專利名稱：耐高溫高頻三防涂料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種涂料，更具體地涉及一種耐高溫高頻三防涂料。
(二)
背景技術：
目前，國內外對高絕緣涂料報導較多的是有機硅類涂料。如俄羅斯、英國、
美國等相繼研制成功的DC-2103、 MS-804有機硅漆，擊穿強度約為205 ~ 604KV/mm，美國道康寧公司研制出一種有機硅改性涂料，具有良好的介電性能， 可用于脈沖轉發(fā)器導體密集印刷電路板，作為電路板及厚膜電路的保護性涂料。 諸如此類的還有上海樹脂廠的WBD-6有機硅涂料，以及西安絕緣材料廠的SP 有機硅漆。哈爾濱化工研究所研制并生產的"三防"保護涂料在絕緣和"三防"性能 上可達到國際領先水平，已在"神舟"系列飛船上得到了成功應用，但高頻性能達 不到本項目的要求。哈爾濱化工研究所研制的高頻保護涂料有耐60MHZ、 80MHZ、 100MHZ幾個品種，但只能在低于150°C的條件下使用，耐高溫性能 遠遠不能達到要求。
通過檢索發(fā)現，現有涂料基本不能同時滿足高溫、高頻使用和三防要求，而 且不環(huán)保，對人類和環(huán)境有害。
(三)

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供能同時滿足耐高溫、耐高頻、三防和環(huán)保的要求，擁 有良好的力學性能和電絕緣性能的耐高溫高頻三防涂料。 本發(fā)明的目的是這樣實現的
它由質量比為1:1的組分A和組分B組成；所述A組分是由質量比為有機 硅改性環(huán)氧樹脂30~35%、奇士增韌劑10~15%和余量的稀釋劑組成；所述B 組分是由質量比為低分子聚酰胺30 35。/。、DMP-30 1.0~5.0%、間苯二胺2.0~5.0 %和余量的稀釋劑組成。
所述的有機硅改性環(huán)氧樹脂是由1molMeSiCI2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3molH20及4.4molMeOH反應制得含MeO基的硅樹脂中間體，取 含MeO基的硅樹脂中間體300g，加入700g雙酚A型環(huán)氧樹脂及400g溶劑，先在70。C下加熱，而后加入1g三乙酰丙酮鋁，并在115。C下反應2h,冷卻后 加入600g溶劑，得到的25。C時的黏度為250mPa's、含固量為50.0%的有機硅 改性環(huán)氧樹脂溶液。
本發(fā)明的環(huán)境友好型耐高溫高頻三防涂料包括組分A和組分B。是預先將有 機硅改性環(huán)氧樹脂基體、奇士增韌劑、稀釋劑制成A組分；將固化劑低分子聚 酰胺、促進劑DMP-30、促進劑間苯二胺和稀釋劑制成B組分，而后混合制成新 型耐高溫高頻三防涂料。配制A組分時，有機硅改性環(huán)氧樹脂、奇士增軔劑、 稀釋劑分別占A組分總質量的30~35%、 10~15% 、 20~50% ;配制B組分時， 低分子聚酰胺、DMP-30、間苯二胺和稀釋劑分別占B組分總質量的30~35%、 1.0~5.0%、 2.0~5.0%、 35~55%, A、 B組分混合的質量比為1:1 。
成膜物有機硅改性環(huán)氧樹脂，是通過有機硅氧垸與環(huán)氧樹脂反應制成的。所 用含MeO基的硅樹脂中間體，系由1molMeSiCl2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3molH20及4.4molMeOH反應而得。取出300g，加入700g雙酚 A型環(huán)氧樹脂及400g溶劑，先在70。C下加熱，而后加入1g三乙酰丙酮鋁，并 在115。C下反應2h,冷卻后加入600g溶劑，得到黏度(25°C )為250mPa-s、 含固量為50.0。/。左右的有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液。
本發(fā)明解決了現有涂料不能同時滿足高溫、高頻使用和三防要求，尤其是解 決了電子線路板在使用一段時間后，由于受到高鹽霧、高濕熱、高頻等狀態(tài)下的 損耗破壞，對整個電子系統(tǒng)造成巨大影響的問題。 具體實施例方式
下面舉例對本發(fā)明做更詳細地描述
具體實施方式
一
成膜物有機硅改性環(huán)氧樹脂，是通過有機硅氧垸與環(huán)氧樹脂反應制成的。所 用含MeO基的硅樹脂中間體，系由1mol MeSiCI2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3mol H20及4.4mol Me〇H反應而得。取出300g有機硅改性環(huán) 氧樹脂，加入700g雙酚A型環(huán)氧樹脂及400g溶劑，先在7(TC下加熱，而后加 入1g三乙酰丙酮鋁，并在115i:下反應2h，冷卻后加入600g溶劑，得到黏度 (25°C)為250mPa.s、含固量為50.0。/。左右的有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液。
取100g上述有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液、10g奇士增韌劑在室溫下混合均勻，制成A組分；取50g低分子聚酰胺固化劑、2g固化促進劑DMP-30、 2g間苯二 胺固化促進劑和50g稀釋劑在室溫下混合均勻，制成B組分。將組分A和組分 B按1:1重量比混合均勻，噴涂或浸涂均可。施工次數厚度按使用要求而定。然 后室溫靜置2h， 8CTC固化4h。測得漆膜的柔韌性為1mm,附著力小于2級， 體積電阻率為172"015Q . cm,擊穿電壓為86kV/mm,耐高低溫性能為 -60°C~+150°C ( 0.5h五個溫度循環(huán)后漆膜完好)。
具體實施方式
二
成膜物有機硅改性環(huán)氧樹脂，是通過硅氧烷與環(huán)氧樹脂反應制成的。所用含 MeO基的硅樹脂中間體，系由1molMeSiCI2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3molH20及4.4molMeOH反應而得。取出300g，加入700g雙酴A型環(huán)氧樹 脂及400g溶劑，先在7(TC下加熱，而后加入1g三乙酰丙酮鋁，并在115。C下 反應2h,冷卻后加入600g溶劑，得到黏度(25°C)為250mPa's、含固量為 50.0。/。左右的有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液。
取100g上述有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液、15g奇士增韌劑在室溫下混合均勻， 制成A組分；取40g低分子聚酰胺固化劑、1g固化促進劑DMP-30、 1g間苯二 胺固化促進劑和100g稀釋劑在室溫下混合均勻，制成B組分。將組分A和組 分B按1:1重量比混合均勻，噴涂或浸涂均可。施工次數厚度按使用要求而定。 然后室溫靜置2h， 8(TC固化4h。測得漆膜的柔韌性為1mm,附著力小于2級， 體積電阻率為1.35x1015Q cm,擊穿電壓為78kV/mm,耐高低溫性能為 -60°C~+150°C (0.5h五個溫度循環(huán)后漆膜完好)。
具體實施方式
三
成膜物有機硅改性環(huán)氧樹脂，是通過硅氧烷與環(huán)氧樹脂反應制成的。所用含 MeO基的硅樹脂中間體，系由1molMeSiCI2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3molH20及4.4molMeOH反應而得。取出300g，加入700g雙酚A型環(huán)氧樹 脂及400g溶劑，先在70。C下加熱，而后加入1g三乙酰丙酮鋁，并在115。C下 反應2h,冷卻后加入600g溶劑，得到黏度(25°C)為250mPa's、含固量為 50.00/o左右的有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液。
取100g上述有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液、10g奇士增韌劑在室溫下混合均勻，
5制成A組分；取50g低分子聚酰胺固化劑、1g固化促進劑DMP-30、 1g間苯二 胺固化促進劑和100g稀釋劑在室溫下混合均勻，制成B組分。將組分A和組 分B按1:1重量比混合均勻，噴涂或浸涂均可。施工次數厚度按使用要求而定。 然后室溫靜置2h, 8CTC固化4h。測得漆膜的柔韌性為1mm,附著力小于2級, 體積電阻率為2.36x1015Q .cm,擊穿電壓為95kV/mm,耐高低溫性能為 -60°C~+150°C ( 0.5h五個溫度循環(huán)后漆膜完好)。
權利要求
1、一種耐高溫高頻三防涂料，其特征是它由質量比為1∶1的組分A和組分B組成；所述A組分是由質量比為有機硅改性環(huán)氧樹脂30～35％、奇士增韌劑10～15％和余量的稀釋劑組成；所述B組分是由質量比為低分子聚酰胺30～35％、DMP-30 1.0～5.0％、間苯二胺2.0～5.0％和余量的稀釋劑組成。
2、 根據權利要求1所述的耐高溫高頻三防涂料，其特征是所述的有機硅 改性環(huán)氧樹脂是由1molMeSiCI2、 1mol PhSiCI3、 1mol Ph2SiCI2、 1.3molH20 及4.4molMeOH反應制得含MeO基的硅樹脂中間體，取含MeO基的硅樹脂 中間體300g，加入700g雙酚A型環(huán)氧樹脂及400g溶劑，先在7CTC下加熱， 而后加入1g三乙酰丙酮鋁，并在115'C下反應2h，冷卻后加入600g溶劑，得 到的25。C時的黏度為250mPa's、含固量為50.0%的有機硅改性環(huán)氧樹脂溶液。
全文摘要
本發(fā)明提供的是一種耐高溫高頻三防涂料。它由質量比為1∶1的組分A和組分B組成；所述A組分是由質量比為有機硅改性環(huán)氧樹脂30～35％、奇士增韌劑10～15％和余量的稀釋劑組成；所述B組分是由質量比為低分子聚酰胺30～35％、DMP-30 1.0～5.0％、間苯二胺2.0～5.0％和余量的稀釋劑組成。本發(fā)明解決了現有涂料不能同時滿足高溫、高頻使用和三防要求，尤其是解決了電子線路板在使用一段時間后，由于受到高鹽霧、高濕熱、高頻等狀態(tài)下的損耗破壞，對整個電子系統(tǒng)造成巨大影響的問題。
文檔編號C09D163/02GK101654585SQ20091007293
公開日2010年2月24日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權日2009年9月21日
發(fā)明者剛 劉, 劉華榮, 姜衛(wèi)麗, 王宇非, 蘇桂明, 郭示欣 申請人:哈爾濱化工研究所