專利名稱：有序介孔二氧化硅基熒光納米材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有序介孔二氧化硅基熒光納米材料及其制備方法，屬于介 孔分子篩熒光納米材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
自從1992年Mobil公司首次合成了介孔分子篩以來(lái)，介孔材料在載藥、催 化、微反應(yīng)器、吸附、分離、色譜、光學(xué)等領(lǐng)域引起了極大的關(guān)注。以CTAB 等離子型表面活性劑作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，形貌可控合成有序介孔二氧化硅納米材 料的技術(shù)已經(jīng)非常成熟。雖然采用孔膨脹劑和非離子表面活性劑容易控制孔徑， 然而具有大孔徑尺寸(大于3nm)的有序介孔二氧化硅納米材料卻難于可控合 成。而納米尺度的具有大孔徑的有序介孔二氧化硅顆粒對(duì)于生物應(yīng)用顯得特別 重要，因?yàn)镈NA等生物大分子需要較大的孔來(lái)?yè)?dān)載，而且納米尺度的材料更容 易被細(xì)胞所吞噬。[Fei Qin， Yuchan Zhou， Jianlin Shi， Yonglian Zhang， /歷omed Ma妙i e". 2009]
關(guān)于有序介孔二氧化硅基熒光材料的合成方法一般采用傳統(tǒng)的兩步后嫁接 法。傳統(tǒng)的兩步后嫁接法是指先制備具有大孔徑的表面接有氨基等活性基團(tuán)的 有序介孔二氧化硅材料，然后再使用帶有羧基等反應(yīng)活性基團(tuán)的熒光分子嫁接 在有序介孔二氧化硅材料的表面。缺點(diǎn)是(1)工藝復(fù)雜；(2)后嫁接效率低;
(3)熒光基團(tuán)分散不均勻；(4)低的熒光量子產(chǎn)率和差的熒光穩(wěn)定性；(5)熒 光基團(tuán)暴露于材料外表面，容易受到環(huán)境侵蝕并影響其熒光性能。[M.Guli，Y. Chen， X. T. Li, G. S. Zhu， S, L. Qiu， /丄畫(huà)'".2007， 126, 723.; T. Se沐in， A. Giilteka， S, Kartaca, Z^yes戶一 2003, 56， 51.; V. Tsyalkovsky， V. Klep, K. Ramaratnam, R. Lupitskyy， S. Minko, I. Luzinov， G/zem. 2008, 20, 317; A. Stein， B,
Mdde,
R. C. Schroden，^v. M她r 2000， 12, 1403.]
鑒于上述原因，本發(fā)明采用P123等非離子醚氧類(lèi)表面活性劑作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向 劑，以帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑作為共結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑和熒光官能團(tuán)嫁接源， 以過(guò)渡金屬鹽類(lèi)作為納米形貌調(diào)節(jié)劑，采用工藝簡(jiǎn)便的一步共聚法合成了具有大孔徑的有序介孔二氧化硅熒光納米材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種有序介孔二氧化硅基熒光納米材料及其制備方 法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。
本發(fā)明的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法包括以下步驟
(a) 用帶有氨基、羥基、巰基、羧基、磺酸基、異硫氰酸基、酰氯基、磺
酰氯基、環(huán)氧基等反應(yīng)活性基團(tuán)的熒光分子和硅烷偶聯(lián)劑按照摩爾比1:5 5:1， 采用傳統(tǒng)的加成或縮合反應(yīng)方式合成帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑。
合成用的熒光分子包括異硫氰酸熒光素、四甲基異硫氰基羅丹明、血紅素、 羅丹明B、 5(6)-羧基四甲基羅丹明、羅丹明6G、羅丹明123、羅丹明101、熒光 素、赫斯特?zé)晒馊玖稀?',6-二脒基-2-苯基吲哚、銅酞菁二磺酸、二羥基硅酞菁、 猩紅酸屮的一種或多種，皆可市購(gòu)得到。
合成用的硅垸偶聯(lián)劑包括氨丙基三乙氧基硅烷(牌號(hào)KH-550)、氨丙基三 甲氧基硅垸(牌號(hào)HD-540)、巰丙基三乙氧基硅垸(牌號(hào)KH-590)、異氰酸丙 基三乙氧基硅烷(牌號(hào)ZH-1109)、 3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅垸(牌號(hào) KH-560)，皆可市購(gòu)得到；
(b) 將l,3,5-三甲苯、醚氧類(lèi)表面活性劑和過(guò)渡金屬鹽一起溶解于 0.01 5mol/L的鹽酸溶液中，在10 8(TC溫度下攪拌使其完全溶解。所述的過(guò)渡 金屬鹽和醚氧類(lèi)表面活性劑的摩爾比在1:10 10:1之間，1，3,5-三甲苯和醚氧類(lèi) 表面活性劑的摩爾比在0:1 100:1之間，表面活性劑的濃度在0.01~lmmol/L之 間，過(guò)渡金屬鹽的濃度在0.1 10mmol/L之間，1,3,5-三甲苯濃度在0~0.05mol/L 之間。
所述的過(guò)渡金屬鹽可以是鐵、鋅、鎂、鋯、銅、鎳、鈷、猛、鈰和錫的鹽 酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽和金屬醇鹽，其中優(yōu)選鹽酸鹽。
所述的醚氧類(lèi)表面活性劑可以選用的牌號(hào)包括P123、 P105、 P104、 P103、 P85、 P84、 P75、 P65、 P38、 F127、 F108、 F98、 88、 F87、 F77、 F68、 F38、 L122、 L121、 LlOl、 L92、 L81、 L72、 L65、 L64、 L63、 L62、 L61、 L44、 L43、 L42、 L35、 L31禾卩FC-4，其中優(yōu)選P123和F127;
(c) 然后向體系中加入步驟(a)所合成的帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑， 繼續(xù)攪拌10~60分鐘，其中帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑的濃度在1 10mmol/L 之間；(d) 再向體系中加入硅酸酯，繼續(xù)攪拌1 48小時(shí)后離心，洗滌，干燥。 所述的硅酸酯可以選用正硅酸甲酯、正硅酸乙酯或正硅酸丙酯，其中優(yōu)選正硅
酸乙酯。所述的硅酸酯和帶有熒光官能團(tuán)的硅垸偶聯(lián)劑的摩爾比在500:1 20:1 之間，硅酸酯的濃度在0.05 2mol/L之間。；
(e) 最后采用鹽酸的乙醇溶液(體積百分含量為0.5%)回流1~6小時(shí)去除 表面活性劑，離心，洗滌，干燥。
本發(fā)明制備的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料特點(diǎn)在于具有大的孔徑 (3 30nm)、納米尺度的可控的粒徑(<500nm)、大的孔容(X).5cm3^1)和高 的比表面積0500m2^1)、以及有機(jī)熒光官能團(tuán)單分散共價(jià)嫁接在有序介孔二氧 化硅基體的孔道內(nèi)壁、高的嫁接率(可高達(dá)0.2個(gè)熒光官能團(tuán)/11111'2)、高的熒光 量子產(chǎn)率(大于80%)和優(yōu)良的光穩(wěn)定性。
步驟(b)所述的醚氧類(lèi)表面活性劑屬于嵌段型聚醚類(lèi)非離子表面活性劑， 在《表面活性劑大全》(Michael Ash， Irene Ash著；王繩武，羅惠萍摘譯，上海 科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社，1988， ISBN號(hào)78051321**/TQ423)中可以查到。
本發(fā)明制備的有序介孔納米材料能夠同時(shí)復(fù)合一種或多種熒光官能團(tuán)，通 過(guò)調(diào)節(jié)帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑的濃度來(lái)調(diào)節(jié)合成材料的熒光強(qiáng)度和熒光 量子效率。通過(guò)添加過(guò)渡金屬鹽類(lèi)可以調(diào)節(jié)合成的有序介孔二氧化硅基熒光納 米材料的顆粒尺寸在500nm以下。
與傳統(tǒng)的后嫁接或吸附方法相比，本發(fā)明采用的一步共聚法具有如下優(yōu)點(diǎn)
(1) 合成工藝簡(jiǎn)便易行，成本低，效率高；
(2) 成孔、熒光單分散共價(jià)嫁接和納米形態(tài)控制同步進(jìn)行；
(3) 共價(jià)嫁接率高；
(4) 熒光基團(tuán)單分散于有序介孔通道的內(nèi)壁，并受惰性二氧化硅孔壁的隔 離、絕緣和保護(hù)；
(5) 高的熒光量子產(chǎn)率和好的熒光穩(wěn)定性。因此，本發(fā)明制備的有序介孔 熒光納米材料適宜于擔(dān)載DNA分子、抗腫瘤藥物分子、有機(jī)熒光分子、生物酶 分子，也可用于熒光標(biāo)記，生物成像，以及疾病的診斷與同步治療。本發(fā)明制 備的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料在生物、醫(yī)藥和光學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的 應(yīng)用前景。


圖1是實(shí)施例1的掃描電鏡照片，直觀地顯示了納米材料具有良好的單分散性。
圖2是實(shí)施例1的透射電鏡照片，直觀地顯示了材料的有序介孔結(jié)構(gòu)。
圖3是實(shí)施例1的小角X-my衍射圖，圖中三個(gè)明顯的衍射峰，分別代表了 六方結(jié)構(gòu)的(100)、 (110)和(200)晶面，表明該材料具有二維六方有序孔道結(jié)構(gòu)。
圖4是實(shí)施例1的氮?dú)馕揭幻摳降葴厍€，表明材料具有高的比表面積、 大的孔容和孔徑以及窄的孔徑分布。
圖5是實(shí)施例1材料以不同濃度分散在模擬體液中的激發(fā)和發(fā)射光譜，穩(wěn) 定的熒光光譜特性表明材料中嫁接的熒光基團(tuán)間處于單分散絕緣孤立狀態(tài)，導(dǎo) 致材料具有高的熒光量子產(chǎn)率和熒光強(qiáng)度以及優(yōu)良的光敏感性。
圖6是實(shí)施例1的熒光強(qiáng)度隨連續(xù)激發(fā)時(shí)間的變化關(guān)系，表明材料具有優(yōu) 良的光穩(wěn)定性。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，而不僅局限于實(shí)施例。 實(shí)施例1:
首先以羅丹名B (RhB)和氨丙基三乙氧基硅垸(APTES)為原料，以干燥 的N,N-二甲基甲酰氨(DMF)為溶劑，以l-乙基-(3-二甲基氨丙基)碳酰二 亞胺鹽酸鹽(EDOHC1)為催化劑和脫水劑，在無(wú)水避光環(huán)境中攪拌24小時(shí)， 制得帶有RhB熒光官能團(tuán)的硅垸偶聯(lián)劑(RhB-APTES)。
將1.2gP123和0.4gZrOCl2'8H2O —起加入100mL2mol/L的鹽酸溶液中，在 35'C溫度下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入0.02gRhB-APTES。 30分鐘 后加入2.1gTEOS，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心，洗滌。最后在250mL鹽酸的乙醇 溶液(體積百分含量為0.5%)中回流6小時(shí)，離心并干燥。得到的有序介孔二 氧化硅基熒光納米材料的平均粒徑為400nm，平均孔徑為4.8nm，孔容為 0.7cm3g"， BET比表面積為660m2g"。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料 的最大吸收波長(zhǎng)與熒光激發(fā)波長(zhǎng)都為566nm，熒光發(fā)射波長(zhǎng)為586nm，且吸收、 激發(fā)和發(fā)射位置與濃度無(wú)關(guān)，表明RhB官能團(tuán)單分散于有序介孔二氧化硅基體 之中，從而表現(xiàn)出穩(wěn)定的熒光性能。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料 的嫁接率為0.09個(gè)RhB官能團(tuán)/nm々，熒光量子產(chǎn)率為80%，且具有優(yōu)良的熒光
穩(wěn)定性和光敏感性。 實(shí)施例2:
首先以RhB和APTES為原料，以干燥的DMF為溶劑，以EDOHC1為催化劑和脫水劑，在無(wú)水避光環(huán)境中攪拌24小時(shí)，制得帶有RhB熒光官能團(tuán)的硅 垸偶聯(lián)劑RhB-APTES。
將1.2gP123和0.8gZrOCl2'8H2O —起加入100mL2mol/L的鹽酸溶液中，在 35。C溫度下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入0.4gRhB-APTES。 30分鐘后 加入2g正硅酸甲酯，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心，洗滌。最后在250mL鹽酸的乙 醇溶液(體積百分含量為0.5%)中回流6小時(shí)，離心并干燥。得到的有序介孔 二氧化硅基熒光納米材料的平均粒徑為200nm，平均孔徑為4.8nm，孔容為 0.7cm3g"， BET比表面積為700m2g"。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料 的嫁接率為0.13個(gè)RhB官能團(tuán)/nm—2，熒光量子產(chǎn)率為91%，且具有優(yōu)良的熒光 穩(wěn)定性和光敏感性。
實(shí)施例3:
首先以異硫氰酸熒光素(FITC)和氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)為原料， 以無(wú)水乙醇為溶劑，在無(wú)水避光環(huán)境中攪拌24小時(shí)，制得帶有FITC熒光官能 團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑(FITC-APTMS)。
將lgF127和lgZnCl2—起加入100mL2mol/L的鹽酸溶液中，在38"C溫度 下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入0.5gFITC-APTMS。 30分鐘后加入 2.1gTEOS，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心，洗滌。最后在250mL鹽酸的乙醇溶液(體 積百分含量為0.5%)中回流6小時(shí)，離心并干燥。得到的有序介孔二氧化硅基 熒光納米材料的平均粒徑為350nm，平均孔徑為5nm，孔容為0.8cm3^1， BET 比表面積為680m2^1。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料具有高的FITC 官能團(tuán)嫁接率(0.15個(gè)FITC官能團(tuán)/nm—2)，高的熒光量子產(chǎn)率(93%)，優(yōu)良的 熒光穩(wěn)定性和光敏感性。
實(shí)施例4:
首先以血紅素(Hb)和APTMS為原料，以干燥的DMF為溶劑，以EDOHC1 為催化劑和脫水劑，在無(wú)水避光環(huán)境中攪拌24小時(shí)，制得帶有熒光官能團(tuán)的硅 烷偶聯(lián)劑(Hb"APTMS)。
將1.2gP123和0.4gFeCl3 —起加入100mL 2mol/L的鹽酸溶液中，在35°。溫 度下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入0.4gHb"APTMS。 20分鐘后加入 2.1gTEOS，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心，洗滌。最后在250mL鹽酸的乙醇溶液(體 積百分含量為0.5%)中回流6小時(shí)，離心并干燥。得到的有序介孔二氧化硅基 熒光納米材料的平均粒徑為350nm，平均孔徑為5.2nm，孔容為0.7cm3g—、 BET 比表面積為700m2^1。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料具有高的Hb官能團(tuán)嫁接率(0.1個(gè)Hb官能團(tuán)/nm—2)，高的熒光量子產(chǎn)率(88%)，優(yōu)良的熒光 穩(wěn)定性和光敏感性。 實(shí)施例5:
首先以羅丹明IOI (RhlOl)和APTES為原料，以干燥的DMF為溶劑，以 EDOHC1為催化劑和脫水劑，在無(wú)水避光環(huán)境中攪拌24小時(shí)，制得帶有熒光官 能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑(Rhl01-APTES)。
將0.5g 1,3,5-三甲苯、lg F108和0.6g SnCU—起加入100mL lmol/L的鹽酸 溶液中，在38"C溫度下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入0.4g RhlOl-APTES。 20分鐘后加入2.5g正硅酸丙酯，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心，洗 滌。最后在250mL鹽酸的乙醇溶液(體積百分含量為0.5%)中回流6小時(shí)，離 心并干燥。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的平均粒徑為450nm，平 均孔徑為28nm，孔容為2.4cm3^1， BET比表面積為830mV1。得到的有序介孔 二氧化硅基熒光納米材料具有高的熒光官能團(tuán)嫁接率(0.13個(gè)RhlOl官能團(tuán) /nm勺，高的熒光量子產(chǎn)率(90%)，優(yōu)良的熒光穩(wěn)定性和光敏感性。
實(shí)施例6:
首先以羅丹明123(Rhl23)和3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(GPTES) 為原料，以干燥的N，N-二甲基甲酰氨(DMF)為溶劑，以l-乙基-(3-二甲基 氨丙基)碳酰二亞胺鹽酸鹽(EDOHC1)為催化劑和脫水劑，在無(wú)水避光環(huán)境中 攪拌24小時(shí)，制得帶有Rhl23熒光官能團(tuán)的硅垸偶聯(lián)劑(RM23-GPTES)。
將0.2g 1，3，5-三甲苯、lgL121和0.8gCo(N03)2—起加入100mL3mol/L的 鹽酸溶液中，在4(TC溫度下攪拌使其完全溶解，然后向體系中加入 0.6gRhl23-GPTES。 30分鐘后加入2g正硅酸甲酯，繼續(xù)攪拌24小時(shí)后離心， 洗滌。最后在250mL鹽酸的乙醇溶液(體積百分含量為0.5°/。)中回流6小時(shí)， 離心并干燥。得到的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的平均粒徑為350nm， 平均孔徑為12nm，孔容為l.lcm3g"， BET比表面積為890m2g"。得到的有序介 孔二氧化硅基熒光納米材料的嫁接率為0.1個(gè)Rhl23官能團(tuán)/nm-2，熒光量子產(chǎn) 率為92%，且具有優(yōu)良的熒光穩(wěn)定性和光敏感性。
權(quán)利要求
1、有序介孔二氧化硅基熒光納米材料，其特征在于，孔徑尺寸為3～30nm，孔容＞0.5cm3g-1，比表面積＞500m2g-1，有機(jī)熒光分子單分散共價(jià)嫁接在有序介孔二氧化硅基體的孔道內(nèi)壁。
2、 按權(quán)利要求1所述的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料，其特征在于， 所述的有機(jī)熒光分子包括異硫氰酸熒光素、四甲基異硫氰基羅丹明、血紅素、 羅丹明B、 5(6)-羧基四甲基羅丹明、羅丹明6G、羅丹明123、羅丹明101、熒光 素、赫斯特?zé)晒馊玖稀?'，6-二脒基-2-苯基吲哚、銅酞菁二磺酸、二羥基硅酞菁、 猩紅酸中的一種或多種。
3、 有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法，其特征在于，包括下述 步驟(a) 用帶有氨基、羥基、巰基、羧基、磺酸基、異硫氰酸基、酰氯基、磺 酰氯基、環(huán)氧基等反應(yīng)活性基團(tuán)的熒光分子和硅烷偶聯(lián)劑按照摩爾比1:5 5:1， 采用傳統(tǒng)的加成或縮合反應(yīng)方式合成帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑；(b) 將l，3,5-三甲苯、醚氧類(lèi)表面活性劑和過(guò)渡金屬鹽一起溶解于 0.01 5mol/L的鹽酸溶液中，在10 8(TC溫度下攪拌使其完全溶解。所述的過(guò)渡 金屬鹽和醚氧類(lèi)表面活性劑的摩爾比在1:10 10:1之間，1，3，5-三甲苯和醚氧類(lèi) 表面活性劑的摩爾比在0:1 100:1之間，表面活性劑的濃度在0.01 lmmol/L之 間，過(guò)渡金屬鹽的濃度在0.1 10mmol/L之間，1，3，5-三甲苯濃度在0~0.05mol/L 之間。(c) 然后向體系中加入步驟(a)所合成的帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑， 繼續(xù)攪拌10 60分鐘，其中帶有熒光官能團(tuán)的硅垸偶聯(lián)劑的濃度在1 10mmol/L 之間；(d) 再向體系中加入硅酸酯，繼續(xù)攪拌1 48小時(shí)后離心，洗滌，干燥。 所述的硅酸酯可以選用正硅酸甲酯、正硅酸乙酯或正硅酸丙酯，其中優(yōu)選正硅 酸乙酯。所述的硅酸酯和帶有熒光官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑的摩爾比在500:1 20:1 之間，硅酸酯的濃度在0.05 2mol/L之間；(e) 最后采用鹽酸的乙醇溶液(體積百分含量為0.5%)回流1 6小時(shí)去除 表面活性劑，離心，洗滌，干燥。
4、 按權(quán)利要求3所述的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法，其特征在于，合成用的熒光分子包括異硫氰酸熒光素、四甲基異硫氰基羅丹明、血紅素、羅丹明B、 5(6)-羧基四甲基羅丹明、羅丹明6G、羅丹明123、羅丹明 101、熒光素、赫斯特?zé)晒馊玖稀?',6-二脒基-2-苯基吲哚、銅酞菁二磺酸、二羥 基硅酞菁、猩紅酸中的一種或多種。
5、 按權(quán)利要求3所述的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法，其 特征在于，合成用的硅垸偶聯(lián)劑包括氨丙基三乙氧基硅烷(牌號(hào)KH-550)、氨 丙基三甲氧基硅烷(牌號(hào)HD-540)、巰丙基三乙氧基硅烷(牌號(hào)KH-590)、異 氰酸丙基三乙氧基硅垸(牌號(hào)ZH-1109)、 3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(牌號(hào)KH-560)，皆可市購(gòu)得到。
6、 按權(quán)利要求3所述的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法，其 特征在于，所述的過(guò)渡金屬鹽可以是鐵、鋅、鎂、鋯、銅、鎳、鈷、錳、鈰和 錫的鹽酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽和金屬醇鹽，其中優(yōu)選鹽酸鹽。
7、 按權(quán)利要求3所述的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料的制備方法，其 特征在于，所述的醚氧類(lèi)表面活性劑可以選用的牌號(hào)包括P123、 P105、 P104、 P103、 P85、 P84、 P75、 P65、 P38、 F127、 F雨、F98、 88、 F87、 F77、 F68、 F38、 U22、 U21、 LlOl、 L92、 L81、 L72、 L65、 L64、 L63、 L62、 L61、 L44、 L43、 L42、 L35、 L31禾口FC-4，其中優(yōu)選P123禾口 F127 。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有序介孔二氧化硅基熒光納米材料及其制備方法，屬于介孔分子篩熒光納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的有序介孔二氧化硅基熒光納米材料，其特征在于，孔徑尺寸為3～30nm，孔容＞0.5cm³g^-1，比表面積＞500m²g^-1，有機(jī)熒光分子單分散共價(jià)嫁接在有序介孔二氧化硅基體的孔道內(nèi)壁。本發(fā)明通過(guò)有機(jī)熒光官能團(tuán)單分散共價(jià)嫁接在有序介孔二氧化硅基體的孔道內(nèi)壁，制備得到的熒光材料具有高的嫁接率(可高達(dá)0.2個(gè)熒光官能團(tuán)/nm^-2)、高的熒光量子產(chǎn)率(大于80％)和優(yōu)良的光穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)C09K11/06GK101525533SQ200910047888
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2009年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者何前軍, 崔方明, 施劍林, 雨 陳 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所