專利名稱：導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的圖案化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的圖案化方法。
背景技術(shù)：
目前，透明導(dǎo)電膜雖然主要是使用含有銦的ITO(氧化銦錫)，但是In是一種可采蘊(yùn)藏量為三千噸的稀少元素，因此也有如果提前，則可采蘊(yùn)藏量即將在2011年至2013年的時(shí)候被耗盡的預(yù)測(cè)，因此正在進(jìn)行不使用In的ITO替代材料的研究。導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率是已有驚人的改善，因此導(dǎo)電性高分子是有希望用作為ITO的替代材料。該導(dǎo)電性高分子是具有導(dǎo)電性、光的透射性、發(fā)光性、成膜后也呈可撓性的特征，因此已在進(jìn)行對(duì)于透明導(dǎo)電膜、電解電容器、抗靜電劑、電池、及有機(jī)EL元件等的應(yīng)用的研究，且有一部分已付諸實(shí)用化。 通過使用比電解電容器的電解液的導(dǎo)電性為高且穩(wěn)定性也高的導(dǎo)電性高分子，可制造頻率特性能夠改善且耐熱性也優(yōu)異的電解電容器。通過將導(dǎo)電性高分子成膜在聚合物膜的表面，可在仍然保持著透明性的狀態(tài)下防止靜電，因此這樣的導(dǎo)電性高分子一直被用作使用方便性優(yōu)良的抗靜電膜或抗靜電容器。將導(dǎo)電性高分子用作二次電池的正極，被用于鋰聚苯胺電池或鋰離子聚合物電池
坐寸ο有一種將導(dǎo)電性高分子使用于發(fā)光層的高分子有機(jī)EL顯示器，通過基板使用塑料而不是玻璃，可制得撓性的顯示器。另外，空穴傳輸層也可使用導(dǎo)電性高分子。包括高分子有機(jī)EL顯示器的有機(jī)EL顯示器，由于其是自發(fā)光的顯示器，因而視角廣闊、容易薄型化、且具有色的再現(xiàn)性優(yōu)異。此外，由于通過空穴和電子的再結(jié)合而發(fā)光，因此響應(yīng)速度快。有機(jī)EL顯示器由于具有如上所述的優(yōu)異特征，因此是一種將來有希望的顯示器。另外，可使用導(dǎo)電性高分子來制作二極管或晶體管等的電子元件，且正在進(jìn)行提高性能的研究。通過將導(dǎo)電性高分子替代白金而用作為色素敏化型太陽(yáng)電池的二氧化鈦的對(duì)置電極，從而以開發(fā)一種比目前的主流的利用硅的太陽(yáng)電池更為價(jià)廉的太陽(yáng)電池為目標(biāo)而正在進(jìn)行研究。如上所述，導(dǎo)電性高分子對(duì)于將來的電子產(chǎn)業(yè)而言，是一種有益的材料，且導(dǎo)電性高分子的圖案化方法是在使用導(dǎo)電性高分子時(shí)的重要的技術(shù)。作為使導(dǎo)電性高分子圖案化的方法，例如，使用包含導(dǎo)電性材料的液狀體材料的方法記載在專利文獻(xiàn)I及2中。專利文獻(xiàn)I中公開了一種瓦片(tile)狀元件用配線形成方法，其是在將至少具有電極的同時(shí)具有瓦片形狀的瓦片狀元件與至少具有電極的基板接合而形成電路裝置的情況下，在形成將該瓦片狀元件的電極與該基板的電極電連接的電配線時(shí)所使用的瓦片狀元件用配線形成方法，其中，利用噴墨噴嘴、分配器，對(duì)前述基板及瓦片狀元件的至少一方的表面的形成前述電配線的區(qū)域即配線區(qū)域的至少一部分印刷包含導(dǎo)電性材料的液狀體材料，由此形成瓦片狀元件用配線。
另外，對(duì)比文件I中并沒有公開利用蝕刻進(jìn)行圖案化所需的方法、墨液組合物等。另外，專利文獻(xiàn)2中記載了如下方法在支撐體上應(yīng)用含有10 5000mg/m2的導(dǎo)電性聚合物的層來制作導(dǎo)電性層的方法、以及使用含有選自C10_、Br0_、MnO4'Cr2O廠、S2O8―及H2O2中的氧化劑的印刷溶液，在前述層上印刷電極圖案的方法。另外，作為蝕刻氧化物膜的方法，可列舉出例如在專利文獻(xiàn)2中記載的方法。專利文獻(xiàn)3中公開了氯化鐵(III)或氯化鐵(III)六水合物在用于氧化物表面蝕刻的組合物中作為蝕刻成分的用途?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2005-109435號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2001-35276號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特表2008-547232號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題然而，在專利文獻(xiàn)I中記載的方法中，由于導(dǎo)電性高分子難溶于溶劑，因而存在墨液的制備困難、噴嘴容易堵塞等問題。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載的方法中，存在所得到的圖案化的精度差的問題。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)3中記載了如下方法使用分配器、絲網(wǎng)，對(duì)ITO等的氧化膜印刷包含氯化鐵化合物的水系糊劑，利用蝕刻除去氧化膜，由此進(jìn)行圖案化，但對(duì)比文件3中并沒有公開適于導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的墨液組成、特性。本發(fā)明的目的是提供具有對(duì)導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)異的蝕刻能力、所得到的圖案的精度高的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液、以及使用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法。用于解決問題的方法本發(fā)明者們?yōu)榱丝朔鲜霈F(xiàn)有技術(shù)中的問題進(jìn)行深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過以下的〈1>、〈8>、〈12> 〈15>或〈20>能夠完成上述課題，從而完成本發(fā)明。以下一并記載優(yōu)選的實(shí)施方式即<2> 〈7>、<9> 〈11>、和<16> <19>以及<21> 〈23>?！?> 一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑、增稠劑、及水系介質(zhì)；<2>根據(jù)上述〈1>所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4)2Ce (NO3)6^ Ce (SO4) 2、(NH4) 4Ce (SO4) 4、亞硝酰氯、溴酸化合物、氯酸化合物、高錳酸化合物、6價(jià)鉻化合物、及次氯酸鹽中的化合物；<3>根據(jù)上述〈1>或〈2>所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4)2Ce (NO3) 6、Ce (SO4) 2、(NH4)4Ce (SO4) 4、高錳酸化合物、及次氯酸鹽中的化合物；<4>根據(jù)上述〈1> 〈3>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物、及表面活性劑中的增稠劑；
<5>根據(jù)上述<1> 〈4>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、及二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物中的增稠劑；<6>根據(jù)上述<1> 〈4>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為表面活性劑；<7>根據(jù)上述<1> 〈6>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述水系介質(zhì)為水；〈8>—種導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其特征在于，其包括如下工序，S卩，在基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的成膜工序、對(duì)前述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予上述<1> 〈7>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序、利用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)前述除去的區(qū)域的導(dǎo)電性高分子進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序、以及從基板上除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)某スば颍?<9>根據(jù)上述〈8>所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為選自聚乙炔類、聚對(duì)亞苯基類、聚對(duì)亞苯基亞乙烯類、聚亞苯基類、聚亞噻嗯基亞乙烯類、聚芴類、多并苯類、聚苯胺類、聚吡咯類、及聚噻吩類中的導(dǎo)電性高分子；〈10>根據(jù)上述〈8>或〈9>所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類；<11>根據(jù)上述〈8> 〈10>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為聚(3，4-乙烯二氧噻吩)?！?2> —種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含(NH4)2Ce (NO3)6或Ce (SO4)2、增稠劑、及水系介質(zhì)；〈13> —種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含次氯酸鹽、增稠劑、及水系介質(zhì)；〈14> 一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含高錳酸化合物、增稠劑、及水系介質(zhì)；<15> 一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含(NH4)4Ce (SO4)4、增稠劑、及水系介質(zhì)；〈16>根據(jù)上述〈12> 〈15>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物、及表面活性劑中的增稠劑；〈17>根據(jù)上述〈12> 〈16>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、及二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物中的增稠劑；〈18>根據(jù)上述〈12> 〈16>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述增稠劑為表面活性劑；〈19>根據(jù)上述〈12> 〈18>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中，前述水系介質(zhì)為水；〈20>—種導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其特征在于，其包括如下工序，S卩，在基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的成膜工序、對(duì)前述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予上述<12> 〈19>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序、利用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)前述除去的區(qū)域的導(dǎo)電性高分子進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序、以及從基板上除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)某スば颍?lt;21>根據(jù)上述〈20>所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為選自聚乙炔類、聚對(duì)亞苯基類、聚對(duì)亞苯基亞乙烯類、聚亞苯基類、聚亞噻嗯基亞乙烯類、聚芴類、多并苯類、聚苯胺類、聚吡咯類、及聚噻吩類中的導(dǎo)電性高分子；〈22>根據(jù)上述〈20>或〈21>所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類；〈23>根據(jù)上述〈20> 〈22>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中，前述導(dǎo)電性高分子為聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供對(duì)導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)異的蝕刻能力、所得到的圖案的精度高的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液、以及使用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)于本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，“ % ”沒有特別限定則表示“重量％ ”。(導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液)本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液(以下，還簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明的墨液”。)，其特征在于，包含導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑、增稠劑、及水系介質(zhì)。本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液通過與導(dǎo)電性高分子接觸，能夠蝕刻該接觸部分的導(dǎo)電性高分子。即，將本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液以期望的形狀賦予到導(dǎo)電性高分子上，進(jìn)行蝕刻，由此能夠?qū)?dǎo)電性高分子圖案化成期望的形狀。作為現(xiàn)有的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，已知的是使用抗蝕膜的方法，但通過使用本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，能夠簡(jiǎn)便地進(jìn)行導(dǎo)電性高分子的圖案化，而不使用抗蝕膜。另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選第一方面，可列舉出包含(NH4) 2Ce (NO3) 6或Ce (SO4) 2、±曾稠齊U、及水系介質(zhì)的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液。作為本發(fā)明的優(yōu)選的第二方面，可列舉出一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，包含次氯酸鹽、增稠劑、及水系介質(zhì)。作為本發(fā)明的優(yōu)選的第三方面，可列舉出一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含高錳酸化合物、增稠劑、及水系介質(zhì)。作為本發(fā)明的優(yōu)選的第四方面，可列舉出一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含(NH4) 4Ce (SO4) 4、增稠劑、及水系介質(zhì)。另外，對(duì)于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的粘度，從穩(wěn)定性、所得到的圖案的精度的觀點(diǎn)出發(fā)，使用B型粘度計(jì)且在6rpm(25°C )下測(cè)定時(shí)得到的粘度優(yōu)選為50 100，OOOmPa · S、更優(yōu)選為 200 50，OOOmPa · S、特別優(yōu)選為 500 20，OOOmPa · S。另外，使用B型粘度計(jì)且在60rpm(25°C )下測(cè)定時(shí)得到的粘度優(yōu)選為10 20，OOOmPa · S、更優(yōu)選為40 10，OOOmPa · S、特別優(yōu)選為40 4，OOOmPa · S。
另外，觸變指數(shù)(TI值)優(yōu)選為2 20、更優(yōu)選為3 15。另外，本發(fā)明中的墨液的粘度為在通過攪拌等使墨液成為均勻狀態(tài)后測(cè)得的值。作為本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的粘度的測(cè)定方法，沒有特別限定，但優(yōu)選通過旋轉(zhuǎn)式粘度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。具體來說，可優(yōu)選例示通過B型粘度計(jì)測(cè)定的方法。另外，B型粘度計(jì)是指旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)的I種，是在測(cè)定試樣(墨液)中以一定速度使內(nèi)筒旋轉(zhuǎn)、測(cè)定該內(nèi)筒自身受到的力的粘度計(jì)。另外，也將B型粘度計(jì)稱為布氏(BiOokfield)粘度計(jì)。另外，觸變指數(shù)(TI值)有如下定義其是指2種不同的旋轉(zhuǎn)速度(剪切速度)下的表觀粘度之比，即，基于JISK6883-1 :2008使旋轉(zhuǎn)速度變?yōu)镮 : 10而測(cè)定的各個(gè)粘度之比。通過前述粘度的測(cè)定方法測(cè)定6rpm(25°C )下的粘度δ 6、及60rpm(25°C )下的粘 度δ 60并求出δ 6/ δ 6°，算出觸變指數(shù)(TI值)。通常的圖像印刷用的墨液中，為了防止?jié)B出、滴墨，粘度被調(diào)整得較高，同時(shí)提高使墨液附著于版或通過版時(shí)的流動(dòng)性，除此之外，為了使印刷后的墨液的表面緩慢呈平坦地流平從而使墨液表面具有光澤，進(jìn)行粘度的調(diào)整。但是，使用本發(fā)明的蝕刻用墨液的時(shí)候不需要蝕刻墨液的表面的光澤、審美性，因而以通過蝕刻而獲得的圖案的切割良好作為第一指標(biāo)進(jìn)行了探索，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使用除了上述優(yōu)選的粘度及TI值以外施加剪切后的粘度的恢復(fù)速度也在一定范圍的墨液時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)特別精細(xì)的圖案?？梢岳门c例如TI值的測(cè)定同樣的方法，采用旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)在高旋轉(zhuǎn)(高剪切)下測(cè)定后，放置較短的一定時(shí)間，然后進(jìn)行在低旋轉(zhuǎn)下的粘度測(cè)定，由此確定施加剪切后的粘度的恢復(fù)速度。作為原理，墨液由于高剪切的剪切而結(jié)構(gòu)受到破壞、成為低粘度后，直至再次構(gòu)建結(jié)構(gòu)而粘度上升的時(shí)間長(zhǎng)度因墨液的體系(蝕刻劑等)與增稠劑的組合而不同，其結(jié)果是本發(fā)明者等發(fā)現(xiàn)存在提供精密圖案的最佳組合。〈導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑〉本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液包含導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑。作為能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，只要是能夠蝕刻導(dǎo)電性高分子的化合物，則沒有特別限定，優(yōu)選為能夠蝕刻導(dǎo)電性高分子的氧化劑。另外，從蝕刻性的觀點(diǎn)出發(fā)，作為能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，優(yōu)選為選自(NH4)2Ce (NO3) 6、Ce(SO6)2, (NH4)4Ce (SO4) 4、亞硝酰氯、溴酸化合物、氯酸化合物、高錳酸化合物、6價(jià)鉻化合物、及次氯酸鹽中的化合物，更優(yōu)選為選自(NH4)2Ce(N03)6、Ce (SO4) 2、(NH4) 4Ce (SO4) 4、高錳酸化合物、及次氯酸鹽中的化合物。這些當(dāng)中，從蝕刻性的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選為選自(NH4)2Ce (NO3) 6、Ce (SO4)2、及(NH4)4Ce(SO4)4中的化合物，從成本及通用性的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選為次氯酸鹽。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用(NH4)2Ce (NO3) 6。在本發(fā)明的墨液中使用(NH4) 2Ce (NO3) 6的情況下，對(duì)于本發(fā)明的墨液中的(NH4)2Ce(NO3)6的含量，從蝕刻性的觀點(diǎn)出發(fā)，相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為O. 5%以上，更優(yōu)選為I. 0%以上，另外，雖然濃度提高的同時(shí)處理速度提高但從溶解度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為70%以下，更優(yōu)選為40%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為2. O 30%，特別優(yōu)選為5. O 15%。為了防止墨液中的四價(jià)的鈰化合物的分解，在使用(NH4)2Ce(NO3)6的本發(fā)明的墨液中優(yōu)選使用穩(wěn)定劑。作為前述穩(wěn)定劑，優(yōu)選HNO3或HC104。在作為前述穩(wěn)定劑使用HNO3的情況下，其濃度相對(duì)于除增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為大于O. I %，另外，優(yōu)選為70%以下，更優(yōu)選為1.0 60%，進(jìn)一步優(yōu)選為5 50%，最優(yōu)選為10 20%。另外，在作為前述穩(wěn)定劑使用HClO4的情況下，其濃度相對(duì)于除增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為大于O. I %，另外，優(yōu)選為60 %以下，更優(yōu)選為I. O 50 %，進(jìn)一步優(yōu)選為5 40%。在本發(fā)明的墨液使用(NH4)2Ce(NO3)6的情況下，若穩(wěn)定劑為上述范圍的濃度則蝕刻液的穩(wěn)定性提聞。另外，硫酸使包含(NH4)2Ce(NO3)6的墨液白濁，因而不優(yōu)選作為穩(wěn)定劑。 作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合使用Ce(S04)2。在本發(fā)明的墨液使用Ce (SO4) 2的情況下，對(duì)于本發(fā)明的墨液中的Ce (SO4) 2的含量，從蝕刻性的觀點(diǎn)出發(fā)，相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為O. 5%以上，更優(yōu)選為1.0%以上，另外，雖然濃度提高的同時(shí)處理速度提高，但從溶解度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為30%以下，更優(yōu)選為20%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為2. O 25%，特別優(yōu)選為5 15%。為了防止墨液中的四價(jià)的鈰化合物的分解，在使用Ce(SO4)2的本發(fā)明的墨液中優(yōu)選使用穩(wěn)定劑。作為前述穩(wěn)定劑，優(yōu)選為HNO3或H2SO4,更優(yōu)選為ΗΝ03。作為前述穩(wěn)定劑使用HNO3的情況下，其濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為大于O. I %，另外，優(yōu)選為70%以下，更優(yōu)選為1.0 60%，進(jìn)一步優(yōu)選為5. O 50%。另外，在作為前述穩(wěn)定劑使用H2SO4的情況下，其濃度優(yōu)選為大于O. 1%，另外，優(yōu)選為40%以下，更優(yōu)選為I. O 30%，進(jìn)一步優(yōu)選為5. O 20%。在本發(fā)明的墨液使用Ce(SO4)2的情況下，若穩(wěn)定劑為上述范圍的濃度，則能夠防止墨液的蝕刻能力的降低。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用(NH4)4Ce (SO4) 4。在本發(fā)明的墨液使用(NH4)4Ce (SO4)4的情況下，對(duì)于(NH4)4Ce (SO4)4的含量，從蝕亥幡的觀點(diǎn)出發(fā)，相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量?jī)?yōu)選為大于0.5%，優(yōu)選為I. O %以上，另外，雖然濃度提高的同時(shí)處理速度提高但從溶解度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為30 %以下，更優(yōu)選為25%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為2. O 25%，特別優(yōu)選為5 15%。為了防止墨液中的四價(jià)的鈰化合物的分解，在使用(NH4)4Ce(SO4)4的本發(fā)明的墨液中優(yōu)選使用穩(wěn)定劑。前述穩(wěn)定劑優(yōu)選為H2S04。在作為前述穩(wěn)定劑使用H2SO4的情況下，其濃度優(yōu)選為大于I. O %，另外，優(yōu)選為40 %以下，更優(yōu)選為2. O 30 %，進(jìn)一步優(yōu)選為3 20 %。若H2SO4為上述范圍的濃度，則能夠防止墨液的蝕刻能力的降低。另外，硝酸由于使含有(NH4)4Ce(SO4)4的本發(fā)明的墨液白濁，因而不優(yōu)選作為穩(wěn)定劑。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用亞硝酰氯。
亞硝酰氯如下式所示通過混合鹽酸與硝酸而與活性氯一起產(chǎn)生。HN03+3HC1 — N0C1+C12+2H20在本發(fā)明的墨液含有亞硝酰氯的情況下，優(yōu)選除了包含亞硝酰氯以外還進(jìn)一步包含鹽酸和硝酸，更優(yōu)選相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量含有5%以上的鹽酸、含有20%以上的硝酸，(鹽酸濃度+0.51 X硝酸濃度)的值為35%以下，并且(鹽酸濃度+0. 5 X硝酸濃度)的值為30%以上。在本發(fā)明的墨液使用亞硝酰氯的情況下，硝酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為20%以上，更優(yōu)選為25 50%，進(jìn)一步優(yōu)選為30 40%。另外，在本發(fā)明的墨液使用亞硝酰氯的情況下，鹽酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為5%以上，更優(yōu)選滿足如下關(guān)系(鹽酸濃度+0. 51 X硝酸濃度)所示的式的值為35%以下、并且(鹽酸濃度+0.5X硝酸濃度)所示的式的值為30%以上。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用溴酸化合物或氯酸化合物。溴酸化合物及氯酸化合物可以通過與酸組合使用而提高蝕刻能力。前述溴酸化合物優(yōu)選為溴酸的堿金屬鹽，更優(yōu)選為鈉鹽或鉀鹽。在本發(fā)明的墨液使用溴酸化合物的情況下，溴酸化合物的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為3 40%，更優(yōu)選為5 35%，進(jìn)一步優(yōu)選為10 30%。作為與溴酸化合物并用的無(wú)機(jī)酸，可以例示出磷酸、硝酸及硫酸，優(yōu)選硝酸及硫酸。并用的無(wú)機(jī)酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為4 30%，更優(yōu)選為10 25%。前述氯酸化合物優(yōu)選為氯酸的堿金屬鹽，更優(yōu)選為鈉鹽或鉀鹽。在本發(fā)明的墨液使用氯酸化合物的情況下，氯酸化合物的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為6 40%，更優(yōu)選為10 35%。作為與氯酸化合物并用的無(wú)機(jī)酸，優(yōu)選為鹵化氫，可例示出鹽酸及氫溴酸，優(yōu)選鹽酸。并用的無(wú)機(jī)酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為7 30%，更優(yōu)選為10 25%。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用高錳酸化合物。前述高錳酸化合物優(yōu)選為堿金屬鹽，更優(yōu)選為鈉鹽或鉀鹽。在本發(fā)明的墨液使用高錳酸化合物的情況下，高錳酸化合物的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為O. 001 20%，更優(yōu)選為O. 01 10%，進(jìn)一步優(yōu)選為O. I 5%。高錳酸化合物由于抗衡離子的影響有時(shí)墨液成堿性，但可以加入酸來調(diào)節(jié)墨液的pH。作為與高錳酸化合物并用的酸，可例示出有機(jī)酸或無(wú)機(jī)酸，本發(fā)明中優(yōu)選無(wú)機(jī)酸。本發(fā)明中，作為有機(jī)酸，可例示出甲酸、醋酸及丙酸等，優(yōu)選醋酸。作為無(wú)機(jī)酸，可例示出磷酸、硝酸及硫酸，優(yōu)選為硝酸及硫酸，更優(yōu)選為硫酸。與高錳酸化合物并用的酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為I 50%，更優(yōu)選為5 25%。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用6價(jià)鉻化合物。
6價(jià)鉻化合物有氧化鉻、鉻酸化合物和二鉻酸化合物，作為鉻酸化合物，可例示出堿金屬鹽的鉻酸化合物，作為二鉻酸化合物也可例示出堿金屬鹽的二鉻酸化合物，作為這些堿金屬鹽優(yōu)選鈉鹽或鉀鹽。作為前述6價(jià)鉻化合物，與鉻酸化合物相比優(yōu)選為氧化鉻或二鉻酸化合物，更優(yōu)選為氧化鉻。
在本發(fā)明的墨液使用6價(jià)鉻化合物的情況下，6價(jià)鉻化合物的使用濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為3 30%，更優(yōu)選為5 25%，進(jìn)一步優(yōu)選為10 20%。6價(jià)鉻化合物優(yōu)選并用無(wú)機(jī)酸，作為該無(wú)機(jī)酸，可例示出磷酸、硝酸及硫酸，優(yōu)選硝酸及硫酸，更優(yōu)選硫酸。與6價(jià)鉻化合物并用的無(wú)機(jī)酸的濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為I 50%，更優(yōu)選為5 25%。作為前述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑，可以適合地使用次氯酸鹽。次氯酸鹽多數(shù)情況是使氫氧化堿金屬或氫氧化堿土金屬吸收氯而制造的，在此情況下，由于未反應(yīng)的氫氧化堿金屬或氫氧化堿土金屬的影響，該水溶液顯示強(qiáng)堿性。為了調(diào)節(jié)本發(fā)明的墨液的pH，可以并用酸。作為并用的酸，可以使用無(wú)機(jī)酸及有機(jī)酸中的任一個(gè)。具體來說，可優(yōu)選例示鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、檸檬酸等，這些當(dāng)中更優(yōu)選硫酸或硝酸。在本發(fā)明的墨液使用次氯酸的情況下，本發(fā)明的墨液的pH沒有特別限定，根據(jù)所使用的基材、導(dǎo)電性高分子膜的材質(zhì)進(jìn)行選擇即可，但從抑制氯氣的發(fā)生、蝕刻性的觀點(diǎn)出發(fā)，pH優(yōu)選為4 13，更優(yōu)選為6 12. 5，進(jìn)一步優(yōu)選為7 12，最優(yōu)選為7 11。本發(fā)明的墨液的PH的測(cè)定可以使用市售的pH計(jì)來測(cè)定。在本發(fā)明的墨液使用次氯酸的情況下，次氯酸的有效氯濃度相對(duì)于除了增稠劑的重量以外的墨液的總重量，優(yōu)選為O. 06%以上，更優(yōu)選為O. I %以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2%以上，另外，優(yōu)選為3%以下，更優(yōu)選為2%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I %以下。若有效氯濃度為該范圍內(nèi)則能夠有效地進(jìn)行導(dǎo)電性高分子的蝕刻。本發(fā)明中，次氯酸的有效氯濃度通過利用Na2SO3的滴定法測(cè)得。即，取W克進(jìn)行測(cè)定的試樣，加入離子交換水，使其成為250ml。分取IOml該試樣液，加入碘化鉀10%水溶液10ml。并加入醋酸(I 2) 10ml，使pH為酸性，利用O. I規(guī)定濃度硫代硫酸鈉水溶液進(jìn)行滴定(為了在滴定的途中容易地判定終點(diǎn)，還可以加入可溶性淀粉。)。按照下式由O. I規(guī)定濃度Na2SO3的滴定量及試樣探取量W求出有效氯濃度。[數(shù)I]
s 0.(1()5546 a I: m'., 25U
有效氯濃ft c+ . . --..<ifm
ifI (j另外，f (因子)表示0. I規(guī)定濃度Na2SO3的修正系數(shù)，即，修正實(shí)際使用的Na2SO3水溶液與O. I規(guī)定濃度Na2SO3水溶液之差的系數(shù)?！丛龀韯当景l(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液包含增稠劑。作為能夠用于本發(fā)明的增稠劑，從墨液的穩(wěn)定性及與導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑的非反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選無(wú)機(jī)粒子、和/或表面活性劑。作為無(wú)機(jī)粒子的材質(zhì)，可例示出二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化鈰、氧化鋅、金剛砂、滑石、云母、及高嶺土等。作為無(wú)機(jī)粒子的形狀沒有特別限定，可列舉出球狀、板狀、針狀、纖維狀、無(wú)定形狀等，優(yōu)選球狀。作為無(wú)機(jī)粒子的平均一次粒徑，優(yōu)選為3nm I μ m,更優(yōu)選為3 500nm,進(jìn)一步優(yōu)選為3 lOOnm。作為增稠劑，從成本、墨液的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選表面活性劑。作為表面活性劑，可以使用陰離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑、兩性表面活性齊U、非離子性表面活性劑。 作為陰離子表面活性劑，可列舉出脂肪酸鹽、烷基苯磺酸鹽、單烷基硫酸鹽。作為兩性表面活性劑，可列舉出烷基氧化胺、甜菜堿化合物。作為非離子性表面活性劑，可列舉出聚氧化乙烯烷基醚。這些當(dāng)中，作為表面活性劑，優(yōu)選為單烷基硫酸鹽、或烷基氧化胺，更優(yōu)選為單烷基硫酸鹽。作為單烷基硫酸鹽，優(yōu)選列舉出十二烷基硫酸鹽、十四烷基硫酸鹽，更優(yōu)選列舉出十_■燒基硫酸鹽。另外，在使用單烷基硫酸鹽的情況下，單烷基硫酸鹽若存在酸成分則溶解度提高，因而優(yōu)選與酸性成分一起使用。酸性成分可以為無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸中的任一個(gè)，只要適當(dāng)選擇對(duì)蝕刻劑沒有不良影響的無(wú)機(jī)酸即可。作為單烷基硫酸鹽的優(yōu)選的添加量，相對(duì)于墨液的總重量?jī)?yōu)選為3 40重量％，更優(yōu)選為7 35重量0Z0，進(jìn)一步優(yōu)選為9 35重量0Z0，最優(yōu)選為9 25重量0Z0。特別優(yōu)選在本發(fā)明的墨液含有選自(NH4) 2Ce (NO3) 6、Ce (SO4) 2、及(NH4) 4Ce (SO4) 4中的化合物的情況下含有單烷基硫酸鹽。作為烷基氧化胺，可例示出月桂酰胺丙基二甲基氧化胺、棕櫚酰胺丙基二甲基氧化胺、硬脂酰胺丙基二甲基氧化胺、椰油酰胺丙基二甲基氧化胺、油酰胺丙基二甲基氧化胺、硬化牛脂烷酰胺丙基二甲基氧化胺、椰子油二甲基氧化胺、椰子油二乙基氧化胺椰子油、椰子油甲基乙基氧化胺、N, N- 二甲基-N-烷基氧化胺等。特別優(yōu)選在本發(fā)明的墨液含有次氯酸的情況下含有烷基氧化胺。作為增稠劑，從成本、墨液的穩(wěn)定性、與導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑的非反應(yīng)性、圖案精度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為無(wú)機(jī)粒子。作為無(wú)機(jī)粒子，優(yōu)選為金屬氧化物粒子，更優(yōu)選為氧化硅(二氧化硅)粒子、氧化鈦粒子、氧化鈰粒子、氧化鋁(氧化鋁)粒子、氧化鋅粒子、氧化錫粒子、它們的復(fù)合氧化物粒子及混合物。這些當(dāng)中，進(jìn)一步優(yōu)選二氧化硅粒子和/或氧化鋁粒子，從上述的施加剪切后的粘度的恢復(fù)速度高的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物。另夕卜，在作為導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑使用(NH4) 2Ce (NO3) 6、Ce (SO4)2,和/或(NH4)4Ce(SO4)4的情況下，從成本、與導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑的非反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選無(wú)機(jī)粒子為二氧化硅粒子，在作為導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑使用次氯酸鹽的情況下，從與導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑的非反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選無(wú)機(jī)粒子為二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物。本發(fā)明的墨液中的增稠劑的含量可以按照成為期望的粘度的方式進(jìn)行適當(dāng)調(diào)節(jié)，相對(duì)于墨液的總重量，優(yōu)選為O. 5 50重量％,更優(yōu)選為I 20重量％,進(jìn)一步優(yōu)選為5
10重量％。〈水系介質(zhì)〉本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液包含水系介質(zhì)。能夠用于本發(fā)明的水系介質(zhì)只要是不影響蝕刻處理的介質(zhì)則沒有特別限定，優(yōu)選為水。本發(fā)明的墨液優(yōu)選含有25重量％以上的水系介質(zhì)，更優(yōu)選含有50重量％以上。 另外，如前述那樣，在本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液中還可以包含酸。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液優(yōu)選為水性墨液。〈導(dǎo)電性高分子〉本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)異的蝕刻能力。導(dǎo)電性高分子因π電子移動(dòng)而顯示導(dǎo)電性。大量報(bào)道了這樣的導(dǎo)電性高分子。作為能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子，可例示出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚亞苯基、聚芴、聚聯(lián)噻吩、聚異噻吩、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)、聚異硫茚、聚異萘噻吩、聚乙炔、聚二乙炔、聚對(duì)亞苯基亞乙烯、多并苯、聚噻唑基、聚乙烯亞乙烯、聚對(duì)亞苯基、聚十二烷基噻吩、聚亞苯基亞乙烯、聚亞噻嗯基亞乙烯、聚苯硫醚等、它們的衍生物。這些當(dāng)中，優(yōu)選聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類，更優(yōu)選聚吡咯類、或聚噻吩類，最優(yōu)選電導(dǎo)度、空氣中的穩(wěn)定性及耐熱性優(yōu)異的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。另外，能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子優(yōu)選為水不溶性的導(dǎo)電性高分子。另外，出于在使用導(dǎo)電性高分子時(shí)表現(xiàn)更高的電導(dǎo)度的目的，還可以并用被稱為摻質(zhì)的摻雜劑。作為能夠用于前述導(dǎo)電性高分子的摻質(zhì)，可以使用公知的摻質(zhì)，根據(jù)導(dǎo)電性高分子的種類，可例示出鹵素類(溴、碘、氯等)、路易斯酸(bf3、？匕等)、布倫斯特酸(Bronsted acid) (HN03、H2S04 等)、過渡金屬齒化物(FeCl3、MoCl5 等)、堿金屬(Li、Na 等)、有機(jī)物質(zhì)量(氨基酸、核酸、表面活性劑、色素、烷基銨離子、四氯對(duì)醌(chloranil)、四氰基乙烯(TCNE)、7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)等)等。還可以使導(dǎo)電性高分子自身具有摻雜效果的自摻雜型導(dǎo)電性高分子。另外，在使用聚噻吩類的情況下，作為摻質(zhì)優(yōu)選使用聚苯乙烯磺酸。能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率只要是顯示導(dǎo)電性的值的范圍則沒有特別限定，優(yōu)選為IO-6 104S/cm，更優(yōu)選為10_5_5 103S/cm，進(jìn)一步優(yōu)選為10_5 5 X IO2S/cm。若本發(fā)明中使用的導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率為上述范圍，則在連接部分的圖案化等中是優(yōu)選的。另外，能夠用于本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子優(yōu)選在其使用時(shí)可見光區(qū)域的透射率高的物質(zhì)。另外，透射率在波長(zhǎng)550nm下優(yōu)選為60 98 %，更優(yōu)選為70 95 %，進(jìn)一步優(yōu)選為80 93%。若導(dǎo)電性高分子自身的透射率為上述范圍，則能夠適合用于顯示器等的用途。這里，本發(fā)明中，可見光區(qū)域是指400 700nm。另外，透射率的測(cè)定可以通過分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。
市售有各種的導(dǎo)電性高分子。由Panipol社制造并以“Panipol”的商品名市售的聚苯胺是經(jīng)以功能性磺酸摻雜的有機(jī)溶劑可溶型聚苯胺。由Ormecon社制造并以“Ormecon”的商品名市售的聚苯胺是將有機(jī)酸用于摻質(zhì)的溶劑分散型聚苯胺。由Bayer社制造并以“Baytron”的商品名市售的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)將聚苯乙烯磺酸作為摻質(zhì)。除此之外，由Achilles(株)以商品名“ST poly”市售的聚吡咯、由東洋紡織(株)以商品名“PETMAX”市售的磺化聚苯胺、由Maruai (株)以商品名“SCS-NE0”市售的聚苯胺也可用于本發(fā)明。作為特許流通促進(jìn)事業(yè)可將記載于特許流通支援CHART的平成13年度化學(xué)6“有機(jī)導(dǎo)電性聚合物”中的導(dǎo)電性高分子也用于本發(fā)明。(導(dǎo)電性高分子的圖案化方法)
本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法(以下，還簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明的圖案化方法”。)是使用本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液進(jìn)行的方法。通過使本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液與導(dǎo)電性高分子接觸，從而能夠?qū)υ摻佑|部分進(jìn)行蝕刻。通過本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法進(jìn)行蝕刻的導(dǎo)電性高分子的形狀沒有特別限定，為任意形狀皆可，但優(yōu)選為膜狀。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選包括如下工序在基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的成膜工序；對(duì)前述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序；利用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)前述除去的區(qū)域的導(dǎo)電性高分子進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序；以及從基板上除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)某スば??！闯赡すば颉当景l(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選包括在基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的成膜工序。作為基材沒有特別限定，可根據(jù)使用用途進(jìn)行選擇，具體來說，可列舉出玻璃、石英、聚酯(例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯等)、聚烯烴(例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯等。作為前述成膜工序中的導(dǎo)電性高分子的膜的厚度沒有特別限定，只要是期望的厚度即可，優(yōu)選為Inm 100 μ m,更優(yōu)選為2nm I μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為5 500nm。作為前述成膜工序中的導(dǎo)電性高分子，可以適合地使用前述的物質(zhì)。作為在前述成膜工序中的基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的方法沒有特別限定，通過公知的方法形成即可。具體來說，可例示出將導(dǎo)電性高分子的溶液旋涂或浸涂到基材上并使其干燥的方法等。在基材與導(dǎo)電性高分子的膜之間，還可以根據(jù)需要具有其他層。另外，在前述印刷工序之前，還可以根據(jù)需要在導(dǎo)電性高分子的膜上形成其他層。在基材上形成的導(dǎo)電性高分子的膜可以是同樣的膜，也可以是一部分已經(jīng)通過本發(fā)明的圖案化方法或其他方法圖案化后的膜。〈印刷工序〉本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選包括對(duì)前述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序。作為對(duì)要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的方法，可例示出孔版印刷、凸版印刷、凹版印刷、及平版印刷等。這些當(dāng)中，從能夠容易地調(diào)節(jié)對(duì)蝕刻充分的墨液量的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為孔版印刷，絲網(wǎng)印刷、更優(yōu)選為模板印刷、及焊錫印刷，進(jìn)一步優(yōu)選為絲網(wǎng)印刷。作為前述印刷工序中的賦予本發(fā)明的墨液的量沒有特別限定，可通過墨液的組成、導(dǎo)電性高分子的材質(zhì)、膜的厚度、進(jìn)行蝕刻的時(shí)間、溫度、進(jìn)行蝕刻的深度等適當(dāng)選擇。另外，前述印刷工序中的賦予本發(fā)明的墨液的量可以相對(duì)于前述膜的面積賦予一定量，也可以根據(jù)需要將一部分的墨液量相對(duì)于其他部分的墨液量進(jìn)行增減。另外，前述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域的形狀沒有特別限定，只要是根據(jù)需要的形狀即可。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法可以適合用于例如納米級(jí)至 厘米級(jí)的線寬的蝕刻，并更適合用于微米級(jí)至毫米級(jí)的線寬的蝕刻。〈蝕刻工序〉本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選包括通過前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)前述除去的區(qū)域的導(dǎo)電性高分子進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序。前述蝕刻工序中，前述導(dǎo)電性高分子的膜中接觸有本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的部分被蝕刻，因而在前述印刷工序后，使其經(jīng)過前述除去的區(qū)域的蝕刻所需要的時(shí)間即可。前述蝕刻工序中的經(jīng)過時(shí)間(蝕刻時(shí)間)沒有特別限定，可根據(jù)墨液的組成、導(dǎo)電性高分子的材質(zhì)、膜的厚度、進(jìn)行蝕刻的溫度、進(jìn)行蝕刻的深度等進(jìn)行適當(dāng)選擇。作為前述蝕刻工序中的蝕刻時(shí)的溫度沒有特別限定，可以在例如常溫(10 30°C)下進(jìn)行。另外，為了蝕刻速度的調(diào)節(jié)等，可以對(duì)蝕刻氣氛和/或具有導(dǎo)電性高分子的膜的基材進(jìn)行加熱或冷卻。另外，在蝕刻工序中，前述除去的區(qū)域的除去可以是根據(jù)需要使其貫穿膜并完全蝕刻的方式，也可以是不貫穿膜而僅對(duì)前述除去的區(qū)域的一部分進(jìn)行蝕刻的方式。另外，在前述蝕刻工序中，還可以使具有前述導(dǎo)電性高分子的膜的基材預(yù)先靜置，還可以在搬送等、對(duì)蝕刻沒有大的影響的范圍使具有前述導(dǎo)電性高分子的膜的基材移動(dòng)?！闯スば颉当景l(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選包括從基板上除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)某スば?。作為前述?dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)?，可列舉出例如，本發(fā)明的墨液所產(chǎn)生的導(dǎo)電性高分子的分解物、由蝕刻產(chǎn)生的導(dǎo)電性高分子的微粉等。另外，前述除去工序中，不僅除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)€可以除去不需要的蝕刻殘?jiān)?，這是自不必說的。前述除去工序中，從簡(jiǎn)便性、成本的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選通過水洗來除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)?。作為在前述水洗中使用的水的量，只要是?duì)前述除去充分的量即可。作為水洗方法沒有特別限定，可優(yōu)選例示出通過流水來洗滌具有經(jīng)圖案化的導(dǎo)電性高分子的基材的方法、在水中浸潰具有經(jīng)圖案化的導(dǎo)電性高分子的膜的基材。
另外，在前述除去工序中進(jìn)行水洗的情況下，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法優(yōu)選在前述除去工序后包括使經(jīng)圖案化的導(dǎo)電性高分子的膜干燥的工序。作為前述干燥方法沒有特別限定，可以使用利用熱的干燥、風(fēng)干、利用溫風(fēng)的干燥等公知的方法。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法除了前述工序以外還可以根據(jù)需要包括其他工序。例如，在進(jìn)行本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法后，或進(jìn)行之前，可以通過本發(fā)明以外的其他圖案化方法進(jìn)·行圖案化，另外，也可以進(jìn)行2次以上本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法中，可以根據(jù)需要使用2種以上本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液。本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液、及本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法可以適用于在電解電容器、電池、觸摸面板、液晶面板、及有機(jī)EL元件等中使用的導(dǎo)電性高分子的蝕刻。因此，在高分子有機(jī)EL顯示器所代表的顯示器的顯示像素部分的導(dǎo)電性高分子及周邊電路與導(dǎo)電性高分子的連接部分的圖案化、觸摸面板的檢測(cè)部分的導(dǎo)電性高分子及周邊電路與導(dǎo)電性高分子的連接部分的圖案化、電容器制造時(shí)附著于不需要部分的導(dǎo)電性高分子的除去等這樣的需要蝕刻的用途中，能夠期待促進(jìn)導(dǎo)電性高分子的利用。實(shí)施例以下，使用實(shí)施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。另外，以下記載中的“份”沒有特別限定，則表示“重量份”。(實(shí)施例I)將有效氯濃度13 %的次氯酸鈉50份和水950份混合，制作了有效氯濃度O. 65 %的次氯酸鈉液1，000份。向該次氯酸鈉液中加入日本AER0SIL(株)制的AEROSIL C0K84(二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的5 I混合物、平均一次粒徑約12nm)82份，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，082份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。在印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例2)將有效氯濃度13%的次氯酸鈉50份和水950份混合，制作了有效氯濃度O. 65%的次氯酸鈉液1，000份。向該次氯酸鈉液中緩慢加入O. 062重量％的硫酸600份的同時(shí)進(jìn)行攪拌，最后加入水400份使其混合，由此制作了有效氯濃度O. 325%的次氯酸鈉液2，000份。向該次氯酸鈉液中加入180份日本AEROSIL(株)制的AEROSIL C0K84，攪拌使其均勻散，由此獲得了 2，180份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例3)向有效氯濃度13%的次氯酸鈉50份中混合48重量％的氫氧化鈉水溶液I. 5份和水948. 5份，制作了有效氯濃度O. 65%的次氯酸鈉液1，000份。向該次氯酸鈉液中加入65份日本AEROSIL(株)制的AEROSIL C0K84，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，065份的蝕刻墨液。另外A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲 網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例4)將具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles (株)制ST真空成形用片(膜厚約IOOnm))切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例I制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例5)將具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles(株)制ST真空成形用片)切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例2中制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例6)將具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles(株)制ST真空成形用片)切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例3中制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例7)將水、硝酸鈰銨和濃硝酸混合，制作了硝酸鈰銨濃度10 % ·硝酸濃度15 %的蝕刻液1，000份。向該蝕刻液中加入日本AEROSIL(株)制的AEROSIL 130( 二氧化硅粒子、平均一次粒徑約16nm)80份，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，080份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck (株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。
(實(shí)施例8)將水、硫酸第二鈰和濃硫酸混合，制作了硫酸第二鈰濃度5 % ·硫酸濃度15 %的蝕刻液1，000份。向該蝕刻液中加入90份日本AEROSIL(株)制的AEROSIL 130，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，090份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例9)將水、硫酸鈰銨和濃硫酸混合，制作了硫酸鈰銨濃度10 % ·硫酸濃度15 %的蝕刻液1，000份。向該蝕刻液中加入90份日本AEROSIL(株)制的AEROSIL 130，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，090份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片 的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例10)將具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles(株)制ST真空成形用片)切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例7中制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例11)將具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles(株)制ST真空成形用片)切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例8中制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例⑵具有聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的薄膜的片(Achilles (株)制ST真空成形用片)切成任意大小，使用另外準(zhǔn)備的4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版，通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的實(shí)施例9中制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(比較例I)將有效氯濃度13 %的次氯酸鈉50份和水950份混合，制作了有效氯濃度O. 65 %的次氯酸鈉液1，000份。向該次氯酸鈉液中加入45份日本AEROSIL(株)制的AEROSILC0K84，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，045份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H.C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜(厚度約50nm)和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了導(dǎo)電性高分子的圖案化。但由于墨液的粘度低，因而從一部分絲網(wǎng)圖案滲出，完成后的圖案的精度低。(實(shí)施例I3)將水、硝酸鈰銨和濃硝酸混合，制作了硝酸鈰銨濃度10% ·硝酸濃度15%的蝕刻液1，000份。向該蝕刻液中加入200份日本AEROSIL(株)制的AEROSIL 130，攪拌使其均勻分散，由此獲得了 1，200份的蝕刻墨液。另外在A4尺寸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片的表面制作了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子(H. C. Starck(株)制CLEVI0SPH500)的薄膜和4. Ocm見方的PET制絲網(wǎng)版。通過手工印刷的印刷機(jī)放置薄膜和絲網(wǎng)版，并放置適量的事先制作 的蝕刻墨液進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。印刷結(jié)束30秒后，用大量的水沖洗薄膜上的蝕刻墨液并進(jìn)行干燥，由此殘留有蝕刻墨液的部分的薄膜完全溶解或剝離，完成了導(dǎo)電性高分子的圖案化。但由于粘度高，因而絲網(wǎng)的墨液透射變差，與實(shí)施例7 9相比，完成后的圖案的精度雖然在實(shí)用上沒有問題，但有一些變差。(實(shí)施例14)向硝酸鈰銨10%·硝酸15%溶液1,000份中加入81份AEROSIL 130，制作了導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，以下的表I中示出此時(shí)的粘度和TI值。另外，粘度的測(cè)定中，使用(株)東京計(jì)器制型號(hào)BM(B型粘度計(jì))，基于JISK7117-1 :1999，算出6rpm(25°C )下的測(cè)定值及60rpm(25°C )下的測(cè)定值、以及利用這些值算出TI值。[表 I]
ΤΙΙ
添力丨JM(份)_lM(mPa-s)_I (mPa-s)__
_8l_I 13900_I 2600_[53_分別使用上述制作的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，與實(shí)施例7或?qū)嵤├?0同樣地，進(jìn)行了聚噻吩系導(dǎo)電性高分子或聚吡咯系導(dǎo)電性高分子的蝕刻，結(jié)果獲得依據(jù)絲網(wǎng)圖案的導(dǎo)電性高分子的圖案化。(實(shí)施例I5)向有效氯濃度O. 65%的次氯酸鈉液1，000份中添加73份AER0SILC0K84，制備導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，在以下的表2中示出此時(shí)的粘度和TI值。另外，粘度的測(cè)定通過與實(shí)施例14同樣的方法進(jìn)行。[表2]
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，包含導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑、增稠劑及水系介質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4)2Ce(NO3)6Xe(SO4)價(jià)鉻化合物、及次氯酸鹽中的化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑為選自(NH4) 2Ce (NO3) 6、Ce (SO4)2, (NH4) 4Ce (SO4) 4、高錳酸化合物及次氯酸鹽中的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物、及表面活性劑中的增稠劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述增稠劑為選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、及二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合物中的增稠劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述增稠劑為表面活性劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其中， 所述水系介質(zhì)為水。
8.一種導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其特征在于，包括如下工序 在基材上形成導(dǎo)電性高分子的膜的成膜工序； 對(duì)所述膜中的要除去導(dǎo)電性高分子的區(qū)域賦予權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的印刷工序； 利用所述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液對(duì)所述除去區(qū)域的導(dǎo)電性高分子進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序；以及 從基板上除去殘留的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液及導(dǎo)電性高分子的蝕刻殘?jiān)某スば颉?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中， 所述導(dǎo)電性高分子為選自聚乙炔類、聚對(duì)亞苯基類、聚對(duì)亞苯基亞乙烯類、聚亞苯基類、聚亞噻嗯基亞乙烯類、聚芴類、多并苯類、聚苯胺類、聚吡咯類、及聚噻吩類中的導(dǎo)電性高分子。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中， 所述導(dǎo)電性高分子為聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類。
11.根據(jù)權(quán)利要求7 10中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法，其中， 所述導(dǎo)電性高分子為聚(3，4_乙烯二氧噻吩)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供對(duì)導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)異的蝕刻能力、所得到的圖案的精度高的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液、以及使用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法。本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液，其特征在于，其包含導(dǎo)電性高分子用蝕刻劑、增稠劑、及水系介質(zhì)。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子的圖案化方法是使用前述導(dǎo)電性高分子蝕刻用墨液的圖案化方法。
文檔編號(hào)C09K13/00GK102858915SQ20118001832
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者西村康雄, 井原孝, 田口裕務(wù) 申請(qǐng)人:鶴見曹達(dá)株式會(huì)社, 東亞合成株式會(huì)社