專利名稱：蝕刻液組成物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜組成的三重膜的蝕刻液組成物。
背景技術(shù)：
在扁平面板表示裝置中，在印刷電路板上形成金屬配線的過(guò)程通常由通過(guò)濺射形成金屬膜的工序、在金屬膜上涂覆光致抗蝕劑，并使該光致抗蝕劑曝光及顯影，以在挑選的范圍內(nèi)形成光致抗蝕劑的工序、及對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻的工序構(gòu)成。另外，還包括個(gè)別的在單位工序進(jìn)行前或進(jìn)行后進(jìn)行的洗凈工序等。這種蝕刻工序指的是將光致抗蝕劑作為掩膜使用，以在挑選的范圍內(nèi)留下金屬膜的工序。對(duì)于蝕刻工序而言，通常使用的是運(yùn)用等離子等的干蝕刻，或是運(yùn)用蝕刻液的濕蝕刻。一方面，在扁平面板表示裝置中，作為像素電極，主要使用由銦系金屬膜所組成的透明傳導(dǎo)膜。另外，作為源-漏電極，主要使用鋁-鑭系合金膜，也就是Al-La-X(從X =Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Mo、Pt 及 C 中選擇的金屬)形態(tài)的鋁合金膜。另外，在源-漏電極的下部，為了粘接源-漏電極與絕緣膜，作為粘接膜，主要使用含有鈦的金屬膜。一直以來(lái)，為了對(duì)扁平面板表示裝置的像素電極、源-漏電極及接著膜進(jìn)行蝕刻，每個(gè)電極都必須使用不同的蝕刻液組成物。因此，蝕刻工序變得復(fù)雜，不經(jīng)濟(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供一種能夠高效地對(duì)銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜一并進(jìn)行蝕刻的蝕刻液組成物。解決課題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，在該組成物的總重量中，包含過(guò)氧化氫的重量占1% 15%、無(wú)機(jī)酸的重量占0. 1% 10%、含氟化合物的重量占0. 01% 5%和 其余部分的水。優(yōu)選地，本發(fā)明提供一種由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，在該組成物的總重量中，包含過(guò)氧化氫的重量占
2% 12 %、無(wú)機(jī)酸的重量占I % 7 %、含氟化合物的重量占0. I % 2 %和其余部分的水。發(fā)明的效果本發(fā)明中的蝕刻液組成物，對(duì)銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜、及鈦系金屬膜三者都有很好的蝕刻特性。另外，本發(fā)明中的蝕刻液組成物對(duì)鋁-鑭系合金膜有很好的蝕刻特性以使得Al-La系合金膜的上部卷曲等現(xiàn)象不會(huì)發(fā)生，因此，本發(fā)明中的蝕刻液組成物能夠 高效地對(duì)由銦系透明傳導(dǎo)膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜一并進(jìn)行蝕亥IJ。另外，若使用本發(fā)明中的蝕刻液組成物，則會(huì)使蝕刻工序變得非常簡(jiǎn)單，從而使生產(chǎn)量能夠大幅增加。
具體實(shí)施例方式以下，就本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明中的蝕刻液組成物，包含過(guò)氧化氫、無(wú)機(jī)酸、含氟化合物及水。在本發(fā)明中，過(guò)氧化氫起主氧化劑的作用。在組成物的總重量中，所述過(guò)氧化氫的含有量，優(yōu)選地，占重量的1% 15% ;更優(yōu)選地，占重量的2% 12%。若滿足上述范圍，則能夠容易地使銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜的表面氧化。另外，在本發(fā)明中，無(wú)機(jī)酸起輔助氧化劑的作用。在組成物的總重量中，所述無(wú)機(jī) 酸的含有量，優(yōu)選地，占重量的0. 1% 10% ;更優(yōu)選地，占重量的1% 7%。若滿足上述范圍，則能夠與所述過(guò)氧化水一起使銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜的表面更容易地被氧化。另外，還能使對(duì)蝕刻速度、側(cè)面蝕刻及錐度角的調(diào)節(jié)變得容易。所述無(wú)機(jī)酸，并不限定于此，優(yōu)選地為從硝酸、硫酸及其組合中選擇的一種。在本發(fā)明中，含氟化合物起對(duì)銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜、及鈦系金屬膜的表面進(jìn)行蝕刻的作用。所述含氟化合物，在組成物的總重量中，優(yōu)選地，占重量的0. 01% 5%，更優(yōu)選地，占重量的0. I % 2 %。若含有量在上述范圍內(nèi)，則能夠容易且適量地對(duì)氧化的銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜的表面進(jìn)行蝕刻。這時(shí)，所述含氟化合物，優(yōu)選地，是在溶解狀態(tài)能夠分解成氟離子或多原子氟離子 的化合物。例如，所述含氟化合物可以是從由氟化氨、氟化鈉、氟化鉀、重氟化氨、重氟化鈉及重氟化鉀所組成的群中選擇的一種或兩種以上。本發(fā)明中的蝕刻液組成物中所含有的水是指去離子水。所述水如果使用在半導(dǎo)體工序中，優(yōu)選地，要使用18MQ/cm以上的水。對(duì)于組成物的總重量，所述水包含使本發(fā)明中的蝕刻液組成物的總重量到達(dá)100%的其余部分。本發(fā)明中的蝕刻液組成物，除前述的成分外，還可以進(jìn)一步含有其他眾所周知的添加劑，例如從由蝕刻調(diào)節(jié)劑、界面活性劑及PH調(diào)節(jié)劑所組成的群中選擇的一種或兩種以上的添加劑。一方面，在本發(fā)明中，銦系金屬膜是透明導(dǎo)電膜，指的是銦鋅氧化膜(IZO)或銦錫 氧化膜(IT0)。另外，所述鋁-鑭系合金膜，指的是以鋁為主要成分的鋁-鑭合金膜。更詳細(xì)地，所述鋁-鑭系合金膜，指的是含有的鋁原子占90%以上、La原子占10%以下、及包含其余其他金屬(X)的Al-La或Al-La-X。此處，所述其他金屬(X)，優(yōu)選地，為由Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt 及 C 所組成的群中選擇的一種或兩種以上。另外，所述鈦系金屬膜，指的是以鈦為主要成分的鈦膜或鈦合金膜。實(shí)施例以下通過(guò)實(shí)施例及試驗(yàn)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。但是，本發(fā)明的范圍并不限于這些實(shí)施例及試驗(yàn)例。實(shí)施例I 實(shí)施例7及比較例I 比較例6 :蝕刻液組成物的制造按照下列表I中所記載的成分及組成比例制造了 180kg蝕刻液組成物。
表I
權(quán)利要求
1.一種由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，在組成物的總重量中，包含 過(guò)氧化氫的重量占1% 15%、 無(wú)機(jī)酸的重量占0. I % 10%、 含氟化合物的重量占0. 01% 5%、 和其余的水的部分。
2.如權(quán)利要求I所述的由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，在組成物的總重量中，包含 過(guò)氧化氫的重量占2% 12%、 無(wú)機(jī)酸的重量占1% 7%、 含氟化合物的重量占0. 1% 2%、 和其余的水的部分。
3.如權(quán)利要求I所述的由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，所述無(wú)機(jī)酸是從由硝酸、硫酸及其組合所組成的群中選擇的一種。
4.如權(quán)利要求I所述的由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，所述含氟化合物是從由氟化氨、氟化鈉、氟化鉀、重氟化氨、重氟化鈉及重氟化鉀所組成的群中選擇的一種或兩種以上的含氟化合物。
5.如權(quán)利要求I所述的由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物，其特征在于，所述鋁-鑭系合金膜是用含有鋁原子占90%以上、La原子占10%以下及其余是其他金屬(X)的Al-La或Al-La-X表不的招-鑭系合金膜,其中，所述其他金屬(X)是從由 Mg, Zn, In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt 及C所組成的群中選擇的一種或兩種以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種由銦系金屬膜、鋁-鑭系合金膜及鈦系金屬膜所組成的三重膜的蝕刻液組成物。本發(fā)明的蝕刻液組成物，其特征在于，對(duì)于組成物的總重量，包含過(guò)氧化氫的重量占1％～15％、無(wú)機(jī)酸的重量占0.1％～10％、含氟化合物的重量占0.01％～5％和其余的水的部分。
文檔編號(hào)C09K13/08GK102753652SQ201080049723
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者慎蕙驘, 權(quán)五柄, 李喻珍, 李昔準(zhǔn) 申請(qǐng)人:東友Fine-Chem股份有限公司