有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法；該器件包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)和低折射率材料分別按照1~10%和10~40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料。本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，電子傳輸層利用結(jié)晶性小分子摻雜到電子傳輸層中，在一定的溫度下，小分子進(jìn)行結(jié)晶，使光線在晶體中進(jìn)行散射，使向電子傳輸層一側(cè)發(fā)射的光可以返回到器件的基底一側(cè)，同時(shí)，利用低折射率材料，使光線從發(fā)光層到傳輸層的時(shí)候發(fā)生全反射，增強(qiáng)出光效率。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體材料，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時(shí)。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照廣10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁釩；所述低折射率材料為氯化鈉、氟化鈉或溴化鈉；所述主體材料為硫化鎘、硫化鋅或氧化鋅。
[0008]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陽(yáng)極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
[0009]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩。
[0010]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[Ν，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。
[0011]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁。
[0012]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述電子注入層的材質(zhì)為氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
[0013]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金。
[0014]本發(fā)明還提供上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0015]S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0016]S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5-15min，功率為10-50W ；
[0017]S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照廣10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁釩；所述低折射率材料為氯化鈉、氟化鈉或溴化鈉；所述主體材料為硫化鎘、硫化鋅或氧化鋅；
[0018]上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0019]本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，電子傳輸層利用結(jié)晶性小分子摻雜到電子傳輸層中，在一定的溫度下，小分子進(jìn)行結(jié)晶，使光線在晶體中進(jìn)行散射，使向電子傳輸層一側(cè)發(fā)射的光可以返回到器件的基底一側(cè)，同時(shí)，利用低折射率材料，使光線從發(fā)光層到傳輸層的時(shí)候發(fā)生全反射，增強(qiáng)出光效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為實(shí)施例1和對(duì)比例I各自制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0022]本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括依次層疊的陽(yáng)極基底1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極層7 ；電子傳輸層5的材質(zhì)為所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照1-10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁釩(V2Pc5);所述低折射率材料為氯化鈉(NaCl)，氟化鈉(NaF)或溴化鈉(NaBr);所述主體材料為硫化鎘(CdS)At化鋅(ZnS)或氧化鋅(ZnO)。
[0023]上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，電子傳輸層的厚度為2(T200nm,優(yōu)選厚度為180nm ;低折射率材料為氯化鈉(NaCl)，氟化鈉(NaF)或溴化鈉(NaBr);這種材料折射率在1.3左右，且蒸發(fā)溫度較低，呈白色，幾乎不對(duì)光有吸收現(xiàn)象。
[0024]在上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，其它各功能層的材質(zhì)和厚度如下:
[0025]所述陽(yáng)極基底I為銦錫氧化物玻璃(IT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0;[0026]所述空穴注入層2的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),優(yōu)選為WO3 ;所述空穴注入層的厚度為20-80nm，優(yōu)選厚度為40nm ；
[0027]所述空穴傳輸層3的材料為1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州州，-二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，優(yōu)選為NPB ;所述空穴傳輸層的厚度為20_60nm，優(yōu)選厚度為40nmo
[0028]所述發(fā)光層4的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁(Alq3),優(yōu)選為Alq3 ;所述發(fā)光層的厚度為5_40nm,優(yōu)選厚度為15nm ；
[0029]所述電子注入層6的材質(zhì)為氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，優(yōu)選為L(zhǎng)iF ;所述電子注入層的厚度為0.5-10nm，優(yōu)選厚度為Inm ；
[0030]所述陰極層7的材質(zhì)為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag ;所述陰極層的厚度為80-250nm，優(yōu)選厚度為150nm。
[0031]本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，電子傳輸層利用結(jié)晶性小分子摻雜到電子傳輸層中，在一定的溫度下，小分子進(jìn)行結(jié)晶，使光線在晶體中進(jìn)行散射，使向電子傳輸層一側(cè)發(fā)射的光可以返回到器件的基底一側(cè)，同時(shí)，利用低折射率材料，使光線從發(fā)光層到傳輸層的時(shí)候發(fā)生全反射，增強(qiáng)出光效率。
[0032]上述有機(jī)電 致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0033]S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0034]S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5_15min，功率為10-50W，用以提高功函數(shù)；
[0035]S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照廣10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁釩(V2Pc5);所述低折射率材料為氯化鈉(NaCl )，氟化鈉(NaF)或溴化鈉(NaBr);所述主體材料為硫化鎘(CdS)、硫化鋅(ZnS)或氧化鋅(ZnO)；
[0036]上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0037]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0038]實(shí)施例1
[0039]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IT0/ff03/NPB/Alq3/CuPc: NaCl: ZnS/LiF/Ag。
[0040]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0041]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0042]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為 30W ；[0043]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為40nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為40nm)、發(fā)光層(材料為Alq3，厚度為15nm)、電子傳輸層(材料為CuPc:NaCl:ZnS，CuPc的摻雜質(zhì)量百分比為5%，ZnS的摻雜質(zhì)量百分比為20% ;厚度為180nm)、電子注入層(材料為L(zhǎng)iF,厚度為Inm)和陰極層(材料為Ag,厚度為150nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0044]實(shí)施例2
[0045]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IZ0/Mo03/TAPC/BCzVBi/V2Pc5: NaBr: CdS/CsN3/Au。
[0046]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0047]1、先將IZO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0048]2、對(duì)清洗干凈后的IZO玻璃的IZO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5min，功率為50W ；
[0049]3、在IZO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為MoO3，厚度為20nm)、空穴傳輸層(材料為TAPC，厚度為80nm)、發(fā)光層(材料為BCzVBi，厚度為40nm)、電子傳輸層(材料為V2Pc5:NaBr:CdS，V2Pc5的摻雜質(zhì)量百分比為10%，CdS的摻雜質(zhì)量百分比為10% ;厚度為lOOnm)、電子注入層(材料為CsN3,厚度為IOnm)和陰極層(材料為Au,厚度為80nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0050]實(shí)施例3
[0051 ] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:AZ0/W03/TCTA/DCJTB/ZnPc: NaF: ZnO/LiF/Al。
[0052]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0053]1、先將AZO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0054]2、對(duì)清洗干凈后的AZO玻璃的AZO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為15min，功率為 IOff ；
[0055]3、在AZO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為80nm)、空穴傳輸層(材料為TCTA，厚度為20nm)、發(fā)光層(材料為DCJTB，厚度為5nm)、電子傳輸層(材料為ZnPc:NaF:ZnO，ZnPc的摻雜質(zhì)量百分比為1%，ZnO的摻雜質(zhì)量百分比為40% ;厚度為200nm)、電子注入層(材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm)和陰極層(材料為Al，厚度為250nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0056]實(shí)施例4
[0057]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IT0/V205/NPB/ADN/ZnPc: CsBr: CdS/CsF/Pt。
[0058]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0059]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0060]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為12min，功率為 25W ；[0061]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為V2O5，厚度為25nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為55nm)、發(fā)光層(材料為ADN，厚度為10nm)、電子傳輸層(材料為ZnPc:CsBr:CdS, ZnPc的摻雜質(zhì)量百分比為8 %，ZnPc的摻雜質(zhì)量百分比為30% ;厚度為120nm)、電子注入層(材料為CsF,厚度為Inm)和陰極層(材料為Pt,厚度為IOOnm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0062]對(duì)比例I
[0063]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IT0/W03/NPB/Alq3/TPBi/LiF/Ag。
[0064]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0065]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0066]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為 30W ；
[0067]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為40nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為40nm)、發(fā)光層(材料為Alq3，厚度為15nm)、電子傳輸層(材料為TPBi，厚度為60nm)、電子注入層(材料為L(zhǎng)iF，厚度為Inm)和陰極層(材料為Ag，厚度為150nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0068]以上各個(gè)實(shí)施例和對(duì)比例I所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào):2602)、電致發(fā)光光譜測(cè)試儀(美國(guó)photo research公司，型號(hào):PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號(hào):ST-86LA)。
[0069]圖2為實(shí)施例1和對(duì)比例I各自制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系曲線。
[0070]從附圖2上可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都比對(duì)比例I的要大，最大的流明效率為31.21m/W，而對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率僅為15.61m/W，而且對(duì)比例I的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說(shuō)明，電子傳輸層利用結(jié)晶性小分子摻雜到電子傳輸層去，使光線在晶體中進(jìn)行散射，同時(shí)，利用低折射率材料使光線從發(fā)光層到傳輸層的時(shí)候發(fā)生全反射，最終反射到底部從底部玻璃出射，增強(qiáng)出光效率。
[0071]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照f(shuō) 10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁釩；所述低折射率材料為氯化鈉、氟化鈉或溴化鈉；所述主體材料為硫化鎘、硫化鋅或氧化鋅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴或五氧化二fL。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為.1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質(zhì)為氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層的材質(zhì)為銀、招、鉬或金。
8.權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物； S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5-15min，功率為:10-50W ； S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)為結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)按照廣10%的質(zhì)量百分比和低折射率材料按照10-40%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的三元摻雜混合材料；所述結(jié)晶性有機(jī)小分子物質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁釩；所述低折射率材料為氯化鈉、氟化鈉或溴化鈉；所述主體材料為硫化鎘、硫化鋅或氧化鋅； 上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】C09K11/06GK103456895SQ201210174267
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司