專利名稱：一種適用于白光led的單晶熒光材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于照明技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體白光照明領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管LED (Light Emitting Diode)已經(jīng)成為各種信號(hào)、照明光源的新興/
主力廣品。
作為照明燈具最主要的發(fā)光器件，白光LED正在越來(lái)越多的得到應(yīng)用。眾所周知，白光LED的發(fā)光機(jī)理/發(fā)光品質(zhì)，有賴于在其發(fā)光芯片(通常為藍(lán)光 LED芯片)前端設(shè)置的熒光粉層，發(fā)光芯片發(fā)出的藍(lán)光部分透過(guò)熒光粉層時(shí)，熒光粉受此藍(lán) 光激發(fā)后發(fā)出黃色光，發(fā)光芯片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā) 出的黃光混合，可以得到需要的白光。公告日為2008年1月2日，公告號(hào)為CN 100359705C的中國(guó)發(fā)明專利中公開(kāi)了一 種“白光二極管制造方法”，其所述白光二極管包括管座、透光體、基板、導(dǎo)線和晶片，并且在 所述晶片的頂面設(shè)置熒光粉薄膜層；所述熒光粉薄膜層是貼合在晶片的頂面上；所述晶片 是藍(lán)光晶片；所述熒光粉薄膜層包括釔鋁石榴石材料；所述熒光粉薄膜層的制作過(guò)程包括 步驟a、將熒光粉與環(huán)氧樹(shù)脂調(diào)配好；b、將調(diào)配好的材料倒入模具內(nèi)，該模具包括至少一 個(gè)與晶片大小相當(dāng)?shù)陌伎?；C、用一輔助模具保證各凹孔內(nèi)的材料量相同且平整；d、烘干。
公開(kāi)日為2007年5月23日，公開(kāi)號(hào)為CN1966160A的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)中公開(kāi)了 一種“熒光膠涂覆工藝”，其將YAG熒光粉和配膠攪拌后混合均勻，混合后的膠體粘度大于 1500cps;將熒光膠裝入點(diǎn)膠分配器點(diǎn)至藍(lán)色芯片上并使熒光膠不會(huì)流出藍(lán)色芯片襯底范 圍，保持熒光膠體具有一定的弧度，膠體的厚度控制在0. 3mm-lmm ；通過(guò)加熱將熒光膠固定 /定型在藍(lán)色芯片上面。由上述文獻(xiàn)可知，現(xiàn)在常見(jiàn)的熒光粉層通常是將熒光粉和膠體混合配成膠狀物， 采用涂敷、噴涂或制成膠膜覆蓋在發(fā)光芯片上或設(shè)置在發(fā)光芯片的前面，借助熒光粉中YAG 體系的離子作用，轉(zhuǎn)化/混合得到需要的白光。通過(guò)改變YAG (YttriumAluminum Garnet，釔 鋁石榴石)熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得各種色溫的白光。但是，由于熒光粉顆粒及分散的均勻性差，加上與膠體混合后由于不是馬上進(jìn)行 固化定型(從混合、灌裝到固化，在生產(chǎn)線上需要一定的時(shí)間周期)，勢(shì)必會(huì)帶來(lái)熒光粉顆 粒在膠體中的沉淀和分布不均勻，影響其激發(fā)效果和各批次發(fā)光二極管之間在發(fā)光品質(zhì)方 面的差異和不均布性。同時(shí)，由于熒光粉體材料距離發(fā)光芯片很近，所以芯片發(fā)熱往往會(huì)影響熒光粉體 材料，造成材料性能變化，形成熒光粉性能的衰減。此外，熒光粉還存在著激發(fā)效率和光轉(zhuǎn)換效率較低，光衰大、導(dǎo)致白光LED壽命 短，其物化性能較差，不適應(yīng)大功率LED的發(fā)展需求。更為關(guān)鍵的一點(diǎn)是，由于現(xiàn)有熒光粉的化學(xué)組份和性質(zhì)所致，其缺失紅色發(fā)光成 分，很難制備低色溫，高顯色指數(shù)的白光LED，不能滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種適用于白光LED的單晶熒光材料，其激發(fā) 發(fā)射效率高，具有高度均勻性，物化性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)、熱導(dǎo)率高，特別適用于大功率白光 LED，更能實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成分和調(diào)諧發(fā)光波段，可制備低色溫，高顯色指數(shù)的白光LED， 滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì)的需求。本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種適用于白光LED的單晶熒光材料，包括設(shè)置在發(fā) 光LED芯片前端的熒光激發(fā)/變換層，其特征是所述的熒光激發(fā)/變換層為單晶形態(tài)的熒 光材料；所述單晶熒光材料的化學(xué)分子式為Α3Β5012。其中，所述的A包括稀土元素鈰Ce、鉺Er、釹Nd和/或銪Eu ；所述單晶熒光材料 化學(xué)分子式A3B5O12中的A還可包括釔Y、鋱Tb和/或釓Gd。所述的B包括鋁Al和/或鎵Ga ；所述的單晶熒光材料采用提拉生長(zhǎng)法制得；所述 的單晶熒光材料以單晶薄層狀或薄片狀的結(jié)構(gòu)形式設(shè)置在白光LED發(fā)光芯片的前端。進(jìn)一步的，所述單晶熒光材料化學(xué)分子式A3B5O12中的A還包括鐠Pr、鏑Dy和/或 衫Sm?；蛘?，所述單晶熒光材料化學(xué)分子式A3B5O12中的A包括镥Lu和鑭La。上述薄層狀或薄片狀單晶熒光材料的厚度尺寸范圍為0. 1 5mm。前述的提拉生長(zhǎng)法包括研磨，均勻混合，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，將焙燒產(chǎn)物置于 中頻爐的銥干鍋中、在氬氣或氮?dú)怏w環(huán)境中通過(guò)提拉生長(zhǎng)法得到棒狀的單晶熒光材料；其 中，制備的工藝參數(shù)如下焙燒溫度為800 1500°C提拉速度0·5 2. 5mm/h旋轉(zhuǎn)速度10 30rpm上述單晶熒光材料在藍(lán)光LED發(fā)光芯片的激發(fā)下，發(fā)出光的波段為500 800nm。上述單晶熒光材料發(fā)光效率最佳的發(fā)光波段為530 600nm。上述單晶熒光材料顯色指數(shù)和色溫最佳的發(fā)光波段為530 650nm。與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是1.由于采用單晶熒光材料，其具有高度均勻性和物化性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)、熱導(dǎo)率 高，特別適用于大功率白光LED ；2.采用薄層狀或薄片狀結(jié)構(gòu)形式的單晶熒光材料，可優(yōu)化白光LED的封裝結(jié)構(gòu)和 封裝工藝，降低制造成本；3.選用合適的化學(xué)組份和其集合，可實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成分和調(diào)諧發(fā)光波段，可 提高其激發(fā)/發(fā)射效率。


圖1是采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED的藍(lán)光激發(fā)光譜能量分布圖；圖2是采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED的色度圖；圖3是白光單晶晶片激發(fā)發(fā)射光譜示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。本技術(shù)方案提供了一種適用于白光LED的單晶熒光材料，包括設(shè)置在發(fā)光LED芯 片前端的熒光激發(fā)/變換層，其所述的熒光激發(fā)/變換層為單晶形態(tài)的熒光材料；所述單晶 熒光材料的化學(xué)分子式為A3B5O1215 其中，所述的A包括稀土元素鈰Ce，并且包括鉺Er、釹Nd和銪Eu中的一個(gè)或者幾 個(gè)，還可選擇包括鐠Pr、鏑Dy和釤Sm中的一個(gè)或者幾個(gè)。所述的A也可以包括釔Y、鋱Tb和釓Gd中的一個(gè)或者幾個(gè)，并且包括镥Lu和鑭 La中的一個(gè)或者幾個(gè)。所述的B包括鋁Al和/或鎵Ga。之所以選擇上述化學(xué)組份和其集合，目的是為了實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成分和調(diào)諧發(fā) 光波段，提高其激發(fā)/發(fā)射效率，實(shí)現(xiàn)制備低色溫，高顯色指數(shù)的白光LED的發(fā)明目的，滿足 日益增長(zhǎng)的對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì)的需求。所述的單晶熒光材料采用提拉生長(zhǎng)法制得，其提拉生長(zhǎng)法包括研磨，均勻混合，在 空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中通過(guò)提拉生長(zhǎng) 法得到棒狀的單晶熒光材料。其中，制備的工藝參數(shù)如下焙燒溫度為1000°C提拉速度1.5mm/h旋轉(zhuǎn)速度25rpm上述的單晶熒光材料以單晶薄層狀或薄片狀的結(jié)構(gòu)形式設(shè)置在白光LED發(fā)光芯 片的前端，上述薄層狀或薄片狀單晶熒光材料的厚度尺寸范圍為0. 1 5mm。本技術(shù)方案采用上述組份和結(jié)構(gòu)形式，由于晶體材料相對(duì)穩(wěn)定，不會(huì)有衰減現(xiàn)象， 避免了由于芯片發(fā)熱影響熒光粉體材料，造成材料性能變化，形成熒光粉衰減的弊端。另外由于熒光激發(fā)/變換層采用固態(tài)結(jié)構(gòu)，將直接影響到LED產(chǎn)品的封裝結(jié)構(gòu)和 封裝工藝，可簡(jiǎn)化制作過(guò)程和所需設(shè)備，有利于降低白光LED的制造成本。對(duì)于如何解決LED發(fā)光芯片的散熱問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)作了大量的研究和努力，包括 在LED發(fā)光芯片的背面設(shè)置各種散熱裝置(俗稱熱沉)、采用特定的梳狀散熱片結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱 量傳導(dǎo)/散熱，以及采用強(qiáng)制熱量傳導(dǎo)裝置(諸如熱管技術(shù))帶走LED發(fā)光芯片所產(chǎn)生的 熱量等等。但是，對(duì)于如何解決位于發(fā)熱源-LED發(fā)光芯片前端的熒光激發(fā)/變換層的熱量 傳導(dǎo)/散發(fā)這一最關(guān)鍵的問(wèn)題，由于其所采用的是熒光粉/膠體混合的膠狀物，導(dǎo)熱性能非 常差，所以一直沒(méi)有一個(gè)比較理想的解決方案。采用本技術(shù)方案后，由于熒光激發(fā)/變換層采用單晶形態(tài)的熒光材料，其熱傳導(dǎo) 系數(shù)和導(dǎo)熱性能大大改變，對(duì)解決發(fā)光芯片的熱量傳導(dǎo)/散發(fā)這一最關(guān)鍵問(wèn)題的解決，提 供了極大的便利。本技術(shù)方案的實(shí)施，對(duì)于采用多個(gè)LED發(fā)光芯片組合而構(gòu)成的大功率LED 發(fā)光器件的散熱問(wèn)題，無(wú)疑是一項(xiàng)根本性的改進(jìn)，有助于大大延長(zhǎng)大功率LED的使用壽命。此外，由于白光LED發(fā)光機(jī)理和工作環(huán)境/性質(zhì)所致，如何制備低色溫、高顯色指 數(shù)且發(fā)光性能穩(wěn)定不變的白光LED，也是一項(xiàng)待解決的難題。采用本技術(shù)方案的單晶熒光材 料來(lái)構(gòu)成熒光激發(fā)/變換層后，由于晶體材料的物化性能相對(duì)穩(wěn)定，不會(huì)有衰減現(xiàn)象，從而從根本上解決了現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題和不足。上述單晶熒光材料在藍(lán)光LED發(fā)光芯片的激發(fā)下，發(fā)出光的波段為500 800nm。上述單晶熒光材料發(fā)光效率最佳的發(fā)光波段為530 600nm。
上述單晶熒光材料顯色指數(shù)和色溫最佳的發(fā)光波段為530 650nm?？梢?jiàn)，通過(guò)選用合適組份的單晶熒光材料，完全可以實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成分和調(diào) 諧發(fā)光波段，可制備低色溫，高顯色指數(shù)的白光LED，滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì) 的需求。圖1中，給出了采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED的光譜能量分布圖，由圖可 見(jiàn)，380 480nm是藍(lán)光芯片的發(fā)光范圍，而采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED其光譜能 量主要分布于480 SOOnm范圍，使得采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED具有更加良好 的發(fā)光效率。圖2中，給出了采用本發(fā)明單晶熒光材料的白光LED的色度坐標(biāo)圖(χ = 0. 4112， y = 0. 5272，Tc = 4154K)，可見(jiàn)其色溫主要分布于4000 5000K之間，其色溫范圍比現(xiàn)有 技術(shù)中白光LED的色溫范圍(通常在5500至8000K之間)更低，使得采用本發(fā)明單晶熒光 材料的白光LED具有更加良好的顯色指數(shù)，能夠更好地滿足對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì)的需求，也 給白光LED提供了更多的應(yīng)用場(chǎng)合/范圍。圖3中，給出了采用本發(fā)明單晶熒光材料的激發(fā)發(fā)射光譜圖，其中左邊曲線為激 發(fā)光譜曲線，右邊曲線為發(fā)射光譜曲線。由圖可見(jiàn)，其本單晶熒光材料的激發(fā)波長(zhǎng)主要位于460nm左右，可以對(duì)藍(lán)光芯片 形成很好的吸收，而其發(fā)射中心波長(zhǎng)位于530 650nm范圍，使得采用本發(fā)明單晶熒光材料 的白光LED具有更加良好的顯色指數(shù)。實(shí)施例1 按照化學(xué)式Ceacici5Eracicil = Y3Al5O12 分別稱取 CeO2, Er2O3, Y2O3, Al2O3 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效90 1101m/W ；顯色指數(shù)70 85 ；色溫4500 6000K ；可見(jiàn)，采用本技術(shù)方案所制的白光LED發(fā)光器件，比現(xiàn)有的白光LED產(chǎn)品，具有更 加良好的發(fā)光品質(zhì)和更高的發(fā)光效率。實(shí)施例2 按照化學(xué)式Ceacici3EracicilPracicici5 = Y3Al5O12 分別稱取 CeO2, Er2O3, Y2O3, Pr2O3, Al2O3 重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1061m/W ；顯色指數(shù)72 86 ；色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例3 按照化學(xué)式Ce0.004Er0.0005Pr0.0005Dy0.0002 :Y3Al5012 分別稱取 Ce02, Er203, Y203，Pr203, Dy203, A1203重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例4 按照化學(xué)式Cea-Ei^.AAip。分別稱取 Ce02，Eu203，Y203，A1203 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的自光LED發(fā)光
7器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效90 1101m/W ；顯色指數(shù)70 85 ；色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例5 按照化學(xué)式(^.■EUq.c^NcU—YsAIsOu分別稱取 Ce02，Er203, Nd203，A1203 重量共 計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)68 84 ；色溫3200 5600K ；可見(jiàn)，采用本技術(shù)方案所制的白光LED發(fā)光器件，比現(xiàn)有的白光LED產(chǎn)品，具有更 高的發(fā)光效率和更低的色溫。其余同實(shí)施例1。實(shí)施例6:按照化學(xué)式(^.■EuM-Smw—YsAlsC^分別稱取 Ce02，Eu203，Sm203，A1203 重量共 計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1131m/W ；顯色指數(shù)72 88;色溫4500 6000K ；
其余同實(shí)施例1。實(shí)施例7:按照化學(xué)式(^。.。。疋！!?！弧！?"。.。?！?？,“。。分別稱取Ce02，Eu203，Y203，Pr203, A1203 重 量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例8:按照化學(xué)式CeQiEuQ.Q^PrwDyQ.Q^YsAiPu 分別稱取 Ce02，Eu203，Pr203，Dyr203， Y203，A1203重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例9:按照化學(xué)式(^.。^屯^義八⑶。分別稱取Ce02，Nd203，Y203，A1203重量共計(jì)500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。
將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1161m/W ；顯色指數(shù)70 84;色溫4500 5000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例10 按照化學(xué)式CeoiNdo.c^Pro.o^YsAiPu 分別稱取 Ce02，Nd203，Pr203, Y203，A1203 重 量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1161m/W ；顯色指數(shù)70 84;色溫4500 5000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例11 按照化學(xué)式Ce。. 遍iPrwDyuQ^YsAiPu 分別稱取 Ce02，Nd203，Pr203，Dyr203， Y203，A1203重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；
顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例12 按照化學(xué)式CeQiNcU^PrwDyQ.^SmwAAiPu 分別稱取 Ce02，Nd203，Pr203, Dyr203, Sm203，Y203，A1203 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例13 按照化學(xué)式Ce0.005Er0.001: (Y0.6Tb0.4) 3A15012 分別稱取 Ce02, Er203, Y203，Tb407，A1203 重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效90 1101m/W ；顯色指數(shù)70 85;色溫4500 6000K ；可見(jiàn)，采用本技術(shù)方案所制的白光LED發(fā)光器件，比現(xiàn)有的白光LED產(chǎn)品，具有更 加良好的發(fā)光品質(zhì)和更高的發(fā)光效率。其余同實(shí)施例1。實(shí)施例14:按照化學(xué)式Ce0.003Er0.001Pr0._5: (Y0.7Gd0.3)3Al5012 分別稱取 Ce02，Er203, Y203，Pr203,
11Dy2O3, Gd2O3, Al2O3 重量共計(jì) 500 克 將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1061m/W ；顯色指數(shù)72 86;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例15 按照化學(xué)式Ce。.。。4Er。._5Pr。.。。。5Dy。._2: (Ya7Tba2Gdai)3Al5O12 分別稱取 CeO2, Er2O3, Y2O3, Pr2O3, Dy2O3, Gd2O3, Tb4O7, Al2O3 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例16 按照化學(xué)式Ce0.005Eu0.001: Y3 (Al0.9Ga0. ^5O12 分別稱取 CeO2, Eu2O3, Y2O3, Ga2O3, Al2O3 重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. O 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效90 1101m/W ；顯色指數(shù)70 85 ；色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1或?qū)嵤├?3。 實(shí)施例17 按照化學(xué)式Ce0.006Eu0.0002Nd0.0002 : Y3 (Al0.9Ga0. ^5O12 分別稱取 CeO2, Er2O3，Nd2O3, Ga2O3，Al2O3重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. O 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)68 84 ；色溫3200 5600K ；其余同實(shí)施例5。實(shí)施例18 按照化學(xué)式Ce0.005Eu0.0005Sm0.0002 :Y3(Al0.8Ga0.2)5012 分別稱取 CeO2, Eu2O3, Sm2O3, Ga2O3，Al2O3重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. O 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. Omm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1131m/W ；顯色指數(shù)72 88;色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。
實(shí)施例19 按照化學(xué)式Ceatltl7Eu
0. 0002押0· 0002
= Y3(Ala7Gaa3)5O12 分別稱取 CeO2, Eu2O3, Y2O3，Pr2O3,
Ga2O3，Al2O3重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn) 行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89 ；色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例20 按照化學(xué)式Ceacitl6Eu
ο. oooiP^o. oooiDy。· 0002Y3 (Ala6Gaa4)5O12 分別稱取 CeO2, Eu2O3，
Pr2O3, Dyr2O3, Y2O3, Ga2O3, Al2O3 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89 ；色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例21 按照化學(xué)式Ceacici6Ndacicicil = Y3(Ala5Gaa5)5O12 分別稱取 CeO2, Nd2O3, Y2O3, Ga2O3, Al2O3 重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1161m/W ；顯色指數(shù)70 84 ；
色溫4500 5000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例22 按照化學(xué)式Ceacici6NdacicicilPracicici4: (Ya9Luai)3Al5O12 分別稱取 CeO2, Nd2O3, Pr2O3, Y2O3, Lu2O3，Al2O3重量共計(jì)500克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效85 1161m/W ；顯色指數(shù)70 84 ；色溫4500 5000K ；其余同實(shí)施例1。實(shí)施例23 按照化學(xué)式Ceatltl6Nd
ο. oooiP^o. oooiDy。· 0002 ·
(Ya9Laai)3Al5O12 分別稱取 CeO2, Nd2O3，
Pr2O3, Dyr2O3, Y2O3, La2O3, Al2O3 重量共計(jì) 500 克將上述物料進(jìn)行研磨并混合均勻，在空氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，焙燒溫度為800 1500°C，時(shí)間為10 20小試，然后將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬氣體環(huán)境中以 提拉速度1. 0 1. 5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度15 25rpm，制得棒狀的單晶熒光材料。將上述棒狀的單晶熒光材料進(jìn)行不同部位的切片，得到薄層狀或薄片狀的單晶熒 光材料，其厚度尺寸范圍為0. 1 5. 0mm，根據(jù)產(chǎn)品需要，進(jìn)行不同透光率的單面或雙面拋 光，然后通過(guò)再次的分割或劃片，即可得到尺寸與LED發(fā)光芯片前端所需尺寸相匹配的單 片單晶熒光激發(fā)/變換層，將其固定在LED發(fā)光芯片的前端，即可制得所需的白光LED發(fā)光 器件。經(jīng)測(cè)試，采用上述方法制得的白光LED發(fā)光器件，其發(fā)光技術(shù)指標(biāo)如下光效80 1101m/W ；顯色指數(shù)72 89 ；
色溫4500 6000K ；其余同實(shí)施例1。
由于本發(fā)明采用了單晶形態(tài)的熒光材料充當(dāng)LED發(fā)光芯片的熒光激發(fā)/變換層， 具有高度均勻性和物化性能穩(wěn)定，壽命長(zhǎng)，熱導(dǎo)率高，采用薄層狀或薄片狀結(jié)構(gòu)形式的單晶 熒光材料，可優(yōu)化白光LED的封裝結(jié)構(gòu)和封裝工藝，降低制造成本；可實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成 分和調(diào)諧發(fā)光波段，可提高其激發(fā)/發(fā)射效率等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于大功率白光LED。本發(fā)明可廣泛用于各種白光LED、特別是大功率白光LED的制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
一種適用于白光LED的單晶熒光材料，包括設(shè)置在發(fā)光LED芯片前端的熒光激發(fā)/變換層，其特征是所述的熒光激發(fā)/變換層為單晶形態(tài)的熒光材料；所述單晶熒光材料的化學(xué)分子式為A3B5O12；其中，所述的A包括稀土元素鈰Ce、鉺Er、釹Nd和/或銪Eu；所述的B包括鋁Al和/或鎵Ga；所述的單晶熒光材料采用提拉生長(zhǎng)法制得；所述的單晶熒光材料以單晶薄層狀或薄片狀的結(jié)構(gòu)形式設(shè)置在白光LED發(fā)光芯片的前端。
2.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料化學(xué)分子式A3B5O12中的A包括鐠Pr、鏑Dy和/或釤Sm。
3.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料化學(xué)分子式A3B5O12中的A包括釔Y、鋱Tb和/或釓Gd。
4.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料化學(xué)分子式A3B5O12中的A包括镥Lu和鑭La。
5.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述薄層狀或薄 片狀單晶熒光材料的厚度尺寸范圍為0. 1 5mm。
6.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述的提拉生長(zhǎng) 法包括研磨，均勻混合，在氫氣環(huán)境中進(jìn)行焙燒，將焙燒產(chǎn)物置于中頻爐的銥干鍋中、在氬 氣體環(huán)境中通過(guò)提拉生長(zhǎng)法得到棒狀的單晶熒光材料；其中，制備的工藝參數(shù)如下焙燒溫度為800 1500°C ；提拉速度:0· 5 2. 5mm/h ；旋轉(zhuǎn)速度10 30rpm。
7.按照權(quán)利要求1所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料在藍(lán)光LED發(fā)光芯片的激發(fā)下，發(fā)出光的波段為500 800nm。
8.按照權(quán)利要求7所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料發(fā)光效率最佳的發(fā)光波段為530 600nm。
9.按照權(quán)利要求7所述的適用于白光LED的單晶熒光材料，其特征是所述單晶熒光材 料顯色指數(shù)和色溫最佳的發(fā)光波段為530 650nm。
全文摘要
一種適用于白光LED的單晶熒光材料，屬照明技術(shù)領(lǐng)域。包括設(shè)置在發(fā)光LED芯片前端的熒光激發(fā)/變換層，其特征是所述的熒光激發(fā)/變換層為單晶形態(tài)的熒光材料，單晶熒光材料的化學(xué)分子式為A3B5O12；其中，A至少包括稀土元素鈰Ce、鉺Er、釹Nd和/或銪Eu；B包括鋁Al和/或鎵Ga。其單晶熒光材料采用提拉生長(zhǎng)法制得，單晶熒光材料以單晶薄層狀或薄片狀的結(jié)構(gòu)形式設(shè)置在白光LED發(fā)光芯片的前端。其激發(fā)發(fā)射效率高，具有高度均勻性，物化性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)、熱導(dǎo)率高，特別適用于大功率白光LED，更能實(shí)現(xiàn)增加紅色發(fā)光成分和調(diào)諧發(fā)光波段，可制備低色溫，高顯色指數(shù)的白光LED，滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)白光LED發(fā)光品質(zhì)的需求。
文檔編號(hào)C09K11/80GK101872831SQ20101018488
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者李思蘭, 楊瑩, 胡泉 申請(qǐng)人:上海嘉利萊實(shí)業(yè)有限公司