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      耐高溫的抗靜電涂層及其制備方法

      文檔序號:3812887閱讀:263來源:國知局
      專利名稱:耐高溫的抗靜電涂層及其制備方法
      技術領域
      本發(fā)明主要涉及到涂層類材料組合物及其制備方法,具體涉及一種包含樹脂及金屬氧化物的抗靜電涂層及其制備方法。
      背景技術
      抗靜電涂層是各種天線罩使用過程中不可或缺的一部分,其通常在天線罩的最外層,天線罩的使用性能要求抗靜電涂層應具有較好的透波性能和耐環(huán)境性能,同時,為了滿足天線罩在某些高溫(如200°C)條件下的使用,抗靜電涂層還需具有耐高溫性能。目前,針對各種不同的天線罩使用要求,國內外已開發(fā)出一系列抗靜電涂層,但其普遍存在一些問題,如在石英陶瓷天線罩表面附著力較差、導電炭黑(或金屬)粉體類抗靜電涂層耐環(huán)境性不好且難以耐高溫等?;诖?,迫切需要開發(fā)一種附著力高、耐環(huán)境性好且能耐高溫的抗靜電涂層。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的不足,提供一種耐熱性、耐候性和附著力好、抗靜電性能優(yōu)異,并且結構簡單、易于涂裝、涂料成本低廉、性價比高的摻雜金屬氧化物半導體粉體的耐高溫的抗靜電涂層,并相應提供該抗靜電涂層的制備方法。為解決上述技術問題,本發(fā)明采用以下技術方案
      一種耐高溫的抗靜電涂層,所述抗靜電涂層以雙組分改性有機硅樹脂為基體,以金屬氧化物半導體粉體為導電填料,所述的雙組分改性有機硅樹脂和金屬氧化物半導體粉體的質量配比為(9 14) 6。上述抗靜電涂層中,優(yōu)選地,所述雙組分改性有機硅樹脂基體包括固含量均為 70% 80%的耐熱面漆和固化劑,且二者的質量配比為(4 6) 1。上述抗靜電涂層中,所述金屬氧化物半導體粉體優(yōu)選為摻銻二氧化錫(ATO)或摻銦氧化錫(ITO)。作為一個總的發(fā)明構思,本發(fā)明還提供一種上述的抗靜電涂層的制備方法,包括以下工藝步驟
      (1)球磨稱取所述質量配比的雙組分改性有機硅樹脂和金屬氧化物半導體粉體,將二者混合成漿料,再進行球磨混料,得到涂料;
      (2)噴涂以玻璃為基板,將上述步驟得到的涂料采用噴涂工藝噴涂在玻璃基板上,制備成涂層;
      (3)固化將噴涂好的涂層放入烘箱中固化,固化溫度控制在60V 80°C,固化時間控制在4h Mi ;
      (4)熱處理將固化后的涂層放入馬氟爐中,在常壓下進行熱處理,熱處理的溫度控制在200°C 300°C,熱處理的時間控制在池 證,然后在爐內自然冷卻至室溫,制得耐高溫的抗靜電涂層。
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      上述的制備方法中,所述步驟(1)中,球磨混料的工藝條件優(yōu)選為球磨設備為高能行星式球磨機,球磨料球為瑪瑙球,球磨時間為池 證,球磨機轉速為200轉/分鐘 400轉/分鐘。上述的制備方法中,所述步驟(2)中,優(yōu)選地,進行噴涂工藝前,對玻璃基板用酒精超聲清洗干凈并烘干;噴涂過程中將噴槍與所述玻璃基板的距離控制在IOcm 15cm。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于
      本發(fā)明的抗靜電涂層,以雙組分改性有機硅樹脂為基體,使得抗靜電涂層具有較好的柔韌性、附著力高,且耐高溫性能優(yōu)良;同時,以金屬氧化物半導體粉體為導電填料,使得抗靜電涂層電阻率調節(jié)方便,使得涂層方阻較易滿足抗靜電性能要求,因此,本發(fā)明的抗靜電涂層優(yōu)異的抗靜電性能及耐高溫性能,可替代目前大部分天線罩表面的抗靜電涂層,且能滿足250°C高溫條件下的抗靜電要求。此外,由于本發(fā)明的抗靜電涂層原料用量相對較少,且來源廣泛,通過現(xiàn)有常規(guī)的球磨制備工藝及涂料噴涂工藝即可制備,整個制備工藝步驟簡單、可控性高,可有效應用于工業(yè)化生產(chǎn)。
      具體實施例方式下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步的說明。實施例1
      一種本發(fā)明的耐高溫的抗靜電涂層,該抗靜電涂層以雙組分改性有機硅樹脂為基體, 以AT0半導體粉體為導電填料,雙組分改性有機硅樹脂和ATO半導體粉體的質量配比為 3 2 ;本實施例中,雙組分改性有機硅樹脂由固含量均為75%且質量配比為5 1的TR613 耐熱面漆(江陰市大阪涂料有限公司)和固化劑(江陰市大阪涂料有限公司生產(chǎn)的對應于 TR613耐熱面漆的固化劑)組成。上述抗靜電涂層的制備方法,包括以下工藝步驟
      (1)球磨稱取3 2的雙組分改性有機硅樹脂(固含量均為75%且質量配比為5 1 的TR613耐熱面漆及相應的固化劑)和ATO半導體粉體,將二者混合成漿料,再以瑪瑙球為球磨料球,用高能行星式球磨機進行球磨混料,球磨時間為4h,球磨機轉速為400轉/分鐘, 得到涂料;
      (2)噴涂以平板玻璃為基板,對其用酒精超聲清洗干凈并烘干,然后將上述步驟得到的涂料采用噴涂工藝噴涂在平板玻璃基板上,噴涂過程中將噴槍與平板玻璃基板的距離控制在12cm,制得涂層;
      (3)固化將噴涂好的涂層置于水平臺上,再整體放入烘箱中固化,固化溫度控制在 60°C,固化時間控制在Mi ;
      (4)熱處理將固化后的涂層放入馬氟爐中,在常壓下進行熱處理,熱處理的溫度控制在250°C,熱處理的時間控制在4h,然后在爐內自然冷卻至室溫,制得耐高溫的抗靜電涂層。對上述制得的抗靜電涂層進行性能測試,測得其密度為1.32g/cm3,附著力為 12. 07MPa,方阻為5. 9ΜΩ,300°C熱處理池后涂層性能無變化,可見本實施例的抗靜電涂層在附著力、耐環(huán)境性和耐高溫等方面有優(yōu)良的性能。
      實施例2:
      一種本發(fā)明的耐高溫的抗靜電涂層,該抗靜電涂層以雙組分改性有機硅樹脂為基體, 以ITO半導體粉體為導電填料,雙組分改性有機硅樹脂和ITO半導體粉體的質量配比為 7 3 ;本實施例中,雙組分改性有機硅樹脂由固含量均為75%且質量配比為5 1的TR613 耐熱面漆(江陰市大阪涂料有限公司)和R30固化劑組成。上述抗靜電涂層的制備方法是先稱取質量配比為7 3的雙組分改性有機硅樹脂(固含量均為75%且質量配比為5 1的TR613耐熱面漆和R30固化劑)和ITO半導體粉體,然后按照實施例1同樣的制備工藝步驟和工藝參數(shù)進行球磨、噴涂、固化和熱處理, 得到本實施例的耐高溫的抗靜電涂層。對上述制得的抗靜電涂層進行性能測試,測得其密度為1. 12g/cm3,附著力為 12. 88MPa,方阻為14. 05M Ω,300°C熱處理池后涂層性能無變化,可見本實施例的抗靜電涂層在附著力、耐環(huán)境性和耐高溫等方面有優(yōu)良的性能。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,本發(fā)明的保護范圍并不僅局限于上述實施例,凡屬于本發(fā)明思路下的技術方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進和潤飾,均應視為本發(fā)明的保護。
      權利要求
      1.一種耐高溫的抗靜電涂層,其特征在于所述抗靜電涂層以雙組分改性有機硅樹脂為基體,以金屬氧化物半導體粉體為導電填料,所述的雙組分改性有機硅樹脂和金屬氧化物半導體粉體的質量配比為(9 14) 6。
      2.根據(jù)權利要求1所述的抗靜電涂層,其特征在于所述雙組分改性有機硅樹脂基體包括固含量均為70% 80%的耐熱面漆和固化劑,且二者的質量配比為(4 6) 1。
      3.根據(jù)權利要求1或2所述的抗靜電涂層,其特征在于所述金屬氧化物半導體粉體為摻銻二氧化錫或摻銦氧化錫。
      4.一種如權利要求1至3任一項所述的抗靜電涂層的制備方法,其特征在于,包括以下工藝步驟(1)球磨稱取所述質量配比的雙組分改性有機硅樹脂和金屬氧化物半導體粉體,將二者混合成漿料,再進行球磨混料,得到涂料;(2)噴涂以玻璃為基板,將上述步驟得到的涂料采用噴涂工藝噴涂在玻璃基板上,制備成涂層;(3)固化將噴涂好的涂層放入烘箱中固化,固化溫度控制在60V 80°C,固化時間控制在4h Mi ;(4)熱處理將固化后的涂層放入馬氟爐中,在常壓下進行熱處理,熱處理的溫度控制在200°C 300°C,熱處理的時間控制在池 證,然后在爐內自然冷卻至室溫,制得耐高溫的抗靜電涂層。
      5.根據(jù)權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,球磨混料的工藝條件為球磨設備為高能行星式球磨機,球磨料球為瑪瑙球,球磨時間為池 紐,球磨機轉速為200轉/分鐘 400轉/分鐘。
      6.根據(jù)權利要求4或5所述的制備方法,其特征在于所述步驟(2)中,進行噴涂工藝前,對玻璃基板用酒精超聲清洗干凈并烘干;噴涂過程中將噴槍與所述玻璃基板的距離控制在IOcm 15cm。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種耐高溫的抗靜電涂層,該抗靜電涂層以雙組分改性有機硅樹脂為基體,以金屬氧化物半導體粉體為導電填料,且兩者的質量配比為(9~14)∶6;本發(fā)明的抗靜電涂層優(yōu)異的抗靜電性能及耐高溫性能,可替代目前大部分天線罩表面的抗靜電涂層,且能滿足250℃高溫條件下的抗靜電要求;本發(fā)明還相應公開了一種該抗靜電涂層的制備方法,包括球磨、噴涂、固化和熱處理等工藝步驟,整個制備工藝步驟簡單、可控性高,可有效應用于工業(yè)化生產(chǎn)。
      文檔編號C09D5/24GK102250545SQ20111018956
      公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權日2011年7月7日
      發(fā)明者劉海韜, 王 義, 王軍, 程海峰, 馬青松 申請人:中國人民解放軍國防科學技術大學
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