專利名稱：半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法和半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法和半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中將半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片通過(guò)倒裝芯片接合(倒裝芯片連接的)安裝至基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類倒裝芯片連接中，半導(dǎo)體芯片以其中半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板。在這類半導(dǎo)體器件等中，存在其中半導(dǎo)體芯片的背面受保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1至10)。專利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035專利文獻(xiàn)4 JP-A-2007-250970專利文獻(xiàn)5 JP-A-2007-158026專利文獻(xiàn)6 JP-A-2004-221169專利文獻(xiàn)7 :JP-A-2004-21^88專利文獻(xiàn)8 JP-A-2004-142430專利文獻(xiàn)9 JP-A-2004-072108專利文獻(xiàn)10 JP-A-2004-063551本發(fā)明人研究用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片背面的膜。結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)明了通過(guò)使用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜將膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的方法，其中各自包括層壓于切割帶上的粘合劑層的多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶以預(yù)定間隔層壓于隔離膜上。粘貼粘合劑層的切割帶根據(jù)其要粘貼的半導(dǎo)體晶片的形狀(例如，圓形)預(yù)切割。 粘貼粘合劑層的切割帶當(dāng)將其粘貼至半導(dǎo)體晶片時(shí)從隔離膜剝離。然而，依賴于粘貼粘合劑層的切割帶的物理性質(zhì)和依賴于設(shè)備的條件，發(fā)生粘貼粘合劑層的切割帶不能良好地從隔離膜分離的額外問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題進(jìn)行了本發(fā)明，并且其目的在于提供半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜、所述膜的生產(chǎn)方法和通過(guò)使用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜包括隔離膜和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述粘貼粘合劑層的切割帶各自包含層壓于切割帶上的粘合劑層，所述粘貼粘合劑層的切割帶以預(yù)定間隔層壓在隔離膜上，其中粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離。
本發(fā)明人出于解決本領(lǐng)域中上述問(wèn)題的目的研究半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜。結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)采用以下構(gòu)成時(shí)，則粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離，并完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其包括隔離膜；和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在切割帶上的粘合劑層，所述粘貼粘合劑層的切割帶以粘合劑層粘貼至隔離膜的方式以預(yù)定間隔層壓在隔離膜上，其中所述隔離膜具有沿切割帶的外周形成的切口，和其中切口的深度為不超過(guò)隔離膜厚度的 2/3。根據(jù)上述構(gòu)造，加工隔離膜以具有沿切割帶外周形成的切口。因此，從切口開(kāi)始， 粘貼粘合劑層的切割帶可容易地從隔離膜剝離。由于切口深度(切割深度)為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3，所以當(dāng)粘貼粘合劑層的切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂。結(jié)果，粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離(拾取)。此處，在本說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)"切口"是指隔離膜切割至不超出隔離膜厚度的一定厚度的部分。術(shù)語(yǔ)"切口 “可稱為“凹口(groove)“。另外，本發(fā)明還提供半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在切割帶上的粘合劑層，粘貼粘合劑層的切割帶以粘合劑層粘貼至隔離膜的方式層壓在隔離膜上，和根據(jù)對(duì)應(yīng)于隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，其中將所述隔離膜粘貼的膜從粘貼粘合劑層的切割帶側(cè)切割至不超過(guò)隔離膜厚度的2/3的深度。根據(jù)上述構(gòu)造，當(dāng)隔離膜粘貼的膜根據(jù)對(duì)應(yīng)于該膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割時(shí)，將所述膜從切割帶側(cè)切割至不超過(guò)隔離膜厚度的2/3的深度。結(jié)果，在要生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，加工隔離膜從而具有沿切割帶的外周形成的切口，和切口的深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3。因此，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法要生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，粘貼粘合劑層的切割帶可從切口開(kāi)始容易地從隔離膜剝離。另外，由于切口深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3，所以當(dāng)粘貼粘合劑層的切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂。結(jié)果，粘貼粘合劑層的切割帶可有利地從隔離膜剝離 (拾取)。本發(fā)明還提供通過(guò)使用上述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離隔離膜，和粘貼半導(dǎo)體晶片至粘合劑層上。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法使用上述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其中在隔離膜中形成的切口深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3。因此，當(dāng)粘貼粘合劑層的切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂，和半導(dǎo)體晶片可有利地粘貼至粘合劑層上。本發(fā)明還提供半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其包括隔離膜；和以預(yù)定間隔層壓在隔離膜上多個(gè)切割帶，其中加工隔離膜從而具有沿切割帶的外周形成的切口，和切口的深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3。在上述構(gòu)造中，加工隔離膜從而具有沿切割帶的外周形成的切口。因此，從切口開(kāi)始，切割帶可容易地從隔離膜剝離。另外，由于切口的深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3，所以當(dāng)切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂。結(jié)果，切割帶可有利地從
4隔離膜剝離(拾取)。本發(fā)明還提供半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和層壓在隔離膜上的多個(gè)切割帶，和根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割該膜，其中將該膜從切割帶側(cè)切割至不超過(guò)隔離膜厚度的2/3的深度。在上述構(gòu)造中，當(dāng)根據(jù)對(duì)應(yīng)于隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割該膜時(shí)，將該膜從切割帶側(cè)切割至不超過(guò)隔離膜厚度的2/3的深度。結(jié)果，在要生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，加工隔離膜從而具有沿切割帶的外周形成的切口，和切口深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3。因此，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法要生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，從切口開(kāi)始，切割帶可容易地從隔離膜剝離。另外，由于切口的深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3，所以當(dāng)切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂。結(jié)果，切割帶可有利地從隔離膜剝離(拾取)。本發(fā)明還提供通過(guò)使用上述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離隔離膜，并粘貼半導(dǎo)體晶片至切割帶上。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法使用上述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其中由此在隔離膜中形成的切口深度為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3。因此，當(dāng)切割帶從隔離膜剝離時(shí)防止隔離膜從切口部分(切口)撕裂，和半導(dǎo)體晶片可有利地粘貼至粘合劑層上。


圖IA為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的一個(gè)實(shí)例的橫截面示意圖；和圖IB 為其部分平面圖。圖2A至2D為示出使用本發(fā)明的粘貼粘合劑層的切割帶生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)例的橫截面示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明
1粘貼粘合劑層的切割帶
2粘合劑層
3切割帶
31基材
32壓敏粘合劑層
40半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜
42隔離膜
44切口
33對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的部分
4半導(dǎo)體晶片
5半導(dǎo)體芯片
51形成于半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)壬系耐箟K(Bump)
6被粘物
61粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實(shí)施例方式參考圖IA和IB描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，然而，本發(fā)明并不局限于此。圖IA 是示出該實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的一個(gè)實(shí)例的橫截面示意圖，以及圖IB是其部分平面圖。在本說(shuō)明書(shū)的附圖中，省略對(duì)于說(shuō)明不必要的部分，并且為了易于其說(shuō)明，一些部分被放大或縮小。(半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜)如圖IA和IB所示，將半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40設(shè)計(jì)為在其平面圖中為圓形的粘貼粘合劑層的切割帶1以預(yù)定間隔層壓在長(zhǎng)的隔離膜42上。(粘貼粘合劑層的切割帶)粘貼粘合劑層的切割帶1包括包含基材31和設(shè)置于基材31上的壓敏粘合劑層32 的切割帶3，和設(shè)置于壓敏粘合劑層32上的粘合劑層2。粘合劑層2的直徑與切割帶3的直徑相同，或如圖IB中所示，優(yōu)選小于切割帶3的直徑。粘貼粘合劑層的切割帶1經(jīng)由用作它們之間粘貼面的粘合劑層2層壓在隔離膜42上。從切割帶3側(cè)沿切割帶3的外周加工隔離膜42從而具有深度不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3的切口 44。切口 44的深度優(yōu)選為隔離膜42厚度的1/6至2/3，更優(yōu)選1/3至2/3。加工隔離膜42以具有沿切割帶3的外周的切口 44，由此促進(jìn)粘貼粘合劑層的切割帶1從切口 44開(kāi)始從隔離膜42剝離。由于切口 44的深度為不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3，所以當(dāng)粘貼粘合劑層的切割帶1從隔離膜42剝離時(shí)防止隔離膜42從切口部分(切口)撕裂。結(jié)果，粘貼粘合劑層的切割帶1可有利地從隔離膜42剝離(拾取)。(隔離膜)作為隔離膜42，可用的是例如以下的薄片紙或其它紙類基材；纖維、無(wú)紡布、氈、 網(wǎng)和其它纖維基材；金屬箔、金屬板和其它金屬基材；塑料類基材如塑料膜或片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foams)如發(fā)泡片；及它們的層壓體[尤其是塑料類材料與其它基材的層壓體，塑料膜(或片材)彼此的層壓體]。作為本發(fā)明的基材，優(yōu)選的為塑料類基材如塑料膜或片材。塑料材料包括例如，烯烴類樹(shù)脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、 乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)，交替)共聚物；聚酯類如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺類樹(shù)脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；和氟化樹(shù)脂。隔離膜42可為單層或由兩層以上形成的多層。隔離膜42可根據(jù)已知方法生產(chǎn)。優(yōu)選地，將隔離膜42至少在其粘合劑層2層壓的表面上進(jìn)行剝離處理。剝離處理用脫模劑的實(shí)例包括氟類脫模劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑、硅酮類脫模劑。總之，優(yōu)選硅酮類脫模劑。不特別限制，但隔離膜42的厚度優(yōu)選為3至300 μ m,更優(yōu)選5至200 μ m,甚至更優(yōu)選10至100 μ m。當(dāng)隔離膜42的厚度為至少10 μ m時(shí)，可容易地加工隔離膜42從而具有深度為不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3的切口。
6
(粘合劑層)粘合劑層2具有膜狀。在粘貼粘合劑層的切割帶1或半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40作為產(chǎn)物的實(shí)施方案中，粘合劑層2通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，并且在粘貼粘合劑層的切割帶1粘貼至半導(dǎo)體晶片之后熱固化。優(yōu)選地，粘合劑層至少由熱固性樹(shù)脂形成，更優(yōu)選至少由熱固性樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂形成。當(dāng)粘合劑層至少由熱固性樹(shù)脂形成時(shí)，粘合劑層可以有效地顯示其粘著功能。熱塑性樹(shù)脂的實(shí)例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、 飽和聚酯樹(shù)脂如PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂或氟樹(shù)脂。熱塑性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這些熱塑性樹(shù)脂中，特別優(yōu)選包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹(shù)脂。丙烯酸類樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括含有一種或兩種以上具有含有30個(gè)以下碳原子、優(yōu)選4-18個(gè)碳原子、更優(yōu)選6-10個(gè)碳原子和特別是8或9個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹(shù)脂具有還包括甲基丙烯酸類樹(shù)脂的寬泛含義。所述烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂?；褪送榛?。此外，形成丙烯酸類樹(shù)脂的其它單體(除烷基為具有30個(gè)以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括含羧基的單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體如馬來(lái)酸酐和衣康酸酐；含羥基的單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、 (甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基的單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基團(tuán)的單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯Q-hydroethylacryloyl phosphate) 0在這點(diǎn)上，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/ 或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰基是指丙烯?；?或甲基丙烯?；?，等等，這應(yīng)用于整個(gè)說(shuō)明書(shū)中。此外，除了環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂之外，熱固性樹(shù)脂的實(shí)例還包括，氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂和熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂。熱固性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或以其兩種以上的組合使用。作為熱固性樹(shù)脂，包含僅少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂是合適的。此外，酚醛樹(shù)脂適合用作環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑。環(huán)氧樹(shù)脂不特別限制，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂如雙酚A 型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹(shù)脂，或環(huán)氧樹(shù)脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂。作為環(huán)氧樹(shù)脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂是優(yōu)選的。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)異。另外，上述酚醛樹(shù)脂起到環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑的作用，其實(shí)例包括酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂如苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂；甲階型酚醛樹(shù)脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對(duì)氧苯乙烯。所述酚醛樹(shù)脂可單獨(dú)使用，或以兩種或多種組合使用。在這些酚醛樹(shù)脂中，苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和苯酚芳烷基樹(shù)脂是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)榭筛倪M(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹(shù)脂中的羥基為0. 5至2. 0當(dāng)量，基于每當(dāng)量環(huán)氧樹(shù)脂組分中的環(huán)氧基團(tuán)。更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r(shí)，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹(shù)脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。熱固性樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為粘合劑層中所有樹(shù)脂組分的5重量％至90重量％，更優(yōu)選10重量％至85重量％，甚至更優(yōu)選15重量％至80重量％。當(dāng)含量為5%以上時(shí)，則熱固性收縮量可容易地控制為2體積％以上。另外，在熱固化封裝樹(shù)脂中，粘合劑層可完全地?zé)峁袒源_保粘附和固定至半導(dǎo)體元件背面，從而給出沒(méi)有剝離失敗的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。另一方面，當(dāng)含量為90重量％以下時(shí)，則可防止包裝(PKG，倒裝芯片型半導(dǎo)體器件) 翹曲。用于環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的熱固化促進(jìn)催化劑沒(méi)有特別限定，可適當(dāng)選自已知的熱固化促進(jìn)催化劑。熱固化促進(jìn)催化劑可單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如，可使用胺類固化促進(jìn)催化劑、磷類固化促進(jìn)催化劑、咪唑類固化促進(jìn)催化劑、硼類固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類固化促進(jìn)催化劑。粘合劑層特別適合由含有環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物或含有環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和丙烯酸類樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。由于這些樹(shù)脂僅包含少量離子性雜質(zhì)并且具有高耐熱性，所以能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。重要的是粘合劑層具有對(duì)于半導(dǎo)體晶片背面(非電路形成面)的粘合性(緊密粘合性)。粘合劑層可例如由包含環(huán)氧樹(shù)脂作為熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成。在粘合劑層預(yù)先固化至一定程度的情況下，在其制備時(shí)，優(yōu)選添加能夠與在聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高在高溫下的粘合特性并且可以實(shí)現(xiàn)膜的耐熱性的改進(jìn)。粘合劑層對(duì)于半導(dǎo)體晶片的粘合力(23°C、剝離角度為180°、剝離速率為300_/ 分鐘)優(yōu)選在0. 5N/20mm至15N/20mm、更優(yōu)選0. 7N/20mm至10N/20mm的范圍內(nèi)。當(dāng)粘合力為至少0. 5N/20mm時(shí)，則可將粘合劑層以優(yōu)良粘合性地粘附至半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件， 并且不存在膜鼓起等粘合失敗。另外，在切割半導(dǎo)體晶片中，可防止芯片飛出。另一方面， 當(dāng)粘合力為不超過(guò)15N/20mm時(shí)，則其促進(jìn)從切割帶的剝離。交聯(lián)劑不特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。交聯(lián)劑可單獨(dú)或以兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實(shí)例包括 N, N, N' , N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及還有在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹(shù)脂。交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的使用量為通常7重量份以下(例如0. 05至7重量份)，基于100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的聚合物)。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分大于 7重量份時(shí)，粘合力降低，因此不優(yōu)選該情況。從改進(jìn)內(nèi)聚力的觀點(diǎn)，交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分優(yōu)選為0. 05重量份以上。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑的使用一起，也可以通過(guò)用電子束或紫外線等照射進(jìn)行交聯(lián)處理。優(yōu)選將粘合劑層著色。由此，能夠顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識(shí)性和優(yōu)良的外觀性，且變得能夠使半導(dǎo)體器件具有增值的外觀性。如上所述，由于著色的粘合劑層具有優(yōu)良的標(biāo)識(shí)性， 可借助于利用任何各種標(biāo)識(shí)方法如印刷法和激光標(biāo)識(shí)法通過(guò)粘合劑層進(jìn)行標(biāo)識(shí)以將各種信息如文字信息和圖形信息賦予到半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)的面上。特別地，通過(guò)控制著色的顏色，可以觀察通過(guò)優(yōu)良可視性標(biāo)識(shí)而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。此外，當(dāng)將粘合劑層著色時(shí)，切割帶和粘合劑層可容易地彼此區(qū)分，因而可提高加工性等。另外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過(guò)使用不同的顏色分類其產(chǎn)物。在將粘合劑層著色的情況(該粘合劑層既不是無(wú)色的也不是透明的情況)下，通過(guò)著色顯示的顏色沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選暗色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是特別適合的。在本實(shí)施方案中，暗色主要指具有60以下(0至60)、優(yōu)選50以下(0至50)、更優(yōu)選40以下(0至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點(diǎn)上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，f和b*兩者均優(yōu)選在-10至10，更優(yōu)選-5至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本實(shí)施方案中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ a*和b*可通過(guò)用色差計(jì)(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計(jì))的測(cè)量來(lái)確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在粘合劑層著色時(shí)，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為此類著色劑， 可適當(dāng)使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這點(diǎn)上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽(yáng)離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)使用染料作為著色劑時(shí)，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^(guò)溶解于粘合劑層中而均勻地或幾乎均勻地分散的狀態(tài)，因此可容易地生產(chǎn)具有均勻的或幾乎均勻的著色濃度的粘合劑層(結(jié)果，粘貼粘合劑層的切割帶)。因此，當(dāng)使用染料作為著色劑時(shí)，在粘貼粘合劑層的切割帶中的粘合劑層可具有均勻地或幾乎均勻的著色濃度，并可提高標(biāo)識(shí)性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，例如，可適當(dāng)選自無(wú)機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為混合青色著色劑(藍(lán)-綠色著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫色著色劑)和黃色著色劑(黃色著色劑)的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。當(dāng)然，黑色著色劑可與除黑色之外顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實(shí)例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、 活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機(jī)黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，也可利用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名〃 Oil Black BY"、商品名〃 Oil Black BS 〃、商品名〃 Oil Black HBB “、商品名“Oil Black803 “、商品名“Oil Black 860〃、商品名〃 Oil Black 5970〃、商品名〃 Oil Black 5906〃、商品名〃 Oil Black 5905"(由 Orient ChemicalIndustries Co.，Ltd.制造)等是商購(gòu)可得的。除了黑色著色劑的其它著色劑的實(shí)例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實(shí)例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性藍(lán)6和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ;C. I.甕藍(lán) 4、60 ;C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實(shí)例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對(duì)、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、 32、34、35、36、37、38、39、40 ；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實(shí)例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
1010、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、 33、36、38、43、50 ；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實(shí)例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這點(diǎn)上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑中的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒(méi)有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類和目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。在將粘合劑層2著色的情況下，著色形式?jīng)]有特別限定。粘合劑層可為例如添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可為至少層壓至少由熱固性樹(shù)脂形成的樹(shù)脂層與著色劑層的層壓膜。在這點(diǎn)上，在粘合劑層2為樹(shù)脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，層壓形式中的粘合劑層2優(yōu)選具有樹(shù)脂層/著色劑層/樹(shù)脂層的層壓形式。在該情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩層樹(shù)脂層可為具有相同組成的樹(shù)脂層或可為具有不同組成的樹(shù)脂層。向粘合劑層2中，根據(jù)需要可適當(dāng)共混其它添加劑。其它添加劑的實(shí)例除了填料、 阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意的無(wú)機(jī)填料和有機(jī)填料，但無(wú)機(jī)填料是合適的。通過(guò)共混填料如無(wú)機(jī)填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予粘合劑層以導(dǎo)電性、改進(jìn)導(dǎo)熱性和控制彈性模量等。在這點(diǎn)上，粘合劑層2可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無(wú)機(jī)填料的實(shí)例包括由以下組成的各種無(wú)機(jī)粉末二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷如碳化硅和氮化硅、金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔凝硅石(fused silica)。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1 μ m-80 μ m的范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑可通過(guò)激光衍射型粒徑分布測(cè)量設(shè)備來(lái)測(cè)量。填料(特別地，無(wú)機(jī)填料)的共混量?jī)?yōu)選為80重量份以下(0重量份-80重量份)， 更優(yōu)選為0重量份-70重量份，基于100重量份有機(jī)樹(shù)脂組分。阻燃劑的實(shí)例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹(shù)脂。阻燃劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括β-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。離子捕集劑的實(shí)例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。粘合劑層2例如可通過(guò)利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹(shù)脂例如環(huán)氧樹(shù)脂和如果必要的熱塑性樹(shù)脂如丙烯酸類樹(shù)脂以及任選的溶劑和其它添加劑混合從而制備樹(shù)脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為粘合劑層的膜狀層(粘合劑層)例如能夠通過(guò)以下方法形成包括將樹(shù)脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；包括將樹(shù)脂組合物施涂至適當(dāng)?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹(shù)脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等等。在這點(diǎn)上，樹(shù)脂組合物可為溶液或分散液。此外，在粘合劑層2由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下， 在將所述膜施用至半導(dǎo)體晶片之前的階段，粘合劑層處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將其施用至半導(dǎo)體晶片之后(具體地，通常，在當(dāng)包封材料在倒裝芯片接合步驟中固化時(shí))，粘合劑層中的熱固性樹(shù)脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)膜包含熱固性樹(shù)脂時(shí)，粘合劑層也處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)，因此粘合劑層的凝膠分?jǐn)?shù)沒(méi)有特別限定，但例如在50重量％以下 (0-50重量％)的范圍內(nèi)合適地選擇，并優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％)，特別優(yōu)選10 重量％以下(0-10重量％)。粘合劑層的凝膠分?jǐn)?shù)可通過(guò)以下測(cè)量方法測(cè)量。<凝膠分?jǐn)?shù)測(cè)量方法>從粘合劑層中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片材 (mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片材中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時(shí)，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達(dá)式(a)計(jì)算凝膠分?jǐn)?shù)(重量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％) = {(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)}X100 (a)粘合劑層的凝膠分?jǐn)?shù)能夠通過(guò)樹(shù)脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及除此之外的加熱溫度和加熱時(shí)間等來(lái)控制。在本發(fā)明中，在粘合劑層為由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地顯示對(duì)半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中使用切割水，粘合劑層吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當(dāng)在仍維持此類高水分含量下進(jìn)行倒裝芯片接合時(shí)，水蒸氣殘留在粘合劑層和半導(dǎo)體晶片或其加工體(半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，通過(guò)構(gòu)成粘合劑層為將具有高透濕性的芯材料設(shè)置于其各表面上的構(gòu)造，水蒸氣擴(kuò)散，由此可以避免此類問(wèn)題。從該觀點(diǎn)，其中粘合劑層形成于芯材料的一面或兩面的多層結(jié)構(gòu)可用作粘合劑層。芯材料的實(shí)例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂基板、硅基板和玻璃基板。粘合劑層2的厚度(在層壓膜的情況下為總厚度)不特別限制，但例如可適當(dāng)選自約2 μ m-200 μ m的范圍。另外，該厚度優(yōu)選約4 μ m-160 μ m,更優(yōu)選約6 μ m-100 μ m和特別優(yōu)選約10 μ m-80 μ m。粘合劑層2在23°C下的未固化狀態(tài)時(shí)的拉伸貯能彈性模量?jī)?yōu)選為IGPa以上(例如，lGPa-50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地3GPa以上是適合的。當(dāng)該拉伸貯能彈性模量為 Kffa以上時(shí)，當(dāng)在將半導(dǎo)體芯片與粘合劑層2 —起從切割帶的壓敏粘合劑層32剝離之后將粘合劑層2放置在支承體上并進(jìn)行輸送等時(shí)，能夠有效地抑制或防止粘合劑層粘貼至支承體。在這點(diǎn)上，支承體例如為載帶(carrier tape)中的頂帶和底帶等。如上所述，在粘合劑層2由包含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，熱固性樹(shù)脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此粘合劑層在23°C下的拉伸貯能彈性模量為處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)的23°C下的拉伸貯能彈性模量。此處，粘合劑層2可為單層或?qū)訅憾鄬拥膶訅耗?。在層壓膜的情況下，作為整個(gè)層壓膜的拉伸貯能彈性模量為充分的IGPa以上(例如，lGPa-50GPa)。此外，處于未固化狀態(tài)的粘合劑層的拉伸貯能彈性模量(23°C )可通過(guò)適當(dāng)設(shè)定樹(shù)脂組分(熱塑性樹(shù)脂和/或熱固性樹(shù)脂)的種類和含量或填料如二氧化硅填料的種類和含量來(lái)控制。在粘合劑層2為層壓多層的層壓膜的情況下(粘合劑層具有層壓層形式的情況下)，作為層壓層形式，例如， 可示例由晶片粘合劑層和激光標(biāo)識(shí)層構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合劑層和激光標(biāo)識(shí)層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補(bǔ)強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、 壓敏粘合劑層等)。在這點(diǎn)上，晶片粘合劑層為顯示對(duì)晶片優(yōu)良的緊密粘合性(粘合性質(zhì)) 的層和與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)識(shí)層為顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識(shí)性的層和在半導(dǎo)體芯片背面上激光標(biāo)識(shí)時(shí)利用的層。拉伸貯能彈性模量通過(guò)如下測(cè)定制備沒(méi)有層壓至切割帶3上的處于未固化狀態(tài)的粘合劑層2，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，在規(guī)定溫度(23°C )下，在氮?dú)鈿夥障?，在樣品寬度?0mm、樣品長(zhǎng)度為 22. 5mm、樣品厚度為0. 2mm、頻率IHz和升溫速率為10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將該測(cè)量的彈性模量作為所得拉伸貯能彈性模量的值。此外，在粘合劑層2中對(duì)于可見(jiàn)光的透光率(可見(jiàn)光透過(guò)率，波長(zhǎng)400至800nm) 不特別限制，但是，例如，優(yōu)選在20%以下(0至20% )，更優(yōu)選10%以下(0至10% )，特別優(yōu)選5%以下(0至5%)的范圍內(nèi)。當(dāng)粘合劑層2具有大于20%的可見(jiàn)光透過(guò)率時(shí)，存在光的透過(guò)率可能不利地影響半導(dǎo)體元件的顧慮?？梢?jiàn)光透過(guò)率(％)能夠通過(guò)粘合劑層2 的樹(shù)脂組分的種類和含量、著色劑(例如顏料或染料)的種類和含量，和無(wú)機(jī)填料的含量等來(lái)控制。粘合劑層2的可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )可如下測(cè)定。即，制備本身具有厚度(平均厚度) 為20 μ m的粘合劑層2。然后，將粘合劑層2用具有波長(zhǎng)為400至SOOnm的可見(jiàn)光在規(guī)定強(qiáng)度下照射[設(shè)備由Siimadzu Corporation制造的可見(jiàn)光產(chǎn)生設(shè)備[商品名‘‘ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"]]，并測(cè)量透過(guò)的可見(jiàn)光的強(qiáng)度。此外，可基于可見(jiàn)光透過(guò)粘合劑層 2前后的強(qiáng)度變化來(lái)確定可見(jiàn)光透過(guò)率(％)。在這點(diǎn)上，也可以從厚度不是20 μ m的粘合劑層2的可見(jiàn)光透過(guò)率波長(zhǎng)400至SOOnm)的值推導(dǎo)出厚度為20 μ m的粘合劑層2的可見(jiàn)光透過(guò)率(％ ；波長(zhǎng)400至SOOnm)。在本發(fā)明中，在厚度為20 μ m的粘合劑層2的情況下測(cè)定可見(jiàn)光透過(guò)率(％)，但根據(jù)本發(fā)明的粘合劑層不限于厚度為20μπι的粘合劑層。此外，作為粘合劑層2，更優(yōu)選具有較低吸濕度的粘合劑層。具體地，吸濕度優(yōu)選 1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過(guò)將吸濕度調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止半粘合劑層2和半導(dǎo)體元件之間空隙的產(chǎn)生。吸濕度為由將粘合劑層2在溫度85°C和濕度85% RH的環(huán)境下靜置 168小時(shí)前后的重量變化計(jì)算的值。在粘合劑層2由包含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，吸濕度是指當(dāng)將熱固化后的粘合劑層在溫度85°C和濕度85% RH的環(huán)境下靜置168 小時(shí)時(shí)獲得的值。此外，吸濕度例如可通過(guò)改變無(wú)機(jī)填料的添加量來(lái)調(diào)整。
此外，作為粘合劑層2，更優(yōu)選具有較小比例的揮發(fā)性物質(zhì)的粘合劑層。具體地，熱處理后粘合劑層2的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。熱處理的條件為加熱溫度為250°C，加熱時(shí)間為1小時(shí)。通過(guò)將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率例如可通過(guò)添加能夠在無(wú)鉛焊料再流時(shí)減少裂紋產(chǎn)生的無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)調(diào)整。在粘合劑層2由包含熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)將熱固化后的粘合劑層在溫度250°C和加熱時(shí)間為1小時(shí)的條件下加熱時(shí)獲得的值。(切割帶)切割帶3包括基材31和形成于基材31上的壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3充分具有層壓基材31和壓敏粘合劑層32的構(gòu)造。基材(支承基材)可用作壓敏粘合劑層等的支承材料。基材31優(yōu)選具有放射線透過(guò)性。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無(wú)紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體 [特別地，塑料基材與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中， 作為基材，可適合使用塑料基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實(shí)例包括烯烴類樹(shù)脂 (olefinic resins)如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)； 聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺類樹(shù)脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；和氟化樹(shù)脂。此外，用于基材31的材料包括聚合物如前述樹(shù)脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用或者需要時(shí)可在進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過(guò)拉伸處理等賦予熱收縮性的樹(shù)脂片，在切割后通過(guò)基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和粘合劑層2之間的粘合面積，因而能夠使半導(dǎo)體芯片的回收容易。為了提高與鄰接層的緊密粘合性和保持性等，可在基材31的表面上實(shí)施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露(ozone exposure)、火焰暴露 (flame exposure)、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(undercoating agent) 例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì)的涂布處理。作為基材31，可適當(dāng)選擇和使用相同種類或不同種類的材料，需要時(shí)，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的厚度為約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層?；?1可為單層或其兩層以上的多層。基材31的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限定，可依賴于強(qiáng)度、撓性及預(yù)期的用途等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為IOOOym以下(例如Iym至ΙΟΟΟμπι)，優(yōu)選10 μ m至500 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m，特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m，但不限于此。
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此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層32由壓敏粘合劑形成并具有壓敏粘合性。該壓敏粘合劑沒(méi)有特別限定，可在已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，例如，具有上述特性的壓敏粘合劑可在例如以下的已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇并在本文使用丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑，和其中將具有約200°C以下熔點(diǎn)的熱熔融性樹(shù)脂混入上述壓敏粘合劑中制備的蠕變特性改進(jìn)的壓敏粘合劑(參見(jiàn)例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、 JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，通過(guò)參考并入本文)。作為壓敏粘合劑，此處也可使用照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)和熱膨脹性壓敏粘合劑。此類壓敏粘合劑可單獨(dú)或多種組合使用。作為壓敏粘合劑，此處優(yōu)選使用的是丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘合劑， 更優(yōu)選丙烯酸類壓敏粘合劑。丙烯酸類壓敏粘合劑包括將一種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)用作基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。在上述丙烯酸類壓敏粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯的實(shí)例包括例如，(甲基) 丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基) 丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基) 丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、 (甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、 (甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選其中烷基具有4至18個(gè)碳原子的(甲基)丙烯酸烷基酯。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可為直鏈或支鏈的。為了改善其內(nèi)聚力、耐熱性及交聯(lián)性的目的，如果需要，上述丙烯酸類聚合物可包含與上述(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚的任何其它單體組分(共聚性單體組分)對(duì)應(yīng)的單元。該共聚性單體組分包括例如，含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、 丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸；含酸酐基團(tuán)的單體如馬來(lái)酸酐、衣康酸酐；含羥基的單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基) 丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基團(tuán)單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基) 丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團(tuán)的單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯； (N-取代的)酰胺類單體如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯類單體如丙烯腈和甲基丙烯腈；含環(huán)氧基的丙烯酸類單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯、α -甲基苯乙烯；乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯、異丁烯；乙烯基醚類單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、 乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基碳酰胺、N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來(lái)酰亞胺類單體如 N-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、N-異丙基馬來(lái)酰亞胺、N-月桂基馬來(lái)酰亞胺、N-苯基馬來(lái)酰亞胺； 衣康酰亞胺類單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺； 琥珀酰亞胺類單體如Ν-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基)丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯單體(acryl glycolate monomer)如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)、甲氧基聚丙二酉享(甲基)丙烯酸酉旨(methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、鹵原子或硅原子等的丙烯酸酯類單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluoro (meth) acrylate)、含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、 二(甲基)丙烯酸己酯等。此處這些共聚性單體組分可單獨(dú)或多種組合使用。在本發(fā)明中可使用的照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑) (組合物)包括例如，其中包括在聚合物側(cè)鏈、主鏈或主鏈末端處具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部照射固化型壓敏粘合劑，和通過(guò)將UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中制備的照射固化型壓敏粘合劑。此處還可使用的熱膨脹性壓敏粘合劑包括例如，包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別地，熱膨脹性微球)的熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層32可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。交聯(lián)劑沒(méi)有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。 交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。此外，交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限定。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二
16甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“COLONATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co. , Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實(shí)例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹(shù)脂。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，壓敏粘合劑層也可以通過(guò)用電子束或紫外線照射交聯(lián)處理。壓敏粘合劑層32例如可通過(guò)利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑，然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，例如，可提及以下方法 包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材31上的方法；包括施涂上述混合物至適當(dāng)隔離體(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移 (轉(zhuǎn)換)至基材31上的方法；等等。壓敏粘合劑層32的厚度沒(méi)有特別限定，例如，優(yōu)選為約5 μ m至300 μ m，更優(yōu)選 5 μ m至200 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選5 μ m至100 μ m，特別優(yōu)選7 μ m至50 μ m。當(dāng)壓敏粘合劑層32 的厚度在上述范圍內(nèi)時(shí)，能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭?。壓敏粘合劑層可為單層或多層。切割?的壓敏粘合劑層32對(duì)粘合劑層2的粘合力(23°C、剝離角度為180°和剝離速率為300mm/分鐘)優(yōu)選在0. 02N/20mm至10N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm 至5N/20mm的范圍內(nèi)。當(dāng)該粘合力為至少0. 02N/20mm時(shí)，則在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)可防止半導(dǎo)體芯片飛散。另一方面，當(dāng)該粘合力為不超過(guò)10N/20mm時(shí)，則在拾取它們時(shí)其促進(jìn)半導(dǎo)體芯片的拾取，并防止壓敏粘合劑殘留。此外，在本發(fā)明中，可使粘合劑層2或粘貼粘合劑層的切割帶1具有抗靜電功能。 由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌亩搪酚捎谠谄湔澈蠒r(shí)和在剝離時(shí)靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過(guò)靜電能而帶電。賦予抗靜電功能可通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn)行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32和粘合劑層2的方法， 或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(charge-transfer complex)或金屬膜等組成的導(dǎo)電層的方法。作為這些方法，優(yōu)選其中難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進(jìn)導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實(shí)例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐巍⑨樞位虮∑谓饘俜勰?；金屬氧化物如氧化鋁；無(wú)定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點(diǎn)，粘合劑層2優(yōu)選非導(dǎo)電性的。此外，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。在這點(diǎn)上，處于卷繞成卷形物的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40可由基材31、在基材31的一個(gè)表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑
17層32上形成的粘合劑層2，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，粘貼粘合劑層的切割帶1的厚度(粘合劑層的厚度以及包括基材31和壓敏粘合劑層32的切割帶的厚度的總厚度)可選自例如8 μ m至1，500 μ m的范圍內(nèi)，其優(yōu)選 20 μ m至850 μ m、更優(yōu)選31 μ m至500 μ m、特別優(yōu)選47 μ m至330 μ m的范圍內(nèi)。粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比沒(méi)有具體限定。 例如，該比例可在(粘合劑層2的厚度/切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度)=150/5至 3/100、優(yōu)選100/5至3/50、更優(yōu)選60/5至3/40的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。當(dāng)粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比例為至少3/100時(shí)，則能夠防止兩者之間的粘合力過(guò)高。另一方面，當(dāng)該比例為不超過(guò)150/5時(shí)，則可防止粘合力過(guò)低。粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶3的厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)的比例沒(méi)有具體限定。例如，該比例可在(粘合劑層2的厚度)/(切割帶3的厚度)= 150/50至3/500、優(yōu)選100/50至3/300、更優(yōu)選60/50至3/150的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。當(dāng)粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶3的厚度的比例為至少3/500時(shí)，則其有利于該帶的拾取。另一方面，當(dāng)該比例為不超過(guò)150/50時(shí)，則防止切割時(shí)側(cè)面殘余物(side residue)的增加。在這點(diǎn)上，通過(guò)控制粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比例或粘合劑層2的厚度相對(duì)于切割帶的厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度) 的比例，在切割步驟的切割性和在拾取步驟的拾取性等能夠得到改進(jìn)，并且由此從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效地利用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜。(半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法)使用示于圖IA和IB的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40為例描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法。該實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的生產(chǎn)方法包括以下步驟 隔離膜粘貼的膜的制備步驟，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜42和粘貼粘合劑層的切割帶1，所述粘貼粘合劑層的切割帶1各自包含切割帶3和層壓于切割帶3上的粘合劑層2， 并且切割帶3經(jīng)由用作粘貼面的粘合劑層2層壓于隔離膜42上；和根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割隔離膜粘貼的膜的步驟。在該方法中，從切割帶3側(cè)將所述膜切割為不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3的深度。首先，基材31可通過(guò)常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實(shí)例包括壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-膜擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31，并在其上干燥(任選地，在加熱下交聯(lián))以形成壓敏粘合劑層32。施涂體系包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布 (gravure coating)等。壓敏粘合劑層組合物可直接施涂至基材31以在基材31上形成壓敏粘合劑層32 ；或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已潤(rùn)滑處理的剝離片材等上以在其上形成壓敏粘合劑層32，并可將壓敏粘合劑層32轉(zhuǎn)移至基材31上。于是，切割帶3使壓敏粘合劑層32形成于基材31上來(lái)形成。另一方面，將用于形成粘合劑層2的形成材料施涂至剝離片材上以形成在干燥后具有規(guī)定厚度的涂層，然后在規(guī)定條件下(在需要熱固化的情況下任選加熱，和干燥)將其干燥以形成涂層。隨后，在規(guī)定條件下干燥涂層由此形成粘合劑層2。接著，粘合劑層2根據(jù)要粘貼于其上的半導(dǎo)體晶片的形狀沖切(blanked out)出來(lái)，然后粘貼至切割帶3。隨后，將其經(jīng)由用作粘貼面的粘合劑層2層壓于隔離膜42上，由此給出隔離膜粘貼的膜。隔離膜42可根據(jù)已知的成膜方法生產(chǎn)。成膜方法包括例如，壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-膜擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割隔離膜粘貼的膜。在該步驟中，從切割帶3側(cè)將所述膜切割至不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3的深度(參見(jiàn)圖1B)。 在此，獲得半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40，其中隔離膜42圍繞切割帶3的外周切割并且切口的深度為不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3。不沖切，粘合劑層2可原樣直接粘貼至切割帶3，然后仍然原樣直接層壓在隔離膜上，其后，隔離膜粘貼的膜可根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割。在此情況下，切割粘合劑層2和切割帶3，同時(shí)形成切口 44。形成切口的方法不具體限定。例如，此處可采用的為使用旋轉(zhuǎn)體(rotary)的方法、使用沖切刀(例如，湯姆森刀(Thomson blade))的方法、激光加工法?？傊?，由于增加要形成的切口深度的精確度水平，旋轉(zhuǎn)體是有利的。在使用沖切刀的情況下，優(yōu)選地，在刀內(nèi)部和/或外部設(shè)置間隔體(spacer)。在此，可增加要形成的切口深度的精確度水平。此外，迄今，在隔離膜僅用沖切刀切割的場(chǎng)合下，精確度低，并且在一些情況下，可經(jīng)常形成具有大于隔離膜厚度2/3的深度的切口。與此相反，在其它一些情況下刀不能到達(dá)隔離膜，并且也不能切割切割帶。然而，當(dāng)使用旋轉(zhuǎn)體時(shí)或當(dāng)在刀內(nèi)部和/或外部設(shè)置隔離膜時(shí)，則可增加要形成的切口深度的精確度水平。(半導(dǎo)體晶片)半導(dǎo)體晶片不特別限制，只要其為已知的或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)該實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法參考圖2A至2D描述。圖2A至2D為示出使用該實(shí)施方案的粘貼粘合劑層的切割帶的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的一個(gè)實(shí)例的橫截面示意圖。在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法中，使用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40以生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。具體地，該方法至少包括將隔離膜42從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40剝離的步驟和粘貼半導(dǎo)體晶片至粘合劑層2的步驟。首先，制備如圖IA和圖IB所示的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40，并將隔離膜42從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40剝離。如上所述，在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40中，處理隔離膜42以具有形成于其中的切口，并且隔離膜42的切口深度為不超過(guò)隔離膜42厚度的2/3。因此，當(dāng)隔離膜42從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40剝離時(shí)，防止隔離膜42從其切口撕裂。剝離速率可為1 至 IOOmm/ 秒。[安裝步驟]如圖2A所示，將半導(dǎo)體晶片4粘貼至粘貼粘合劑層的切割帶1的粘合劑層2上， 并通過(guò)粘合固定于其上(安裝步驟)。此時(shí)，粘合劑層2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。將粘貼粘合劑層的切割帶1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指相對(duì)于電路面的面(也稱作非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法不特別限定，但是優(yōu)選通過(guò)壓接的方法。通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時(shí)進(jìn)行壓接。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個(gè)體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。所述切割根據(jù)常規(guī)方法例如，從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。另外，本步驟可采取例如形成達(dá)到粘貼粘合劑層的切割帶1的切口的稱作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設(shè)備沒(méi)有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過(guò)具有粘合劑層2的粘貼粘合劑層的切割帶1粘合并固定，可抑制芯片破裂和切屑飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。在這點(diǎn)上，當(dāng)粘合劑層 2由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，即使當(dāng)將其通過(guò)切割切斷時(shí)，也能夠抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連 (blocking))，從而可進(jìn)一步方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。在擴(kuò)展粘貼粘合劑層的切割帶1的情況下，擴(kuò)展(expansion)可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動(dòng)粘貼粘合劑層的切割帶1向下通過(guò)切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐粘貼粘合劑層的切割帶的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過(guò)彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至粘貼粘合劑層的切割帶1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取以將半導(dǎo)體芯片5與粘合劑層2 —起從切割帶3剝離。拾取方法沒(méi)有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從粘貼粘合劑層的切割帶1的基材31側(cè)向上推動(dòng)各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點(diǎn)上，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用粘合劑層2保護(hù)。(倒裝芯片連接步驟)如圖2D所示，拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物6如基板。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對(duì)的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。 例如，使在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料61，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片 5和被粘物6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上(倒裝芯片接合步驟)。此時(shí)，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙并且間隙之間的距離通常為約30 μ m 至300 μ m。在這點(diǎn)上，在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)至被粘物6之后， 重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對(duì)面以及間隙洗滌，然后將封裝材料(如封裝樹(shù)脂)填充入該間隙中以進(jìn)行封裝。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜](méi)有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實(shí)例包括環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊和導(dǎo)電性材料的材料沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括焊料(合金)如錫-鉛類金屬材料、錫-銀類金屬材料、錫-銀-銅類金屬材料、錫-鋅類金
20屬材料和錫-鋅-鉍類金屬材料，以及金類金屬材料和銅類金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)鹊耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時(shí)的溫度通常為約沈01(例如，250°C至300°C )。通過(guò)形成具有環(huán)氧樹(shù)脂等的粘合劑層，可使本發(fā)明的粘貼粘合劑層的切割帶具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對(duì)面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時(shí)使用的洗滌液沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括有機(jī)洗滌液和水性洗滌液。在本發(fā)明的粘貼粘合劑層的切割帶中的粘合劑層具有對(duì)洗滌液的耐溶劑性，并且對(duì)這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過(guò)任何常規(guī)方法而無(wú)需任何特別的洗滌液實(shí)現(xiàn)該洗滌。接著，進(jìn)行封裝步驟以封裝在倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。封裝步驟使用封裝樹(shù)脂進(jìn)行。在此時(shí)的封裝條件不特別限定，但是封裝樹(shù)脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C 的溫度下進(jìn)行幾分鐘。通過(guò)在該步驟中的熱處理，不僅封裝樹(shù)脂固化而且粘合劑層2也與此同時(shí)熱固化。因此，封裝樹(shù)脂和粘合劑層2 二者都固化并隨著熱固化的過(guò)程收縮。結(jié)果， 通過(guò)粘合劑層2的固化收縮可消除或松弛由于封裝樹(shù)脂的固化收縮給予半導(dǎo)體芯片5的應(yīng)力。此外，在該步驟中，粘合劑層2可完全或幾乎完全地?zé)峁袒⒖蓛?yōu)異地緊密粘合性地粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。此外，即使當(dāng)所述膜處于未固化狀態(tài)時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的粘合劑層2 也可與封裝步驟中的封裝樹(shù)脂一起熱固化，因此不需要新添加用于熱固化粘合劑層2的步馬聚ο封裝樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)即可，可在已知的封裝材料如封裝樹(shù)脂中適當(dāng)選擇和使用。封裝樹(shù)脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹(shù)脂。封裝樹(shù)脂的實(shí)例包括含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物組成的封裝樹(shù)脂，除了環(huán)氧樹(shù)脂之外，還可包含除了環(huán)氧樹(shù)脂之外的熱固性樹(shù)脂(如酚醛樹(shù)脂)或熱塑性樹(shù)脂。此外，也可利用酚醛樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂用固化劑，作為該酚醛樹(shù)脂，可提及以上示例的酚醛樹(shù)脂。上述實(shí)施方案包括含層壓在切割帶上的粘合劑層的粘貼粘合劑層的切割帶，并且包括用隔離膜層壓的粘貼粘合劑層的切割帶的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜。然而，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，可不層壓粘合劑層。具體地，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜可包括隔離膜和多個(gè)以預(yù)定間隔層壓于隔離膜上的切割帶。在此情況下，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法包括以下步驟隔離膜粘貼的膜的制備步驟，所述隔離膜粘貼的膜包括層壓于隔離膜上的切割帶；根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割隔離膜粘貼的膜的步驟，其中從切割帶側(cè)切割所述膜為不超過(guò)隔離膜厚度的2/3的深度。通過(guò)使用其中將切割帶以預(yù)定間隔層壓于隔離膜上的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，可至少包括從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離隔離膜的步驟和粘貼半導(dǎo)體晶片至切割帶的步驟。粘貼半導(dǎo)體晶片至切割帶的步驟可伴隨著例如，切割半導(dǎo)體晶片的步驟、拾取通過(guò)切割獲得的半導(dǎo)體芯片的步驟和倒裝芯片接合半導(dǎo)體芯片至被粘物的步驟，由此生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。根據(jù)使用粘貼粘合劑層的切割帶1制造的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將粘合劑層粘貼至半導(dǎo)體芯片背面上，由此可以以優(yōu)良的可見(jiàn)度實(shí)施激光標(biāo)識(shí)。特別
21地，即使當(dāng)標(biāo)識(shí)方法為激光標(biāo)識(shí)法時(shí)，激光標(biāo)識(shí)也能夠以優(yōu)良的對(duì)比度實(shí)施，并且可以觀察通過(guò)具有良好可見(jiàn)度地激光標(biāo)識(shí)實(shí)施的各種信息(例如，文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識(shí)時(shí)，可利用已知的激光標(biāo)識(shí)設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、 固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒(méi)有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl 激光器、XeF激光器等)是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒(méi)有特別限定，但YAG激光器(如Nd: YAG激光器)和YVO4激光器是合適的。由于使用本發(fā)明的粘貼粘合劑層的切割帶生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過(guò)倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過(guò)模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動(dòng)電話”和“PHS”，小型計(jì)算機(jī)[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)”，所謂的“Net Book(商標(biāo))”和所謂的“可穿戴計(jì)算機(jī)”等]，具有“移動(dòng)電話”和計(jì)算機(jī)集成形式的小型電子器件，所謂的“Digital Camera(商標(biāo))”，所謂的“數(shù)碼攝像機(jī)”，小型電視機(jī)，小尺寸游戲機(jī)，小型數(shù)字音頻播放機(jī)，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書(shū)”的電子器件終端，移動(dòng)電子器件(可攜帶電子器件)如小型數(shù)字型手表等。不必說(shuō)，也可提及除了移動(dòng)器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)”、薄型電視機(jī)、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤(pán)錄像機(jī)(hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等)、投影儀和微型機(jī)等。此外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件不特別限制，其實(shí)例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲(chǔ)器”、硬盤(pán)等)的構(gòu)件。上述實(shí)施方案是在生產(chǎn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中使用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜。然而，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜不限于該實(shí)施方案，但可用于生產(chǎn)除倒裝芯片型半導(dǎo)體器件外的其它半導(dǎo)體器件中。例如，在從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離隔離膜之后，可將粘貼粘合劑層的切割帶中的粘合劑層在另外所述膜的使用中粘貼至半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體芯片)的表面。在此情況下，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜具有的粘貼粘合劑層的切割帶可用作普通已知的切割/模片接合膜。實(shí)施例以下將詳細(xì)地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例， 除非其超出本發(fā)明的要旨。此外，除非另外說(shuō)明，在各實(shí)施例中的份為重量基準(zhǔn)。實(shí)施例1〈粘合劑層的制備〉基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 113份環(huán)氧樹(shù)脂(商品名"EPIC0AT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹(shù)脂(商品名“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 "S0-25R”，由 Admatechs Co. Ltd.制造)、5 份染料 1 (商品名 “OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2(商品名“0IL BLACK BS，，，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重
22量％的糊劑組合物溶液。將該糊劑組合物溶液施涂至已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的、具有厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜的隔離膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有層壓于隔離膜上的厚度(平均厚度)為20 μ m的粘合劑層A的膜A。<半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的制備>1.隔離膜粘貼的膜的制備使用手動(dòng)輥，將膜A粘貼至切割帶(商品名“V-8-T “，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度10μπι)的壓敏粘合劑層上，從而制備具有層壓于隔離膜上的粘貼粘合劑層的切割帶的隔離膜粘貼的膜Α。2.預(yù)切割使用圓形湯姆遜刀(Thomson blade)，預(yù)切割隔離膜粘貼的膜A以給出半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜。預(yù)切割深度通過(guò)在湯姆遜刮板內(nèi)部和外部引入間隔體控制。具體地，引入間隔體以使隔離膜中切割深度可為13 μ m。在實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，粘合劑層的厚度(平均厚度)為20μπι。在切割帶(商品名‘‘V-8-T"，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的厚度(平均厚度)為65 μ m，壓敏粘合劑層的厚度(平均厚度)為10 μ m，帶的總厚度為75 μ m。因此， 在實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜中，切割帶的粘合劑層厚度與壓敏粘合劑層厚度的比例 (平均厚度比)為20/10 ；和粘合劑層厚度與切割帶厚度(基材和壓敏粘合劑層的總厚度) 的比例(平均厚度比)為20/75。實(shí)施例2實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜以與實(shí)施例1相同的方式制備，然而，其中引入間隔體以使在預(yù)切割時(shí)隔離膜中的切割深度可為20 μ m。比較例1比較例1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜以與實(shí)施例1相同的方式制備，然而，其中引入間隔體以使在預(yù)切割時(shí)隔離膜中的切割深度可為27 μ m?！丛u(píng)價(jià)〉如下測(cè)試實(shí)施例1、實(shí)施例2和比較例1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的其隔離膜剝離性。將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸，厚度0. 6mm ；硅鏡面晶片)在其背面上拋光，從而給出用作工件的厚度為0. 2mm的鏡面晶片。在從半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離隔離膜的情況下， 將鏡面晶片(工件)在70°C下通過(guò)輥壓接合粘貼至粘合劑層上。半導(dǎo)體晶片拋光條件和粘貼條件如下。(半導(dǎo)體晶片磨削(grinding)條件)磨削設(shè)備商品名“DFG-8560"，由DISCO Corporation 制造半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(將背面從厚度為0. 6mm磨削至厚度為0. 2mm)(粘貼條件)粘貼設(shè)備商品名‘‘MA-3000III，，，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力0.I5MPa
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粘貼時(shí)的階段溫度(stagetemperature) :70°C在晶片安裝中，晶片可安裝性的評(píng)價(jià)如下。將從中已良好地剝離隔離膜的樣品評(píng)級(jí)為"良好"；將不能從中良好地剝離隔離膜的樣品評(píng)級(jí)為"差"。結(jié)果示于表1中。表 權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其包括 隔離膜；和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在所述切割帶上的粘合劑層，所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶以所述粘合劑層粘貼至所述隔離膜的方式以預(yù)定間隔層壓在所述隔離膜上，其中所述隔離膜具有沿所述切割帶的外周形成的切口，和其中所述切口的深度為不超過(guò)所述隔離膜厚度的2/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括 制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在所述切割帶上的粘合劑層， 所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶以所述粘合劑層粘貼至所述隔離膜的方式層壓在所述隔離膜上，和根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，其中將所述隔離膜粘貼的膜從所述粘貼粘合劑層的切割帶側(cè)切割至不超過(guò)所述隔離膜厚度的2/3的深度。
3.一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜， 所述方法包括從所述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離所述隔離膜，和粘貼半導(dǎo)體晶片至所述粘合劑層上。
4.一種半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其包括 隔離膜；和多個(gè)切割帶，所述切割帶以預(yù)定間隔層壓在隔離膜上， 其中加工所述隔離膜從而具有沿所述切割帶的外周形成的切口，和其中所述切口的深度為不超過(guò)所述隔離膜厚度的2/3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括制備隔離膜粘貼的膜，所述隔離膜粘貼的膜包括隔離膜和層壓在所述隔離膜上的多個(gè)切割帶，和根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述隔離膜粘貼的膜要粘貼的半導(dǎo)體晶片的尺寸切割所述隔離膜粘貼的膜，其中將所述隔離膜粘貼的膜從所述切割帶側(cè)切割至不超過(guò)所述隔離膜厚度的2/3的深度。
6.一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其使用根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜， 所述方法包括從所述半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜剝離所述隔離膜，并粘貼半導(dǎo)體晶片至所述切割帶上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法和半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜，其包括隔離膜；和多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶，所述多個(gè)粘貼粘合劑層的切割帶各自包括切割帶和層壓在切割帶上的粘合劑層，所述粘貼粘合劑層的切割帶以粘合劑層粘貼至隔離膜的方式以預(yù)定間隔層壓在隔離膜上，其中所述隔離膜具有沿切割帶的外周形成的切口，和切口的深度為不超過(guò)所述隔離膜厚度的2/3。
文檔編號(hào)C09J7/02GK102347264SQ20111018500
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社