專利名稱：：電路連接材料、使用它的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及電路構(gòu)件的連接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電路連接材料、用其形成的電路構(gòu)件的連4妄結(jié)構(gòu)及電路構(gòu)件的連才妄方法。
背景技術(shù)：
：在液晶顯示用玻璃板上安裝液晶驅(qū)動用IC時，采用通過電路連接構(gòu)件直接在玻璃+反上接合液晶驅(qū)動用IC的CfflP-ON-GLASS安裝(以下稱為COG安裝)方法、或?qū)⒁壕?qū)動用IC接合在具有金屬配線的柔性帶上，并用電路連接構(gòu)件與玻璃板接合的CHIP-ON-FLEX安裝(以下稱為COF安裝)方法。這種形成有微細(xì)電路的電路構(gòu)件的相互連接，對于以往的焊錫或橡膠連接器來說難以適應(yīng)，因此要使用具有各向異性導(dǎo)電性的粘結(jié)劑組合物。與此相對，伴隨著近年來液晶顯示的高精細(xì)化，電路構(gòu)件上形成的電路電極正在向高密度化發(fā)展。因此，存在著電路電極的進(jìn)一步微細(xì)化，即向多電極化及窄間距化等高精細(xì)化發(fā)展的趨勢，高精細(xì)液晶模塊上需要高連接可靠性。一方面，電路電極的形成是通過在基板的整個面上形成作為電路基礎(chǔ)的金屬，在電路電極部位涂布抗蝕劑并進(jìn)行固化，再使用酸或堿除去蝕刻掉其它部分的工序進(jìn)行實施的，但是在上述高密度化電路的情況下，如果在基板整個面上形成的金屬凹凸大，則由于凹部和凸部的蝕刻時間不同，因此存在著不能進(jìn)行精密地蝕刻，相鄰電路間產(chǎn)生短路或斷線的問題。因此，希望高密度電路的電極表面凹凸小，即電極表面平坦，但是使用以往的電路連接材料連接這種相對置的平坦電路電極彼此時，電路連接材料中含有的導(dǎo)電粒子和平坦電極之間殘留有粘結(jié)劑樹脂，存在著不能確保電路電極之間達(dá)到足夠的電連接及長期的連接可靠性的問題。而且，在液晶模塊的制造工序中，有時使用由容易在表面上形成氧化膜的金屬材料構(gòu)成的電路電極，使用以往的電路連接材料的話，就不能在確保導(dǎo)電3粒子突破氧化膜而進(jìn)行電連接及確保長期連接可靠性兩方面同時達(dá)到高水平。因此，已研究出了通過在導(dǎo)電粒子表面上設(shè)置多個突起部分，從而在電路觸的方法(參見專利文獻(xiàn)1);以及利用在基材粒子的表面上設(shè)置多個金屬微粒，并且用金屬鍍層覆蓋至少一部分表面而形成的導(dǎo)電粒子，即使對于容易形成氧化膜的電路電極也能確保電連接及長期連接可靠性的方法(參見專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-166438號公才艮專利文獻(xiàn)2:國際公開第07/058159號小冊子
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的問題但是，即使使用上述方法，根據(jù)電路電極的材質(zhì)等情況的不同，有時也不能確保初始的電連接及良好的連接可靠性，效果不明顯。本發(fā)明是鑒于這種情況做出的，目的是提供能夠使相對置的電路電極相互間達(dá)到良好的電連接，同時可充分提高電路電極間電氣特性的長期可靠性的電路連接材料、使用它的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及電路構(gòu)件的連接方法。解決問題的方法解決問題的手段為了解決上述問題，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)上述問題產(chǎn)生的原因在于導(dǎo)電粒子最外層的材質(zhì)。即，以往的電路連接材料中含有的導(dǎo)電粒子的最外層為Au金屬膜，盡管電路連接時導(dǎo)電粒子和平坦電極間的粘結(jié)劑組合物被突起貫穿，由于Au是比較軟的金屬，導(dǎo)電粒子的最外層相對于電路電極發(fā)生變形，不容易深入到電路電極中。因而，為解決上述問題，本發(fā)明人等又反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過將導(dǎo)電粒子最外層的材質(zhì)改為比Au更硬的金屬，就提高了連接可靠性，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供一種電路連接材料，其中含有粘結(jié)劑組合物和導(dǎo)電粒子，導(dǎo)電粒子是核體上具有1個或2個以上金屬層并具有突起的導(dǎo)電粒子，至少在突起的表面上形成了金屬層，該金屬層由鎳或鎳合金構(gòu)成，導(dǎo)電粒子發(fā)生20%壓縮時的7玉縮彈十生4莫量為100800kgf/mm2。就本發(fā)明的電路連接材料而言，在制作電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)時，介于兩個電路構(gòu)件(以下，根據(jù)情況稱為"第一及第二電路構(gòu)件")之間，被用作介于電路構(gòu)件并進(jìn)行加熱加壓后使電路電極之間進(jìn)行電連接的電路連接用各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)劑。如果采用本發(fā)明的電路連接材料，與導(dǎo)電粒子的金屬層(最外層)為Au的情況相比，可以通過導(dǎo)電粒子使相對置的電路電極之間達(dá)到更好的電連接，同時也可以進(jìn)一步提高電路電極間電氣特性的長期可靠性。即，即使粘結(jié)劑組合物的固化物進(jìn)入導(dǎo)電粒子和電路電極之間，通過在導(dǎo)電粒子的表面?zhèn)仍O(shè)置突起，由該導(dǎo)電粒子施加到粘結(jié)劑組合物固化物上的壓力，與沒有突起的導(dǎo)電粒子相比足夠大，導(dǎo)電粒子的突起可容易地貫穿粘結(jié)劑組合物固化物，另外也在一定程度上侵入到電路電極中，從而可以增加導(dǎo)電粒子和電路電極的接觸面積。而且，由于作為導(dǎo)電粒子最外層的鎳(Ni)或鎳合金比Au更硬，導(dǎo)電粒子的最外層更容易侵入電路電極，可以增加導(dǎo)電粒子和電路電極的接觸面積，由此可以得到更良好的電連接及電氣特性的長期可靠性。而且，通過使導(dǎo)電粒子發(fā)生20%壓縮時的壓縮彈性模量為100800kgf/mm2,導(dǎo)電粒子的最外層容易侵入電路電極，因此可以得到充分的電連接。除此之外，即使隨著溫度變化電路電極之間的間隔變大，導(dǎo)電粒子也可以充分追隨電路電極間隔的擴大，確保了長期連接可靠性。在上述電路連接材料中，導(dǎo)電粒子的突起高度優(yōu)選為65500nm。另外，對于導(dǎo)電粒子，相鄰?fù)黄痖g的距離優(yōu)選為IOOO謹(jǐn)以下。通過使導(dǎo)電粒子的突起高度及相鄰?fù)黄痖g的距離處于上述范圍內(nèi)，可以使導(dǎo)電粒子的突起更容易貫穿粘結(jié)劑組合物的固化物，可以獲得更好的電連接及電氣特性的長期可靠性。優(yōu)選粘結(jié)劑組合物含有膜形成材料、環(huán)氧樹脂及潛伏性固化劑。由此，本發(fā)明可以更切實地實現(xiàn)上述效果。本發(fā)明提供一種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其具備形成了電路電極且電路電極以相對方式進(jìn)行配置的兩個電^各構(gòu)件，和介于電^各構(gòu)件之間并在加熱加壓后^吏電路電極進(jìn)行電連接的電路連接構(gòu)件，電路連接構(gòu)件是本發(fā)明的電路連接材料或其固化物。該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)是使用上述電路連接材料制作的，因此可以使電路電極之間達(dá)到良好的電連接。這樣，介著導(dǎo)電粒子相對置的電路電極5之間的良好電連接狀態(tài)，可以通過粘結(jié)劑組合物的固化物得到長時間的保持，由此可以充分提高電氣特性的長期可靠性。在上述連接結(jié)構(gòu)中，可以是兩個電路構(gòu)件中的至少一方為IC芯片。在上述連接結(jié)構(gòu)中，可以是兩個電路構(gòu)件的電路電極中的至少一方的表面由選自金、銀、錫、鉑族金屬、鋁、鈦、鉬、鉻、銦-錫氧化物(ITO)及銦-鋅氧化物(IZO)中的至少一種構(gòu)成。在上述連接結(jié)構(gòu)中，可以是兩個電路構(gòu)件中的至少一方的表面上用選自氮化硅、有機硅化合物及聚酰亞胺樹脂中的至少一種物質(zhì)進(jìn)行涂敷或附著處理。本發(fā)明提供一種電路構(gòu)件的連接方法，其中，在形成了電路電極且電路電極以相對方式進(jìn)行配置的兩個電路構(gòu)件之間夾入本發(fā)明的電路連接材料，加熱加壓而使電路電極進(jìn)行電連接。按照這種連接方法，由于使用了本發(fā)明的電路連接材料，可以確保良好的電連接及長期連接可靠性。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供即使所要連接的電路電極的表面是平坦的，并且/或即使是容易形成氧化膜的電路電極，仍可以使相對置的電路電極彼此之間達(dá)到良好的電連接，同時可以充分提高電路電極間電氣特性的長期可靠性的電路接方法。圖1是顯示使用本發(fā)明涉及的電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的一個實施方式的斷面圖。面圖。符號說明1是電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)、10是電路連接材料、11是粘結(jié)劑成分(粘結(jié)劑組合物)、12是導(dǎo)電粒子、14是突起(突起部分)、21是核體、21a是中心核部分、21b是突起部分、22是金屬層、30是第一電路構(gòu)件、31是電路基板(第一電路基板)、31a是主面、32是電路電極(第一電路電極)、40是第二電路構(gòu)件、41是電路基板(第二電路基板)、41a是主面、42是電路電極(第二電路電極)、Tl是導(dǎo)電粒子導(dǎo)致的第一電路電極的凹陷、T2是導(dǎo)電粒子導(dǎo)致的第二電路電極的凹陷、H是導(dǎo)電粒子的突起部分的高度、S是相鄰?fù)黄鸩糠种g的距離。具體實施例方式以下，參照圖1~圖2對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。還有，在中，相同的要素釆用相同的符號，省去重復(fù)說明。另外，為方便圖示，附圖的尺寸比例不一定與說明的相一致。圖1是顯示使用本發(fā)明涉及的電路連接材料的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)的概略性斷面圖。本實施方式的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)1具備相互對置的第一電路構(gòu)件30及第二電路構(gòu)件40，第一電路構(gòu)件30及第二電^各構(gòu)件40之間設(shè)置了連接它們的電路連接材料10。第一電路構(gòu)件30具備電路基板(第一電路基板)31和形成于電路基板31的主面31a上的電路電極(第一電路電極)32。第二電路構(gòu)件40具備電路基板41和形成于電路基板41的主面41a上的電路電極(第二電路電極)42。在電路基板31、41上，電路電極32、42的表面是平坦的。還有，此處所說的"電路電極的表面是平坦的，，是指電路電極表面的凹凸十分小，表面凹凸優(yōu)選為20nm以下。電路電極32、42的厚度最好為50nm以上。厚度不足50nm時，電路連接材料中的導(dǎo)電粒子12的表面?zhèn)却嬖诘耐黄鸩糠?4在壓合時可能會貫穿電路電極32、42而與電路基板31、41接觸。在這種情況下，電路電極32、42和導(dǎo)電粒子12的接觸面積減少，容易導(dǎo)致連接電阻上升。另外，從制造成本等方面考慮，電路電極32、42的厚度優(yōu)選為1000nm以下，更優(yōu)選為500nm以下。作為電路電才及32、42的材質(zhì)，可以列舉Au、Ag、Sn、Pt族金屬(例如釕、銠、釔、鋨、銥、4白)或ITO、IZO、Al、Cr、Mo、Ti等，但是特別是電路電極32、42的材質(zhì)為ITO或IZO時，電連接明顯好，可發(fā)揮本發(fā)明的效果。另外，電路電極32、42可以整體由上述材質(zhì)構(gòu)成，也可以是僅最外層由上述材質(zhì)構(gòu)成。電路基板31、41的材質(zhì)沒有特別的限制，通常為有機絕緣性物質(zhì)、玻璃或硅。作為第一電路構(gòu)件30及第二電路構(gòu)件40的具體例子，可以列舉半導(dǎo)體芯片(IC芯片)、電阻芯片、電容器芯片等芯:片部件、帶載封裝(TCP)、柔性電路基板(FPC)、印刷電路板、玻璃基板等。在這些電路構(gòu)件30、40上，通常設(shè)置多個(根據(jù)情況也可以是一個)電路電極(電路端子)32、42。作為電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)l的形態(tài)，也有IC芯片和芯片搭載基板的連接、電路的相互連接、COG安裝或COF安裝中IC芯片和玻璃基^1或柔韌性帶的連接等形態(tài)。特別優(yōu)選第一及第二電路構(gòu)件30、40中的至少一方為IC芯片。另外，對于上述實施方式，電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)1中未設(shè)置絕緣層，但是在第一電路構(gòu)件30中，也可以在第一電路電極32和電路基板31之間進(jìn)一步形成絕緣層，在第二電路構(gòu)件40中，也可以在第二電路電極42和電路基板41之間進(jìn)一步形成絕緣層。絕緣層沒有特別的限制，只要由絕緣材料構(gòu)成即可，但是通常由有機絕緣性物質(zhì)、二氧化硅或氮化硅構(gòu)成。特別地，優(yōu)選第一及第二電路構(gòu)件30、40中的至少一方的表面用選自氮化硅、有機硅化合物、聚酰亞胺的至少一種物質(zhì)進(jìn)行涂敷或附著處理。如果采用上述電路連接材料10，對于這種電路構(gòu)件30、40的粘接強度特別好。電路連接材料10含有具備絕緣性的粘結(jié)劑成分(粘結(jié)劑組合物)11和導(dǎo)電粒子12。關(guān)于導(dǎo)電粒子12的詳細(xì)情況在后文描述，但是如圖2(a)~(b)所示，其表面?zhèn)染哂卸鄠€突起部分14。這樣，在該電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)1中，相對置的第一電路電極32和第二電路電極42通過導(dǎo)電粒子12進(jìn)行電連接。即，導(dǎo)電粒子12與電路電極32、42雙方直接接觸。具體來說，導(dǎo)電粒子12的突起部分14貫穿粘結(jié)劑成分(粘結(jié)劑組合物)11而與第一電路電極32、第二電路電極42接觸。因此，電路電極32、42之間的連接電阻得到了充分降低，電路電極32、42之間可以形成良好的電連接。因此，可以使電路電極32、42之間的電流流動達(dá)到平滑，能夠充分發(fā)揮保持回路的功能。優(yōu)選導(dǎo)電粒子12的多個突起部分14中的一部分突起部分14以在第一電路電極32或第二電路電極42上分別產(chǎn)生凹陷Tl、T2的方式侵入進(jìn)去。在這種情況下，導(dǎo)電粒子12的突起部分14和電路電極32、42的接觸面積進(jìn)一步增加，可以使連接電阻進(jìn)一步降低。在電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)1中，優(yōu)選第二電路電極32、第二電路電極42中的至少一方的表面積為3000pn^以下，并且第一回路電極32和第二回路電極42之間的平均導(dǎo)電粒子數(shù)為15個以上。此處，平均導(dǎo)電粒子數(shù)是指相對于每1個電路電極的導(dǎo)電粒子數(shù)的平均值。在這種情況下，相對置的電路電極32、42之間的連接電阻可得到充分降低。以下，對電路連4妄構(gòu)件IO進(jìn)行詳細(xì)說明。電路連4妄構(gòu)件10呈膜狀，如以上所述，是對含有表面?zhèn)葞в型黄鸩糠?4的導(dǎo)電粒子12和粘結(jié)劑組合物的電路連接材料進(jìn)行固化處理而得到的。(導(dǎo)電粒子)^態(tài)的斷面明。圖2是顯示構(gòu)成本發(fā)明^圖。如圖2(a)所示，導(dǎo)電粒子12由具有導(dǎo)電性的粒子(主體部分)和形成于該粒子表面上的多個突起部分14構(gòu)成。此處，多個突起部分14由具有導(dǎo)電性的金屬構(gòu)成。如圖2(a)所示，導(dǎo)電粒子12由核體21和形成于核體21表面上的金屬層22構(gòu)成。核體21由中心核部分21a和形成于中心核部分21a表面上的突起部分21b構(gòu)成，金屬層22的表面?zhèn)染哂卸鄠€突起部分14。金屬層22覆蓋了核體21,并在與突起部分21b對應(yīng)的位置突出，該突出的部分形成突起部分14。作為核體21的材質(zhì)，從實現(xiàn)高連接可靠性方面考慮，優(yōu)選在電路電極32、42相互連接后能夠充分追隨電路電極32、42之間的間隔擴大的材質(zhì)。如果核體21不能充分追隨溫度變化等帶來的電路電極32、42之間的間隔擴大，則連接部分的電阻值有時會上升。從有效防止這種電阻值上升的方面考慮，以及從與金屬所組成的核體相比，成本低，并且對熱膨脹及壓合粘接時的尺寸變化的彈性變形范圍大的方面考慮，作為核體優(yōu)選使用由有機高分子化合物組成的材料。，另外，對于導(dǎo)電粒子12,優(yōu)選發(fā)生粒子直徑的20%壓縮變形時的壓縮彈性才莫量為100800kgf/mm2,更優(yōu)選為400~700kgf/mm2。如果上述粒子直徑的20%壓縮變形時的壓縮彈性模量不足100kgf/mm2，則導(dǎo)電粒子12的最外層不容易侵入電路電極，因此連接部分的電阻上升，因此是不好的。另一方面，壓縮彈性模量超過800kg。mn^時，對相對置的電路電極32、42進(jìn)行加壓時存在導(dǎo)電粒子12不能充分變形為扁平形狀的傾向。因此，與電路電極32、42的接觸面積不足，連接部分的電阻上升。此外，變形不充分的導(dǎo)電粒子12不能充分追隨溫度變化等帶來的電路電極32、42之間的間隔擴大，連接后的電阻顯著上升，因此是不可取的。作為構(gòu)成核體21的中心核部分21a的有機高分子化合物，例如可以列舉丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯并胍胺樹脂、有機硅樹脂、聚丁二烯樹脂或它們的共聚物，也可以使用它們的交聯(lián)體。還有，核體21的中心核部分21a的平均粒徑可木良棍用途進(jìn)行適當(dāng)設(shè)計，但優(yōu)選為l10|im,更優(yōu)選為2~8pm,進(jìn)一步優(yōu)選為35|im。如果平均粒徑不足l(im,則容易發(fā)生粒子的二次凝集，容易導(dǎo)致相鄰電路的絕緣性不足。另一方面，如果平均粒徑超過lO]im,則由于這種大尺寸，容易導(dǎo)致相鄰電路的絕緣性不足。作為構(gòu)成核體21的突起部分21b的有4幾高分子化合物，例如可以列舉丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯并胍胺樹脂、有機硅樹脂、聚丁二烯樹脂或它們的共聚物，也可以使用它們的交聯(lián)體。構(gòu)成突起部分21b的有機高分子化合物可以與構(gòu)成中心核部分21a的有機高分子化合物相同，也可以不同。核體21可以通過在中心核部分21a的表面上吸附多個具有比中心核部分21a更小的直徑的突起部分21b而形成。作為在中心核部分21a的表面上吸附突起部分21b的方法，例如可以列舉用硅烷、鋁、鈦等各種偶聯(lián)劑及粘結(jié)劑的稀釋溶液對兩種粒子或一種粒子進(jìn)行表面處理后，將兩者混合進(jìn)行附著的方法等。作為金屬層22的材料，例如可以列舉Cu、Ni或Ni合金、Ag或Ag合金等，作為鎳合金，例如可以列舉Ni-B、Ni-W、Ni-W-Co、Ni-Fe及Ni-Cr等。由于較硬、容易侵入電路電極32、42中，因而特別優(yōu)選鎳或鎳合金。金屬層22可以通過使用無電解鍍敷法對核體21鍍敷這些金屬來形成。無電解鍍敷法大致分為間歇方式和連續(xù)滴落方式，使用任一方式均可形成金屬層22。優(yōu)選金屬層22的膜厚(鍍膜厚)為65125nm,更優(yōu)選為75~100謹(jǐn)，進(jìn)一步優(yōu)選為8090nrn。通過使金屬層22的膜厚處于這種范圍，可以進(jìn)一步改10善電路電極32、42之間的連接電阻。如果金屬層22的膜厚不足65nm，則由于膜薄，容易導(dǎo)致連接電阻變大，如果超過125nm，則鍍敷時導(dǎo)電粒子12之間發(fā)生凝結(jié)，相鄰電路電極32、42之間容易產(chǎn)生短路。此處，在本說明書中，導(dǎo)電粒子12的金屬層22的厚度是指不包含突起部21b的金屬層部分的厚度，可通過電子顯孩i鏡測定。導(dǎo)電粒子12的突起部分14的高度H優(yōu)選為651000nrn,更優(yōu)選為65500nm,特別優(yōu)選為100500nrn。另外，相鄰?fù)黄鸩糠?4之間的距離S優(yōu)選為1OOOnm以下，更優(yōu)選為500nm以下。另外，為了使粘結(jié)劑組合物不會進(jìn)入導(dǎo)電粒子12和電路電極32、42之間，使導(dǎo)電粒子12和電路電極32、42充分接觸，相鄰的突起部分14之間的距離S最好為至少50nm以上。還有，導(dǎo)電粒子12的突起部分14的高度H及相鄰?fù)黄鸩糠?4之間的距離S可以通過電子顯微鏡測定。另外，如圖2(b)所示，導(dǎo)電粒子12也可以1文由中心核部分2la構(gòu)成核體21。換言之，在圖2(a).所示的導(dǎo)電粒子12上，也可以不設(shè)置突起部分21b。該導(dǎo)電粒子12可以通過對核體21的表面進(jìn)行金屬鍍lt，在核體21表面上形成金屬層22來得到。此處，對用于形成突起部分14的方法進(jìn)行說明。突起部分14可以通過在鍍敷金屬的鍍敷反應(yīng)過程中，改變鍍敷條件使金屬層22的厚度發(fā)生變化來形成金屬層22。鍍敷條件的改變可以通過例如在起初使用的鍍敷液中追加濃度更高的鍍敷液，從而使鍍敷液達(dá)到不均勻來進(jìn)行。另外，也可以通過調(diào)節(jié)鍍敷液的pH值，例如4吏鍍鎳液的pH值為6來獲得瘤狀的金屬層，即具有突起部14的金屬層22(望月等,表面技術(shù)，Vol.48，No.4,429432頁，1997)。另夕卜，作為賦予鍍浴以穩(wěn)定性的配位劑，使用甘氨酸時，可以形成平滑的金屬層(皮膜)，與此相對，使用酒石酸或DL-蘋果酸時，可以獲得瘤狀的皮膜，即具有突起部分14的金屬層22(荻原等，非晶質(zhì)鍍敷(非晶質(zhì)&，吉)，Vol.36，第3537頁，1994;荻原等，電路安裝學(xué)會志(回路実裝學(xué)會誌)，Vol.10,No.3,148~152頁，1995)。另外，優(yōu)選導(dǎo)電粒子12中從核體21上完全剝離金屬層22的粒子的混入率為在25萬個粒子中不足5%,更優(yōu)選為不足1%，進(jìn)一步優(yōu)選為不足0.1%。ii通過使從核體21上完全剝離金屬層22的粒子的混入率處于這種范圍，可以切實達(dá)到電路電極32、42之間的導(dǎo)通。如果從核體21上完全剝離金屬層22的粒子的混入率為5%以上，則與導(dǎo)電無關(guān)的粒子存在于電極上，從而容易導(dǎo)致連接電阻變大。本發(fā)明中的導(dǎo)電粒子12可能會暴露部分核體21。從連接可靠性方面考慮，優(yōu)選金屬層22的被覆率為70%以上，更優(yōu)選為80~100%。通過4吏金屬層22的被覆率達(dá)到這種范圍，可以進(jìn)一步改善電路電極32、42之間的連接電阻。如果金屬層22的被覆率不足70%,則導(dǎo)電粒子12表面的導(dǎo)通面積小，因此容易導(dǎo)致連接電阻變大。金屬層22可以是由單一的金屬層構(gòu)成，也可以由多個金屬層構(gòu)成。(粘結(jié)劑組合物)以下，對上述電路連接材料10中的粘結(jié)劑成分(粘結(jié)劑組合物)11進(jìn)行詳細(xì)說明。電路連接材料中含有的粘結(jié)劑成分(粘結(jié)劑組合物)11具有粘接性，通過針對第一及第二電路構(gòu)件30、40的固化處理進(jìn)行固化。作為粘結(jié)劑組合物，優(yōu)選含有膜形成材料、環(huán)氧樹脂及潛伏性固化劑。由此，可以更切實地實現(xiàn)由本發(fā)明帶來的上述效果。作為本發(fā)明中使用的膜形成材料，可以列舉苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮甲醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、二曱苯樹脂、聚氨酯樹脂等。膜形成材料是指在使液態(tài)物質(zhì)固形化，使構(gòu)成組合物形成薄膜形狀的情況下，該膜的操作容易，并賦予不容易開裂、破損、發(fā)粘的機械特性等的材料，在通常狀態(tài)(常溫常壓)下可進(jìn)行作為膜的操作的材料。在膜形成材料中特別優(yōu)選苯氧基樹脂，因為其粘接性、相溶性、耐熱性、機械強度優(yōu)良。苯氧基樹脂是指使2官能酚類和表卣代醇反應(yīng)至高分子量，或使2官能環(huán)氧樹脂和2官能酚類加聚而得到的樹脂。具體來說，可以通過使2官能酚類l摩爾和表卣代醇0.985-1.015摩爾，在石威金屬氫氧化物存在下，在非反應(yīng)性溶劑中以40~120°C的溫度反應(yīng)而獲得。另外，從樹脂的機械特性或熱特性的方面考慮，優(yōu)選將2官能性環(huán)氧樹脂與2官能性酚類的配合當(dāng)量比設(shè)為環(huán)氧基/酚羥基=1/0.9-1/1.1,在堿金屬化合物、有機磷系化合物、環(huán)狀胺系化合物等催化劑存在下，在沸點為12(TC以上的酰胺系、醚系、酮系、內(nèi)酯系、醇系等有機溶劑中按反應(yīng)固體成分為50質(zhì)量份以下的條件加熱至50~200。C進(jìn)行加聚而得到的樹脂。作為上述2官能環(huán)氧樹脂，可以列舉雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚AD型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯二縮水甘油醚、甲基取代聯(lián)苯二縮水甘油醚等。2官能酚類為具有2個酚性羥基的物質(zhì)。作為2官能酚類，例如可以列舉氬S昆類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、雙酚藥、曱基取代雙酚藥、二羥基聯(lián)苯、曱基取代二羥基聯(lián)苯等雙酚類等。苯氧基樹脂也可以用自由基聚合性官能團(tuán)或其它反應(yīng)性化合物進(jìn)行改性(例如環(huán)氧化改性)。苯氧基樹脂可單獨使用，也可以混合使用兩種以上。作為本發(fā)明中使用的環(huán)氧樹脂，可以單獨使用或組合使用兩種以上的以下物質(zhì)由表氯醇和雙酚A、F或AD等衍生的雙酚型環(huán)氧樹脂、由表氯醇和苯酚酚醛清漆或曱酚酚酪清漆衍生的環(huán)氧酚酸清漆樹脂或具有含萘環(huán)骨架的萘系環(huán)氧樹脂、縮水甘油胺、縮水甘油醚、聯(lián)苯、脂環(huán)式等一個分子內(nèi)具有兩個以上縮水甘油基的各種環(huán)氧化合物等。對于這些環(huán)氧樹脂而言，為了防止電子遷移，優(yōu)選使用離子雜質(zhì)(Na+、C1—等)，以及水解性氯等減少至300ppm以下的高純度產(chǎn)品。作為本發(fā)明中使用的潛伏性固化劑，只要是能夠使環(huán)氧樹脂固化的物質(zhì)即可，作為這種潛伏性固化劑，可以列舉陰離子聚合性的催化劑型固化劑、陽離子聚合性的催化劑型固化劑、加聚型固化劑等。這些固化劑可以單獨使用或作為兩種以上固化劑的混合物使用。從快速固化性優(yōu)良、不需要考慮化學(xué)當(dāng)量角度來看，在這些固化劑中優(yōu)選陰離子或陽離子聚合性的催化劑型固化劑。作為陰離子或陽離子聚合性的催化劑型固化劑，可以列舉咪唑系、酰肼系、三氟化硼-胺絡(luò)合物、锍鹽、氨基酰亞胺、二氨基馬來腈、三聚氰胺及其衍生物、多胺的鹽、雙氰胺等，也可以使用它們的改性物。作為加聚型固化劑，可以列舉多胺類、聚硫醇、多酚、酸酐等。作為陰離子聚合型的催化劑型固化劑配入叔胺類或咪唑類時，環(huán)氧樹脂在160。C20(TC左右的中溫下通過數(shù)十秒數(shù)小時左右的加熱發(fā)生固化。因此可使用時間(適用期)比較長，因而是優(yōu)選的。作為陽離子聚合型的催化劑型固化劑，優(yōu)選例如通過能量射線照射而使環(huán)13氧樹脂固化的感光性鑰鹽(主要使用芳香族重氮鎗鹽、芳香族锍鹽等)。另外，作為通過能量射線以外的加熱方式活化而使環(huán)氧樹脂固化的品種，有脂肪族《危鹽等。這種固化劑具有快速固化的特性，因此是優(yōu)選的。這些潛伏性固化劑被聚氨酯系或聚酯系等高分子物質(zhì)，或鎳、銅等金屬薄膜及硅酸鉤等無機物包覆后形成的微膠嚢能夠延長可使用時間，因此是優(yōu)選的。本實施方式的電路連接材料10可以進(jìn)一步使用以丙烯酸、丙烯酸酯、曱基丙烯酸酯或丙烯腈中的至少一種作為單體成分的聚合物或共聚物，當(dāng)同時^f吏用含有縮水甘油醚基的丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯的共聚物系丙烯酸橡膠時，應(yīng)力緩和性優(yōu)良，因此是優(yōu)選的。從^_高粘結(jié)劑凝集力方面考慮，這些丙烯酸橡膠的分子量(通過尺寸排除凝膠色譜法并經(jīng)過聚苯乙烯換算的重均分子量)優(yōu)選為20萬以上。導(dǎo)電粒子12的配合量相對于粘結(jié)劑組合物100體積份優(yōu)選為0.1~30體積份，其配合量可以根據(jù)用途而區(qū)別使用。從防止過剩的導(dǎo)電粒子12引起電路電極32、42之間的短路等方面考慮，更優(yōu)選導(dǎo)電粒子12的配合量為0.110體積份。本實施方式的電路連接材料IO還可以含有橡膠微粒、填充劑、軟化劑、促進(jìn)劑、防老化劑、阻燃劑、色素、觸變劑、偶聯(lián)劑、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯類等。上述橡膠微粒具有所配合導(dǎo)電粒子12的平均粒徑的2倍以下的平均粒徑，并且具有導(dǎo)電粒子12及粘結(jié)劑組合物在室溫(25°C)下的儲能模量的1/2的儲能模量即可。特別地，橡膠微粒的材質(zhì)為有機硅、丙烯酸乳液、SBR、NBR、聚丁二烯橡膠的微粒單獨使用或混合使用兩種以上是適宜的。三維交聯(lián)的這些橡月^毀粒的耐溶劑性優(yōu)良，容易*在粘結(jié)劑組合物中。含有填充劑時，可以提高連接可靠性等，因此是優(yōu)選的。只要填充劑的最大粒徑小于導(dǎo)電粒子12的粒徑即可使用，大于導(dǎo)電粒子12的粒徑時，恐怕會阻礙導(dǎo)電粒子的扁平化。填充劑的配合量優(yōu)選在5~60體積份(相對于粘結(jié)劑組合物的樹脂成分100體積份)的范圍內(nèi)。如果超過60體積份，則提高可靠性的效果可能已飽和，如果不足5體積份，則添加效果小。作為偶^:劑，從提高粘接性方面考慮，優(yōu)選含有酮亞胺、乙烯基、丙烯?；被?、環(huán)氧基及異氰酸酯基的物質(zhì)。具體來說，作為含有氨基的硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉N-(3(氨乙基)y-氨基丙基三曱氧基硅烷、N-p(氨乙基)r氨基丙基曱基二曱氧基硅烷、，氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基卞氨基丙基三曱氧基硅烷等。作為具有酮亞胺的硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉使丙酮、曱乙酮、曱基異丁基酮等酮化合物與上述含有氨基的偶烷偶聯(lián)劑進(jìn)行反應(yīng)而得到的物質(zhì)。還有，膜狀電路連接材料可通過使用涂布裝置(未圖示)在支持體(聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等)上涂布上述電路連接材料，并進(jìn)行規(guī)定時間的熱風(fēng)干燥來制作。(導(dǎo)電粒子No.l的制作)改變四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯單體的混合比，使用過氧化苯曱酰作為聚合引發(fā)劑進(jìn)行懸浮聚合，通過對得到的聚合物進(jìn)行分級，得到具有約3pm粒徑的核體，對獲得的核體表面進(jìn)行無電解鍍Ni處理時，利用鍍敷液的加入量、處理溫度及時間來改變鍍敷厚度，從而在上述核體的表面上形成鍍Ni的突起部分，得到包含突起部分在內(nèi)的Ni目標(biāo)膜厚為90nm的導(dǎo)電粒子No丄對于上述導(dǎo)電粒子No.l,用德國菲希爾儀器公司(林式會社74少v弋一義義A爿》7)制造的H-100顯微硬度計測定壓縮彈性模量，結(jié)果是該粒子發(fā)生粒子直徑20%的壓縮變形時的壓縮彈性模量為650kgf/mm2。而且，用電子顯微鏡(日立制作所制，S-800)觀察上述導(dǎo)電粒子No.i,測定突起部分的高度和相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距，結(jié)果是突起部分的高度為100nm,相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距為500nm。(導(dǎo)電粒子No.2的制作)另外，在導(dǎo)電粒子No.l上進(jìn)行20nm的置換鍍Au,從而形成具有多個突起部分的Au層，得到導(dǎo)電粒子No.2。對于上述導(dǎo)電粒子No.2，用德國菲希爾儀器公司制造的H-100顯微硬度計測定壓縮彈性模量，結(jié)果是該粒子發(fā)生粒子直徑20%的壓縮變形時的壓縮彈性模量為650kgf^mm2。而且，用電子顯微鏡(日立制作所制，S-800)觀察上述導(dǎo)電粒子No.2,測定突起部分的高度和相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距，結(jié)果是突起部分的高度為100nm,相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距為500nm。(導(dǎo)電粒子No.3的制作)使用壓縮彈性模量不同于導(dǎo)電粒子No.l的核體的具有約3pm粒徑的核體，對表面進(jìn)行無電解鍍Ni時，利用鍍敷液的加入量、處理溫度及時間來改變鍍敷厚度，從而在上述核體的表面上形成鍍Ni的突起部分，得到包含突起部分在內(nèi)的Ni目標(biāo)膜厚為90nm的導(dǎo)電粒子No.3。對于上述導(dǎo)電粒子No.3,用德國菲希爾儀器公司制造的H-100顯微硬度計測定壓縮彈性模量，結(jié)果是該粒子發(fā)生粒子直徑20%的壓縮變形時的壓縮彈性模量為400kgf/mm2。而且，用電子顯微鏡(日立制作所制，S-800)觀察上述導(dǎo)電粒子No.3,測定突起部分的高度和相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距，結(jié)果是突起部分的高度為100nm,相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距為500nm。(導(dǎo)電粒子No.4的制作)使用壓縮彈性^^莫量不同于導(dǎo)電粒子No.l的核體的具有約3pm粒徑的核體，對表面進(jìn)行無電解鍍Ni時，利用鍍敷液的加入量、處理溫度及時間改變鍍敷厚度，從而在上述核體的表面上形成鍍Ni的突起部分，得到包含突起部分在內(nèi)的Ni目標(biāo)膜厚為90nm的導(dǎo)電粒子No.4。對于上述導(dǎo)電粒子No.4,用德國菲希爾儀器公司制造的H-100顯微硬度計測定壓縮彈性模量，結(jié)果是該粒子發(fā)生粒子直徑20%的壓縮變形時的壓縮彈性模量為90kgf/mm2。而且，用電子顯微鏡(日立制作所制，S-800)觀察上述導(dǎo)電粒子No.4,測定突起部分的高度和相鄰?fù)黄鸩糠值拈g距，結(jié)果是突起部分的高度為100nm，相鄰?fù)黄鸩糠值拈g-巨為500nm。(電路連接材料A的制作)由雙酚A型環(huán)氧樹脂和9,9，-二(4-羥基苯基)藥合成苯氧基樹脂。將該樹脂50g溶解在質(zhì)量比為50:50的曱苯(沸點U0.6。C，SP值8.90)和醋酸乙酯(沸點77.rC,SP值9.10)的混合溶劑中，形成固體成分為40質(zhì)量％的溶液。另外，準(zhǔn)備以34:49:17的質(zhì)量比含有微膠嚢型潛伏性固化劑(微膠嚢化的胺系固化劑)、雙酚F型環(huán)氧樹脂和萘型環(huán)氧樹脂的、液狀的含固化劑環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量:202)。按照使苯氧基樹脂含固化劑環(huán)氧樹脂以固體成分計為40:60的方式混合上述材料，制作粘結(jié)劑組合物含有液。在得到的粘結(jié)劑組合物含有液中，再配入相對于樹脂成分為5體積。/。的導(dǎo)電粒子No.1,使其分散，配制成電路連接材料含有液。然后用涂布裝置將該電路連接材料含有液涂布在單面經(jīng)過表面處理的厚度為50pm的PET膜上，然后在70。C下熱風(fēng)干燥5分鐘，從而在PET膜上得到厚度為20pm的膜狀電路連接材料A。(電路連接材料B制作)將雙酚A型環(huán)氧樹脂50g溶解在質(zhì)量比為50:50的曱苯和醋酸乙酯的混合溶劑中，形成固體成分為40質(zhì)量％的第一溶液，另一方面，將雙酚A-F共聚合型苯氧基樹脂50g溶解在質(zhì)量比為50:50的曱苯和醋酸乙酯的混合溶劑中，形成固體成分為45質(zhì)量％的第二溶液?；旌仙鲜龅谝患暗诙芤?，再向其混合液中配入液狀環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量185)。按照使這些雙酚A型苯氧基樹脂雙酚AF共聚合型苯氧基樹脂液狀環(huán)氧樹脂以固體成分質(zhì)量比計為30:30:40的方式進(jìn)行混合，制作粘結(jié)劑組合物含有液。在得到的粘結(jié)劑組合物含有液中，再配入相對于樹脂成分為5體積％的導(dǎo)電粒子No.l,使其分散，再添加作為潛伏性固化劑的芳香族锍鹽4.8g，配制成電路連接材料含有液。然后用涂布裝置將該電路連接材料含有液涂布在單面經(jīng)過表面處理的厚度為50pm的PET膜上，然后在70。C下熱風(fēng)干燥5分鐘，從而在PET膜上得到厚度為20jim的膜狀電路連接材料B。(電路連接材料C制作)使用導(dǎo)電粒子No.2代替上述電路連接材料A中的導(dǎo)電粒子No.l，除此之外，通過與電路連接材料A相同的方法得到電路連接材料C。(電路連接材料D制作)使用導(dǎo)電粒子No.2代替上述電路連接材料B中的導(dǎo)電粒子No丄除此之外，通過與電路連接材料B相同的方法得到電路連接材料D。(電路連接材料E制作)使用導(dǎo)電粒子No.3代替上述電路連接材料A中的導(dǎo)電粒子No.l,除此之外，通過與電路連接材料A相同的方法得到電路連接材料E。(電路連接材料F制作)使用導(dǎo)電粒子No.3代替上述電路連接材料B中的導(dǎo)電粒子No丄除此之外，通過與電路連接材料B相同的方法得到電路連接材料F。(電路連接材料G制作)使用導(dǎo)電粒子No.4代替上述電路連接材料A中的導(dǎo)電粒子No.l,除此之外，通過與電路連接材料A相同的方法得到電路連接材料G。(電路連接材料H制作)使用導(dǎo)電粒子No.4代替上述電路連接材料B中的導(dǎo)電粒子No.l，除此之外，通過與電路連接材料B相同的方法得到電路連接材料H。(實施例1)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備配置了凸塊面積50jimx50^im、間距100|im、高度20)im的金凸塊的IC芯片。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備表面上具備ITO電路電極(膜厚200nm，表面電阻<200)、并且與IC芯片的凸塊排列匹配著加工有電路電極的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料A，在70。C,l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料A的方式配置IC，使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按200。C、100MPa、10秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了實施例1的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例2)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備表面上具備ITO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50謹(jǐn))/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻<300)、并且與IC芯片的凸塊排列匹配著加工有電路電極的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例1的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料A的臨時連接、正式連接，得到實施例2的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例3)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備表面上具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)、并且與IC芯片的凸塊排列匹配著加工有電路電極的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例1的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料A的臨時連接、正式連接，得到實施例3的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例4)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm,表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料B,在70。C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料B的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按16(TC、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了實施例4的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例5)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITQ(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈OQ)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例4的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料B的臨時連接、正式連接，得到實施例5的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(.實施例6)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例4的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料B的臨時連接、正式連接，得到實施例6的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例7)作為第一電^各構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電^各構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm，表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料E,在70。C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料E的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按200。C、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了實施例7的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例8)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻<300)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例7的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料E的臨時連接、正式連接，得到實施例8的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例9)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚lOOnm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例7的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料E的臨時連接、正式連接，得到實施例9的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例10)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例l相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm,表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料F，在70°C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料F的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按160。C、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使ic和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了實施例10的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例11)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚IOO薩)/Mo(膜厚50謹(jǐn))/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈30Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例10的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材津牛F的臨時連接、正式連接，得到實施例11的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(實施例12)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻<400)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與實施例10的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料F的臨時連接、正式連接，得到實施例12的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例1)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例l相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm，表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料C，在70。C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料C的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按200。C、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了比較例l的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例2)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nrn)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈30Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例1的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料C的臨時連接、正式連接，得到比較例2的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比4交例3)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例1的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料C的臨時連接、正式連接，得到比較例3的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例4)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm,表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料D,在70°C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料D的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按160。C、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了比較例4的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例5)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50腿)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈30Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例4的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料D的臨時連接、正式連接，得到比較例5的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(t匕l(fā)交侈'J6)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40D)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例4的連接方法一樣進(jìn)行電^各連接材料D的臨時連接、正式連接，得到比較例6的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比壽交i"列7).作為第一電^各構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200nm,表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料G，在70°C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料G的方式配置IC，使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按200。C、100MPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了比較例7的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例8)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備ITO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻<300)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例7的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料G的臨時連接、正式連接，得到比較例8的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例9)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50nm)/A1(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例7的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料G的臨時連接、正式連接，得到比較例9的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例10)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電^各構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的具有ITO電路電極(膜厚200薩，表面電阻<20Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，在第二電路構(gòu)件上粘貼裁成了規(guī)定尺寸(2.5x30mm)的電路連接材料H,在70°C、l.OMPa下加熱加壓5秒鐘進(jìn)行臨時連接。接著，剝離PET膜，然后按照用IC和第二電路構(gòu)件夾持膜狀電路連接材料H的方式配置IC,使IC的電路和第二電路構(gòu)件的電路對好位置。接著，用石英玻璃和加壓頭夾持，按160。C、lOOMPa、IO秒的條件從IC上方進(jìn)行加熱加壓，使IC和第二電路構(gòu)件進(jìn)行正式連接。這樣就得到了比較例10的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例11)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例2相同的具備IT0(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50腿)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈30Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例10的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料H的臨時連接、正式連接，得到比較例11的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。(比較例12)作為第一電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例1相同的IC。接著，作為第二電路構(gòu)件，準(zhǔn)備與實施例3相同的具備IZO(最外層，膜厚100nm)/Mo(膜厚50腿)/Al(膜厚150nm)三層結(jié)構(gòu)的電路電極(表面電阻〈40Q)的玻璃基板(厚度0.5mm)。然后，與比較例10的連接方法一樣進(jìn)行電路連接材料H的臨時連接、正式連接，得到比較例12的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)。[連接電阻的評價]對于按上述方式得到的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，采用使回路中有l(wèi)mA的恒定電流流過時提取兩電極間的電位差的4端子測定法，使用萬用表(日本愛德萬公司(株式會社7卜、'W7亍義卜)制，商品名"數(shù)字萬用表(^-夕/LT^*^一夕)")測定IC的金凸塊電極和第二電路構(gòu)件的電路電極之間的連接電阻值。連接電阻值是在初期(連接后即刻)和在85°C、85。/。RH的恒溫恒濕槽中保持500小時(高溫高濕處理)并在室溫(23°C)下放置30分鐘后測定的。對實施例112及比較例112的連接結(jié)構(gòu)的連接電阻值的測定結(jié)果示于表l中。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>※導(dǎo)電粒子No.1:鍍Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模量650kgPmm2No.2:鍍Au/Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模量650kgf/mm2No.3:鍍Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模量400kgf/mm2No.4:鍍Ni粒子(有突起)/壓縮彈性模量卯kgf/mm2※電路連接材料A、C、E、G:正式連4妄條件200°C、100MPa、10秒B、D、F、H:正式連4妄條件160°C、100MPa、10秒如表l所示，將使用電路連接材料A、B、E、F連接電路電極整體或最外層由ITO或IZO構(gòu)成的電路構(gòu)件的實施例l-12的連接結(jié)構(gòu)，與使用電路連接材料C、D、G、H連接相同的電路構(gòu)件的比較例112的連接結(jié)構(gòu)的初期或高溫高濕處理后的連接電阻進(jìn)行比較時，正如在比較例1、7和實施例1、7;比較例3、9和實施例3、9;比較例6、12和實施例6、12的比較中可看出的，得到了初期或高溫高濕處理后的連接電阻值得到改善的結(jié)果。由此可知，對于電路電極整體或最外層由ITO或IZO構(gòu)成的電路電才及，通過使用含有表面上具有突起部分且最外層為Ni，同時發(fā)生20。/。壓縮時的壓縮彈性模量為100800kg^nn^的導(dǎo)電粒子的電路連接材料進(jìn)行連接，發(fā)現(xiàn)電連接特性得到了提高，特別是連接可靠性得到了改善。而且，上述連接電阻值的改善特別是對于表面由比ITO平滑的IZO構(gòu)成的電路電極有顯著的效果，認(rèn)為可以提高平坦的電路電極的電連接特性。按照本發(fā)明的連接結(jié)構(gòu)，即使在高溫高濕環(huán)境下或熱沖擊試驗等情況下，也能夠獲得穩(wěn)定的連接可靠性。權(quán)利要求1.電路連接材料，其含有粘結(jié)劑組合物和導(dǎo)電粒子，所述導(dǎo)電粒子是核體上具有1個或2個以上金屬層并具有突起的導(dǎo)電粒子，至少在所述突起的表面上形成了所述金屬層，該金屬層由鎳或鎳合金構(gòu)成，所述導(dǎo)電粒子發(fā)生20％壓縮時的壓縮彈性模量為100～800kgf/mm2。2.權(quán)利要求1所述的電路連接材料，所述突起的高度為65500nm。3.權(quán)利要求1或2所述的電路連接材料，相鄰的所述突起間的距離為1000nm以下。4.權(quán)利要求13中任一項所述的電路連接材料，所述粘結(jié)劑組合物含有膜形成材料、環(huán)氧樹脂及潛伏性固化劑。5.電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其具備形成有電路電極且所述電路電極以相對方式進(jìn)行配置的兩個電路構(gòu)件；以及介于所述電路構(gòu)件之間，通過加熱加壓而使所述電路電極進(jìn)行電連接的電路連接構(gòu)件，所述電路連接構(gòu)件是權(quán)利要求1~4中任一項所述的電路連接材料。6.權(quán)利要求5所述的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，所述兩個電路構(gòu)件中的至少一方為IC芯片。7.權(quán)利要求5或6所述的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，所述兩個電路構(gòu)件的電路電極中的至少一方的表面由選自金、銀、錫、柏族金屬、鋁、鈦、鉬、鉻、銦-錫氧化物及銦-鋅氧化物中的至少一種構(gòu)成。8.權(quán)利要求5~7中任一項所述的電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，所述兩個電路構(gòu)件中的至少一方的表面被選自氮化硅、有機硅化合物及聚酰亞胺樹脂中的至少一種物質(zhì)進(jìn)行了涂敷或附著處理。9.電路構(gòu)件的連接方法，使權(quán)利要求14中任一項所述的電路連接材料介于形成有電路電極且所述電路電極以相對方式進(jìn)行配置的兩個電路構(gòu)件之間，通過加熱加壓而使所述電路電才及進(jìn)行電連接。全文摘要本發(fā)明提供一種電路連接材料(10)，其含有粘結(jié)劑組合物(11)和導(dǎo)電粒子(12)，導(dǎo)電粒子(12)是核體(21)上具有1個或2個以上金屬層(22)并具有突起(14)的導(dǎo)電粒子，至少在上述突起(14)的表面上形成了金屬層(22)，該金屬層(22)由鎳或鎳合金構(gòu)成，導(dǎo)電粒子(12)發(fā)生20％壓縮時的壓縮彈性模量為100～800kgf/mm²。文檔編號C09J163/00GK101689410SQ20088002207公開日2010年3月31日申請日期2008年7月31日優(yōu)先權(quán)日2007年8月2日發(fā)明者富坂克彥,小島和良,小林宏治,有福征宏,望月日臣,竹田津潤申請人:日立化成工業(yè)株式會社