工序的說明適當(dāng) 省略。此外，對除取向膜16的形成工序以外的工序，可以釆用公知技術(shù)。 (隔壁形成工序)
首先，在TFT陣列基板10上形成上述TFT30、掃描線3a、電容線3b、 數(shù)據(jù)線6a以及像素電極9等之后，形成俯視下為矩形的框狀的隔壁11。
如圖3及圖4所示，在涂敷區(qū)域LA的外緣部形成有多個隔壁ll，所 述涂敷區(qū)域LA用于涂敷包括作為取向膜16的材料的聚酰亞胺的材料液 L。涂敷區(qū)域LA的中央C與TFT陣列基板10的圖像顯示區(qū)域10a的中心 大致一致，外緣LE沿后續(xù)工序形成的密封件52的內(nèi)緣被限定。
作為隔壁11的形成方法，可以使用液滴噴出法。具體而言，將取向 膜16的材料液L從液滴噴出頭(圖示省略)以液滴噴出并涂敷在TFT陣 列基板IO上的隔壁11的形成區(qū)域。然后，使涂敷的材料液L干燥來形成 隔壁ll。由此，形成與取向膜16為同一材料液L所構(gòu)成的隔壁11。這時， 可以在涂敷材料液L并使其干燥之后，利用例如蝕刻法等進(jìn)行加工使隔壁 ]l成形為所需的形狀及圖案。
在本實(shí)施方式中，使用液滴噴出法，從涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)向外緣LE側(cè)三重形成第一隔壁11a、第二隔壁lib以及第三隔壁llc這三個隔 壁ll。這時，涂敷區(qū)域LA的外緣LE位于最外周的第三隔壁llc上，第 三隔壁lie的內(nèi)側(cè)的第二隔壁lib的側(cè)面12b位于比涂敷區(qū)域LA的外緣 LE靠涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)。
另夕卜，如圖4所示，隔壁ll的高度h形成為小于取向膜16的材料液 L在涂敷時的膜厚T，且在形成后的取向膜16的膜厚t以上。這里，材料 液L在涂敷時的膜厚T例如在約2 y m 3 n m左右的范圍內(nèi)，干燥后的取 向膜16的膜厚t例如在約0.3ixm 1.2um左右的范圍內(nèi)。另外，隔壁11 的高度h形成為小于液晶裝置100的單元間隙。 (材料液涂敷工序)
下面，例如利用使用了噴墨頭的液滴噴出法在涂敷區(qū)域LA涂敷材料 液L。由此，如圖3及圖4所示，第一隔壁lla及第二隔壁llb成為浸漬 于材料液L中的狀態(tài)。另外，材料液L的外緣LE成為位于第三隔壁llc 上并與之相接的狀態(tài)。這里，涂敷時的材料液L的聚酰亞胺等的溶質(zhì)的濃 度例如為約5%左右。 (干燥工序)
下面，使涂敷區(qū)域LA的材料液L干燥。當(dāng)使材料液L干燥時，由于 材料液L的溶劑的蒸發(fā)，材料液L的膜厚T逐漸減少。并且，在涂敷材料 液L時，浸漬到材料液L中的第一隔壁lla、第二隔壁llb的高度h不久 與材料液L的膜厚T相等，到達(dá)材料液L的表面。
由此，如圖5所示，通過第一隔壁lla及第二隔壁llb，材料液L被 分隔為多個區(qū)域LA1、 LA2、 LA3。
當(dāng)材料液L的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)時，材料液L的膜厚T比隔壁11的高 度h減少，材料液L的溶質(zhì)濃度上升。這時，材料液L越靠近涂敷區(qū)域 LA的外緣LE側(cè)的區(qū)域LA3越容易干燥，越靠近涂敷區(qū)域LA的中央C 側(cè)的區(qū)域LA1越難以干燥。因此，區(qū)域LA3的材料液L的溶質(zhì)的濃度比 區(qū)域LA1的濃度上升，涂敷區(qū)域LA的外緣LE側(cè)和中央C側(cè)之間產(chǎn)生濃 度的梯度。這時，材料液L的外緣LE側(cè)和中央C側(cè)被第一隔壁lla及第 二隔壁llb分隔，因此，溶劑從材料液L的溶質(zhì)濃度低的中央C側(cè)的區(qū)域 LA1、 LA2向溶質(zhì)濃度高的外緣LE側(cè)區(qū)域LA2、 LA3的移動被第一隔壁lla及第二隔壁llb限制。
從而，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠防止在形成取向膜16時，材料液L中 的溶劑從中央C側(cè)向外緣LE側(cè)移動，進(jìn)而防止取向膜16的外緣部的膜 厚t比其他部分厚。另外，由此，能夠充分確保涂敷材料液L之后用于確 保平坦性的調(diào)平時間，從而能夠提高取向膜16的平坦性。
另外，通過多重形成多個隔壁ll，在干燥工序中，涂敷區(qū)域LA的中 央C側(cè)到外緣LE側(cè)之間與形成單一的隔壁11的情況比較，材料液L被 分隔為更多的區(qū)域LA1、 LA2、 LA3。由此，能夠使在各區(qū)域LA1、 LA2、 LA3中分隔的材料液L的外緣LE側(cè)和中央C側(cè)之間的干燥容易度成為更 接近的狀態(tài)，從而能夠防止在被分隔的各區(qū)域LA1、 LA2、 LA3內(nèi)的外緣 LE側(cè)和中央C側(cè)之間產(chǎn)生濃度的梯度。從而，能夠更加有效地防止在形 成取向膜16時，材料液L中的溶劑從涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)向外緣LE 側(cè)移動，從而能夠使膜厚t更均勻，進(jìn)而能夠更加可靠地防止外緣部的膜 厚t比其他部分厚。
另外，如上所述，在多重形成多個隔壁11的情況下，通過以涂敷區(qū) 域LA的外緣LE位于最外周的第三隔壁llc上的方式來形成第三隔壁llc， 并使外緣LE成為與第三隔壁llc相接的狀態(tài)而涂敷材料液L，由此，能 夠防止材料液L的外緣LE超過第三隔壁llc，并通過第三隔壁llc來規(guī) 定取向膜16的外緣16e。
另外，能夠通過使用取向膜16的材料液L來形成隔壁11，并利用與 取向膜16的形成同樣的裝置及方法來形成隔壁11，不需要用于形成隔壁 ll的新裝置和新材料。從而，能夠容易地進(jìn)行取向膜16的形成，進(jìn)而提 高生成率。
另外，通過利用液滴噴出法來涂敷材料液L，能夠使材料液L均勻且 正確地涂敷到TFT陣列基板10上的涂敷區(qū)域LA上。
另外，與上述的取向膜16的形成方法同樣地，通過在對置基板20上 形成取向膜22，能夠使取向膜22的膜厚均勻從而提高平坦性。
如以上說明，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提高取向膜16的平坦性，使膜 厚t均勻而提高取向膜16的質(zhì)量。從而，能夠提高使用了取向膜16的液 晶裝置100的質(zhì)量。即，由于在TFT陣列基板10的液晶層50側(cè)的表面形成的取向膜16為膜厚t均勻且平坦的膜，因此，能夠使TFT陣列基板IO 與對置基板20之間的間隔設(shè)定為一定，從而能夠提高液晶裝置100的顯
示質(zhì)量。
〈第二實(shí)施方式〉
下面，引用圖1 圖4，并使用圖6對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說 明。本實(shí)施方式在TFT陣列基板10上形成單一的隔壁11這一點(diǎn)上與上述 第一實(shí)施方式不同。由于在其他點(diǎn)上與第一實(shí)施方式同樣，因此，同一部 分標(biāo)以同一符號并省略說明。 (隔壁形成工序)
如圖6所示，與第一實(shí)施方式同樣地，在TFT陣列基板10上形成單 一的隔壁ll。這時，隔壁ll的中央C側(cè)的側(cè)面12位于比涂敷區(qū)域LA的 外緣LE靠涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)的位置。 (材料液涂敷工序) 下面，與第一實(shí)施方式同樣地，在涂敷區(qū)域LA涂敷材料液L。 (千燥工序)
下面，使涂敷區(qū)域LA的材料液L與第一實(shí)施方式同樣地干燥。由此， 如圖6所示，材料液L被隔壁11分隔為涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)的區(qū)域 LA1和外緣LE側(cè)的區(qū)域LA2。
當(dāng)材料液L的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)時，區(qū)域LA2的材料液L的溶質(zhì)的濃 度比區(qū)域LA1的濃度上升，在涂敷區(qū)域LA的外緣LE側(cè)和中央C側(cè)之間 產(chǎn)生濃度的梯度。這時，由于材料液L被隔壁11分隔為外緣LE側(cè)和中央 C側(cè)，因此，溶劑從材料液L的溶質(zhì)濃度低的中央C側(cè)的區(qū)域LA1向溶 質(zhì)濃度高的外緣LE側(cè)的區(qū)域LA2的移動被隔壁11限制。
從而，根據(jù)本實(shí)施方式，不僅能夠獲得與第一實(shí)施方式同樣地效果， 且隔壁的形成容易，從而成產(chǎn)率提高。 〈第三實(shí)施方式〉
下面，引用圖1 圖4，并使用圖7對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說 明。本實(shí)施方式在隔壁11的寬度被擴(kuò)大且在隔壁11上形成涂敷區(qū)域LA 的外緣LE這一點(diǎn)上與第二實(shí)施方式不同。由于其他點(diǎn)與第二實(shí)施方式同 樣，因此，同一部分標(biāo)以同一符號并省略說明。
ii(隔壁形成工序)
如圖7所示，與第二實(shí)施方式同樣地，在TFT陣列基板10上形成單 一的隔壁ll。這時，隔壁ll的中央C側(cè)的側(cè)面12位于比涂敷區(qū)域LA的 外緣LE靠涂敷區(qū)域LA的中央C側(cè)的位置。另外，使隔壁11的寬度W 與取向膜16的外緣部的想要平坦化的寬度對應(yīng)而形成。這里，例如，寬 度W形成為約l.Omm以下。
(材料液涂敷工序) 下面，與第二實(shí)施方式同樣地在涂敷區(qū)域LA涂敷材料液L。
(干燥工序)
下面，與第二實(shí)施方式同樣地使涂敷區(qū)域LA的材料液L干燥。由此， 材料液L從涂敷區(qū)域LA的外緣LE側(cè)的表面附近干燥。因此，隔壁ll的 中央C側(cè)的側(cè)面12和外緣LE之間的區(qū)域LA2最先干燥，在區(qū)域LA2形 成取向膜。這時，比隔壁11的中央C側(cè)的側(cè)面12靠中央C側(cè)的區(qū)域LA1 的TFT陣列基板10側(cè)的材料液L還沒有充分干燥，殘留有還沒有蒸發(fā)的 溶劑。因此，溶劑向溶質(zhì)濃度高的外緣LE側(cè)移動。
但是，由于在區(qū)域LA1和區(qū)域LA2之間形成有隔壁11的中央C側(cè)的 側(cè)面12，區(qū)域LA2的材料液L干燥并己經(jīng)形成取向膜16，因此，TFT陣 列基板IO側(cè)的溶劑的移動被隔壁11的中央C側(cè)的側(cè)面12和區(qū)域LA2的 取向膜16所限制。
從而，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠與第二實(shí)施方式同樣地使取向膜16平 坦化。
此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，形成的膜可以不是取向膜。 例如，抗蝕劑膜或液晶裝置的層間膜等要求平坦性的膜的形成也能夠使用 本發(fā)明的膜形成方法。
另外，隔壁及取向膜的材料液的涂敷方法并不限定于液滴噴出法。例 如，也可以使用分配器等來涂敷材料液。
另外，也可以利用與膜不同的材料來形成隔壁。例如，可以利用光刻 法或蝕刻法等來加工基板。另外，在基板上形成的配線和TFT的形成工序 中，也可以利用與它們同樣的材質(zhì)來形成隔壁。由此，能夠使隔壁的形成 與配線和TFT —起形成，從而能夠提高生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
1. 一種膜形成方法，其在基材的涂敷區(qū)域涂敷材料液，并使所述材料液干燥而形成膜，所述膜形成方法的特征在于，具有隔壁形成工序，其在所述涂敷區(qū)域形成框狀的隔壁；材料液涂敷工序，其在所述涂敷區(qū)域涂敷所述材料液；干燥工序，其使所述材料液干燥，其中，在所述隔壁形成工序中，在比所述涂敷區(qū)域的外緣靠所述涂敷區(qū)域的中央側(cè)，形成所述隔壁的所述中央側(cè)的側(cè)面，所述隔壁的高度形成為小于所述材料液在涂敷時的膜厚且在干燥后的所述膜的膜厚以上。
2. 如權(quán)利要求1所述的膜形成方法，其特征在于， 在所述隔壁形成工序中，從所述中央側(cè)向所述外緣側(cè)多重形成多個所述隔壁。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于， 在所述隔壁形成工序中，涂敷所述材料液并使其干燥，從而形成由所述材料液構(gòu)成的所述隔壁。
4. 如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的膜形成方法，其特征在于，在所述材料液涂敷工序中，使用液滴噴出法來涂敷所述材料液。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的膜形成方法，其特征在于，所述膜是對液晶分子的取向加以限制的取向膜。
6. —種電光裝置，其通過在對置的一對基板間夾持電光材料而成， 所述電光裝置的特征在于，利用權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的膜形成方法，在所述基板的所述 電光材料側(cè)的表面上形成所述膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止膜形成時材料液向外緣部移動，從而防止外緣部的膜厚比其他部分厚的膜形成方法以及顯示質(zhì)量高的電光裝置。所述膜形成方法的特征在于，具有隔壁形成工序，其在涂敷區(qū)域(LA)形成框狀的隔壁(11)；材料液涂敷工序，其在涂敷區(qū)域(LA)涂敷材料液(L)；干燥工序，其使材料液(LA)干燥，其中，在隔壁形成工序中，在比涂敷區(qū)域(LA)的外緣(LE)靠涂敷區(qū)域(LA)的中央(C)側(cè)，形成隔壁(11)的中央(C)側(cè)的側(cè)面(12b)，隔壁(11)的高度(h)形成為小于材料液(L)在涂敷時的膜厚(T)且在干燥后的膜(16)的膜厚(t)以上。
文檔編號B05D3/00GK101422770SQ20081017460
公開日2009年5月6日 申請日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者鈴木克己 申請人:精工愛普生株式會社