專利名稱：一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聚酰胺-胺(PAMAM)樹形分子包覆的ZnX(X = S、Se、Te)半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域，使用本方法制備的聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)對(duì)潛指紋殘留物具有靶向性和熒光顯現(xiàn)作用。
背景技術(shù)：
指紋，也稱手印，有廣義和狹義之分。廣義的指紋包括指頭紋、指節(jié)紋和掌紋。狹義的指紋是指人的手指末端內(nèi)側(cè)指球的表面花紋，它在人體胚胎發(fā)育的第3 4月開始生長，第六月完全形成。 每個(gè)人的指紋都是其特有的一種符號(hào)，因人而異、因指而異，具有唯一性；在無特殊外力作用下，乳突花紋形態(tài)和紋線細(xì)節(jié)特征不因?yàn)槟挲g的改變而改變，具有終生不變性；手指末端感覺靈敏，同物體接觸的機(jī)會(huì)最多，且皮膚表面布滿汗液和皮脂，觸物留痕；此外，指球表面花紋圖形整齊規(guī)律易于顯現(xiàn)，因此對(duì)于刑事案件，犯罪分子遺留在現(xiàn)場的指紋，就是揭露其犯罪和鎖定其身份的最有利的證據(jù)。而指紋也歷來被司法界公認(rèn)為“證據(jù)之王”。“可塑性指紋”和“可見指紋”容易發(fā)現(xiàn)和提取，但對(duì)于潛指紋就必須運(yùn)用可靠方法，對(duì)其進(jìn)行顯現(xiàn)。1877年，法國醫(yī)生Aubert在研究皮膚病和腺體分泌的過程中，將硝酸銀溶液涂在紙上顯現(xiàn)出了汗液指紋，從而成為指紋顯現(xiàn)技術(shù)鼻祖。經(jīng)過一百多年的發(fā)展，指紋顯現(xiàn)技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成為綜合物理、化學(xué)、生物科學(xué)等多門自然科學(xué)于一身的專業(yè)技術(shù)。其中，光致發(fā)光法是一種近年來才發(fā)展起來的一種新型指紋顯現(xiàn)方法，具有成本低、安全性高、選擇能力強(qiáng)、靈敏度高、可以檢測出單個(gè)光子的優(yōu)點(diǎn)，因此受到法庭科學(xué)工作人員的青睞。光致發(fā)光法顯現(xiàn)潛指紋的研究中，常用的光致發(fā)光材料為有機(jī)熒光染料，如羅丹明6G、龍膽紫、甲基藍(lán)等。它們有激發(fā)光譜窄、發(fā)射光譜寬、激光系數(shù)小、熒光強(qiáng)度低、光學(xué)穩(wěn)定性差、抗漂白能力差等缺點(diǎn)，顯現(xiàn)的指紋會(huì)存在紋路不清、假特征點(diǎn)多、指紋紋路與基底的對(duì)比度小等問題，無法滿足目前對(duì)指紋顯現(xiàn)提出的高精度要求。因此，技術(shù)工作人員將重點(diǎn)投向了新型光致發(fā)光材料的研發(fā)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)便是其中重要一種。將半導(dǎo)體量子點(diǎn)與光致發(fā)光法顯現(xiàn)潛指紋相結(jié)合的設(shè)想來源于生物技術(shù)領(lǐng)域廣泛使用的熒光量子點(diǎn)標(biāo)記技術(shù)。該技術(shù)的基本原理是，修飾了功能性有機(jī)物質(zhì)的熒光量子點(diǎn)，其外端裸露的功能性基團(tuán)可以與目標(biāo)生物物質(zhì)進(jìn)行靶向結(jié)合，從而將量子點(diǎn)標(biāo)記其上，然后在特定光源激發(fā)下產(chǎn)生熒光圖像。從理論上講，該半導(dǎo)體量子點(diǎn)熒光標(biāo)記法可移植應(yīng)用于潛指紋顯現(xiàn)領(lǐng)域。因此，從2000年起，法庭技術(shù)人員開始將其應(yīng)用于潛指紋顯現(xiàn)，如Menzel 等(Patent No. US 09 487 702, 2000,Patent No. US 6，30662B1，2001)報(bào)道了用PAMAM樹形分子包覆的光致發(fā)光性CdS量子點(diǎn)進(jìn)行潛指紋顯現(xiàn)的研究，開創(chuàng)了用樹形分子包覆的熒光性半導(dǎo)體量子點(diǎn)進(jìn)行潛指紋顯現(xiàn)的先河。但Cd2+離子為重金屬離子，在使用過程中對(duì)工作人員及環(huán)境有一定的傷害，因此研究環(huán)保型的指紋顯現(xiàn)試劑十分重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了提出一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。 本發(fā)明的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，采用PAMAM樹形分子包覆ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)，X為S、Se或Te中的一種，PAMAM樹形分子端基類型為胺基、酯基、羥基或羧基，代數(shù)為3. 0 7. 0 ;具體步驟為I)合成PAMAM樹形分子包覆的ZnX (X = S、Se、Te)半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液；i)向濃度為 I X 10 5mol L 1 I X 10 4mol L 丨、pH 為 5. 0 9. 0 的 PAMAM 樹形分子溶液中加入濃度為0. Olmol L-1 0. Imol L-1的Zn2+離子溶液，使Zn2+離子與PAMAM樹形分子的摩爾數(shù)比為0. 5 I 40 1，在5°C 45°C的條件下絡(luò)合3 48h，直至Zn2+離子與PAMAM樹形分子配位平衡，得到Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合溶液；所述的PAMAM樹形分子溶液所使用的溶劑為甲醇、水、甲醇與水的混合物或二甲基亞砜中的一種；所述的Zn2+離子來自于氯化鋅溶液、乙酸鋅溶液或硝酸鋅溶液中的一種；ii) X2-源的制備當(dāng)X2-源為S2-源時(shí)，直接采用硫化鈉溶液、硫化鉀溶液或硫化氫溶液；當(dāng)X2_源為Se2_源時(shí)，將硒粉和硼氫化鈉以摩爾比為I : I I : 8置于去離子水中，攪拌，在0°C 40°C下反應(yīng)生成濃度為0. 002mol L—1 0. 2mol L—1的硒氫化鈉溶液；當(dāng)X2_源為Te2_源時(shí)，將碲粉和硼氫化鈉以摩爾比為I : I I : 8置于去離子水中，攪拌，在0°C 40°C下反應(yīng)生成濃度為0. 002mol L—1 0. 2mol L—1的碲氫化鈉溶液；iii)向步驟i)得到的絡(luò)合溶液中，加入步驟ii)制備的X2_源溶液，其中，加入的X2_源的摩爾數(shù)與Zn2+離子的摩爾數(shù)相同；X2_SS2_、Se2_*Te2_離子中的一種；在51 45°C下攪拌反應(yīng)5min 60min，用截留分子量為2000 5000的透析袋進(jìn)行滲析，得到澄清的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液，其最大熒光發(fā)射強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的波長在450nm 750nm范圍內(nèi)可調(diào)；2) PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液對(duì)潛指紋的熒光標(biāo)記；將載有潛指紋的基底直接浸泡在PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中Imin 12h，然后將基底取出，用去離子水沖洗，自然涼干，得到載有待顯現(xiàn)潛指紋的基底，并將其置于暗室中，在300nm 400nm范圍內(nèi)紫外光激發(fā)下拍照，得到熒光指紋照片；上述步驟I)中合成的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液還可以進(jìn)一步修飾，即PAMAM樹形分子包覆的ZnXOM2+半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液，M2+為Mn2+、Co2+、Zn2+或Cu2+中的一種；具體步驟為在5°C 45°C下，將M2+離子溶液加入到步驟I)得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中，對(duì)ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)進(jìn)行修飾摻雜，使M2+離子與ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)的摩爾數(shù)比為I : I 8 : I，攪拌lOmin，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnXOM2+量子點(diǎn)；所述的ZnXOM2+為M2+離子吸附在ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)表面。有益效果
本發(fā)明的方法制備工藝簡單，顯現(xiàn)過程簡便，易于大批量生產(chǎn)和推廣普及；本發(fā)明的方法避免了目前顯現(xiàn)試劑中重金屬離子Cd2+的毒性問題，對(duì)環(huán)境及使用
者無害；本發(fā)明的方法中金屬離子M2+的加入可以進(jìn)一步提高ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)的熒光發(fā)射強(qiáng)度；本發(fā)明的方法利用PAMAM樹形分子與指紋殘留物間的相互作用(物理吸附作用和化學(xué)偶聯(lián)作用)，既保留了物理顯現(xiàn)方法較高的顯現(xiàn)效率，又彌補(bǔ)了物理顯現(xiàn)法對(duì)指紋紋線細(xì)節(jié)顯現(xiàn)不足的缺點(diǎn)，提高了潛指紋顯現(xiàn)的精度和準(zhǔn)確度。


圖I不同絡(luò)合時(shí)間下Zn2+/PAMAM樹形分子配合物的UV-Vis吸收光譜圖； 圖2為圖I中吸收波長為260nm 300nm區(qū)間的局部放大圖；圖3Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合作用示意圖；圖4PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備原理示意圖；圖5PAMAM樹形分子及其包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的UV-Vis吸收光譜圖；圖6PAMAM樹形分子及其包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜圖；圖7PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)對(duì)潛指紋的熒光標(biāo)記照片；圖8PAMAM樹形分子及其包覆的ZnSOZn2+量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，采用PAMAM樹形分子包覆ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)，PAMAM樹形分子端基為胺基，代數(shù)為5. 0 ;具體步驟為I)合成PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液；i)向IOOmL濃度為I X l(T5mol L'pH為7. 0的PAMAM樹形分子甲醇溶液中加入0. 25mL濃度為0. Imol L—1的氯化鋅溶液，然后在25°C的條件下絡(luò)合7h，得到Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合溶液，在其絡(luò)合過程中對(duì)Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合溶液進(jìn)行UV-Vis吸收光譜表征，結(jié)果如圖I所示，圖2為圖I中吸收波長為260nm 300nm區(qū)間的局部放大圖；由圖I和圖2可以看出，絡(luò)合時(shí)間為Oh時(shí)，PAMAM樹形分子溶液在230nm和280nm處有兩個(gè)大的吸收峰，它們由PAMAM樹形分子中-CO-NH-(酰胺鍵)中N上孤對(duì)電子向發(fā)光基團(tuán)-C = 0轉(zhuǎn)移的n— 躍遷引起；隨著絡(luò)合時(shí)間的延長，PAMAM樹形分子溶液在280nm處的紫外吸收峰強(qiáng)度逐漸降低，6h后達(dá)到最低值；加入Zn2+離子后，Zn2+離子與PAMAM樹形分子發(fā)生了配位絡(luò)合作用，PAMAM的-C0-NH-(酰胺鍵)中N上的孤對(duì)電子躍遷至Zn2+離子的d空軌道(Zn2+離子的典型飽和配位數(shù)為6，即一個(gè)Zn2+離子最多可以與6個(gè)N發(fā)生作用，如圖3所示)，產(chǎn)生配體一金屬離子的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(LMCT)，降低了自身N上的孤對(duì)電子向發(fā)光基團(tuán)-C = O上軌道轉(zhuǎn)移的n — *躍遷幾率，因此其在280nm處的紫外吸收峰強(qiáng)度逐漸降低，直到平衡；絡(luò)合7h時(shí)，Zn2+/PAMAM樹形分子絡(luò)合物的吸收峰幾乎與6h時(shí)重合，可認(rèn)為在35°C條件下Zn2+離子與PAMAM樹形分子的配位平衡時(shí)間為6 7h，表明此時(shí)Zn2+離子已經(jīng)完全突破PAMAM樹形分子外圍枝干的阻礙，進(jìn)入其內(nèi)部與N配體進(jìn)行配位了 ；ii)向步驟i)得到的絡(luò)合溶液中加入0. 25mL濃度為0. Imol -L^1的硫化鈉溶液，然后在25°C條件下攪拌反應(yīng)lOmin，用截留分子量為3500的透析袋在甲醇中滲析，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液，其最大熒光發(fā)射強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的波長位于450nm ;圖4是PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的具體制備原理示意圖。從中可以看出，在Zn2+離子與PAMAM樹形分子發(fā)生穩(wěn)定配位絡(luò)合作用的基礎(chǔ)上，往Zn2+/PAMAM樹形分子絡(luò)合溶液中加入適量Na2S溶液，將得到一個(gè)較大的納米簇，即ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)。雖然Na2S溶液加入的瞬間會(huì)得到PAMAM樹形分子包覆的多個(gè)ZnS分子，但由于單個(gè)ZnS分子的表面能較大，因此很容易在PAMAM樹形分子內(nèi)部團(tuán)聚成簇；圖5為負(fù)載比為25時(shí)，PAMAM樹形分子及其包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液的紫外-可見吸收光譜(ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)與PAMAM樹形分子的摩爾比的比值稱為負(fù)載比)。從圖5可以看出
在Zn2+/PAMAM樹形分子絡(luò)合物溶液中加入S2_離子后，體系在272nm處出現(xiàn)了新的吸收峰。該峰由ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)表面等離子體共振引起，表明目標(biāo)產(chǎn)物ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)已經(jīng)生成；圖6為負(fù)載比為25時(shí)，PAMAM樹形分子及其包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液的熒光發(fā)射光譜圖，從中可以看出，負(fù)載比為25時(shí)，PAMAM包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的熒光發(fā)射強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于PAMAM樹形分子自身的熒光發(fā)射強(qiáng)度，表明目標(biāo)產(chǎn)物ZnS量子點(diǎn)已經(jīng)生成；2) PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液對(duì)潛指紋的熒光標(biāo)記；志愿者首先在流水下使用肥皂洗三遍手，自然晾干，擦蹭額頭數(shù)次，在錫紙上分別按捺油潛指紋樣本進(jìn)行保存；在Ih顯現(xiàn)時(shí)間內(nèi)，將載有志愿者潛指紋的錫紙完全浸泡到步驟I)得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中，室溫下反應(yīng)30min，然后將錫紙取出，用自來水沖洗3次，晾干，置于365nm光源下激發(fā)拍照固定，得到指紋照片如圖7所示。從中可以看出，在紫外光激發(fā)下，標(biāo)記后的潛指紋發(fā)射出明亮的藍(lán)色熒光，指紋紋路清晰連貫，與基底反差明顯。原因是潛指紋中的某些有機(jī)組分，如油脂，與PAMAM樹形分子外圍的胺端基發(fā)生了靜電吸附作用或者胺解反應(yīng)，使得PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)靶向結(jié)合在指紋的乳突紋上。實(shí)施例2I)合成PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液；i)向IOOmL濃度為lXl(T5mol .L'pH為7. O的PAMAM樹形分子甲醇溶液中加入0. 25mL濃度為0. Imol L—1的氯化鋅溶液，然后在25°C的條件下絡(luò)合7h，得到Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合溶液；ii)向步驟i)得到的絡(luò)合溶液中加入0. 25mL濃度為0. Imol -L^1的硫化鈉溶液，然后在25°C條件下攪拌反應(yīng)lOmin，用截留分子量為3500的透析袋在甲醇中滲析，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液；2)在25°C下，將0. 375mL的濃度為0. Imol -L^1的氯化鋅溶液加入到步驟I)得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中，對(duì)ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)進(jìn)行修飾摻雜，攪拌lOmin，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnXOM2+量子點(diǎn)溶液，并用熒光發(fā)射光譜對(duì)其進(jìn)行表征，如圖8所不；從中可以看出，加入Zn2+尚子后,PAMAM樹形分子包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液的熒光發(fā)射強(qiáng)度顯著增強(qiáng)；原因是對(duì)ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)有穩(wěn)定作用的PAMAM樹形分子中的N，O原子可以與Zn2+離子配位，使得Zn2+離子附著在ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)表面，飽和了其表面的S2_懸鍵，因此熒光發(fā)射強(qiáng)度增強(qiáng)。表明適量金屬Zn2+離子的加入可以有效提高量子點(diǎn)的熒光發(fā)射性能。3)將得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnXOM2+量子點(diǎn)溶液對(duì)潛指紋進(jìn)行熒光標(biāo)記。本發(fā)明包括但不局限于以上實(shí)施例，凡是在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何 局部改動(dòng)、等同替換都將視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，采用PAMAM樹形分子包覆ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)，X為S、Se或Te中的一種，PAMAM樹形分子端基類型為胺基、酯基、羥基或羧基，代數(shù)為3. O 7. O ;其特征在于具體步驟為 I)合成PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液； 1)向濃度為IX I(T5HioI · Γ1 I X IΟΛιοI · L'pH為5. O 9. O的PAMAM樹形分子溶液中加入濃度為O. Olmol · L—1 O. Imol · L—1的Zn2+離子溶液，使Zn2+離子與PAMAM樹形分子的摩爾數(shù)比為O. 5 I 40 1，在5°C 45°C的條件下絡(luò)合3 48h，直至Zn2+離子與PAMAM樹形分子配位平衡，得到Zn2+離子與PAMAM樹形分子的絡(luò)合溶液； 所述的PAMAM樹形分子溶液所使用的溶劑為甲醇、水、甲醇與水的混合物或二甲基亞砜中的一種；所述的Zn2+離子來自于氯化鋅溶液、乙酸鋅溶液或硝酸鋅溶液中的一種； )制備#_源 iii)向步驟i)得到的絡(luò)合溶液中，加入步驟ii)制備的X2-源溶液，其中，加入的X2-源的摩爾數(shù)與Zn2+離子的摩爾數(shù)相同；X2_SS2_、Se2_*Te2_離子中的一種；在51 45°C下攪拌反應(yīng)5min 60min，用截留分子量為2000 5000的透析袋進(jìn)行滲析，得到澄清的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液； 2)PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液對(duì)潛指紋的熒光標(biāo)記； 將載有潛指紋的基底直接浸泡在PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中Imin 12h，然后將基底取出，用去離子水沖洗，自然涼干，得到載有待顯現(xiàn)潛指紋的基底，并將其置于暗室中，在300nm 400nm范圍內(nèi)紫外光激發(fā)下拍照，得到熒光指紋照片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，其特征在于步驟ii)中X2-源為S2-源，直接采用硫化鈉溶液、硫化鉀溶液或硫化氫溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，其特征在于步驟ii)中礦源為3#_源，制備方法為將硒粉和硼氫化鈉以摩爾比為I : I I : 8置于去離子水中，攪拌，在0°C 40°C下反應(yīng)生成濃度為O.002mol · L I O. 2mol · L 1的硒氫化鈉溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，其特征在于步驟ii)中X2-源為Te2—源，制備方法為將碲粉和硼氫化鈉以摩爾比為I : I I : 8置于去離子水中，攪拌，在0°C 40°C下反應(yīng)生成濃度為O.002mol · L I O. 2mol · L 1的締氫化鈉溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，其特征在于對(duì)步驟I)中合成的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液進(jìn)一步修飾，具體步驟為 在5°C 45°C下，將M2+離子溶液加入到步驟I)得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液中，對(duì)ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)進(jìn)行修飾摻雜，使M2+離子與ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)的摩爾數(shù)比為I : I 8 : I，攪拌lOmin，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnXOM2+量子點(diǎn)； M2+為Mn2+、Co2+、Zn2+或Cu2+中的一種；ZnX@M2+為M2+離子吸附在ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX(X＝S、Se、Te)半導(dǎo)體量子點(diǎn)在指紋顯現(xiàn)中的應(yīng)用，屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先合成PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液；然后將PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)溶液對(duì)潛指紋進(jìn)行熒光標(biāo)記。本發(fā)明的方法避免了目前顯現(xiàn)試劑中重金屬離子Cd2+的毒性問題，對(duì)環(huán)境及使用者無害；金屬離子M2+的加入可以進(jìn)一步提高ZnX半導(dǎo)體量子點(diǎn)的熒光發(fā)射強(qiáng)度；利用PAMAM樹形分子與指紋殘留物間的相互作用，既保留了物理顯現(xiàn)方法較高的顯現(xiàn)效率，又彌補(bǔ)了物理顯現(xiàn)法對(duì)指紋紋線細(xì)節(jié)顯現(xiàn)不足的缺點(diǎn)，提高了潛指紋顯現(xiàn)的精度和準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)C09K11/88GK102703057SQ20121015455
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月18日
發(fā)明者唐曉旭, 段曉博, 耶律媛含, 靳玉娟 申請(qǐng)人:北京工商大學(xué)