專利名稱：：發(fā)光顯示裝置、等離子體顯示裝置和熒光體粒子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于電視等的圖像顯示的等離子體顯示裝置等的發(fā)光顯示裝置及其所使用的熒光體粒子。
背景技術(shù)：
：近年來，對(duì)于高精細(xì)、高品質(zhì)、大畫面的電視的需要提高。等離子體顯示裝置(也稱為PlasmaDisplayPanel(PDP))除了這些特點(diǎn)以外，也具有薄型、還輕量這樣的特點(diǎn)。因此，使用等離子體顯示裝置的等離子體電視受到注目。等離子體顯示裝置通過所主謂的三原色相加混色來進(jìn)行全色(foilcolor)顯示。為了進(jìn)行該全色顯示，在PDP上發(fā)出作為三原色的紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的各色的光的熒光體層設(shè)置在隔壁中。構(gòu)成熒光體層的熒光體粒子，受到在等離子體顯示裝置的放電單元(dischargecell)內(nèi)發(fā)生的中心波長為147nm的Xe的共振線、和中心波長為172nm的分子束形成的真空紫外線激勵(lì)，生成紅、綠、藍(lán)各色可見光。等離子顯示裝置中，在放電單元內(nèi)陷獲等離子體而使紫外線發(fā)生。因此，熒光體層被曝露在等離子體中，由于等離子體中的陽離子與熒光體粒子碰撞，從而導(dǎo)致熒光體粒子劣化這樣的問題。非專利文獻(xiàn)l和專利文獻(xiàn)1至4公開，通過以氧化鋁、氧化鎂等金屬氧化物涂覆熒光體粒子的表面，從而防止熒光體粒子的劣化。專利文獻(xiàn)1:特開平10-125240號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開平11-172244號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開2001-55567號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特開平10-195428號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)l:電氣學(xué)會(huì)技術(shù)報(bào)告第830號(hào)2001年5月p30-39非專利文獻(xiàn)2:NHK技研R&D/No.93/2005.9隨著高精細(xì)的電視播放的普及，要求作為像素?cái)?shù)1920(水平)X1080(垂直)的全高清電視(Full-specHigh-Vision)的顯示裝置。全高清電視的顯示裝置與作為現(xiàn)有的像素?cái)?shù)為852(水平)X480(垂直)的NTSC的顯示裝置比較，像素?cái)?shù)是其6倍，顯示電極和地址電極的數(shù)量變?yōu)?.25倍。因此，在全高清電視的等離子體顯示裝置中，每單位英寸的發(fā)光單元的面積非常小，為現(xiàn)有的NTSC方式的顯示裝置的單元的1/6左右，另外，電極數(shù)也增加至2.25倍。由于上述的理由，為了實(shí)現(xiàn)全高清電視的等離子體顯示裝置，就需要提高各單元的發(fā)光效率。因此，在現(xiàn)有全高清電視的等離子體顯示裝置中，就要縮小構(gòu)成單元的隔壁間隔，減小作為不發(fā)光區(qū)域的隔壁的面積。例如，如果是42尺寸的全高清電視的等離子體顯示裝置，則1個(gè)像素的尺寸為0.48mm，分離各色的單元的隔壁的厚度設(shè)置為0.16mm左右。另外，為了防止由于單元尺寸變小而帶來的發(fā)光效率的降低，則要提高作為放電氣體的Xe氣的濃度。例如，Ne-Xe混合氣體中的Xe氣分壓提高到15%以上。但是，采用這種構(gòu)造時(shí)，隨著單元的微細(xì)化是放電空間狹窄，由放電產(chǎn)生的電子容易向隔壁側(cè)漂移(drift)并消失。因此，為了得到與現(xiàn)有的面板相同的亮度而需要外加更高的放電電壓。其結(jié)果是產(chǎn)生消費(fèi)電力增大，亮度效果降低這樣的新問題。另外，隨著放電電壓的上升而來的是與熒光體粒子碰撞的離子的碰撞變大，還會(huì)產(chǎn)生面板的亮度劣化加速這樣的問題(非專利文獻(xiàn)K2)。非專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)1至4所公開的技術(shù)，不能充分解決這些問題。這一課題不僅與等離子體顯示裝置，而且與場致發(fā)射型顯示裝置等使用熒光體顯示圖像的發(fā)光顯示裝置共通。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的課題而做，其目的在于，提供一種亮度劣化少的熒光體粒子、等離子體顯示裝置和發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，是由熒光體材料構(gòu)成的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，所述熒光體材料含有在Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素，從所述熒光體粒子表面至深度為20nm為止的范圍內(nèi)，有所述至少1個(gè)元素在深度方向的濃度分布的極大值。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，從所述熒光體粒子表面至深度為20nm為止的所述至少1個(gè)元素的平均濃度比所述熒光體粒子整體的平均濃度的1倍大、在3倍以下。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述熒光體粒子中，除所述至少l個(gè)元素以外，構(gòu)成所述熒光體材料的其他元素的分布實(shí)質(zhì)上均一。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，通過使所述至少1個(gè)元素從所述熒光體粒子表面向內(nèi)部擴(kuò)散，而使在從所述熒光體粒子表面至深度為20nm為止的所述至少1個(gè)元素的平均濃度得以提高。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu、SrMg(Si02):Eu、Sr2MgSi207:Eu、CaMgSi206:Eu、SrMgSb06:Eu之中的至少1種。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有(Y、Gd)B03:Tb，LaP04:Ce、Tb，BaMg2All4024:Eu、Mn，BaAl12019:Mn，Zn2Si04:Mn之中的至少1種。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有Y(P、V)04:Eu、Y203:Eu、(Y、Gd)203:Eu、(Y、Gd)B03:Eu之中的至少1種。本發(fā)明的等離子體顯示裝置是如下這種等離子體顯示裝置，其具有前面板和背面板，前面板包括透明基板、和設(shè)于透明基板上的多個(gè)條狀(Stripe)的顯示電極；背面板包括支撐基板；設(shè)于所述支撐基板的多個(gè)條狀的地址電極；至少位于各地址電極間而設(shè)于所述支撐基板的多個(gè)隔壁；以覆蓋所述隔壁間的各地址電極的方式配置的熒光體層，按照使所述地址電極和所述顯示電極大致相互正交、在所述隔壁間的空間內(nèi)密封放電氣體的方式，將所述前面板和背面板對(duì)向地配置，所述熒光體層含有上述任一項(xiàng)中所規(guī)定發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述熒光體層中，所述發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的表面露出。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述放電氣體含有15體積％以上的氤氣。本發(fā)明的發(fā)光顯示裝置具有輻射比可見光波長短的電磁波或電子射線的激發(fā)源；配置在所述電磁波或電子射線放射位置的、上述任一項(xiàng)中所規(guī)定的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子。本發(fā)明的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法包括如下工序準(zhǔn)備由熒光體材料構(gòu)成的熒光體粒子的工序；在含有包含A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素的非水溶性有機(jī)金屬化合物和非水性溶劑的溶液中浸漬所述熒光體粒子的工序(A);除去所述非水性溶劑，得到有所述非水溶性有機(jī)金屬化合物附著在表面的熒光體粒子的工序(B);對(duì)在表面附著有所述非水溶性有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子進(jìn)行熱處理的工序(C)o在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述非水溶性有機(jī)金屬化合物為脂肪酸的金屬鹽、乙酰丙酮金屬鹽、不飽和羧酸金屬鹽、茂金屬化合物、p-二酮之中的至少1種。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述工序(C)將表面附著有所述非水溶性有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子在50(TC以上、65(TC以下進(jìn)行加熱。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu、SrMg(Si02):Eu、Sr2MgSi207:Eu、CaMgSi206:Eu、SrMgSi206:Eu之中的至少1種。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有(Y、Gd)B03:Tb，LaP04:Ce、Tb，BaMg2All4024:Eu、Mn，BaAl12019:Mn，Zri2Si04:Mn之中的至少1種。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述熒光體材料含有Y(P、V)04:Eu、Y203:Eu、(Y、Gd)203:Eu、(Y、Gd)B03:Eu之中至少1種。根據(jù)本發(fā)明，從熒光體粒子表面到深度為20nm為止范圍內(nèi)的改質(zhì)層中，存在A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素在深度方向的濃度分布的極大值。由此熒光體粒子的表面附近的離子缺陷和晶格缺陷降低，因此會(huì)耐受離子沖擊，結(jié)構(gòu)構(gòu)造難以發(fā)生混亂。其結(jié)果是，熒光體粒子的亮度劣化得到抑制。另外，Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少l個(gè)元素在改質(zhì)層內(nèi)會(huì)與氧發(fā)生離子結(jié)合，容易發(fā)射電子。因此，能夠彌補(bǔ)使放電電壓降低、隔壁間隔變窄所引起的漂移帶來的電子的消失，使亮度提高。因此，能夠在高精細(xì)下防止面板驅(qū)動(dòng)時(shí)的熒光體的亮度劣化，沒有色斑和畫面的燒屏(焼^^S)，能夠得到長壽命低消費(fèi)電力的等離子體顯示裝置。圖1(a)是表示本發(fā)明的等離子體顯示裝置的放電單元的構(gòu)造的概念性的剖面圖，(b)是背面板部分剖面立體圖。圖2是表示本發(fā)明的熒光體粒子的構(gòu)造的模式化的剖面圖。圖3是表示本發(fā)明的熒光體粒子的制造方法的流程圖。圖4是本發(fā)明的熒光體粒子的實(shí)施例的XPS分析能譜。圖5是有機(jī)金屬處理前的熒光體粒子的XPS分析能譜。圖6是將有機(jī)金屬化合物涂布于玻璃基板且以大約60(TC進(jìn)行10分鐘熱處理的試料的XPS分析能譜。圖7是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖8是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖9是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖10是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖11是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖12(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的本發(fā)明的實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的MEM分析的電子密度分布圖。圖13(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的本發(fā)明的另一實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的MEM分析的電子密度分布圖。圖14(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的比較例的熒光體粒子進(jìn)行的MEM分析的電子密度分布圖。圖15(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的本發(fā)明的實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的TEM-EDS離子分析圖。圖16(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的本發(fā)明的另一實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的TEM-EDS離子分析圖。圖17(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的比較例的熒光體粒子進(jìn)行的TEM-EDS離子分析圖。圖18是表示構(gòu)成元素在離子濺射前和的后的變化率的圖。圖19是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖20是表示實(shí)施例中的有機(jī)金屬化合物的濃度和發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系的圖。圖21是對(duì)于離子濺射前的實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的TEM-EDS離子分析圖。圖22是表示對(duì)實(shí)施例和比較例的熒光體粒子實(shí)施離子濺射時(shí)的濺射時(shí)間和亮度變化率的關(guān)系的圖。圖23(a)和(b)是對(duì)于離子濺射前和后的本發(fā)明的另一實(shí)施例的熒光體粒子進(jìn)行的TEM-EDS離子分析圖。符號(hào)的說明2前面板3背面板4顯示電極5掃描電極6維持電極介電層8保護(hù)層10透明基板11支撐基板12地址電極13介電層14隔壁15熒光體層16放電單元17熒光體粒子17s熒光體粒子表面17a熒光體粒子表面附近的區(qū)域17b熒光體粒子內(nèi)部的區(qū)域18擴(kuò)散的元素50等離子體顯示裝置51顯示放電D距熒光體粒子表面17s的深度(距離)H隔壁14的高度L隔壁14的間隔LS10準(zhǔn)備熒光體粒子的步驟Sll將熒光體粒子浸漬于含有有機(jī)金屬化合物的步驟S12除去有機(jī)溶劑的步驟S13熱處理的步驟具體實(shí)施例方式防止熒光體粒子劣化的現(xiàn)有技術(shù)，是用由MgO、八1203等構(gòu)成的保護(hù)層覆蓋熒光體粒子的表面，以防止陽離子粒子等直接碰撞熒光體粒子。但是，設(shè)置這樣的保護(hù)層時(shí)，需要保護(hù)層透射紫外線等電子射線，該電子射線射向熒光體粒子內(nèi)而使熒光發(fā)光發(fā)生。另外，還需要使在熒光體粒子中由熒光產(chǎn)生的可見光從內(nèi)部向外部透射。因此，保護(hù)層厚時(shí)，無法使紫外線和可見光充分透過，發(fā)光效率降低。另一方面，保護(hù)層薄時(shí)，則不能充分防止因陽離子粒子等的碰撞造成的劣化。另外，還會(huì)產(chǎn)生保護(hù)層剝離等問題。即，利用現(xiàn)有技術(shù)的熒光體粒子的劣化防止方法，劣化的防止和發(fā)光效率處于取舍(tradeoff)的關(guān)系，難以既充分抑制熒光體粒子的劣化，又達(dá)成高發(fā)光效果。本申請(qǐng)發(fā)明鑒于這樣的現(xiàn)有技術(shù)的課題，不在熒光體粒子的表面涂覆保護(hù)層等，而是對(duì)熒光體粒子的表層部分進(jìn)行改質(zhì)。在經(jīng)過改質(zhì)的表層部分，結(jié)晶的缺陷得到修復(fù)，粒子的結(jié)晶性提高，因此，即使熒光體粒子的表層部分與離子碰撞，也難以破壞結(jié)晶構(gòu)造。另外，因?yàn)闆]有在熒光體粒子的表面設(shè)置不會(huì)發(fā)生熒光的其他層，所以，熒光體粒子的表面的熒光發(fā)光降低得到抑制。由此，以往有困難的熒光體的劣化的抑制和高發(fā)光效率能夠同時(shí)達(dá)成。以下，詳細(xì)地說明本發(fā)明的熒光體粒子和發(fā)光顯示裝置的實(shí)施方式。在以下的實(shí)施方式中，以等離子體顯示裝置作為發(fā)光顯示裝置的一例進(jìn)行詳細(xì)地說明。但是，本發(fā)明的主要的特征之一是，有劣化受到抑制的熒光體粒子的構(gòu)造，本發(fā)明可以適用于由各種熒光體材料構(gòu)成的熒光體粒子。另外，還可以適用于以紫外線和X射線等波長比可見光波長短的電磁波和電子射線作為激發(fā)源，發(fā)出可見區(qū)域的熒光的熒光體粒子。因此，不僅是等離子體顯示裝置，各種場致發(fā)射型顯示器(FieldEmissionDisplay,FED)均可以適用本發(fā)明。圖1(a)是模式化地表示作為本發(fā)明的等離子體顯示裝置的實(shí)施方式的面放電型AC型等離子體顯示裝置50的作為放電單位的放電單元的結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖l(a)所示，等離子體顯示裝置50具有前面板2和背面板3。前面板2包括透明基板10、和設(shè)于透明基板10上的多個(gè)顯示電極4。優(yōu)選透明基板IO透射可見光，例如由玻璃基板構(gòu)成。顯示電極4包括條狀的掃描電極(也稱為scanelectrode)5和維持電極(也稱為sustainelectrode)6，優(yōu)選由ITO等透明導(dǎo)電性材料形成。雖然未圖示，但也可以在掃描電極5和維持電極6上，進(jìn)一步形成用于使這些電極的電阻抗降低的細(xì)線狀的總電極(buselectrode)。優(yōu)選介電層7以覆蓋顯示電極4的方式被設(shè)置在透明基板10的表面，此外在介電層7上，還設(shè)有例如由MgO等構(gòu)成的保護(hù)層8。圖1(b)是背面板3的部分剖面立體圖。如圖1(a)和(b)所示，背面板3包括支撐基板11、設(shè)于支撐基板11上所多個(gè)地址電極(也稱數(shù)據(jù)電極dataelectrode)12、隔壁14、包括熒光體粒子17的熒光體層15。支撐基板11由玻璃基板等構(gòu)成。在支撐基板11上設(shè)有帶狀的多個(gè)地址電極12。也可以以覆蓋地址電極12的方式在支撐基板11上設(shè)置介電層13。介電層13由低熔點(diǎn)玻璃等構(gòu)成。隔壁14至少包括以位于各地址電極12間的方式而被設(shè)于支撐基板11上的多個(gè)隔壁14n。在圖1(a)所示的圖中，隔壁14n與圖1(a)的紙面平行地配置，因此沒有表示。更優(yōu)選隔壁14還包括與地址電極12垂直配置的多個(gè)隔壁14m，由隔壁14n和隔壁14m構(gòu)成包圍放電單元的周圍的井字形結(jié)構(gòu)(wafflerib結(jié)構(gòu))。通過采用井字形結(jié)構(gòu)，能夠防止向鄰接的單元的發(fā)光泄漏。由隔壁14規(guī)定的空間成為放電單元16。放電單元16沿各個(gè)地址電極12被一維配列。隔壁14由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成，高度H為120pm左右。另夕卜，隔壁14的間隔L為200lam左右。在各放電單元16內(nèi)以覆蓋地址電極12的方式在隔壁14和介電層13上設(shè)有熒光體層15。如圖1(b)所示，優(yōu)選在鄰接的3個(gè)放電單元16內(nèi)分別配置發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的各色光的熒光體層15r、15g、15b，以此3個(gè)放電單元16構(gòu)成1個(gè)像素。熒光體層15含有熒光體粒子17。用于通過印刷形成熒光體層15的粘合劑(binder)等也可以包含在熒光體層15中，但優(yōu)選粘合劑等處于盡量不會(huì)遮蓋熒光體粒子17的程度，以使熒光體粒子17被照射紫外線而發(fā)出熒光。關(guān)于熒光體粒子17的構(gòu)造，以下進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1(a)所示，前面板2和背面板3其配置方式是，顯示電極4和地址電極12大致相互正交，設(shè)于背面板3的隔壁14與前面板2的保護(hù)層8接觸，由此將隔壁14間的空間即各放電單元16加以密封。由此，在各放電單元16中，顯示電極4和地址電極12正交且對(duì)向。在各放電單元16中，作為放電氣體封入了含有Xe(氙)的氣體。優(yōu)選以大約數(shù)十kPa的壓力，封入有Xe以15體積％以上、100體積％以下的比例被含有的氙氖或氙氦等混合稀有氣體。在等離子體顯示裝置50中，首先在要使之點(diǎn)燈的放電單元16的地址電極12和掃描電極5之間外加電壓，進(jìn)行尋址放電。由此，在放電單元16內(nèi)壁電荷便會(huì)蓄積。接著，若在維持電極6和掃描電極5之間外加電壓，則只在因?qū)ぶ贩烹娫斐傻谋陔姾杀恍罘e的放電單元16產(chǎn)生顯示放電51。顯示放電51通過激勵(lì)被密封的放電用氣體之中的Xe而使紫外線發(fā)生。發(fā)生的紫外線激勵(lì)熒光體層15的熒光體粒子17，而發(fā)出規(guī)定顏色的可見光。因此，通過地址電極12和掃描電極5的選擇，能夠任意地選擇矩陣狀配置的多個(gè)放電單元16中的任意一個(gè)并使之發(fā)光。接著，詳細(xì)地說明熒光體粒子17的構(gòu)造。圖2是模式化地表示熒光體粒子17的剖面結(jié)構(gòu)。熒光體粒子17由公知的熒光體材料構(gòu)成，是單晶或結(jié)晶性高的粒子。粒子的形狀沒有特別限制，可以具有依存于熒光體材料的組成的形狀。例如，可以是球狀，也可以是平板狀。熒光體粒子17具有與用途相應(yīng)的一般性的大小。如本實(shí)施方式，用于等離子體顯示裝置時(shí)，熒光體粒子17的直徑或縱長方向的長度為lpm至5(im左右。熒光體粒子17的表面17s面對(duì)外部露出，沒有按現(xiàn)有這樣的金屬氧化膜覆蓋表面17s的方式進(jìn)行設(shè)置。構(gòu)成熒光體粒子17的熒光體材料，含有在Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中的至少1個(gè)元素18，從熒光體粒子17的表面17s至深度D為20nm的范圍內(nèi)，有至少1個(gè)元素18在深度方向的濃度分布的最大值。因此，至少1個(gè)元素18的從熒光體粒子17的表面17s至深度D為20nm的平均濃度比粒子17整體的平均濃度高。更優(yōu)選至少1個(gè)元素18的濃度比平均濃度的1倍大并在3倍以下。這樣的元素18的濃度分布，例如以下詳細(xì)說明的，其通過使元素18從熒光體粒子表面17s向內(nèi)部擴(kuò)散而得以實(shí)現(xiàn)。元素18的深度方向的濃度分布通過TEM-EDS求得。元素18的平均濃度，如以下的實(shí)放例所說明的，是根據(jù)由TEM-EDS求得的元素的在線分析而求得的值。另外，如以下詳細(xì)說明的，元素18通過在從熒光體粒子17的表面17s至深度為20nm的區(qū)域進(jìn)入結(jié)晶構(gòu)造的缺陷的位置來獲得抑制劣化的效果。因此，發(fā)揮該效果的元素18在濃度上存在上限，若缺陷結(jié)晶構(gòu)造的全部缺陷中元素18進(jìn)入，則并不會(huì)產(chǎn)生抑制劣化的效果。根據(jù)詳細(xì)的研究認(rèn)為，元素18的濃度最大至平均濃度的3倍左右為止，可改善抑制熒光體粒子的劣化的效果。因此，優(yōu)選元素18的濃度是平均濃度的3倍以下。除了元素18的構(gòu)成熒光體材料的其他元素的分布，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上均一。即，除了元素18從表面17s擴(kuò)散以外，優(yōu)選熒光體粒子17由實(shí)質(zhì)上均一組成的熒光體材料構(gòu)成。在此，所謂實(shí)質(zhì)上是指例如，由于在大氣中保管熒光體粒子而熒光體粒子17的最表面就會(huì)稍微氧化、或由于熒光體粒子17被配置在等離子體顯示裝置內(nèi)而曝露在放電環(huán)境中就使得構(gòu)成熒光體材料的元素的一部分脫離、在制造熒光體粒子17時(shí)不可避免地產(chǎn)生的構(gòu)成元素的分布可以忽視。但是，如以下說明那樣，熒光體粒子17之中有助于熒光的部分，被認(rèn)為是距表面大約10nm100nm左右的區(qū)域中的熒光體材料。因此，熒光體粒子17之中、距表面大約10nm100nm左右的區(qū)域中有熒光體材料存在，構(gòu)成熒光體材料的其他元素的分布實(shí)質(zhì)上均一即可。這種情況下，熒光體粒子17之中比距表面大約100nm左右更靠內(nèi)部的區(qū)域，也可以由用于擔(dān)載表層的熒光體材料的基材構(gòu)成。內(nèi)部的基材也可以具有與表層的熒光體材料不同的組成。熒光體粒子17如上述，表層部分和基材部分不進(jìn)行明顯的區(qū)分也一樣。這樣的情況下，從熒光體粒子表面17s向內(nèi)部擴(kuò)散的元素18，存在以與表層的熒光體材料不同的含有率在基材中也被包含的情況。因此這種情況下，元素18的深度方向的濃度分布，在從熒光體粒子17的表面17s至深度D為20nm的范圍內(nèi)具有極大值，基材的區(qū)域即在比距表面大約100nm左右更靠內(nèi)部的區(qū)域，也可以具有最大值。在比距表面大約100nm左右更靠內(nèi)部的區(qū)域，元素18的濃度成為最大，是基于基材的組成的緣故，與來自表面的元素18的擴(kuò)散沒有關(guān)系。另一方面，從表面17s至深度D為20nm的范圍內(nèi)，如果元素18的濃度分布具有極大值，則元素18從表面擴(kuò)散。因此，這種構(gòu)造的熒光體粒子17也可起到上述的本發(fā)明的效果。構(gòu)成熒光體粒子17的熒光體材料中，能夠使用對(duì)應(yīng)用途的各種公知的熒光體材料。例如，作為等離子體顯示裝置用的藍(lán)色熒光體材料，能夠使用從(Ba、Sr)MgAl1QOl7:Eu、SrMg(Si02):Eu、Sr2MgSi207:Eu、CaMgSi206:Eu、SrMgSi206:Eu之中選擇的至少1種。在此，例如組合式(Ba、Sr)MgAl,oOn:Eu意思是，在具有(Ba、Sr)MgAl1Q017的組成的氧化物中，Ba和Sr可以以任意的比例置換，并且Ba或Sr的位置的一部分置換成Eu。作為等離子體顯示裝置用的綠色熒光體材料，能夠使用從(Y、Gd)B03:Tb、LaP04:Ce、Tb、BaMg2Al14024:Eu、Mn、BaAl12Ol9:Mn、Zn2Si04:Mn之中所選擇的至少l種。作為等離子體顯示裝置用的紅色熒光體材料，能夠使用從Y(P、V)04:Eu、Y203:Eu、(Y、Gd)203:Eu、(Y、Gd)B03:Eu之中所選擇的至少1種。元素18只要是從A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中選擇的，可以是構(gòu)成這些熒光體粒子17的熒光體材料的構(gòu)成元素，也可以與構(gòu)成熒光體材料的元素不同。元素18是構(gòu)成熒光體粒子17的熒光體材的構(gòu)成元素時(shí)，基于熒光體材料的元素18在熒光體粒子17整體中大致均一地分布，除此以外，從熒光體粒子17的表面17s所擴(kuò)散的元素18分布在從表面17s至深度D為20nm以下的范圍內(nèi)。因此，從表面17s至深度D為20nm的元素18的平均濃度比熒光體粒子17整體的元素18的平均濃度高。元素18與構(gòu)成熒光體材料的元素不同時(shí)，元素18只分布在從表面17s至深度D為20nm以下的范圍。因此，從表面17s至深度D為20nm的元素18的平均濃度比熒光體粒子17整體的元素18的平均濃度高。一般來說，熒光體粒子指的是單晶粒子。但是，在造粒過程中，即在構(gòu)成粉末的調(diào)配、混合、至燒成的過程中，由于擴(kuò)散和物理性的沖擊，導(dǎo)致在粒子的極表面部分，容易發(fā)生離子缺損和晶格缺陷等的結(jié)晶構(gòu)造上混亂。另一方面，如上述，在熒光體粒子中，有助于熒光的被認(rèn)為是處于從表面至大約10nm100nm左右的深度的區(qū)域中的熒光體材料。因此，有助于熒光的區(qū)域包含結(jié)晶構(gòu)造混亂的部分，在這樣的結(jié)晶構(gòu)造混亂的部分，由于離子粒子等從外部進(jìn)行碰撞，使得混亂的結(jié)晶構(gòu)造的結(jié)晶性進(jìn)一步降低，結(jié)晶構(gòu)造的破壞發(fā)生，因此不會(huì)產(chǎn)生熒光。本發(fā)明的熒光體粒子，元素18從熒光體粒子17的表面17s至達(dá)到內(nèi)部的20nm的深度中，不會(huì)擾亂熒光體的晶格而在熒光體粒子17擴(kuò)散。擴(kuò)散的元素18進(jìn)入結(jié)晶構(gòu)造混亂的離子缺損和晶格缺陷的位置并與氧結(jié)合，由此發(fā)揮著降低熒光體粒子表面的結(jié)晶構(gòu)造的混亂，使離子結(jié)合進(jìn)一步強(qiáng)固這樣的作用。如此，元素18擴(kuò)散后的、從熒光體粒子17的表面17s至內(nèi)部的20nm以下的區(qū)域17a，作為結(jié)晶性得到改善的改質(zhì)層發(fā)揮功能。因此，在熒光體粒子17的表面附近的區(qū)域17a，由于離子結(jié)合增強(qiáng)，使其可以經(jīng)受放電中發(fā)生的離子沖擊，結(jié)晶構(gòu)造難以發(fā)生混合，可以長期保持單晶粒子的性質(zhì)，其結(jié)果認(rèn)為使亮度劣化得到抑制。如以下的實(shí)施例說明的，以MEM(最大熵法)分析熒光體粒子的電子密度分布的結(jié)果確認(rèn)到在熒光體粒子17中電子密度高且強(qiáng)固地進(jìn)行離子結(jié)合。另外，借助高分辨率TEM確認(rèn)到熒光體粒子17的區(qū)域17a的結(jié)晶性得以維持。另外，Al、Mg、Ca、Ba、Sr、Y的氧化物、特別是單晶，已知為電子發(fā)射性能優(yōu)良的材料(高Y材)。因此，可以由熒光體粒子17的表面17s在放電中大量供給電子。由此，放電電壓降低，放電中的離子的沖擊強(qiáng)度也降低，能夠抑制因離子的碰撞造成的劣化。另外，電子容易從熒光體粒子17的表面17s被發(fā)射，從熒光體粒子17發(fā)射的電子在熒光體層的表面整體擴(kuò)展。其結(jié)果是，即使隔壁間隔狹窄，與現(xiàn)有的熒光體相比，放電所產(chǎn)生的電子也不會(huì)向隔壁漂移而消失，反而能夠增加電子。因此，由于電子的增加，致使放電電壓降低，能夠?qū)Ω邼舛鹊腦e進(jìn)行高效率的激勵(lì)。據(jù)此認(rèn)為，具有147、172nm的波長的紫外線的發(fā)生概率增大，從而帶來亮度提高。如此，根據(jù)本實(shí)施方式，熒光體粒子在從表面至深度D為20nm的范圍的區(qū)域，具有擴(kuò)散有在A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素的改質(zhì)層。該改質(zhì)層因?yàn)殡x子缺陷和晶格缺陷降低，所以可耐受離子沖擊，結(jié)晶構(gòu)造上很難發(fā)生混亂。其結(jié)果是亮度劣化得到抑制。另外，Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素在改質(zhì)層內(nèi)與氧發(fā)生離子結(jié)合，容易發(fā)射電子。因此使放電電壓降低，能夠彌補(bǔ)因隔壁間隔狹窄引起的漂移造成的電子消失，從而使亮度提高。因此，能夠防止面板驅(qū)動(dòng)時(shí)的熒光體的亮度劣化，能夠得到不存在色斑和畫面的燒屏的、長壽命、低消費(fèi)電力的全高清電視等高清細(xì)等離子體顯示裝置。接下來，說明熒光體粒子17和等離子體顯示裝置50的制造方法。首先，邊參照?qǐng)D3邊說明熒光體粒子17的制造方法。如圖3所示，首先，準(zhǔn)備由熒光體材料構(gòu)成的熒光體粒子(步驟SIO)。作為熒光體材料，能夠使用具有上述公知的組成的材料。調(diào)配、混合構(gòu)成熒光體材料的原料粉末，并進(jìn)行燒成，由此準(zhǔn)備由熒光體材料構(gòu)成、單晶結(jié)構(gòu)的熒光體粒子。接著，準(zhǔn)備含有非水溶性的有機(jī)金屬化合物的溶液浸漬熒光體粒子，該非水溶性的有機(jī)金屬化合物含有Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少l種以上等的元素(Sll)。作為非水溶性的有機(jī)金屬化合物(有機(jī)金屬絡(luò)合物)，優(yōu)選使用飽和羧酸金屬鹽，特別是飽和脂肪酸的金屬鹽(環(huán)烷酸、辛酸、硬脂酸、十二烷基酸、己酸等的金屬鹽)和不飽和羧酸金屬鹽(異丁烯酸、丙烯酸等的金屬鹽)等的羧酸金屬鹽、乙酰丙酮金屬鹽、茂金屬化合物、|3-二酮類。這些非水溶性有機(jī)金屬化合物溶解于有機(jī)溶劑(非水性溶劑)。作為有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用醋酸丁酯、甲苯、二甲苯、苯類等的碳?xì)浠衔铩＠纾鳛榉撬苄杂袡C(jī)金屬化合物使用2-乙基己酸鎂鹽、乙酰乙酸乙基(ethylacetoacetate)鋁二異丙酉旨(diisopropylate)，將其溶解于二甲苯，由此調(diào)制含有有機(jī)金屬化合物的溶液。有機(jī)金屬化合物的濃度為例如0.5mol/L。相對(duì)于熒光體粒子1.0重量部，添加這些有機(jī)金屬化合物0.055.0重量部，作為稀釋劑再添加二甲苯溶液1.05.0重量部。含有有機(jī)金屬化合物的溶液的優(yōu)選的添加量為0.05重量部以上、低于3.0重量部。添加量低于0.05重量部時(shí)，劣化的抑制效果無法顯現(xiàn)。另外為3.0重量部以上時(shí)，熒光體被有機(jī)金屬化合物的氧化物包覆，面板的初期的發(fā)光強(qiáng)度降低。優(yōu)選的添加量為0.05重量部以上、3.0重量部以下的范圍。在含有有機(jī)金屬化合物的溶液中浸漬熒光體粒子510分鐘左右之后，過濾含有熒光體粒子的混合溶液，以12(TC以上、18(TC以下的溫度使熒光體粒子干燥，除去作為有機(jī)溶劑的二甲苯或醋酸丁酯(步驟S12)。由此，能夠得到附著有有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子。其后，在大氣中，以50(TC以上、65(TC以下的溫度，更優(yōu)選以52(TC以上、60(TC以下的溫度對(duì)熒光體粒子進(jìn)行熱處理(步驟13)。保持時(shí)間優(yōu)選為IO分鐘以上、120分鐘以下。由熱分析的結(jié)果可知，有機(jī)金屬化合物大約在48(TC開始分解。保持時(shí)間比10分鐘短時(shí)，有機(jī)金屬化合物中的Al、Mg、Ca、Ba、Sr或Y向熒光體粒子的擴(kuò)散不充分。另外，若比120分鐘長，則容易發(fā)生因熒光體粒子的氧化造成的亮度和色度的變化。更優(yōu)選的保持時(shí)間為30分鐘以上、60分鐘以下。如此，能夠得到本實(shí)施方式的熒光體粒子。除在大氣中以外，控制氧分壓來進(jìn)行熱處理也沒有問題。如此，在本發(fā)明的熒光體粒子的制造方法中，作為非水溶性有機(jī)金屬化合物使用A1、Mg、Ca、Ba、Sr、Y之中至少l種，使之溶解于有機(jī)溶劑并附著或吸附在熒光體粒子的表面。如此，在混合有不含水分子和羥基(—OH)的有機(jī)金屬化合物(有機(jī)金屬絡(luò)合物)、和不含水分子和羥基(_OH)的有機(jī)溶劑(非水性溶劑)的溶液中，在室溫中浸漬作為無機(jī)氧化物的熒光體粒子，加以混合或攪拌。由此，能夠在熒光體粒子表面，以Al、Mg、Ca、Ba、Sr、Y未氧化的狀態(tài)使有機(jī)金屬化合物直接吸附。這時(shí)，在混合溶液中，因?yàn)椴淮嬖谒肿雍土u基(一OH)，所以有機(jī)金屬化合物(有機(jī)金屬絡(luò)合物)不會(huì)在混合溶液中發(fā)生加水分解，而是認(rèn)為能夠以原本的狀態(tài)(有機(jī)金屬化合物的狀態(tài))使之吸附在熒光體粒子表面。通過除去混合溶液中的有機(jī)溶劑，在大氣中使之干燥，就能夠得到在熒光體粒子表面附著有有機(jī)金屬化合物的熒光體粉末。有機(jī)溶劑的除去方法可以采用過濾，但利用離心分離等除去有機(jī)溶劑的方法，則能夠使有機(jī)金屬化合物以更均一的厚度附著在熒光體粒子的表面。其后，在大氣中加熱附著有該有機(jī)金屬化合物的熒光體粉末，由此在熒光體粒子表面有機(jī)金屬化合物發(fā)生熱分解，而向熒光體粒子擴(kuò)散并且與熒光體粒子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這時(shí)，附著有有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子的熱處理溫度在上述的范圍內(nèi)，但是，因?yàn)橛袡C(jī)金屬化合物的熱分解反應(yīng)是放熱反應(yīng)，所以推定熒光體粒子和有機(jī)金屬化合物的界面會(huì)局部性地超過熱處理溫度。因此認(rèn)為，構(gòu)成有機(jī)金屬化合物的金屬元素成分?jǐn)U散到熒光體的晶格內(nèi)，在從熒光體粒子的表面至達(dá)到內(nèi)部20nm的范圍，不會(huì)擾亂熒光體的晶格，而是能夠以保持熒光體的單晶的性質(zhì)的狀態(tài)下，在熒光體中與氧結(jié)合，從而制作出擴(kuò)散的元素的濃度高的區(qū)域。在現(xiàn)有的使之分散或溶解于純水或醇類水溶液中而被覆于熒光體表面的方法(例如參照專利文獻(xiàn)15)中，在使之分散或溶解于純水或醇類水溶液中時(shí)，使有機(jī)金屬化合物發(fā)生加水分解，金屬氫氧化物便附著在熒光體表面。若氫氧化物附著，則在接下來的熱處理工序中發(fā)生脫水反應(yīng)，在熒光體與附著了氫氧化物的界面會(huì)發(fā)生熱反應(yīng)，因此在時(shí)效性上溫度降低，附著的氫氧化物難以向熒光體粒子的晶格內(nèi)擴(kuò)散。因此認(rèn)為，現(xiàn)有的方法只能以覆蓋熒光體粒子的表面的方式形成金屬氧化膜，金屬難以向熒光體粒子內(nèi)部擴(kuò)散。根據(jù)這一理由，遵循上述的方法，在熒光體粒子中使A1、Mg、Ca、Ba、Sr、Y之中至少l種擴(kuò)散時(shí)，作為優(yōu)選這些金屬在熒光體表面作為氧化物不存在。但是，在制造工序上，即使這些氧化物在熒光體粒子的三相點(diǎn)等稍微有一些偏析，如果熒光體粒子的熒光沒有達(dá)到大幅降低的程度，則沒有特別的問題。接下來，邊參照?qǐng)D1(a)和(b)邊說明等離子體顯示裝置50的制造方法。1.背面板3的制作首先，在由玻璃基板構(gòu)成的支撐基板ll的表面，形成膜厚例如為數(shù)^m(也稱幾pm)、條狀的地址電極12。作為電極材料，能夠使用Ag、Al、Cr(鉻)、Cu(銅)、Pd(鈀)等金屬和它們的組合，或者也能夠根據(jù)需要使用將這些金屬層層疊而形成的層疊電極。其后，以覆蓋地址電極12的方式在支撐基板11上形成介電層13。介電層13能夠由鉛系或非鉛系的低熔點(diǎn)的玻璃和SiCb等形成。接著，在介電層13上形成隔壁14。在介電層13之上整個(gè)面涂布低熔點(diǎn)玻璃材料膏，進(jìn)行燒成后，如圖1(b)所示，通過噴砂法和光刻法形成井字形的圖案，該圖案由與地址電極12平行的隔壁14n和與地址電極12垂直的隔壁14m構(gòu)成。利用隔壁14，鄰接的放電單元互相被分開。隔壁14的間隔例如為200pm。接著，將熒光體層15至少形成于被隔壁14區(qū)分的各放電單元16內(nèi)的地址電極12上。熒光體層15其形成方式是，針對(duì)每個(gè)熒光色通過印刷涂布由熒光體粒子和載色體(vehicle)構(gòu)成的膏劑，并進(jìn)行燒成。在此，作為用于膏劑的熒光體粒子，使用根據(jù)上述方法制造的熒光體粒子17。作為紅、綠、藍(lán)三色的熒光體材料，例如使用(Y、Gd)B03:Eu、(Y、Gd)B03:Tb和BaMgAl1()017:Eu。也可以使用具有AC型等離子體顯示裝置用的組成的熒光體材料。另外，根據(jù)上述的方法，在含有A1、Mg、Ca、Ba、Sr、Y的有機(jī)金屬化合物附著在熒光體粒子的表面的狀態(tài)下、不實(shí)施熱處理，而將熒光體粒子與載色體混合，制作膏劑，也可以兼有用于形成熒光體層15的燒成、和用于使有機(jī)金屬化合物的分解和Al、Mg、Ca、Ba、Sr、Y向熒光體粒子擴(kuò)散的熱處理。由此完成背面板3。2.前面板2的制作如圖1(a)所示，在由玻璃基板構(gòu)成的透明基板IO上形成條狀的掃描電極5、維持電極6。具體來說，在透明基板10上，形成厚100nm左右的、由ITO、Sn02、ZnO等構(gòu)成的較低阻抗且透明的、掃描電極5和維持電極6。雖然未圖示，但為了降低掃描電極5和維持電極6的電阻，優(yōu)選利用Ag(銀)、Al(鋁)系電極材料等以厚度例如數(shù)pm而將細(xì)線狀的總電極形成于掃描電極5和維持電極6上。接著，以覆蓋顯示電極4的方式在透明基板10上形成介電層7。介電層7由鉛系或非鉛系的低熔點(diǎn)玻璃和Si02等構(gòu)成，厚度為數(shù)pm數(shù)十pm。在介電層7上形成厚500nm左右的保護(hù)膜8,以使放電開始電壓進(jìn)一步降低，該保護(hù)膜8由二次電子發(fā)射系數(shù)Y大、并能夠從放電時(shí)的離子沖擊下保護(hù)介電層7這樣耐濺射性高、且光學(xué)上透明并且電絕緣性高的例如MgO(氧化鎂)等的金屬氧化物材料形成。由此形成前面板2。3.通過面板的粘合進(jìn)行等離子體顯示裝置50的組裝如此制作的前面板2和背面板3，按前面板2的顯示電極4和背面板3的地址電極12正交的方式被重合，并且在面板周邊夾插密封用玻璃。將其在例如450。C左右進(jìn)行1020分鐘燒成，排氣至高真空(例如，1.1X10—4Pa)之后，以規(guī)定的壓力封入放電氣體(例如，Xe分壓為15%以上的He-Xe系、Ne-Xe系、Ar-Xe系、Kr-Xe系的惰性氣體)。由此等離子體顯示裝置完成。實(shí)施例以下，制成本發(fā)明的熒光體粒子和等離子體顯示裝置，并說明對(duì)特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。(實(shí)施例1)首先，使用表1所示的熒光體材料和有機(jī)金屬化合物，遵循上述的方法制作熒光體粒子。熒光體材料使用市場銷售的物品。溶解有機(jī)金屬化合物的溶劑使用二甲苯，預(yù)先調(diào)整有機(jī)金屬化合物的濃度，使之成為0.5mol/L。接下來，在空氣中，相對(duì)于熒光體粉末l.O重量部，調(diào)配有機(jī)金屬化合物0.2重量部，作為稀釋劑再調(diào)配二甲苯2.0重量部，在玻璃容器中大約攪拌混合30分鐘。其后，過濾混合液，分離熒光體粒子。接著，在空氣中，以大約15(TC保持熒光體1小時(shí)使之干燥后，在陶瓷制的鞘裝入干燥的熒光體粒子，在大氣中以大約60(TC進(jìn)行10分鐘熱處理。以后該工序稱為熒光體粒子的有機(jī)金屬處理。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>*:比較例(A4—A7、A9、All—A13、A18、A22、A26、A30—A37)首先，在制作的熒光體粒子中，為了調(diào)查有機(jī)金屬中的金屬以怎樣的狀態(tài)在熒光體粒子中存在，借助X射線電子能譜分析法(XPS或ESCA)，分析以異辛酸鎂將BaMgAlu)On進(jìn)行了處理的試樣A19的熒光體粒子中的Mg的氧化狀態(tài)。XPS能夠評(píng)價(jià)固體的表面附近的原子的氧化狀態(tài)。圖4表示試樣A19的XPS分析能譜。圖5表示以大約600'C對(duì)上述的有機(jī)金屬處理前熒光體粒子(BaMgAl1Q017)進(jìn)行IO分鐘熱處理的試料的XPS分析能譜。另外，圖6表示為了制作試樣A19所使用的異辛酸鎂的二甲苯溶液涂布在玻璃基板上且在大約60(TC下進(jìn)行了10分鐘熱處理的試料的XPS分析能譜。如果比較這些能譜可知，圖4所示的試樣A19的能譜，與沒有進(jìn)行圖5所示的有機(jī)金屬處理的熒光體粒子的能譜非常一致，但與圖6所示的在玻璃基板上涂布了異辛酸鎂的試料的能譜不同。在玻璃基板上涂布有異辛酸鎂的試料中，被認(rèn)為經(jīng)過熱處理，在玻璃基板表面會(huì)生成氧化鎂。因此，圖6的能譜顯示氧化鎂中的鎂的氧化狀態(tài)。相對(duì)于此，圖5的能譜表示構(gòu)成熒光體粒子的BaMgAl1Q017中的鎂的氧化狀態(tài)。因此，試樣A19的能譜(圖4)與BaMgAlu)On中的鎂的氧化狀態(tài)非常一致，這表示試樣A19中不同的氧化狀態(tài)的鎂不存在，試樣A19中的鎂全部處于與BaMgAl1Q017中的鎂相同的氧化狀態(tài)。艮P，可知試樣A19的熒光體粒子，沒有采取現(xiàn)有的形成由MgO構(gòu)成的保護(hù)層的熒光體粒子這樣的構(gòu)造，經(jīng)由有機(jī)金屬處理而從熒光體粒子表面向內(nèi)部擴(kuò)散的鎂，成為與構(gòu)成熒光體粒子的鎂相同的氧化狀態(tài)。這被認(rèn)為是，在熒光體粒子的結(jié)晶構(gòu)造混亂的離子缺損和晶格缺陷的位置，有來自異辛酸鎂的鎂進(jìn)入并與氧結(jié)合，由此，成為熒光體粒子表面的結(jié)晶構(gòu)造的一部分，從而使晶格的混亂降低，使離子結(jié)合更強(qiáng)固。接著，實(shí)施有機(jī)金屬處理，使離子與所制成的熒光體粒子碰撞，由此評(píng)價(jià)特性的變化。為了簡便地評(píng)價(jià)因離子的碰撞造成的損害，使用Ar離子濺射裝置，對(duì)熒光體粒子照射加速電壓IOOV的Ar離子。為了評(píng)價(jià)因離子的碰撞造成的損害，在離子碰撞前后，對(duì)如下內(nèi)容進(jìn)行在線分析對(duì)熒光體粒子照射真空紫外線(波長147nm)時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度、基于MEM的電子密度分布、和基于TEM-EDS的元素分布。圖7至圖11是表示使用表1所示的試樣，調(diào)査發(fā)光強(qiáng)度的變化的結(jié)果的圖。在圖7至圖11中，橫軸表示受到離子沖擊的時(shí)間(離子濺射時(shí)間)，縱軸表示試樣的距初期值的亮度變化率。一般來說，在離子濺射時(shí)間與亮度變化之間擴(kuò)散方程的關(guān)系成立，濺射時(shí)間的平方根和亮度變化率由一次函數(shù)表示。在各圖中，通過與沒有實(shí)施有機(jī)金屬處理的試樣37的結(jié)果進(jìn)行比較，對(duì)由離子的沖擊會(huì)造成何種程度的發(fā)光強(qiáng)度降低迸行了評(píng)價(jià)。表1所示的各種有機(jī)金屬化合物之中，使用以Al(試樣Al、A2、A3、A14、A23)、Mg(試樣A8、A19、A20)、Ba(試樣A16、A24、A28)、Sr(試樣A25、A29)、Ca(試樣AIO、A15、A21)、Y(樣品A17)為金屬元素的有機(jī)金屬化合物進(jìn)行處理的試樣，與試樣A37相比傾斜變得平緩，可見耐濺射性的提高。特別是使用了含有A1(圖7的試樣A1、A2、A3，圖9的試樣A14，10試樣A23)和Mg(圖8的試樣A8，圖9的試樣A19，圖10試樣A20)的金屬化合物的試樣，可見抑制發(fā)光強(qiáng)度的降低的顯著的效果。相對(duì)于此，使用以Ni(試樣A6、A18)、Zn(試樣A9、A13、A22)、Mn(試樣All、A26)、Ti(A7)為金屬元素的有機(jī)金屬化合物而進(jìn)行處理的試樣，比試樣A37傾斜急，可見耐濺射性降低的傾向。由這些結(jié)果可知，作為有機(jī)金屬化合物，優(yōu)選使用含有A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y的有機(jī)金屬化合物，且使這些金屬向熒光體粒子的內(nèi)部擴(kuò)散，更優(yōu)選使用Al或Mg。雖然在圖中未顯示，但試樣A31至A36，有機(jī)金屬化合物的加水分解急速進(jìn)行，不是可以評(píng)價(jià)的試樣。這些試樣因?yàn)樘紨?shù)少，所以有機(jī)金屬化合物在空氣中不穩(wěn)定，被認(rèn)為容易發(fā)生加水分解。因此認(rèn)為，即使是含有Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y的有機(jī)金屬化合物，使用碳數(shù)為212的有機(jī)金屬化合物時(shí)，也容易發(fā)生有機(jī)金屬化合物的加水分解。但是，因?yàn)樵嚇覣l沒有發(fā)生加水分解，能夠制作試料，所以認(rèn)為根據(jù)有機(jī)化合物的構(gòu)造也存在即使碳數(shù)為12左右仍然穩(wěn)定的有機(jī)金屬化合物。由此出發(fā)，考慮優(yōu)選使用碳數(shù)至少為12以上的有機(jī)金屬化合物。如圖IO所示，即使碳數(shù)為54(試樣A23)，有機(jī)金屬仍以穩(wěn)定的狀態(tài)均一地附著在熒光體表面，經(jīng)熱處理均一地?cái)U(kuò)散到熒光體內(nèi)部，由此可見出耐濺射性的提高。但是，若碳鏈過長，則在熱處理時(shí)碳鏈難以分解，可認(rèn)為金屬難以向熒光體粒子內(nèi)部擴(kuò)散。因此可見，相對(duì)于碳數(shù)l而言、優(yōu)選的碳數(shù)處于12至30左右的范圍內(nèi)。接下來，表示基于MEM的電子密度的分析和基于TEM-EDS的測定結(jié)果。在MEM分析和TEM-EDS中，評(píng)價(jià)作為實(shí)施例的試樣Al、A19和作為比較例的試樣A37。圖12(a)和(b)分別表示試樣A1的離子濺射前和離子后(30秒)的進(jìn)行了MEM分析的電子密度分布圖。同樣，圖13(a)和(b)是試樣A19的離子濺射前和離子后的進(jìn)行了MEM分析的電子密度分布圖，同樣，圖14(a)和(b)是試樣A37(比較例)的離子濺射前和離子后的進(jìn)行了MEM分析的電子密度分布圖。這些圖表示在BaMgAlu)On:Eu的(110)面的電子密度分布，由元素符號(hào)表示Ba/Eu離子和0離子的位置。另外，圖中電位相等的位置由線連接。g卩，表示有等電位線，等電位線的密度高的區(qū)域產(chǎn)生大的電位差。電子密度分布在電子密度0.0e/A1.0e/A的范圍進(jìn)行分析，分辨率為0.02e/A。如圖12(a)、(b)和圖13(a)、(b)所示，作為實(shí)施例的試樣Al和A19,離子濺射后(圖12(b)、圖13(b))的Ba/Eu離子和其周圍的0離子之間的等電位線的密度比離子濺射前(圖12(a)、圖13(a))減少，但其減少量很小。因此認(rèn)為，在離子濺射后，Ba/Eu離子和其周圍的0離子的離子結(jié)合仍很強(qiáng)。相對(duì)于此，比較例的試樣A37，離子濺射后(圖14(b))的Ba/Eu離子和其周圍的O離子之間的等電位線的密度比離子濺射前(圖14(a))顯著減少。另外，若比較離子濺射前的電子密度分布，則比較例的試樣A37的Ba/Eu離子和其周圍的0離子之間的等電位線的密度(圖14(a))比實(shí)施例的試樣Al、A19的Ba/Eu離子和其周圍的O離子之間的等電位線的密度(圖12(a)、圖13(a))小。由此認(rèn)為，實(shí)施例的熒光體粒子，在離子濺射前的狀態(tài)下，發(fā)光中心的陽離子和O離子的結(jié)合強(qiáng)，因此，即使由于離子濺射(離子沖擊)，稀有氣體離子與結(jié)晶面發(fā)生碰撞，構(gòu)成離子的飛散也會(huì)得到抑制，亮度劣化減少。接下來，表示利用TEM-EDS進(jìn)行的元素分布的在線分析結(jié)果。圖15(a)和(b)分別表示離子濺射前和離子濺射后的實(shí)施例的試樣A19的基于TEM-EDS的在線分析結(jié)果。TEM的加速電壓為200V，EDS的光束直徑為lnm。同樣，圖16(a)和(b)分別表示離子濺射前和離子濺射后的實(shí)施例的試樣Al的基于TEM-EDS的在線分析結(jié)果，圖17(a)和(b)分別表示離子濺射前和離子濺射后的比較例的試樣A37的基于TEM-EDS的在線分析結(jié)果。在圖15(a)、圖16(a)和圖17(a)中，虛線d。表示熒光體粒子的表面的位置，虛線d,表示從粒子表面至20nm內(nèi)部的位置。如圖15(a)、(b)所示，試樣A19在從熒光體粒子的表面至深度為20nm為止的范圍內(nèi)(d。至山)，有Mg在深度方向的濃度分布的最大值。更具體地說，在距表面深度約10nm的位置觀察到具有高濃度的Mg峰值。該峰值在離子濺射的前后被觀測到。由這些圖可知，本發(fā)明的熒光體粒子，Al、Mg、Ca、Ba、Sr或Y進(jìn)入到熒光體粒子的內(nèi)部，而不是附著在熒光體粒子的表面的狀態(tài)。另外，可知A1、Mg、Ca、Ba、Sr或Y以外的構(gòu)成熒光體材料的元素的分布大體恒定。如參照?qǐng)D4至圖6說明的，向內(nèi)部擴(kuò)散的Mg不是作為MgO存在，而是與熒光體的構(gòu)成元素反應(yīng)，嵌入晶格。另外，在圖15(a)和圖15(b)中，元素分布的曲線未見大的變化。據(jù)此推定，并沒有由于離子濺射而致使構(gòu)成熒光體粒子的元素從粒子的表面被驅(qū)除、削減，在熒光體粒子的表面附近維持著結(jié)晶構(gòu)造。如此，在從熒光體粒子的表面至20nm的范圍內(nèi)，因?yàn)楸硎続1、Mg、Ca、Ba、Sr或Y以高濃度存在的峰值被觀測到，所以Al、Mg、Ca、Ba、Sr或Y從熒光體粒子的表面至20nm的平均濃度，比熒光體粒子整體的這些元素的平均濃度，或者比從熒光體粒子的表面至比20nm更靠內(nèi)部的平均濃度大。另一方面，如圖16(a)和(b)所示，試樣A1從熒光體粒子的表面至20nm的范圍內(nèi)，未見A1的明顯的峰值。這被認(rèn)為是Al離子大量存在于熒光體粒子中，而使作為由擴(kuò)散形成的Al的分布能夠明顯識(shí)別的峰值沒有顯現(xiàn)的緣故。但即使在這種情況下，Al的從熒光體粒子的表面至20nm的平均濃度也比熒光體粒子整體的平均濃度大。另外，與試樣A19—樣，在圖16(a)和圖16(b)中元素分布的曲線未見大的變化。由此推定，并未由于離子濺射而致使構(gòu)成熒光體粒子的元素從粒子的表面被驅(qū)除、削減，在熒光體粒子的表面附近維持著結(jié)晶構(gòu)造。這被認(rèn)為是擴(kuò)散的A1帶來的效果。如圖17(a)和(b)所示，試樣37從熒光體粒子的表面至20nm的范圍內(nèi)，未見Mg和Al的明顯的峰值。另外與圖17(a)相比，17(b)的元素分布的曲線嚴(yán)重破壞。這被認(rèn)為是由于離子濺射而致使構(gòu)成熒光體粒子的元素從粒子的表面被驅(qū)除、削減的緣故。圖18中表示試樣Al、A19、A37的離子濺射前后的各元素的分布量的變化率。該變化率根據(jù)從表面至500nm的內(nèi)部各元素的TEM-EDS的積分值而計(jì)算出。由圖18可知，未實(shí)施有機(jī)金屬處理的試樣37，離子濺射后的Ba離子和Eu離子的減少顯著。這被認(rèn)為由于Ar離子與熒光體粒子碰撞，導(dǎo)致Ba離子、Eu離子飛散，且結(jié)晶構(gòu)造混亂。因?yàn)樗鼈兪菬晒庵行?，所以由于Ba離子和Eu離子的減少，造成熒光強(qiáng)度也降低。相對(duì)于此，試樣A1、A19中其Ba離子、Eu離子和其他離子的減少量小。即，被認(rèn)為結(jié)晶構(gòu)造的混亂受到抑制。由以上的結(jié)果可知，通過在熒光體粒子的表面使非水溶性有機(jī)金屬化合物附著、并進(jìn)行熱處理而使金屬擴(kuò)散到熒光體粒子內(nèi)，耐離子沖擊(離子濺射)性提高。另外，發(fā)光中心附近的電子密度提高，能夠保持電子密度高的狀態(tài)。另外，能夠抑制由于離子沖擊導(dǎo)致結(jié)晶構(gòu)造發(fā)生混亂且Ba離子和Eu離子飛散。由這些結(jié)果可以說，實(shí)施了有機(jī)金屬處理的熒光體粒子，結(jié)晶的離子結(jié)合變得更強(qiáng)固，耐離子沖擊提高。另外可知，如果有機(jī)金屬向稀釋溶液的添加量為0.2重量部左右，則有機(jī)金屬的構(gòu)成元素不會(huì)在熒光體粒子的表面像涂膜這樣進(jìn)行物理性地堆積，而是擴(kuò)散到結(jié)晶粒子的內(nèi)部，成為構(gòu)成熒光體粒子的結(jié)晶。(實(shí)施例2)制作使用了本發(fā)明的熒光體粒子的等離子體顯示裝置，評(píng)價(jià)其特性。首先，使用表2所示的熒光體材料和有機(jī)金屬化合物，遵循上述的方法，制作RGB各色的熒光體粒子。熒光體材料使用市場銷售的物品。溶解有機(jī)金屬化合物的溶劑使用二甲苯，預(yù)先調(diào)整有機(jī)金屬化合物的濃度，使之成為0.5mol/L。<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>"比較例(No.B18-B25)接著對(duì)熒光體粒子實(shí)施有機(jī)金屬處理。與實(shí)施例l同樣，在空氣中，相對(duì)于熒光體粉末1.0重量部，調(diào)配有機(jī)金屬化合物0.2重量部，作為稀釋劑再調(diào)配二甲苯2.0重量部，在玻璃容器中大約攪拌混合30分鐘。其后，過濾混合液，分離熒光體粒子。接著，在空氣中，以大約15(TC保持熒光體l小時(shí)使其干燥后，在陶瓷制的鞘裝入干燥的熒光體粒子，在大氣中以大約60(TC進(jìn)行10分鐘熱處理。使用如此制成的熒光體粒子，遵循上述方法制作顯示裝置。實(shí)施例的試樣B1B17和比較例的試樣B18B25的像素?cái)?shù)為1920(水平)X1080(垂直)，具有50尺寸全規(guī)模的高清電視規(guī)格。l個(gè)單元間距(l隔壁間距)為0.20mm(水平)。試樣評(píng)價(jià)以如下方式進(jìn)行。對(duì)于使用進(jìn)行了有機(jī)金屬處理的試樣(Bl至B17)和沒有進(jìn)行有機(jī)金屬處理的試樣(B25)及A1、Mg、Ca、Ba、Sr、Y的醇鹽(alkoxide)，并進(jìn)行加水分解處理，且在熒光體粒子的表面涂覆有氧化物的試樣(B18至B24)，測定放電電壓(使對(duì)面板的外加電壓上升而全面均一地點(diǎn)燈的電壓)。接著，各試樣以最適合驅(qū)動(dòng)電壓180220V、lOOKHz驅(qū)動(dòng)，且在全白圖像的條件下驅(qū)動(dòng)時(shí)的亮度由亮度計(jì)測定，而求得其與使用了未進(jìn)行涂覆的熒光體的比較例的試樣25的亮度的亮度比。另外，各試樣以最適合驅(qū)動(dòng)電壓180220V、lOOKHz驅(qū)動(dòng)，且1000小時(shí)后的全白圖像的亮度加以測定，而計(jì)算相對(duì)于初期值的亮度的變化。如表2所示，進(jìn)行了有機(jī)金屬處理的試樣B1B17，與沒有進(jìn)行有機(jī)金屬處理的試樣B25、和使用金屬醇鹽且實(shí)施了加水分解處理的比較例的試樣B18B25相比，放電電壓低，亮度高。另外，全白圖像的亮度變化率也少。特別是使用含有A1、Mg的有機(jī)金屬化合物時(shí)顯著的效果是可見的。另外，在進(jìn)行了有機(jī)金屬處理的試樣B1B17之中，根據(jù)有機(jī)金屬化合物的種類，特別在1000小時(shí)后的亮度變化率能夠看到差異。這被認(rèn)為是，相對(duì)于金屬數(shù)l的碳數(shù)越多，有機(jī)金屬化合物在空氣中越穩(wěn)定，加工水分越難以發(fā)生，就不會(huì)形成氧化物而金屬越容易向熒光體粒子內(nèi)擴(kuò)散，熒光劣化受到抑制。但是，若碳鏈過長，則加熱時(shí)碳鏈難以分解，就認(rèn)為金屬難以向熒光體粒子內(nèi)擴(kuò)散。因此可見，相對(duì)于金屬數(shù)l的碳數(shù)，作為優(yōu)選處于1230的范圍。如此，在從熒光體粒子的表面至深度D為20nm的區(qū)域，通過使Al、Mg、Ca、Ba、Sr、Y之中至少1個(gè)元素?cái)U(kuò)散，熒光體粒子的表面附近的結(jié)晶構(gòu)造的缺陷和離子缺損被修復(fù)，因此能夠抑制亮度的劣化。另外，擴(kuò)散的這些金屬在熒光體粒子內(nèi)與氧發(fā)生離子結(jié)合，容易發(fā)射電子。因此，在亮度提高的同時(shí)，還能夠使放電電壓降低。接著，對(duì)使用熒光體粒子單體且使離子與熒光體粒子碰撞所引起的特性的變化進(jìn)行了評(píng)價(jià)。與實(shí)施例1相同，在通過使用Ar離子濺射裝置對(duì)實(shí)施例的試樣Bl、試樣B4和比較例的試樣B25的藍(lán)色熒光體粒子照射加速電壓100V的Ar離子而造成損害的離子碰撞前后，進(jìn)行照射真空紫外線(波長147nm)時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度、基于MEM的電子密度分布、和基于TEM-EDS的元素分布的在線分析。其結(jié)果是，能夠得到與實(shí)施例1的圖12至圖18所示的結(jié)果相同的測定結(jié)果。由以上的結(jié)果可知，制作使用了本發(fā)明的熒光體粒子的等離子體顯示裝置時(shí)，通過在熒光體粒子的表面使非水溶性有機(jī)金屬化合物附著，進(jìn)行熱處理而使金屬擴(kuò)散到熒光體粒子內(nèi)，由此耐離子沖擊(離子濺射)性提高。另外，發(fā)光中心附近的電子密度提高，能夠保持電子密度高的狀態(tài)，因此，能夠抑制由放電產(chǎn)生的電子向隔壁漂移而消失。另外，能夠使電子的發(fā)射量增加。由此，放電電壓降低，進(jìn)一步對(duì)高濃度的Xe進(jìn)行高效率地激勵(lì)，因此，結(jié)果上147、172nm的紫外線的發(fā)生概率增大，帶來亮度提高。另外，能夠抑制由于離子沖擊而導(dǎo)致結(jié)晶構(gòu)造發(fā)生混亂且Ba離子和Eu離子飛散。因此，等離子顯示裝置中的面板的放電電壓降低，亮度提高。另外，可以說熒光體粒子的結(jié)晶的離子結(jié)合變得更強(qiáng)固，耐離子沖擊提高。(實(shí)施例3)接著，對(duì)于研究有機(jī)金屬化合物的添加濃度的結(jié)果進(jìn)行說明。制作試料，如實(shí)施例1中調(diào)配熒光體粉末l.O重量部、有機(jī)金屬化合物0.2重量部和作為稀釋劑調(diào)配二甲苯2.0重量部，但如表3所示，制作使有機(jī)金屬化合物的添加量在0.055.0重量部之間變化的試料，評(píng)價(jià)離子沖擊前后的真空紫外線(波長147nm)照射時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度的變化。實(shí)施所使用的熒光體是藍(lán)色熒光體BaMgAl1Q017:EU，有機(jī)金屬化合物使用異辛酸鎂。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>*:比較例(A37)與實(shí)施例1同樣，為了簡便地評(píng)價(jià)因離子的碰撞造成的損害，使用Ar離子濺射裝置，對(duì)熒光體粒子照射加速電壓100V的Ar離子。圖19是使用表3所示的試樣，調(diào)查發(fā)光強(qiáng)度的變化并表示結(jié)果的圖。橫軸表示受到離子沖擊的時(shí)間(離子濺射時(shí)間)，縱軸表示試樣距初期值的亮度變化率。另外，圖20表示有機(jī)金屬化合物的添加量和發(fā)光強(qiáng)度初期值的關(guān)系。由圖19可知，與未添加有機(jī)金屬化合物的試樣A37相比，試樣A19和從A38至A43的全部其亮度變化率小，可見耐離子沖擊性的提高。艮口，有機(jī)金屬化合物的添加量從0.05重量部到2.0重量部的范圍的全部試樣勻可見離子沖擊性的提高效果。但是由圖20可知，若有機(jī)金屬化合物的添加量比l.O重量部多，則發(fā)光強(qiáng)度的初期值降低。這被認(rèn)為是由于有機(jī)金屬化合物的添加量多，而不能擴(kuò)散到熒光體粒子內(nèi)的過剩的金屬停留在熒光體粒子的表面，在熱處理時(shí)發(fā)生氧化，就導(dǎo)致在熒光體粒子的表面形成金屬氧化物層的緣故。在這種情況下，如上述，能夠得到離子耐性特性的提高效果。因此，有機(jī)金屬化合物的添加量比l.O重量部多，熱處理后，在熒光體粒子的表面形成金屬氧化層時(shí)，通過使用適當(dāng)?shù)目涛g液除去所形成的金屬氧化物層，能夠抑制發(fā)光強(qiáng)度的初期值的降低。由此，能夠得到初期的發(fā)光強(qiáng)度也強(qiáng)且耐離子沖擊性也提高了的熒光體粒子。通過MEM分析，分析試樣A38、A41的電子密度分布的結(jié)果，與實(shí)施例1同樣，能夠確認(rèn)在發(fā)光中心附近的電子密度被保持得很高。圖21表示試樣A38的TEM-EDS在線分析結(jié)果。如圖21所表明的，距熒光體粒子的表面20nm的范圍中，可見Mg的濃度分布的最大值。(實(shí)施例4)使用試樣A1和A19的調(diào)制所使用的乙酰乙酸乙基鋁二異丙酯和異辛酸鎂，進(jìn)行另外的熒光體的評(píng)價(jià)。使用的熒光體和有機(jī)金屬化物的組合表示在表4中。<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>*:比較例(A51—A56)如表4所示，使用市場銷售的(Y、Gd)B03:Tb，LaP04:Ce、Tb，BaMg2Al14024:Eu、Mn，Zn2Si04:Mn系的綠色熒光體，YB03:Eu、(Y、Gd)B03:Eu系的紅色熒光體進(jìn)行同樣的實(shí)驗(yàn)。具體來說，與實(shí)施例1同樣，通過表4所示的熒光體材料和有機(jī)金屬化合物的組合來制成試料，評(píng)價(jià)離子沖擊前后的真空紫外線(波長147nm)照射時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度的變化。圖22表示的是，對(duì)于表3所示的試樣A44、A45、A46和作為比較例的試樣A51、A52、A53測定發(fā)光強(qiáng)度的變化的結(jié)果。與實(shí)施例l同樣，實(shí)施了有機(jī)金屬處理的A44、A45、A46與未進(jìn)行有機(jī)金屬處理的試樣A51、A52、A53相比，亮度變化率的斜率小，能夠確認(rèn)耐離子沖擊性提高。另一方面，在作為同樣綠色熒光體的Zn2Si04:Mn系的試樣A47、A48中，亮度變化率的斜率與試樣A54相比沒怎么變小，而耐離子沖擊性的提高的效果小。這被認(rèn)為是即使Zn2Si04:Mn系的熒光體處于原來完全的結(jié)晶狀態(tài)而耐離子沖擊性也弱的緣故。由SEM等進(jìn)行分析的結(jié)果是，無論有機(jī)金屬處理的有無，離子濺射后的熒光體表面都會(huì)形成非晶狀的熒光體層?？烧J(rèn)為該非晶狀的熒光體層會(huì)遮斷紫外線。另外，作為紅色熒光體的試樣A49、A50，亮度變化率的斜率比試樣A55、A56稍小。這被認(rèn)為是紅色熒光體與其他藍(lán)色和綠色的熒光體相比，具有更高的結(jié)晶性，通過本來耐沖擊性高，就使有機(jī)金屬處理的效果小的緣故。但是，耐離子沖擊性并沒有降低。由以上的結(jié)果可知，對(duì)于綠色和紅色熒光體進(jìn)行有機(jī)金屬處理，效果雖然多少也有一些差異，但是耐離子沖擊性提高。但是也可知，對(duì)于綠色和紅色熒光體來說，根據(jù)組成，耐離子沖擊性的提高的程度存在差異。(實(shí)施例5)與實(shí)施例2同樣，制作使用了本發(fā)明的熒光體粒子的等離子體顯示裝置，對(duì)于研究有機(jī)金屬化合物的添加濃度的結(jié)果進(jìn)行說明。在上述實(shí)施例2中，調(diào)配熒光體粒子1.0重量部、有機(jī)金屬化合物0.2重量部，作為稀釋劑再調(diào)配2.0重量部二甲苯，但是按照使有機(jī)金屬化合物的添加量在0.055.0重量部之間變化的方式與實(shí)施例2同樣地制作面板。對(duì)于所制作的面板的放電電壓、以驅(qū)動(dòng)電壓185V且lOOKHz驅(qū)動(dòng)時(shí)的全白圖像的亮度、和在此條件下驅(qū)動(dòng)1000小時(shí)時(shí)的全白圖像的亮度變化率進(jìn)行了評(píng)價(jià)。其結(jié)果顯示在表5中。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>*比較例(B26、B35)實(shí)驗(yàn)所使用的熒光體是藍(lán)色熒光體BaMgAlu)On:Eu，綠色熒光體(Y、Gd)B03:Tb，紅色熒光體(Y、Gd)B03:Eu，有機(jī)金屬化合物使用異辛酸鎂。制成了試樣B26至B35。由表5可見，若根據(jù)全白圖像的亮度變化率(IOOO小時(shí)后的亮度比)進(jìn)行評(píng)價(jià)，則在0.055.0重量部的全范圍提高。但是，就面板的初期亮度而言，試樣B35(5.0重量部)可見大幅的亮度(例如是試樣B27的值的l/2以下)的降低。其原因被認(rèn)為是，通過每當(dāng)有機(jī)金屬向稀釋溶液的添加量超過l.O重量部而不能進(jìn)入晶格內(nèi)的元素，導(dǎo)致熒光體表面被MgO膜涂覆，真空紫外線被熒光體吸收，熒光體的初期的發(fā)光強(qiáng)度降低的緣故。但是，該MgO的涂膜可觀察到其外延(epitaxial)成長，因此，能夠確認(rèn)電子發(fā)射良好。由以上的結(jié)果認(rèn)為，就有機(jī)金屬化合物的最佳量而言，相對(duì)于熒光體l重量部，為0.05重量部至3.0重量部，更優(yōu)選為0.05重量部至1.0重量部。如實(shí)施例4所說明的，有機(jī)金屬化合物的添加量為l.O重量部以上、3重量部以下，發(fā)光強(qiáng)度的初期值的降低成為問題時(shí)，優(yōu)選在進(jìn)行有機(jī)金屬處理后通過刻蝕等除去表面生成的由MgO構(gòu)成的層。以MEM分析將試樣B27、B28的電子密度分布進(jìn)行分析的結(jié)果，與上述的試樣B4—樣，能夠確認(rèn)在發(fā)光中心附近的電子密度被保持得很高。圖23(a)和(b)中表示試樣27的TEM-EDS在線分析。與試樣B4同樣，可觀察到距熒光體粒子的表面20nm的范圍具有高濃度的Mg峰值。以上可知，根據(jù)本發(fā)明，通過金屬在熒光體粒子的表面擴(kuò)散，耐離子沖擊提高。這被認(rèn)為是以下緣故，即在實(shí)施了有機(jī)金屬處理的熒光體粒子，通過從其表面部分至內(nèi)部而有機(jī)金屬化合物的構(gòu)成元素?cái)U(kuò)散，而使結(jié)晶的離子結(jié)合變得更強(qiáng)固，耐離子沖擊(離子濺射)性提高，發(fā)光中心附近的電子密度的提高，從而熒光體粒子變得容易激勵(lì)發(fā)光。因此，其表示出在現(xiàn)有的水溶液和醇類溶液中使熒光體表面物理性涂覆有金屬氧化物的熒光體所得不到的特性。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明的熒光體粒子，熒光的劣化得到抑制，能夠達(dá)成高的熒光亮度。該熒光體粒子適用于各種等離子體顯示裝置和場致發(fā)射型顯示裝置。另外，本發(fā)明的等離子體顯示裝置，因?yàn)榉烹婋妷航档?，亮度提高，能夠防止亮度劣化，所以適用于高精細(xì)、低消費(fèi)電力的等離子體顯示裝置。另外，本發(fā)明的熒光體粒子也適用于熒光燈和液晶顯示裝置的背光源，能夠?qū)崿F(xiàn)亮度和亮度劣化優(yōu)異的熒光燈和背光源。權(quán)利要求1.一種由熒光體材料構(gòu)成的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，所述熒光體材料含有在Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中的至少1個(gè)元素，從所述熒光體粒子表面至深度為20nm為止的范圍內(nèi)，有所述至少1個(gè)元素在深度方向的濃度分布的極大值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，從所述熒光體粒子表面至深度為20nm為止的所述至少1個(gè)元素的平均濃度，比所述熒光體粒子整體的平均濃度的1倍大且在3倍以下。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，在所述熒光體粒子中，除所述至少l個(gè)元素以外，構(gòu)成所述熒光體材料的其他元素的分布實(shí)質(zhì)上均一。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，通過使所述至少1個(gè)元素從所述熒光體粒子表面向內(nèi)部擴(kuò)散，而使在從所述熒光體粒子表面至深度20nm為止的所述至少l個(gè)元素的平均濃度得以提高。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu;SrMg(Si02):Eu;Sr2MgSi207:Eu;CaMgSi206:Eu;SrMgSi206:Eu。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種(Y、Gd)B03:Tb;LaP04:Ce、Tb;BaMg2Al14024:Eu、Mn;BaAl120i9:Mn;Zn2Si04:Mn。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種Y(P、V)04:Eu;Y203:Eu;(Y、Gd)203:Eu;(Y、Gd)B03:Eu。8.—種等離子體顯示裝置，其具有前面板和背面板，所述前面板包括透明基板、和設(shè)于透明基板上的多個(gè)條狀的顯示電極，所述背面板包括:支撐基板；設(shè)于所述支撐基板的多個(gè)條狀的地址電極；至少位于各地址電極間而設(shè)于所述支撐基板的多個(gè)隔壁；以覆蓋所述隔壁間的各地址電極的方式配置的熒光體層，按照使所述地址電極和所述顯示電極大致相互正交、在所述隔壁間的空間內(nèi)密封放電氣體的方式，將所述前面板和背面板對(duì)向地配置，并且，所述熒光體層含有權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所規(guī)定的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，在所述熒光體層中，所述發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的表面露出。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述放電氣體含有15體積％以上的氙氣。11.一種發(fā)光顯示裝置，具有輻射出波長比可見光短的電磁波或電子射線的激勵(lì)源；和配置在有所述電磁波或電子射線放射的位置的、權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所規(guī)定的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子。12.—種發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，包括如下工序?qū)τ蔁晒怏w材料構(gòu)成的熒光體粒子進(jìn)行準(zhǔn)備的工序；在含有包含在A1、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素的非水溶性有機(jī)金屬化合物和非水性溶劑的溶液中所述熒光體粒子得以浸漬的工序(A);除去所述非水性溶劑，所述非水溶性有機(jī)金屬化合物附著在表面的熒光體粒子得以獲得的工序(B);和對(duì)表面附著有所述非水溶性有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子進(jìn)行熱處理的工序(C)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，所述非水溶性有機(jī)金屬化合物為從脂肪酸的金屬鹽、乙酰丙酮金屬鹽、不飽和羧酸金屬鹽、茂金屬化合物、p-二酮之中所選擇的至少1種。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，所述工序(C)將表面附著有所述非水溶性有機(jī)金屬化合物的熒光體粒子在500。C以上、650。C以下進(jìn)行加熱。15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu;SrMg(Si02):Eu;Sr2MgSi207:Eu;CaMgSi206:Eu;SrMgSi206:Eu。16.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種-(Y、Gd)B03:Tb;LaP04:Ce、Tb;BaMg2Al14024:Eu、Mn;BaAl12019:Mn;Zn2Si04:Mn。17.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子的制造方法，其中，所述熒光體材料含有如下之中至少1種-Y(P、V)04:Eu;Y203:Eu;(Y、Gd)203:Eu;(Y、Gd)B03:Eu。全文摘要本發(fā)明的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子(17)，是由熒光體材料構(gòu)成的發(fā)光顯示裝置用熒光體粒子，熒光體材料含有在Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素(18)。從熒光體粒子表面(17s)至深度為20nm為止的范圍內(nèi)(17a)，有Al、Mg、Ca、Ba、Sr和Y之中至少1個(gè)元素(18)在深度方向的濃度分布的極大值。文檔編號(hào)C09K11/08GK101652449SQ200880003988公開日2010年2月17日申請(qǐng)日期2008年2月29日優(yōu)先權(quán)日2007年3月1日發(fā)明者上野巖,本多洋介,西山誠司申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社