專利名稱：一種研磨材料及其制備方法和研磨液組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種研磨材料及其制備方法和研磨液組合物。
背景技術：
隨著現(xiàn)有生活發(fā)展的精細化，拋光工藝應用廣泛，特別是在微電子領域，隨著大量 裝置體積的日益輕薄，對其性能的要求反而越來越高，相應的對拋光工藝的要求也進一步 提尚。研磨材料為拋光技術的必需品，為研磨液組合物的重要組分，對其性能要求也越 來越嚴格，目前，普遍采用的研磨材料一般為氧化鋁、氧化鋯、金剛石、氧化硅、氧化鈰、氧化 鈦、氮化硅等，但在實際應用中，現(xiàn)有粒子的粒徑小、表面活性大，粒子間相互作用力強，已 分散好的納米粒子易發(fā)生團聚，影響研磨液組合物的性能；同時研磨粒子如納米金剛石、三 氧化二鋁、氧化鋯、氮化硅等，硬度均較大，拋光過程中對表面的損傷較嚴重，不僅造成表面 粗糙度較大，還易出現(xiàn)拋光劃痕、凹坑等表面缺陷；同時分散性、穩(wěn)定性較好的氧化硅等材 料的拋光速率又較低，不能滿足現(xiàn)有技術的要求?，F(xiàn)有技術也有通過改性，制備復合研磨材料，來提高研磨材料各方面的性能，例如 用二氧化硅包覆三氧化二鋁，通過包覆的氧化硅的硬度低于氧化鋁的硬度，從而能降低拋 光物的粗糙度，但打磨精度仍然不夠，仍然不能滿足現(xiàn)有技術的發(fā)展要求。同時現(xiàn)有技術 一般通過粒子生長法制備二氧化硅包覆三氧化二鋁復合研磨材料，但制備的包覆層并不均 勻，復合研磨材料的粒徑分布太寬，容易造成拋光不精細的問題，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術制備的研磨材料精度不高的問題，提供一種研磨精度和 研磨效率均更高的研磨材料，研磨材料包括基體和包覆層，其中，基體為氧化鋁·稀土氧化 物固溶體，包覆層為二氧化硅。本發(fā)明的發(fā)明人意外發(fā)現(xiàn)，采用此種研磨材料的研磨精度和研磨效率均很高，推 測原因可能為包覆層二氧化硅能與拋光物表面發(fā)生機械磨削作用，還可發(fā)生化學反應填充 較深的空洞，提高研磨精度；同時氧化鋁·稀土氧化物固溶體不僅能充分利用氧化鋁和稀 土氧化物的不同研磨性能，而且由于稀土原子溶入氧化鋁的晶格中摻雜，穩(wěn)定了氧化鋁的 晶體結構，進一步提高了氧化鋁的性能。各物質(zhì)間的相互作用提高了研磨材料的研磨精度 和研磨效率。本發(fā)明的研磨材料由于其特殊結構在研磨液組合物中分散更均勻，性能更穩(wěn) 定，對物體的拋光效果更好，更符合現(xiàn)有技術的發(fā)展。本發(fā)明的另一個目的是提供此種研磨材料的制備方法，包括a、將含有鋁源、稀土源的物質(zhì)于堿性條件下發(fā)生沉淀反應制備基體前軀體；b、在步驟a所得基體前軀體的表面包覆硅源；C、將步驟b所得物質(zhì)燒結，得基體為氧化鋁 稀土氧化物固溶體、包覆層為二氧化 硅的研磨材料。
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本發(fā)明的制備方法簡單，易實現(xiàn)，本發(fā)明制備的研磨材料的研磨精度和研磨效率 均很高，同時本發(fā)明制備的研磨材料粒徑均一，顆粒呈規(guī)則或近似球形，且表面包覆層厚度 均勻，包覆完整，包覆效果好，進一步提高了研磨材料的性能。本發(fā)明同時提供了含有上述研磨材料的研磨液組合物，包括研磨材料、堿性化合 物、分散劑和螯合劑。成本低、穩(wěn)定性好，研磨精度、研磨效率高，能得到很好的實際應用。


圖1是本發(fā)明實施例1制備的研磨材料的基體的XRD(X射線晶體衍射)圖；圖2是本發(fā)明實施例1制備的研磨材料的SEM(掃描電鏡)圖；圖3a、圖北是本發(fā)明實施例1制備的研磨材料的TEM(透射電鏡)圖；圖4是本發(fā)明對比例1制備的研磨材料的基體的XRD(X射線晶體衍射)圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合 附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用 以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供一種研磨材料包括基體和包覆層，其中，基體為氧化鋁·稀土氧化物固 溶體，包覆層為二氧化硅。研磨材料的研磨精度和研磨效率均很高。其中，本發(fā)明對氧化鋁 稀土氧化物固溶體中稀土氧化物沒有特別限制，可以是本 領域技術人員公知的各種稀土氧化物，例如本發(fā)明優(yōu)選為氧化鑭、氧化鈰、氧化釹、氧化銪 或氧化鐠中的一種或幾種，利用物質(zhì)合適的硬度，以進一步提高研磨材料的研磨精度。以基 體的總量為基準，稀土氧化物的重量百份含量為10-20wt%，進一步優(yōu)化研磨材料的研磨精 度。本發(fā)明優(yōu)選以研磨材料的總量為基準，基體的重量百份含量為75-85wt%，包覆層 的重量百份含量為15-25wt%，以進一步優(yōu)化研磨材料的研磨效率。本發(fā)明優(yōu)選研磨材料的平均粒徑為300-600nm，粒徑分布為100_1000nm，粒徑更 均一，防止顆粒不均，研磨效率不同，造成對拋光物的影響，進一步提高研磨精度和研磨效 率。研磨材料的比表面積為20-40m2/g，防止研磨材料中的顆粒的團聚，優(yōu)化研磨材料的性 能。本發(fā)明優(yōu)選包覆層的厚度為10-30nm，優(yōu)化利用氧化硅的短暫打磨填充功能，進一 步優(yōu)化研磨材料的性能。本發(fā)明同時提供了上述研磨材料的制備方法，包括a、將含有鋁源、稀土源的物質(zhì)于堿性條件下發(fā)生共沉淀反應制備基體前軀體；b、在步驟a所得基體前軀體的表面包覆硅源；C、將步驟b所得物質(zhì)燒結，得基體為氧化鋁 稀土氧化物固溶體、包覆層為二氧化 硅的研磨材料。本發(fā)明的方法簡單，易實現(xiàn)。本發(fā)明的鋁源為本領域技術人員公知的各種可制備氧化鋁或氫氧化鋁沉淀的含 鋁化合物，例如各種可溶有機鋁鹽和無機鋁鹽、鋁酸鹽等。本發(fā)明優(yōu)選可以為鋁酸鈉、偏鋁 酸鉀或異丙醇鋁中的一種或幾種，由于這些物質(zhì)本身呈強堿性，本發(fā)明可以通過緩慢加入酸來控制堿性沉淀條件，實現(xiàn)氫氧化鋁的均勻沉淀；本發(fā)明也可以優(yōu)選鋁源為硝酸鋁、氯化 鋁、硫酸鋁等可溶性鋁鹽中的一種或幾種，這些物質(zhì)可以通過緩慢加入堿來控制堿性沉淀 條件，實現(xiàn)氫氧化鋁的均勻沉淀。本發(fā)明優(yōu)選稀土源為鑭的硝酸鹽、鈰的硝酸鹽、釹的硝酸 鹽、銪的硝酸鹽或鐠的硝酸鹽中的一種或幾種，以提供摻雜稀土元素。其中，硅源選自硅酸、 甲基硅油或二甲基硅油中的一種或幾種。本發(fā)明優(yōu)選發(fā)生沉淀反應的溫度為40-80°C，攪拌速度為600-1000rpm，進一步優(yōu) 化基體前軀體的制備條件，以制備晶格摻雜更均勻，形貌更完美的，粒徑更勻一的固溶體材 料。本發(fā)明優(yōu)選鋁源中的鋁元素與稀土源中的稀土元素的摩爾比為10-20。本發(fā)明優(yōu)選包覆包括紅外加熱噴霧包覆，紅外加熱能使基體前軀體的受熱更均 勻，防止受熱不均的熱沖擊帶來的包覆不均，不完整的現(xiàn)象出現(xiàn)，進一步優(yōu)化包覆層的包覆 效果，優(yōu)化研磨材料的研磨效率，且條件可控，顆粒粒徑等可控，易實現(xiàn)。本發(fā)明優(yōu)選紅外加熱噴霧包覆的噴霧速度為l-5L/min，以進一步優(yōu)化包覆層的均 一性。優(yōu)選紅外加熱噴霧包覆的硅源噴霧量為每千克基體前軀體0. 15-0. 25L，優(yōu)化包覆層 的厚度，制備形貌更完美、包覆效果更好的研磨材料，使材料的基體和包覆層的性能發(fā)揮最 優(yōu)化。本發(fā)明優(yōu)選紅外加熱噴霧包覆的加熱溫度為110-130°C，防止產(chǎn)生過大的熱應力 對包覆層和基體造成影響，優(yōu)化基體表面和包覆層的性能。本發(fā)明優(yōu)選燒結的溫度為1100-1300°C，燒結的時間為3_5h，優(yōu)化反應條件，進一 步優(yōu)選研磨材料的形貌，制備形貌更完美。本發(fā)明進一步優(yōu)選燒結的溫度的升溫速度為 5_15。C /min。本發(fā)明同時提供了含有上述研磨材料的研磨液組合物，包括研磨材料、堿性化合 物、分散劑和螯合劑。其中，堿性化合物、分散劑和螯合劑為本領域技術人員公知的各種堿 性化合物、分散劑和螯合劑，例如堿性化合物可以為氫氧化鈉、碳酸鈉等；分散劑可以為聚 乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮等，螯合劑可以為乙二胺四乙酸、二乙基三胺五乙酸以及它們的鉀
鹽、鈉鹽等。下面結合具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細敘述。實施例1(1)研磨材料的制備取50Kg鋁酸鈉，加去離子水，配成濃度為2mol/L的溶液，再加入六水合硝酸釹 llKg(15% )，用體積濃度為20%的濃硝酸滴定沉淀，控制pH值為8. 5，溫度為60°C，攪拌速 度為800rpm，陳化4小時，清水洗滌3遍，抽濾后100°C，4小時烘干。將上述制備的基體前 軀體于紅外加熱包膜設備上，控制溫度120°C，控制噴霧速度lL/min，噴霧6L的硅酸。后將 上述物質(zhì)送入窯爐中，控制升溫速度為10°C /min，升溫到1200°C，燒結4小時得產(chǎn)物。采用型號為/MAX2200PC的X射線粉末衍射儀于10° _80°間對基體(產(chǎn)物處理 除去表面包覆層)進行XRD測試，測試結果如圖1，本發(fā)明制備的基體為氧化鋁·氧化釹固 溶體，其中釹晶格摻雜氧化鋁，固溶體的晶格結構完美。將產(chǎn)物用乙醇超聲分散10分鐘后，采用型號為S3500型的粒度分析儀，進行粒度 分析(PSA)測試，測試得產(chǎn)物的平均粒徑為450nm，粒徑分布為300-700nm。
采用型號為JSM-5610LV型的SEM/EDS-掃描電子顯微鏡及能譜儀對產(chǎn)物進行SEM 測試，測試結果如圖2，可觀察得產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均勻度高。采用型號為JEM-100CXII型的TEM透射電子顯微鏡儀，對產(chǎn)物進行測試，測試結果 如圖3，可觀測得產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大約為18nm。采用型號為JW-K型動態(tài)半自動比表面及孔徑分布測試儀，以氮氣吸附原理測試 產(chǎn)物的比表面積，測得的比表面積為32m2/g。(2)研磨劑組合物的配置將40wt%的上述制備的研磨材料、5wt%的碳酸鈉、0. 2wt %的聚乙烯吡咯烷酮和 0. Iwt %的二乙基三胺五乙酸溶于54. 7wt%的水中配制成研磨液組合物。實施例2采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中基體前軀體的制備為取50Kg九水合硝酸鋁，加去離子水，配成濃度為2mol/L的 溶液，再加入六水合硝酸釹2. 7Kg(15% )，用濃度為12 %的氨水滴定沉淀，控制pH值為9， 溫度為60°C，攪拌速度為800rpm，陳化4小時，清水洗滌3遍，抽濾后100°C，4小時烘干。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備的基體是釹晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為470nm，粒徑分布為320nm-710nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形 均勻度高。比表面積為30m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度 大約為17nm左右。實施例3采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中基體前軀體的制備為取50Kg鋁酸鈉，加去離子水，配成濃度為2mol/L的溶液， 再加入六水合硝酸鑭11.3kg(15% )，用體積濃度為20%的濃硝酸滴定沉淀，控制pH值為 8. 5，溫度為60°C，攪拌速度為800rpm，陳化4小時，清水洗滌3遍，抽濾后100°C，4小時烘
干制得。 采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為490nm，粒徑分布為350nm-800nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形 均勻度高。比表面積為35m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度 大約為20nm。實施例4采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中基體前軀體的沉淀反應溫度為45°C，攪拌速度為650rpm采用與實施例1相同的 方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制 備的基體晶格結構完美。產(chǎn)物的平均粒徑為580nm，粒徑分布為300-750nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或 近似球形顆粒，顆粒球形均勻度高。比表面積為24m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包 覆效果好，包覆層的厚度大約為26nm。實施例5采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制
6備的過程中基體前軀體的沉淀反應溫度為78°C，攪拌速度為IOOOrpm.采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為390nm，粒徑分布為150-600nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均 勻度高。比表面積為34m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大 約為25nm。實施例6采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中基體前軀體的沉淀反應溫度為50°C，攪拌速度為450rpm。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為700nm，粒徑分布為300-800nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均 勻度高。比表面積為20m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大 約為!35nm。實施例7采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中紅外加熱噴霧包覆的硅酸噴霧量為4. 5L。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為445nm，粒徑分布為300-700nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均 勻度高。比表面積為32m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大 約為12nm。實施例8采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中紅外加熱噴霧包覆的硅酸噴霧量為7. 5L。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為455nm，粒徑分布為300-700nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均 勻度高。比表面積為32m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大 約為^nm。實施例9采用與實施例1相同的方法制備研磨材料和研磨劑組合物，不同的是研磨材料制 備的過程中紅外加熱噴霧包覆的硅酸噴霧量為10L。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。測試結果表明本發(fā)明制備基體是稀土晶格摻雜的氧化鋁，同時晶格結構完美。產(chǎn) 物的平均粒徑為600nm，粒徑分布為325-900nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆粒，顆粒球形均 勻度高。比表面積為30m2/g。產(chǎn)物的包覆層完整，厚度均勻，包覆效果好，包覆層的厚度大 約為40nm。實施例10
采用粒子生長法制備研磨材料，取50Kg鋁酸鈉，加去離子水，配成濃度為2mol/L 的溶液，再加入六水合硝酸釹llKg(15% )，用體積濃度為20%的濃硝酸滴定沉淀，控制pH 值為8. 5，溫度為60°C，攪拌速度為800rpm，陳化4小時，清水洗滌3遍，抽濾后100°C，4小 時烘干。將上述制備的基體前軀體加入分散劑六偏磷酸鈉，超聲分散30min。再緩慢加入 NaSiO4,用稀硫酸調(diào)節(jié)pH值為9，NaSiO4加入的量使生成的氧化硅的量為產(chǎn)物的20wt%，陳 化3小時，離心分離，干燥得到研磨材料。 采用與實施例1相同的方法進行XRD測試、PSA測試、SEM測試、比表面積測試和 TEM測試。產(chǎn)物的平均粒徑為520nm，粒徑分布為300-1000nm。產(chǎn)物呈規(guī)則或近似球形顆 粒，顆粒球形均勻度較高。比表面積為32m2/g。產(chǎn)物的包覆層較完整，厚度較均勻，包覆效 果好，包覆層的厚度大約為12nm。采用與實施例1相同的方法制備研磨液組合物。對比例1采用與實施例10相同的方法制備研磨材料，不同的是原料中沒有加入六水合硝 酸釹 IlKg(15% )。采用與實施例1相同的方法進行XRD測試(測試結果如圖4)、PSA測試、SEM測 試、比表面積測試和TEM測試。產(chǎn)物的平均粒徑為800nm，粒徑分布為100-2000nm。產(chǎn)物呈 不規(guī)則的顆粒，顆粒球形均勻度較低。比表面積為25m2/g。產(chǎn)物的包覆層不完整，厚薄不均 勻，包覆層的厚度大約為20nm。采用與實施例1相同的方法制備研磨液組合物。性能測試使用上述實施例1-10及對比例1制備的研磨液組合物在一定的拋光條件下對硅 單晶片進行拋光實驗，拋光條件如下拋光機SPEEDFAM雙面拋光機；工件6英寸的硅單晶薄片；拋光墊聚氨酯材料、RODEL生產(chǎn)；拋光壓力J5KPa ；表面拋光速度1. lm/s拋光時間3min拋光液流量90ml/min拋光后，接著洗滌和干燥硅單晶片，然后測量硅單晶片的表面形貌特征。計算硅單晶片的表面平均波紋度、平均粗糙度用ChapmanMP2000+表面形貌化測 試，其分辨率為0. 3埃米，測量波長分別為平均波紋度400微米及平均粗糙度80微米。去除率(拋光前硅單晶片的質(zhì)量-拋光后硅單晶片的質(zhì)量)/(硅單晶片的密 度χ硅單晶片的拋光面積χ時間)。表面形貌采用差示干涉顯微鏡觀測硅單晶片的表面。結果見表2。表 權利要求
1.一種研磨材料，其特征在于，所述研磨材料包括基體和包覆層，所述基體為氧化 鋁·稀土氧化物固溶體，所述包覆層為二氧化硅。
2.根據(jù)權利要求1所述的研磨材料，其特征在于，所述氧化鋁 稀土氧化物固溶體中稀 土氧化物選自氧化鑭、氧化鈰、氧化釹、氧化銪或氧化鐠中的一種或幾種；以基體的總量為基準，所述稀土氧化物的重量百份含量為10-20wt%。
3.根據(jù)權利要求1所述的研磨材料，其特征在于，以研磨材料的總量為基準，所述基體 的重量百份含量為75-85wt%，所述包覆層的重量百份含量為15-25wt%。
4.根據(jù)權利要求1所述的研磨材料，其特征在于，所述研磨材料的平均粒徑為 300-600nm，粒徑分布為IOO-IOOOnm ；所述研磨材料的比表面積為20-40m2/g。
5.根據(jù)權利要求1所述的研磨材料，其特征在于，所述包覆層的厚度為10-30nm。
6.一種研磨材料的制備方法，其特征在于，包括a、將含有鋁源、稀土源的物質(zhì)于堿性條件下發(fā)生沉淀反應制備基體前軀體；b、在步驟a所得基體前軀體的表面包覆硅源；C、將步驟b所得物質(zhì)燒結，得基體為氧化鋁 稀土氧化物固溶體、包覆層為二氧化硅的 研磨材料。
7.根據(jù)權利要求6所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述鋁源選自鋁酸鈉、偏鋁酸鉀、異丙醇鋁、硝酸鋁、氯化鋁或硫酸鋁中的一種或幾種；所述稀土源為鑭的硝酸鹽、鈰的硝酸鹽、釹的硝酸鹽、銪的硝酸鹽或鐠的硝酸鹽中的一 種或幾種；所述硅源選自硅酸、甲基硅油或二甲基硅油中的一種或幾種。
8.根據(jù)權利要求6所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述堿性條件的pH= 8-10 ；所述沉淀反應的溫度為40-80°C ；所述沉淀反應的攪拌速度為600-1000rpm。
9.根據(jù)權利要求6所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述鋁源中的鋁元素與 稀土源中的稀土元素的摩爾比為10-20。
10.根據(jù)權利要求6所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述包覆包括紅外加熱 噴霧包覆。
11.根據(jù)權利要求10所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述紅外加熱噴霧 包覆的噴霧速度為l-5L/min，所述紅外加熱噴霧包覆的硅源噴霧量為每千克基體前軀體 0.15-0. 25L。
12.根據(jù)權利要求10所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述紅外加熱噴霧包 覆的加熱溫度為110-130°C。
13.根據(jù)權利要求6所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述燒結的溫度為 1000-1300°C，燒結的時間為3-6h。
14.根據(jù)權利要求13所述的研磨材料的制備方法，其特征在于，所述燒結的溫度的升 溫速度為5-10°C /min。
15.一種研磨液組合物，包括研磨材料、堿性化合物、分散劑和螯合劑，其特征在于，所 述研磨材料為權利要求1-5任意一項所述的研磨材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種研磨材料及其制備方法和研磨液組合物，研磨材料包括基體和包覆層，其中，基體為氧化鋁·稀土氧化物固溶體，包覆層為二氧化硅，本發(fā)明的研磨材料由于其特殊結構在研磨液組合物中分散更均勻，性能更穩(wěn)定，而且研磨精度和研磨效率均更高，對物體的拋光效果更好，更符合現(xiàn)有技術的發(fā)展。本發(fā)明的制備方法簡單，易實現(xiàn)。且本發(fā)明提供的研磨液組合物成本低、穩(wěn)定性好，研磨精度、研磨效率高，能得到很好的實際應用。
文檔編號C09K3/14GK102079962SQ200910188458
公開日2011年6月1日 申請日期2009年11月28日 優(yōu)先權日2009年11月28日
發(fā)明者周維, 張斌, 彭長春 申請人:比亞迪股份有限公司