專利名稱：熒光體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熒光體。更詳細(xì)地說，本發(fā)明涉及可以被青色LED或近紫外LED所激發(fā)、發(fā)出可見光的熒光體。
背景技術(shù)：
目前照明用光源的主流為熒光燈或白熾燈泡，但對(duì)于將LED(發(fā)光二極管)用于光源的情況來(lái)說，與熒光燈等相比，其消耗電力少、壽命也長(zhǎng)，在即使用手接觸也不會(huì)燙等的安全性方面也很優(yōu)異，并且不含有水銀等有害物質(zhì)，在環(huán)境方面也很優(yōu)異，期待其近期成為照明用光源的主流。目前的白色LED是由青色LED與YAG: Ce (黃)組合而構(gòu)成的，在顯示出自然成色性的顯色性方面差，特別是在利用目前這樣的白色LED照射紅色物體或人體肌膚時(shí)也會(huì)具有無(wú)法再現(xiàn)由自然光照射下的顏色的問題。因此，作為對(duì)目前這樣的白色LED的顯色性進(jìn)行改善的方法，針對(duì)將近紫外LED與紅、綠、青3種熒光體進(jìn)行組合、或?qū)⑶嗌獿ED與紅、綠兩種熒光體進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)成白色LED的情況進(jìn)行了研究，作為該目的中所使用的綠色熒光體，公開了 SrG￡i2、:Eu(參照專利文獻(xiàn)1、2和3)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-060747號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-056^7號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2007-214579號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題對(duì)于以往所公開的以SrGaj4 = Eu為代表的由斜方晶構(gòu)成的熒光體來(lái)說，需要進(jìn)一步提高發(fā)光效率。為了提高發(fā)光效率，據(jù)說使用外量子效率(=內(nèi)量子效率X吸收率)高的熒光體是很重要的。然而，在例如如上所述將近紫外LED或青色LED與熒光體進(jìn)行組合來(lái)得到白色光的情況下，需要增高熒光體的內(nèi)量子效率以提高外量子效率、或者提高熒光體的發(fā)光強(qiáng)度。因此，本發(fā)明擬提供內(nèi)量子效率進(jìn)一步提高的熒光體。用于解決課題的手段本發(fā)明提出了一種熒光體，其為含有含( 和S的斜方晶結(jié)晶的熒光體，該熒光體的特征在于在上述斜方晶結(jié)晶的使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ =16.0 18.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =23.6 Μ.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0.4以上；或者在衍射角2 θ =33. 6 36.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =37. 5 39. 5°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0. 7以上；或者滿足這二者。
對(duì)于具有上述特征的本發(fā)明的熒光體來(lái)說，其具有如下特征可被波長(zhǎng)250nm 510nm的光(即近紫外光 青色光)、特別是被青色LED (波長(zhǎng)450nm左右)效率良好地激發(fā)而發(fā)出可見光，且內(nèi)量子效率顯著提高。因而，例如在將作為激發(fā)源的青色LED與本發(fā)明的熒光體進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)成白色發(fā)光元件乃至裝置的情況下，由于內(nèi)量子效率高因而發(fā)光效率高，可以得到更為充分的白色光。并且，即使在針對(duì)有限特性的LED來(lái)組合有限量的熒光體的情況下，也可以得到充分的
發(fā)光量。


圖1為在由下述橫軸和縱軸構(gòu)成的坐標(biāo)上對(duì)實(shí)施例1-19和比較例1-9中得到的熒光體粉末的值進(jìn)行繪圖而得到的圖，其中，橫軸為在衍射角2 θ = 16. 0 18. 0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =23.6 Μ.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例， 縱軸為內(nèi)量子效率(％)。圖2為在由下述橫軸和縱軸構(gòu)成的坐標(biāo)上對(duì)實(shí)施例1-19和比較例1-9中得到的熒光體粉末的值進(jìn)行繪圖而得到的圖，其中，橫軸為在衍射角2 θ =33. 6 36.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =37.5 39.5°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例， 縱軸為內(nèi)量子效率(％)。圖3為實(shí)施例1的XRD圖譜。圖4為比較例1的XRD圖譜。圖5為比較例5的XRD圖譜。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)敘述，但本發(fā)明的范圍并不受以下說明的實(shí)施方式的限定。(本熒光體)本實(shí)施方式的熒光體(下文中稱為“本熒光體”)為含有含( 和S的母體結(jié)晶、與活化劑(也稱為“發(fā)光中心”)的熒光體。(母體結(jié)晶)本熒光體的母體結(jié)晶為含有( 和S的斜方晶結(jié)晶(也稱為“本斜方晶結(jié)晶體”)， 其具有下述特征在使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ = 16. 0 18. 0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =23.6 Μ.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0.4以上；或者在衍射角2 θ =33. 6 36.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =37. 5 39. 5°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0. 7以上。例如CaGaj4或SrGi^4等為斜方晶的結(jié)晶，對(duì)于以它們?yōu)槟阁w結(jié)晶的CaG￡i2、:Eu 或SrGaj4:Eu，確認(rèn)到可被青色LED (波長(zhǎng)450nm左右)效率良好地激發(fā)，發(fā)出可見光。而與此相對(duì)，盡管BaGaj4等為含有( 和S的結(jié)晶體，但BaGaj4等為立方晶，與斜方晶結(jié)晶的 XRD圖譜全然不同，確認(rèn)到利用青色LED(波長(zhǎng)450nm左右)不能使其有效發(fā)光。本斜方晶結(jié)晶體優(yōu)選為例如含有( 并含有堿土金屬M(fèi)的硫化物的結(jié)晶體，堿土金屬M(fèi)為Ba、Sr和Ca中的一種或它們中的兩種以上。
其中，優(yōu)選Ba、Sr和Ca在堿土金屬M(fèi)中所占的含量比例滿足下式(1)(1) =M = BaxSr1^yCay (χ為0以上且0. 6以下；y為0以上且1以下)。在上述式(1)中，若χ為0以上且0.6以下，則能夠更確實(shí)地維持斜方晶的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。從這方面考慮，X進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5以下、特別優(yōu)選為0. 4以下。另外，對(duì)于y，在0 1的整個(gè)范圍具有斜方晶的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，XRD的衍射峰出現(xiàn)漂移，確認(rèn)到Ca向Sr中的固溶。更具體地說，本斜方晶結(jié)晶體例如優(yōu)選為(BivxSrx)Ga2S4(式中，χ為0以上且0. 6 以下)、(SivyCay) 6 (式中，y為0以上且1以下)、以及(BEt1TySrxCay) 6 (式中，χ為 0以上且0. 4以下，y為0以上且1以下)中的任一式所示的硫化物的結(jié)晶體、或者為由這些之中的兩種以上構(gòu)成的硫化物的結(jié)晶體的混合物。此外，本斜方晶結(jié)晶體為如上所述以式MGiij4(M為堿土金屬)所示的硫化物的結(jié)晶體的情況下，若從計(jì)量組成的方面考慮，則相對(duì)于1. 0摩爾的M，fe的含有比例為2. 00摩爾；但若從得到如上所述的基于X射線衍射的特征的方面考慮，則在本熒光體中，優(yōu)選過量含有相對(duì)于該計(jì)量組成僅為特定量的fe。此時(shí)，優(yōu)選按照( 含量相對(duì)于M含量的摩爾比例(fei/M)為2. 02 3. 02的方式過量含有(ia。特別地，其下限值優(yōu)選為2. 02以上、其中特別優(yōu)選為2. 21以上，上限值優(yōu)選為2. 72以下、其中特別優(yōu)選為2. 45以下。對(duì)于本斜方晶結(jié)晶體來(lái)說，優(yōu)選在使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ =16.0 18.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =23.6 Μ.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0. 4以上(條件(A))。若為采用滿足條件㈧的斜方晶結(jié)晶體作為母體結(jié)晶的熒光體，則可被青色 LED (波長(zhǎng)450nm左右)效率良好地激發(fā)、發(fā)出可見光，且可顯著提高內(nèi)量子效率。從這方面考慮，該比例優(yōu)選為0. 4以上，特別是進(jìn)一步優(yōu)選為0. 46以上；另一方面，優(yōu)選為10以下，特別是進(jìn)一步優(yōu)選為8以下。此外，對(duì)于本斜方晶結(jié)晶體來(lái)說，優(yōu)選在使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2Θ =33. 6 36.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ = 37. 5 39. 5° 出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0. 7以上(條件(B))。即使為采用滿足條件(B)的斜方晶結(jié)晶體作為母體結(jié)晶的熒光體，也可被青色 LED (波長(zhǎng)450nm左右)效率良好地激發(fā)、發(fā)出可見光，且可顯著提高內(nèi)量子效率。因而，從上述方面考慮，該比例優(yōu)選為0. 7以上，特別是進(jìn)一步優(yōu)選為1以上 ’另一方面，優(yōu)選為10以下，特別是進(jìn)一步優(yōu)選為8以下。對(duì)于本斜方晶結(jié)晶體來(lái)說，滿足條件㈧和⑶的任一條件即可，但從抑制品質(zhì)波動(dòng)的方面考慮，更優(yōu)選滿足這兩者。另外，為了制作滿足條件㈧或⑶的熒光體，例如可以舉出含有相對(duì)于計(jì)量組成為過量的( 的方法。本熒光體只要含有本斜方晶結(jié)晶體即可。即，只要含有本斜方晶結(jié)晶體，也可以含有其它結(jié)晶體。例如，如上所述，BaGaj4等為立方晶，確認(rèn)到其利用青色LED(波長(zhǎng)450nm 左右)不能有效地發(fā)光；但若含有本斜方晶結(jié)晶體，則即使含有BaGaj4等，也可以享有本熒光體的效果。
此時(shí)，本斜方晶結(jié)晶體的含量在本熒光體(不包括活化劑)中優(yōu)選占100質(zhì)量％ 40質(zhì)量％，特別是占100質(zhì)量％ 50質(zhì)量％，其中優(yōu)選占100質(zhì)量％ 60質(zhì)量％， 這之中，優(yōu)選占100質(zhì)量％ 80質(zhì)量％、特別優(yōu)選占100質(zhì)量％。(活化劑)作為本熒光體的活化劑(發(fā)光中心)，可以舉出例如EU、Ce、Mn和Sm等，可以單獨(dú)含有這些物質(zhì)中的一種，并且也可以合用這些物質(zhì)中的兩種以上來(lái)含有。其中，從被青色 LED (波長(zhǎng)450nm左右)激發(fā)的內(nèi)量子效率高的方面考慮，優(yōu)選含有2價(jià)Eu2+的物質(zhì)，特別優(yōu)選僅為2價(jià)Eu2+。在母結(jié)晶中堿土金屬M(fèi)的總量(濃度)為1.00摩爾的情況下，發(fā)光中心(例如 Eu2+)的濃度優(yōu)選為0. 001摩爾 0. 10摩爾的摩爾比例，其中優(yōu)選0. 005摩爾 0. 07摩爾的摩爾比例、這之中特別優(yōu)選為0. 01摩爾 0. 05摩爾的摩爾比例。另外，作為發(fā)光中心(發(fā)光離子)，即使使用上述以外的選自由稀土離子和過渡金屬離子組成的組中的一種或兩種以上的離子也可以期待同樣的效果。作為稀土離子，可以舉出例如&、Tb、Er等離子；作為過渡金屬離子，可以舉出例如Cu、Ag、Cr、Ti等離子。(本熒光體的特征)本熒光體具有下述特征其可被近紫外區(qū)域 青色區(qū)域的波長(zhǎng)O50nm 510nm左右)的光所激發(fā)、特別是被青色LED (波長(zhǎng)450nm左右)的光效率良好地激發(fā)，從而發(fā)出可見光、例如發(fā)出綠 黃色的光。若對(duì)本熒光體的發(fā)光光譜進(jìn)行敘述，則其受波長(zhǎng)250nm 510nm左右的光激發(fā)而在波長(zhǎng)450nm士30nm 700nm士30nm的區(qū)域具有發(fā)光峰。(制造方法)下面對(duì)本熒光體的優(yōu)選制造方法的一例進(jìn)行說明。但并不限于下述說明的制造方法。本熒光體可以如下得到稱量各原料進(jìn)行混合，在還原氣氛中于900°C 1400°C 進(jìn)行燒制，使用搗磨機(jī)或研磨攪拌機(jī)等進(jìn)行破碎后，利用篩等進(jìn)行分級(jí)，根據(jù)需要進(jìn)行退火，優(yōu)選進(jìn)一步在以乙醇為代表的非水系有機(jī)溶劑或水中進(jìn)行沉降，除去上清進(jìn)行干燥，從而得到所述本熒光體。此處，對(duì)于本斜方晶結(jié)晶體來(lái)說，例如在為含有Ga、以及Ba、Sr和Ca等堿土金屬的硫化物結(jié)晶體的情況下，作為原料，例如稱量( 原料；Ba、Sr和Ca等堿土金屬原料；S原料；以及發(fā)光中心(活化劑)原料進(jìn)行混合即可。此時(shí)，作為( 原料，可以舉出G￡i203、G￡i2&等鎵鹽。作為Ba、Sr和Ca等堿土金屬原料，除了堿土金屬的氧化物外，還可以舉出硫化物、 復(fù)氧化物、硝酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽等。作為S原料，除SrS夕卜，還可以舉出S、BaS、SiS2、Ce2S3、H2S氣體等。并且，作為發(fā)光中心(活化劑)原料，例如對(duì)于Eu原料來(lái)說，可以舉出EuS、EuF3、 Eu2O3 ；EuCl3等鹵化物之類的氧化物、硫化物、復(fù)氧化物、硝酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽等鹽。在本熒光體的制造方法中，為了得到如上所述的基于X射線衍射的特征，例如優(yōu)選混合相對(duì)于計(jì)量組成為過量的fe。但并不限于該方法。S卩，例如若由MGaj4(M為堿土金屬)所示的計(jì)量組成來(lái)考慮，則通常以相對(duì)于1. 00摩爾的M使( 為2. 00摩爾的比例進(jìn)行混合來(lái)制造，但在本熒光體的情況下，優(yōu)選過量混合并含有相對(duì)于MGaj4K示的計(jì)量組成僅為特定量的Ga。具體地說，優(yōu)選按照( 含量相對(duì)于 M含量的摩爾比例(Ga/M)為2. 02 3. 02這樣的程度，特別優(yōu)選為2. 02 2. 72、其中特別優(yōu)選為2. 21 2. 45這樣的程度過量含有feu如此，即使使得( 含量相對(duì)于M含量的摩爾比例(Ga/M)多于2. 00，也能夠得到如上所述的基于X射線衍射的特征。并且，即使添加MgCl2、CaCl2, NaCl2, NaCl、KCl、ΚΙ、SrF2、EuF3 等熔劑，也能夠得到如上所述的基于X射線衍射的特征。另外，為了提高顯色性，可以向原料中添加ft·、Sm等稀土元素作為色調(diào)調(diào)整劑。為了提高激發(fā)效率，可以向原料中添加選自&、La、Gd、Lu等稀土族元素中的一種以上的元素作為增感劑。其中，這些元素的添加量?jī)?yōu)選相對(duì)于Sr分別為5摩爾％以下。這些元素的含量若大于5摩爾％，則會(huì)大量析出異相(異相)，亮度可能會(huì)顯著降低。此外，也可以向原料中添加堿金屬元素；Ag+等1價(jià)陽(yáng)離子金屬；Cl—、F—、Γ等鹵素離子作為電荷補(bǔ)償劑。從電荷補(bǔ)償效果和亮度的方面考慮，其添加量?jī)?yōu)選與鋁族、稀土族的含量為等量程度。原料的混合可以以干式、濕式中的任意一種來(lái)進(jìn)行。進(jìn)行干式混合的情況下，其混合方法并無(wú)特別限定，例如可以采用以氧化鋯球作為介質(zhì)的涂料搖擺器或球磨機(jī)等進(jìn)行混合，根據(jù)需要進(jìn)行干燥，從而得到原料混合物。在進(jìn)行濕式混合的情況下，可以將原料制成懸濁液狀態(tài)，與上述同樣地采用以氧化鋯球作為介質(zhì)的涂料搖擺器或球磨機(jī)等進(jìn)行混合后，利用篩等將介質(zhì)分離，通過減壓干燥、真空干燥、噴霧干燥等適當(dāng)?shù)母稍锓椒◤膽腋∫褐谐ニ?，由此可以得到干燥原料混合物。?duì)于原料的調(diào)整，在水溶液體系中也能夠合成。例如可以利用溶膠凝膠法、檸檬酸絡(luò)合法、檸檬酸絡(luò)合聚合法、共沉法、金屬氫氧化物沉淀法、均一沉淀法、無(wú)機(jī)鹽水解法、醇鹽法、氧化還原法、水熱法、乳液法、溶劑蒸發(fā)法、不良溶劑稀釋法等來(lái)制作前體，之后利用 H2S或氣氛等進(jìn)行硫化。在進(jìn)行燒制前，可以根據(jù)需要對(duì)如上所述得到的原料混合物實(shí)施粉碎、分級(jí)、干燥。但也可以不必實(shí)施粉碎、分級(jí)、干燥。對(duì)于燒制，優(yōu)選在1000°C 1400°C進(jìn)行燒制。作為此時(shí)的燒制氣氛，可以采用含有少量氫氣的氮?dú)鈿夥?、含有一氧化碳的二氧化碳?xì)夥?、硫化氫、二硫化碳、其它惰性氣體或還原性氣體氣氛等，其中優(yōu)選在硫化氫氣氛下進(jìn)行燒制。利用燒制溫度也可以調(diào)整基于X射線衍射的特征。例如優(yōu)選相對(duì)于MGaj4所示的計(jì)量組成過量混合Ga、且在1000°C以上、特別是1050°C以上進(jìn)行燒制。燒制溫度的上限根據(jù)燒制爐的耐久溫度、生成物的分解溫度等來(lái)確定，在本熒光體的制造方法中，特別優(yōu)選在1000°c 1200°C進(jìn)行燒制。此外，燒制時(shí)間與燒制溫度相關(guān)， 優(yōu)選在2小時(shí) M小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在上述燒制中，在原料混合物不包含硫原料的情況下，優(yōu)選在硫化氫或二硫化碳的氣氛中進(jìn)行燒制。但是，在原料混合物中含有硫原料的情況下，可以在硫化氫、二硫化碳或惰性氣體的氣氛中進(jìn)行燒制。該情況下的硫化氫和二硫化碳也有時(shí)為硫化合物，并且還具有抑制生成物分解的功能。另一方面，在燒制氣氛中使用硫化氫或二硫化碳的情況下，由于這些化合物也為硫化合物，因而例如在使用BaS作為原料成分的情況下，其為使用了鋇化合物和硫化合物的情況。在本熒光體的制造中，優(yōu)選在燒制后使用搗磨機(jī)、研磨攪拌機(jī)、涂料搖擺器等進(jìn)行破碎，接下來(lái)利用篩等進(jìn)行分級(jí)。在破碎時(shí)，優(yōu)選調(diào)整破碎時(shí)間以使得粒度不會(huì)過細(xì)。并且，在利用篩等進(jìn)行的分級(jí)中，優(yōu)選將粒徑截止在大于150 μ m的粒徑、特別是大于130 μ m的粒徑、其中特別截止在大于110 μ m的粒徑來(lái)進(jìn)行分級(jí)。并且優(yōu)選將粒徑截止在小于2 μ m的粒徑、特別是小于3 μ m的粒徑、其中特別截止在小于4 μ m的粒徑來(lái)進(jìn)行分級(jí)。可以在如上所述的破碎后進(jìn)行退火。作為進(jìn)行退火時(shí)的氣氛，可以采用含有少量氫氣的氮?dú)鈿夥?、含有一氧化碳的二氧化碳?xì)夥?、硫化氫、二硫化碳、其它惰性氣體或還原性氣體氣氛等，其中優(yōu)選在硫化氫氣氛下進(jìn)行退火。作為退火溫度，優(yōu)選混合比MGaj4所示的計(jì)量組成多的( 、且在1000°C以上、特別是在1050°C以上進(jìn)行退火。退火溫度的上限根據(jù)爐的耐久溫度、生成物的分解溫度等來(lái)確定，在本熒光體的制造方法中，特別優(yōu)選在1000°C 1200°C進(jìn)行退火。此外，退火時(shí)間與退火溫度相關(guān)，優(yōu)選在1小時(shí) 10小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。進(jìn)一步地，優(yōu)選的是，投入到以乙醇為代表的非水系有機(jī)溶劑或水等中，一邊施加超聲波振動(dòng)一邊攪拌，然后進(jìn)行靜置，除去上清對(duì)沉降物進(jìn)行回收，接下來(lái)進(jìn)行干燥。利用該最后的溶劑沉降分級(jí)處理，可以顯著提高內(nèi)量子效率和外量子效率。(用途)本熒光體可以與激發(fā)源組合來(lái)構(gòu)成發(fā)光元件乃至裝置，可以用于各種用途。例如除用于一般照明外，還可在特殊光源、液晶的背光源或EL、FED、CRT用顯示裝置等顯示裝置等中進(jìn)行利用。此時(shí)，作為激發(fā)源，可以使用發(fā)出波長(zhǎng)250nm 510nm的光(即紫光 青色光)的發(fā)光體，其中優(yōu)選使用波長(zhǎng)450nm左右的青色LED。作為將本熒光體與能夠?qū)ζ溥M(jìn)行激發(fā)的激發(fā)源進(jìn)行組合而得到的發(fā)光元件乃至裝置的一例，例如可以通過在發(fā)出波長(zhǎng)250nm 510nm的光(即近紫外光 青色光)的發(fā)光體的附近、即能夠接受該發(fā)光體所發(fā)出的光的位置配置本熒光體來(lái)構(gòu)成。具體地說，在由發(fā)光體構(gòu)成的發(fā)光體層上層積由本熒光體構(gòu)成的熒光體層即可。此時(shí)，熒光體層例如如下形成即可將粉末狀的本熒光體與粘合劑一同加入到適當(dāng)?shù)娜軇┲?，進(jìn)行充分混合使其均勻分散，將所得到的涂布液涂布在發(fā)光層的表面并進(jìn)行干燥來(lái)形成涂膜(熒光體層)。此外，也可以將本熒光體混煉在玻璃組合物或樹脂組合物中，使本熒光體分散在玻璃層內(nèi)或樹脂層內(nèi)，從而形成熒光體層。
進(jìn)一步地，還可以將本熒光體成型為片材狀，將該片材層積在發(fā)光體層上；還可以將本熒光體直接濺射在發(fā)光體層上來(lái)進(jìn)行成膜。另外，可以將本熒光體、紅色熒光體、必要時(shí)采用的青 黃色熒光體、以及能夠?qū)λ鼈冞M(jìn)行激發(fā)的激發(fā)源進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)成白色發(fā)光元件乃至裝置，除用于例如一般照明外， 還可在特殊光源、液晶的背光源或EL、FED、CRT用顯示裝置等顯示裝置等中進(jìn)行利用。作為將本熒光體、紅色熒光體、必要時(shí)采用的青色熒光體、以及能夠?qū)λ鼈冞M(jìn)行激發(fā)的激發(fā)源進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)成白色發(fā)光元件乃至裝置的一例，例如可以在發(fā)出波長(zhǎng)250nm 510nm的光(即近紫外光 青色光)的發(fā)光體的附近、即能夠接受該發(fā)光體所發(fā)出的光的位置配置本熒光體并配置紅色熒光體以及必要時(shí)采用的青色熒光體，由此來(lái)進(jìn)行構(gòu)成。具體地說，在由發(fā)光體構(gòu)成的發(fā)光體層上層積由本熒光體構(gòu)成的熒光體層、由紅色熒光體構(gòu)成的熒光體層、以及由必要時(shí)采用的青色熒光體構(gòu)成的熒光體層即可。并且，可以將粉末狀的本熒光體與紅色熒光體以及必要時(shí)采用的青色 黃色熒光體與粘合劑一同加入到適當(dāng)?shù)娜軇┲?，進(jìn)行充分混合使其均勻分散，將所得到的涂布液涂布在發(fā)光層的表面并進(jìn)行干燥來(lái)形成涂膜(熒光體層)。并且，可以將本熒光體與紅色熒光體以及必要時(shí)采用的青色熒光體混煉在玻璃組合物或樹脂組合物中，使熒光體分散在玻璃層內(nèi)或樹脂層內(nèi)，從而形成熒光體層。另外，在由青色LED或近紫外LED構(gòu)成的激發(fā)源上形成將本熒光體與紅色熒光體在樹脂中進(jìn)行混煉而得到的熒光體層即可。進(jìn)一步地，還可以將本熒光體以及紅色熒光體和必要時(shí)采用的青色熒光體分別成型為片材狀，將該片材層積在發(fā)光體層上；還可以將本熒光體與紅色熒光體直接濺射在發(fā)光體層上來(lái)進(jìn)行成膜。(用語(yǔ)的解說)本發(fā)明中“發(fā)光元件乃至裝置”中的“發(fā)光元件”意指至少具備熒光體和作為其激發(fā)源的發(fā)光光源的、發(fā)出比較小型的光的發(fā)光器件；“發(fā)光裝置”意指至少具備熒光體和作為其激發(fā)源的發(fā)光光源的、發(fā)出比較大型的光的發(fā)光器件。在本發(fā)明記載為“X Y”(X、Y為任意數(shù)字)的情況下，只要未對(duì)其進(jìn)行特別限定， 其包括“X以上Y以下”的含義，同時(shí)還包括“優(yōu)選大于X”或“優(yōu)選小于Y”的含義。并且，在記載為“X以上”(X為任意數(shù)字)或“Y以下”(Y為任意數(shù)字)的情況下， 旨在包括“優(yōu)選大于X”或“優(yōu)選小于Y”的含義。實(shí)施例下面基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。但并不解釋為將本發(fā)明限定于此。(實(shí)施例1_9)稱量作為起始原料的BaS、SrS、Ga2&及EuS以使得按照表1所示的摩爾比例含有各元素，進(jìn)行混合，采用以Φ 3mm的氧化鋯球作為介質(zhì)的涂料搖擺器進(jìn)行100分鐘的混合。 需要說明的是，表中所示的發(fā)光中心的濃度是堿土金屬M(fèi)的總量為1.00摩爾的情況下的摩爾比例。并且，將所得到的混合物在表1所示的氣氛、溫度、時(shí)間下進(jìn)行燒制。接下來(lái)，將燒制后得到的燒制物利用研磨攪拌機(jī)(日陶科學(xué)社制造的“ALM-360T”)破碎1分鐘，使用網(wǎng)孔140目和440目的篩，回收位于網(wǎng)孔140目的篩下且位于網(wǎng)孔440目的篩上的物質(zhì)，得到熒光體粉末(樣品)。(實(shí)施例10-16)稱量作為起始原料的SrS、CaS、Ga2&&EUS，以使得按照表1所示的摩爾比例含有各元素，進(jìn)行混合，采用以Φ 3mm的氧化鋯球作為介質(zhì)的涂料搖擺器進(jìn)行100分鐘的混合。 需要說明的是，表中所示的發(fā)光中心的濃度是堿土金屬M(fèi)的總量(濃度)為1.00摩爾的情況下的摩爾比例。并且，將所得到的混合物在表1所示的氣氛、溫度、時(shí)間下進(jìn)行燒制。接下來(lái)，將燒制后得到的燒制物利用研磨攪拌機(jī)(日陶科學(xué)社制造的“ALM-360T”)破碎1分鐘，使用網(wǎng)孔140目和440目的篩，回收位于網(wǎng)孔140目的篩下且位于網(wǎng)孔440目的篩上的物質(zhì)，得到熒光體粉末(樣品)。表權(quán)利要求
1.一種熒光體，其為含有含( 和S的斜方晶結(jié)晶的熒光體，該熒光體的特征在于，在所述斜方晶結(jié)晶的使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ =16.0° 18. 0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =23.6° Μ.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0.4以上。
2.如權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，在所述斜方晶結(jié)晶的使用了CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ =33.6° 36.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角 2Θ = 37.5° 39. 5°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0. 7以上。
3.一種熒光體，其為含有含( 和S的斜方晶結(jié)晶的熒光體，該熒光體的特征在于，在所述斜方晶結(jié)晶的使用了 CuKa射線的XRD圖譜中，在衍射角2 θ =33.6° 36. 0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2 θ =37.5° 39. 5°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0.7以上。
4.如權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，所述斜方晶結(jié)晶為含有( 并含有選自Ba、Sr和Ca中的一種或它們中的兩種以上的堿土金屬M(fèi)的硫化物，并且，Ba、 Sr和Ca在堿土金屬M(fèi)中所占的含量比例滿足下式(1)，(1) :M = BaxSr1-PyCay在式(1)中，χ為0以上且0. 6以下，y為0以上且1以下。
5.如權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的熒光體，其特征在于，所述熒光體含有Eu、Ce、Mn 和Sm中的一種或它們中的兩種以上作為活化劑。
全文摘要
本發(fā)明提供熒光體，其被青色LED或近紫外LED所激發(fā)而發(fā)出可見光，可提高內(nèi)量子效率。本發(fā)明提出了一種熒光體，其為含有含Ga和S的斜方晶結(jié)晶的熒光體，該熒光體的特征在于在上述斜方晶結(jié)晶的使用了CuKα射線的XRD圖譜中，在衍射角2θ＝16.0～18.0°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度相對(duì)于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出現(xiàn)的最大峰的衍射強(qiáng)度的比例為0.4以上。
文檔編號(hào)C09K11/62GK102471684SQ201080036249
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者伊東純一, 森中泰三, 篠倉(cāng)明日香 申請(qǐng)人:三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社