專(zhuān)利名稱(chēng)：抗指紋劑，應(yīng)用該抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法及制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗指紋劑，應(yīng)用該抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法及制品。
背景技術(shù)：
隨著3C電子產(chǎn)品的使用越來(lái)越頻繁，消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的外觀也有了越來(lái)越高的要求。除了要求其色彩美觀、手感舒適，還要求其表面具有較好的耐磨性、抗刮傷性以及抗指紋性。為了提高真空鍍膜層表面的抗指紋性，現(xiàn)有技術(shù)采用真空鍍膜技術(shù)形成的抗指紋層通常呈現(xiàn)出霧狀，嚴(yán)重影響了真空鍍膜產(chǎn)品高光的金屬外觀?，F(xiàn)有技術(shù)中還有通過(guò)在真空鍍膜層上沉積聚四氟乙烯層，使真空鍍膜產(chǎn)品具有良好的抗指紋性。但，聚四氟乙烯與金屬基體、金屬化合物鍍覆的基體之間的結(jié)合力差，且聚四氟乙烯難以在低溫下成膜。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可解決上述問(wèn)題的抗指紋劑。同時(shí)，提供一種應(yīng)用所述抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法。另，還提供一種經(jīng)上述表面處理方法制得的制品?！N抗指紋劑，該抗指紋劑的主要由聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比為0.5 0.8，所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子 水及稀硫酸組成。一種應(yīng)用上述抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法，包括如下步驟:提供一基體，該基體表面的材質(zhì)為金屬或金屬化合物；提供抗指紋劑，該抗指紋劑主要由液態(tài)的聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，聚四氟乙烯與所述硅烷溶液的體積比為0.5 0.8，該硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成；采用浸涂的方式，以抗指紋劑為浸泡液，于所述基體上形成抗指紋層。一種由經(jīng)權(quán)利上述的表面處理的方法制得的制品，所述制品包括基體及形成于基體上的抗指紋層，形成該抗指紋層的抗指紋劑的主要由聚四氟乙烯和硅烷溶液，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比0.5 0.8，所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。所述抗指紋層與所述基體之間結(jié)合力較好力。經(jīng)由上述處理方法后制得的制品在保持基體的光亮的金屬質(zhì)感的外觀的同時(shí)具有良好的抗指紋性、耐化學(xué)品性、耐溶劑性及耐磨性。另外，所述抗指紋劑簡(jiǎn)單易得；應(yīng)該所述抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法操作簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境幾乎沒(méi)有污染。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的抗指紋劑的主要由液態(tài)的聚四氟乙烯和硅烷溶液組成。其中，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比為0.5 0.8。所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。其中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為60% 63%、正硅酸乙酯的體積百分含量為2% 3%、無(wú)水乙醇的體積百分含量為2% 3%、去尚子水的體積百分含量為25% 27%，稀硫酸的體積百分含量為4% 11%。配置所述硅烷溶液所采用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。應(yīng)用所述抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法，包括如下步驟:提供一基體，該基體的材質(zhì)可為金屬。所述金屬可為鋁合金、不銹鋼或鎂合金。該金屬材質(zhì)的基體的表面還可鍍覆有金屬化合物層或金屬層。該基體還可為鍍覆有金屬化合物層、金屬層的塑料或陶瓷基體。所述金屬化合物可為鋁、鈦、鉻、鎂、鋯及鎳等金屬元素中的至少一種與氧、碳、氮及磷等非金屬元素中的至少一種的化合物。該金屬化合物層可通過(guò)真空鍍膜及化學(xué)氣相沉積等方式形成。所述金屬層可為鋁、鈦、鉻、鎂、鋯及鎳等材質(zhì)的金屬層。該金屬層可通過(guò)真空鍍膜、電鍍等方式形成。提供抗指紋劑。所述抗指紋劑主要由液態(tài)的聚四氟乙烯和硅烷溶液組成。其中，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比為0.5 0.8。所述抗指紋劑通過(guò)如下方法制得:提供一硅烷溶液。該硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。其中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為60% 63%、正硅酸乙酯的體積百分含量為2% 3%、無(wú)水乙醇2% 3%、去離子水的體積百分含量為25% 27%及稀硫酸的體積百分含量為4% -11%。配置所述硅烷溶液所采用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。將液態(tài)的聚四氟乙烯與所述硅烷溶液以體積比為0.5 0.8的比例混合得到一混合液，攪拌均勻后靜置30 40min ;之后，對(duì)所述混合液進(jìn)行過(guò)濾，以去除混合液中少量的懸浮的雜質(zhì)，制得所述抗指紋劑。采用浸涂的方式，在所述基體表面形成一抗指紋層。該抗指紋層通過(guò)如下方式形成:將所述基體完全置于抗指紋劑中浸泡20 30s后，將該基體于150 200°C的溫度下烘烤30 45min，最終于所述基體上形成抗指紋層。所述抗指紋層的厚度為5 10 μ m。一種經(jīng)由上述表面處理方法制得的制品包括基體及形成于該基體上的抗指紋層。所述基體的材質(zhì)可為金屬。所述金屬可為鋁合金、不銹鋼或鎂合金。該金屬材質(zhì)的基體的表面還可鍍覆有金屬化合物層或金屬層。該基體還可為鍍覆有金屬化合物層、金屬層的塑料或陶瓷基體。所述金屬化合物可為鋁、鈦、鉻、鎂、鋯及鎳等金屬元素中的至少一種與氧、碳、氮及磷等非金屬元素中的至少一種的化合物。該金屬化合物層可通過(guò)真空鍍膜及化學(xué)氣相沉積等方式形成。所述金屬層可為鋁、鈦、鉻、鎂、鋯及鎳等材質(zhì)的金屬層。該金屬層可通過(guò)真空鍍膜、電鍍等方式形成。所述抗指紋層的厚度為5 10 μ m。本發(fā)明應(yīng)用所述抗指紋劑對(duì)基 體進(jìn)行表面處理的方法，通過(guò)采用含有甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯及聚四氟乙烯的抗指紋劑，于所述基體上形成抗指紋層。該抗指紋層與所述基體之間結(jié)合力較好。經(jīng)由上述處理方法后制得的制品在保持基體光亮的金屬質(zhì)感的外觀的同時(shí)，還具有良好的疏水性、耐化學(xué)品性、耐溶劑性及耐磨性。另外，所述抗指紋劑簡(jiǎn)單易得；應(yīng)該所述抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法操作簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境幾乎沒(méi)有污染。實(shí)施例1提供一基體，該基體上依次形成有碳化鉻層、氮化鈦層。該碳化鉻層、氮化鈦層均通過(guò)真空鍍膜的方式形成。制備抗指紋劑:提供一娃燒溶液。該娃燒溶液的主要由甲基二乙氧基娃燒、正娃酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸。其中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為60%、正硅酸乙酯的體積百分含量為2%、無(wú)水乙醇2%、去離子水的體積百分含量為25%及稀硫酸的體積百分含量為5%。配置所述硅烷溶液所采用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。將液態(tài)的聚四氟乙烯與所述硅烷溶液以體積比為0.6: I的比例混合制得混合液，攪拌均勻后靜置30min ;之后，對(duì)所述混合液進(jìn)行過(guò)濾，以去除混合液中少量的懸浮的雜質(zhì)，制得所述抗指紋劑。形成抗指紋層:將所述基體完全置于所述抗指紋劑中浸泡30s后，并將該基體在150°C的溫度下烘烤45min，最終于所述基體上形成抗指紋層。所述抗指紋層的厚度為6 μ m0實(shí)施例2提供一基體，該基體與實(shí)施例1提供的基體相同。制備抗指紋劑:提供一娃燒溶液。該娃燒溶液的主要由甲基二乙氧基娃燒、正娃酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸。其中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為63%、正硅酸乙酯的體積百分含量為3%、無(wú)水乙醇3%、去離子水的體積百分含量為26.5%及稀硫酸的體積百分含量為9%。配置所述硅烷溶液所采用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。

將液態(tài)的聚四氟乙烯與所述硅烷溶液以體積比為0.8: I的比例混合制得混合液，攪拌均勻后靜置40min ;之后，對(duì)所述混合液進(jìn)行過(guò)濾，以去除混合液中少量的懸浮的雜質(zhì)，制得所述抗指紋劑。形成抗指紋層:將所述基體完全置于在所述抗指紋劑中浸泡30s后，并將該基體在180°C的溫度下烘烤50min，最終于所述基體上形成抗指紋層。所述抗指紋層的厚度為8 μ m0實(shí)施例3采用與實(shí)施例2相同的方式在基體上形成抗指紋層，與實(shí)施例2不同的是所述基體上形成有氮化鋯層，代替所述碳化鉻層和氮化鈦層。所述氧化鋯層通過(guò)真空鍍膜的方式形成。實(shí)施例4采用與實(shí)施例2相同的方式在基體上形成抗指紋層，與實(shí)施例2不同的是所述基體上形成有鎳層，代替所述碳化鉻層和氮化鈦層。所述鎳層通過(guò)陽(yáng)極氧化的方式形成。實(shí)施例5采用與實(shí)施例2相同的方式在基體上形成抗指紋層，與實(shí)施例2不同的是所述基體表面未形成有膜層。對(duì)比例I提供一基體，該基體與實(shí)施例1的基體相同。形成聚四氟乙烯層:將所述基體完全置于在所述聚四氟乙烯溶液中浸泡30s后，并將該基體在150°C的溫度下烘烤45min，最終于所述基體上形成抗指紋層。所述聚四氟乙烯溶液中，溶劑為無(wú)水乙醇，聚四氟乙烯的體積百分含量為60%。所述聚四氟乙烯層的厚度為 10 μ m。對(duì)比例2提供一基體，該基體與實(shí)施例1的基體相同。形成硅烷溶液抗指紋層:將所述基體完全置于所述硅烷溶液中浸泡30s后，并將該基體在180°C的溫度下烘烤45min，最終于所述基體上形成硅烷溶液抗指紋層。該硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸。其中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為57%、正硅酸乙酯的體積百分含量為3%、無(wú)水乙醇13%、去離子水的體積百分含量為20%，稀硫酸的體積百分含量為7%。配置所述娃燒溶液所米用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。所述硅烷溶液抗指紋層的厚度為6 μ m。性能測(cè)試將實(shí)施例1-5制得的制品及對(duì)比例1、2處理后的基體進(jìn)行疏水性測(cè)試、耐化學(xué)品測(cè)試、耐溶劑測(cè)試、附著力測(cè)試及耐磨性測(cè)試，具體測(cè)試方法及結(jié)果如下:(I)疏水性測(cè)試由實(shí)施例1-5制得的制品及對(duì)比例1、2處理后的基體表面的疏水性，參見(jiàn)表一。表一
權(quán)利要求
1.一種抗指紋劑，該抗指紋劑主要由液態(tài)的聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，其特征在于:所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比為0.5 0.8，所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。
2.如權(quán)利要求1所述的抗指紋劑，其特征在于:所述硅烷溶液中，甲基三乙氧基硅烷的體積百分含量為60% 63%、正硅酸乙酯的體積百分含量為2% 3%、無(wú)水乙醇的體積百分含量為2% 3%、去尚子水的體積百分含量為25% 27%、稀硫酸的體積百分含量為4% 11% ;配置所述娃燒溶液所采用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。
3.一種應(yīng)用權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)的抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法，包括如下步驟: 提供一基體，該基體表面的材質(zhì)為金屬或金屬化合物； 提供抗指紋劑，該抗指紋劑主要由液態(tài)的聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，聚四氟乙烯與所述硅烷溶液的體積比為0.5 0.8，該硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成； 采用浸涂的方式，以抗指紋劑為浸泡液，于所述基體上形成抗指紋層。
4.如權(quán)利要求3所述的表面處理的方法，其特征在于:所述硅烷溶液中，甲基三乙氧基娃燒的體積百分含量為60% 63%、正娃酸乙酯的體積百分含量為2% 3%、無(wú)水乙醇的體積百分含量為2% 3%、去尚子水的體積百分含量為25% 27%及稀硫酸的體積百分含量為4% 11%,配置所述娃燒溶液所米用的稀硫酸的質(zhì)量百分含量為45%。
5.如權(quán)利要求3或4所述的表面處理的方法，其特征在于:所述抗指紋劑通過(guò)如下方式獲得:將聚四氟乙烯與硅烷溶液以體積比為0.5 0.8的比例混合制得混合液，攪拌均勻后靜置30 40min ;之后，對(duì)所述混合液進(jìn)行過(guò)濾，制得所述抗指紋劑。
6.如權(quán)利要求3或4所述的表面處理的方法，其特征在于:所述抗指紋層通過(guò)如下方式制得:將所述基體置于在所 述抗指紋劑中浸泡20 30s，再將該基體在150 200°C的溫度下供烤30 45min。
7.—種由經(jīng)權(quán)利要求3-6中任一項(xiàng)所述的表面處理的方法制得的制品，該制品包括基體及形成于基體上的抗指紋層，其特征在于:形成該抗指紋層的抗指紋劑的主要由聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比0.5 0.8，所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。
8.如權(quán)利要求7所述的制品，其特征在于:所述抗指紋層的厚度為5 10μ m。
9.如權(quán)利要求7或8所述的制品，其特征在于:所述基體為鋁合金、不銹鋼或鎂合金。
10.如權(quán)利要求7或8所述的制品，其特征在于:所述基體為鍍覆有金屬化合物層、金屬層的塑料、陶瓷或金屬基材。
全文摘要
一種抗指紋劑，該抗指紋劑的主要由聚四氟乙烯和硅烷溶液組成，所述聚四氟乙烯與硅烷溶液的體積比為0.5～0.8，所述硅烷溶液的主要由甲基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯、無(wú)水乙醇、去離子水及稀硫酸組成。本發(fā)明還提供一種應(yīng)用該抗指紋劑進(jìn)行表面處理的方法及制品。
文檔編號(hào)C09D7/12GK103160174SQ20111042446
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月17日
發(fā)明者劉旭 申請(qǐng)人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司