專利名稱：基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置及基板處理方法。本申請基于2011年6月2日在美國申請的臨時專利申請第61/492630號而主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容引用于此。
背景技術(shù)：
使用半導(dǎo)體材料的CIGS型太陽能電池或CZTS型太陽能電池作為具有高變換效率的太陽能電池而受到注目，所述半導(dǎo)體材料包含Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及它們的組合等金屬和S、Se、Te及它們的組合等硫族元素(例如參照專利文獻(xiàn)I 專利文獻(xiàn)3)。 CIGS型太陽能電池例如使用由上述Cu、In、Ga、Se這四種半導(dǎo)體材料構(gòu)成的膜來作為光吸收層(光電變換層)。另外，CZTS型太陽能電池例如使用由Cu、Zn、Sn、Se這四種 半導(dǎo)體材料構(gòu)成的膜來作為光吸收層(光電變換層)。作為這樣的太陽能電池的結(jié)構(gòu)，例如公知有如下的結(jié)構(gòu)在由玻璃等構(gòu)成的基板上設(shè)置由鑰等構(gòu)成的背面電極，并在該背面電極上配置上述光吸收層。CIGS型太陽能電池或CZTS型太陽能電池與現(xiàn)有型的太陽能電池相比，能夠減薄光吸收層的厚度，因此容易向曲面上設(shè)置或搬運。因此，被期待作為高性能的柔性太陽能電池而應(yīng)用于廣泛的領(lǐng)域。作為形成光吸收層的方法，以往例如公知有使用蒸鍍法或濺射法等來形成的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2 專利文獻(xiàn)5)。專利文獻(xiàn)I日本特開平11-340482號公報專利文獻(xiàn)2日本特開2005-51224號公報專利文獻(xiàn)3日本特表2009-537997號公報專利文獻(xiàn)4日本特開平1-231313號公報專利文獻(xiàn)5日本特開平11-273783號公報相對于此，本發(fā)明者提出將上述半導(dǎo)體材料以液狀體涂敷在基板上的方法來作為形成光吸收層的方法。在通過液狀體的涂敷來形成光吸收層的情況下，列舉有以下的問題。在涂敷液狀體后，進(jìn)行使涂敷膜含有的溶劑氣化的氣化工序。當(dāng)氣化工序在常溫下進(jìn)行時，溶劑的氣化需要長時間，因此會妨礙處理時間的縮短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述的情況，其目的在于提供一種能夠縮短處理時間的基板處理裝置及基板處理方法。本發(fā)明的第一方式的基板處理裝置具備第一腔，其具有將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷部；第二腔，其具有對所述涂敷膜進(jìn)行加熱的第一加熱部；連接部，其將所述第一腔與所述第二腔之間連接，其中，在所述連接部設(shè)有對涂敷在所述基板上的所述涂敷膜進(jìn)行加熱的第二加熱部及對所述涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整部。根據(jù)本發(fā)明，由于在將第一腔與第二腔連接的連接部中設(shè)有對涂敷在基板上的涂敷膜進(jìn)行加熱的第二加熱部及對涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整部，因此能夠在將基板從第一腔向第二腔搬運的過程中加熱涂敷膜，且同時進(jìn)行減壓干燥。由此，能夠縮短處理時間。上述的基板處理裝置具備對所述第二加熱部與所述基板的距離進(jìn)行調(diào)整的距離調(diào)整部。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠利用距離調(diào)整部對第二加熱部與基板的距離進(jìn)行調(diào)整，因此能夠調(diào)整對涂敷膜的加熱狀態(tài)，從而在更適合的條件下對涂敷膜進(jìn)行加熱。在上述的基板處理裝置中，所述距離調(diào)整部具有使所述第二加熱部及所述基板中的至少一方的移動對象物移動的移動部。
根據(jù)本發(fā)明，通過使第二加熱部及基板中的至少一方的移動對象物移動，能夠調(diào)整對涂敷膜的加熱狀態(tài)。在上述的基板處理裝置中，所述第二加熱部與所述基板中的形成有所述涂敷膜的面對置配置。根據(jù)本發(fā)明，由于第二加熱部與基板中的形成有涂敷膜的面對置配置，因此能夠有效地對涂敷膜加熱。在上述的基板處理裝置中，所述移動部使所述移動對象物沿鉛直方向移動。根據(jù)本發(fā)明，由于移動部使移動對象物沿鉛直方向移動，因此能夠?qū)⑼糠竽け３譃榉€(wěn)定的狀態(tài)。在上述的基板處理裝置中，所述連接部具有向所述涂敷膜的周圍供給氣體的氣體供給部。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠利用氣體供給部向涂敷膜的周圍供給氣體，因此能夠調(diào)整使溶劑氣化時的涂敷膜的周圍的環(huán)境。在上述的基板處理裝置中，所述連接部具有包圍所述基板及所述第二加熱部的第三腔。根據(jù)本發(fā)明，由于連接部具有包圍基板及第二加熱部的第三腔，因此能夠更容易地控制基板及涂敷膜的周圍的環(huán)境。上述的基板處理裝置具備在所述第一腔、所述第三腔和所述第二腔之間串聯(lián)地搬運所述基板的基板搬運部。根據(jù)本發(fā)明，能夠連續(xù)地進(jìn)行涂敷膜的形成、涂敷膜的干燥及涂敷膜的加熱的各處理。由此,能夠縮短處理時間。在上述的基板處理裝置中，所述第一加熱部以使所述涂敷膜所含有的易氧化性的所述金屬中的至少一部分熔融的溫度對所述涂敷膜進(jìn)行加熱。根據(jù)本發(fā)明，由于第一加熱部以使涂敷膜所含有的易氧化性的金屬中的至少一部分熔融的溫度對涂敷膜進(jìn)行加熱，因此能夠提高涂敷膜的膜質(zhì)。上述的基板處理裝置具備第四腔，所述第四腔具有將由所述第一加熱部加熱后的所述涂敷膜以比所述第一加熱部的加熱溫度高的溫度進(jìn)行加熱的第三加熱部。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠利用第四腔的第三加熱部，將由第一加熱部加熱后的涂敷膜以比第一加熱部的加熱溫度高的溫度進(jìn)行加熱，因此能夠進(jìn)一步提高涂敷膜的膜質(zhì)。本發(fā)明的基板處理方法包括在第一腔中，將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷步驟；將形成有所述涂敷膜的所述基板向經(jīng)由連接部而與所述第一腔連接的第二腔搬運的搬運步驟；在所述第二腔中，對在所述基板上形成的所述涂敷膜進(jìn)行加熱的加熱步驟，其中，所述搬運步驟包括干燥步驟，所述干燥步驟中，在所述連接部中對在所述基板上涂敷的所述涂敷膜進(jìn)行加熱，并且對所述涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整，使所述涂敷膜所含有的所述溶劑的至少一部分氣化。根據(jù)本發(fā)明，在第一腔中，將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上，并將形成有涂敷膜的基板向經(jīng)由連接部而與該第一腔連接的第二腔搬運，且在第二腔中，對在基板上形成的涂敷膜進(jìn)行加熱，在該情況下，在將基板從第一腔向第二腔搬運時，在連接部中對涂敷在基板上的涂敷膜進(jìn)行加熱，并且對涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整，使涂敷膜所含有的溶劑的至少一部分氣化，因此能夠在基板的搬運的過程中有效地加熱涂敷膜，且同時進(jìn)行減壓干燥。由此，能夠縮短處理時間。 上述的基板處理方法包括在所述加熱步驟后，將所述涂敷膜及所述基板冷卻到規(guī)定的溫度的冷卻步驟。根據(jù)本發(fā)明，通過在第二腔的加熱后，將涂敷膜及基板冷卻到規(guī)定的溫度，能夠縮短處理時間。上述的基板處理方法包括在所述冷卻步驟后，將所述基板從所述第二腔向所述第一腔搬運的第二搬運步驟。根據(jù)本發(fā)明，由于在冷卻基板后，將基板從第二腔向第一腔搬運，因此在再次對基板進(jìn)行涂敷處理時，能夠有效地進(jìn)行處理。在上述的基板處理方法中，在所述第二搬運步驟后，通過相對于所述基板重復(fù)進(jìn)行所述涂敷步驟、所述搬運步驟、所述加熱步驟、所述冷卻步驟及所述第二搬運步驟，從而在所述基板上層疊所述涂敷膜。根據(jù)本發(fā)明，通過在第二搬運步驟后，相對于基板重復(fù)進(jìn)行涂敷步驟、搬運步驟、加熱步驟、冷卻步驟及第二搬運步驟，從而能在基板上層疊涂敷膜，因此能夠進(jìn)行有效的處理。由此，能夠縮短處理時間。上述的基板處理方法包括在所述基板上層疊所述涂敷膜后，對層疊的所述涂敷膜以比所述加熱步驟中的加熱溫度高的溫度進(jìn)行加熱的第二加熱步驟。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠在基板上層疊涂敷膜后，對層疊的涂敷膜以更高的溫度進(jìn)行加熱，因此能夠進(jìn)一步提聞層置的涂敷I旲的I旲質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可縮短處理時間的基板處理裝置及基板處理方法。


圖I是表示本發(fā)明的實施方式的涂敷裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示本實施方式的涂敷裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示本實施方式的噴嘴的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示本實施方式的噴嘴的結(jié)構(gòu)的圖。圖5是表示本實施方式的涂敷部的一部分的結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是表示本實施方式的減壓干燥部的結(jié)構(gòu)的圖。圖7是表示本實施方式的燒成部的一部分的結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示本實施方式的涂敷裝置的涂敷處理的過程的圖。圖9是表示本實施方式的涂敷裝置的涂敷處理的過程的圖。圖10是表示本實施方式的涂敷裝置的涂敷處理的過程的圖。圖11是表示本實施方式的涂敷裝置的涂敷處理的過程的圖。圖12是表示本實施方式的涂敷裝置的涂敷處理的過程的圖。 圖13是表示本實施方式的涂敷裝置的減壓干燥處理的過程的圖。圖14是表示本實施方式的涂敷裝置的減壓干燥處理的過程的圖。圖15是表示本實施方式的涂敷裝置的減壓干燥處理的過程的圖。圖16是表示本實施方式的涂敷裝置的減壓干燥處理的過程的圖。圖17是表示本實施方式的涂敷裝置的燒成處理的過程的圖。圖18是表示本實施方式的涂敷裝置的燒成處理的過程的圖。圖19是表示本實施方式的涂敷裝置的燒成處理的過程的圖。圖20是表示本實施方式的涂敷裝置的燒成處理的過程的圖。圖21是表示本實施方式的涂敷裝置的燒成處理的過程的圖。圖22是表示本發(fā)明的變形例的涂敷裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖23是表示本發(fā)明的變形例的涂敷裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式。圖I是表示本實施方式的涂敷裝置CTR的結(jié)構(gòu)的簡圖。如圖I所示，涂敷裝置CTR是在基板S上涂敷液狀體的裝置。涂敷裝置CTR具有基板供給回收部LU、第一腔CB1、第二腔CB2、連接部CN及控制部C0NT。第一腔CBl具有涂敷部CT。第二腔CB2具有燒成部BK。連接部CN具有減壓干燥部VD。涂敷裝置CTR載置于例如工廠等的地面FL而被使用。涂敷裝置CTR可以是收容于一個房間中的結(jié)構(gòu)，也可以是分割收容于多個房間中的結(jié)構(gòu)。涂敷裝置CTR沿一個方向依次排列配置有基板供給回收部LU、涂敷部CT、減壓干燥部VD及燒成部BK。需要說明的是，關(guān)于裝置結(jié)構(gòu)，涂敷裝置CTR并不限定為沿一個方向依次排列配置基板供給回收部LU、涂敷部CT、減壓干燥部VD及燒成部BK。例如，基板供給回收部LU也可以分割為未圖示的基板供給部和未圖示的基板回收部，也可以省略減壓干燥部VD。當(dāng)然，也可以不沿一個方向排列配置，還可以是以未圖示的機器人為中心的上下層疊配置或左右配置。在以下的各圖中，在說明本實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)時，為了便于表述，使用XYZ坐標(biāo)系說明圖中的方向。在該XYZ坐標(biāo)系中，將與地面平行的平面作為XY平面。在該XY平面中，將涂敷裝置CTR的各構(gòu)成要素(基板供給回收部LU、涂敷部CT、減壓干燥部VD及燒成部BK)排列的方向記為X方向，將在XY平面上與X方向正交的方向記為Y方向。與XY平面垂直的方向記為Z方向。X方向、Y方向及Z方向分別以圖中的箭頭的方向為+方向，以與箭頭的方向相反的方向為-方向。
在本實施方式中，作為基板S，例如使用由玻璃或樹脂等構(gòu)成的板狀構(gòu)件。并且，在本實施方式中，在基板S上通過濺射而形成鑰來作為背面電極。當(dāng)然，也可以使用其他導(dǎo)電性物質(zhì)作為背面電極。作為基板S,以Z方向觀察下的尺寸為330mmX 330mm的基板為例進(jìn)行說明。需要說明的是，關(guān)于基板S的尺寸，并不限定為上述那樣的330mmX330mm的基板。例如，作為基板S,可以使用尺寸為125mmX 125mm的基板,也可以使用尺寸是ImX Im的基板。當(dāng)然，也可以適當(dāng)使用尺寸比上述尺寸大的基板或尺寸比上述尺寸小的基板。在本實施方式中，作為涂敷于基板S上的液狀體，例如使用在聯(lián)氨等溶劑中含有銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)、硒(Se)或銅(Cu)、鋅(Zn)、錫(Sn)、硒(Se)等易氧化性的金屬材料的液狀組成物。該液狀組成物含有構(gòu)成CIGS或CZTS型太陽能電池的光吸收層(光電變換層)的金屬材料。在本實施方式中，該液狀組成物含有用于確保CIGS或CZTS太陽能電池的光吸收層的晶粒尺寸的物質(zhì)。當(dāng)然，作為液狀體，也可以使用使其他易氧化性的金屬分散的液狀體。 (基板供給回收部)基板供給回收部LU對涂敷部CT供給未處理的基板S，并且回收來自涂敷部CT的處理完畢的基板S。基板供給回收部LU具有腔10。腔10形成為長方體的箱狀。在腔10的內(nèi)部形成有能夠收容基板S的收容室10a。腔10具有第一開口部11、第二開口部12及蓋部14。第一開口部11及第二開口部12將收容室IOa和腔10的外部連通。第一開口部11形成于腔10的+Z側(cè)的面。第一開口部11在Z方向觀察下形成為比基板S的尺寸大。向腔10的外部取出的基板S或向收容室IOa收容的基板S經(jīng)由第一開口部11而出入于基板供給回收部LU。第二開口部12形成于腔10的+X側(cè)的面。第二開口部12在X方向觀察下形成為比基板S的尺寸大。向涂敷部CT供給的基板S或從涂敷部CT返回的基板S經(jīng)由第二開口部12出入于基板供給回收部LU。蓋部14使第一開口部11開放或閉塞。蓋部14形成為矩形的板狀。蓋部14經(jīng)由未圖示的鉸鏈部安裝于第一開口部11的+X側(cè)的邊。因此，蓋部14以第一開口部11的+X側(cè)的邊為中心而繞Y軸轉(zhuǎn)動。第一開口部11通過蓋部14繞Y軸轉(zhuǎn)動而能夠開閉。在收容室IOa設(shè)有基板搬運部15?；灏徇\部15具有多個輥17。輥17沿Y方向配置有一對，該一對輥17沿X方向排列有多個。各輥17設(shè)置為能夠以Y軸方向為中心軸方向而繞Y軸旋轉(zhuǎn)。多個輥17分別形成為相等的直徑，多個輥17的+Z側(cè)的端部配置于與XY平面平行的同一平面上。因此，多個輥17能夠以使基板S成為與XY平面平行的姿態(tài)的方式支承該基板S。各輥17被例如未圖示的輥旋轉(zhuǎn)控制部控制旋轉(zhuǎn)?；灏徇\部15通過在多個輥17支承了基板S的狀態(tài)下使各輥17繞Y軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)，而沿X方向(+X方向或-X方向)搬運基板S。作為基板搬運部15，也可以使用使基板上浮而搬運的未圖示的上浮搬運部。(第一腔)第一腔CBl配置于在地面FL上載置的基臺BC上。第一腔CBl形成為長方體的箱狀。在第一腔CBl的內(nèi)部形成有處理室20a。涂敷部CT設(shè)置于處理室20a。涂敷部CT對基板S進(jìn)行液狀體的涂敷處理。第一腔CBl具有第一開口部21及第二開口部22。第一開口部21及第二開口部22將處理室20a和第一腔CBl的外部連通。第一開口部21形成于第一腔CBl的-X側(cè)的面。第二開口部22形成于第一腔CBl的+X側(cè)的面。第一開口部21及第二開口部22形成為能夠使基板S通過的尺寸?；錝經(jīng)由第一開口部21及第二開口部22出入于第一腔CBl。涂敷部CT具有噴出部31、維護(hù)部32、液狀體供給部33、清洗液供給部34、廢液貯存部35、氣體供給排出部37及基板搬運部25。噴出部31具有噴嘴NZ、處理臺28及噴嘴驅(qū)動部NA。圖3是表示噴嘴NZ的結(jié)構(gòu)的圖。如圖3所示，噴嘴NZ形成為長條狀，配置成長度方向與X方向平行。噴嘴NZ具有主體部NZa及突出部NZb。主體部NZa是能夠在內(nèi)部收容液狀體的筐體。主體部NZa例如 使用包含鈦或鈦合金的材料而形成。突出部NZb相對于主體部NZa分別向+X側(cè)及-X側(cè)突出而形成。突出部NZb保持在噴嘴驅(qū)動部NA的一部分上。圖4表示從-Z側(cè)觀察噴嘴NZ時的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，噴嘴NZ在主體部NZa的-Z側(cè)的端部(前端TP)具有噴出口 0P。噴出口 OP是噴出液狀體的開口部。噴出口 OP以X方向上長的方式形成為狹縫狀。噴出口 OP形成為例如長度方向與基板S的X方向的尺寸大致相同。噴嘴NZ噴出例如上述的Cu、In、Ga、Se這四種金屬以規(guī)定的組成比混合而成的液狀體。噴嘴NZ經(jīng)由連接配管(未圖示)等分別連接于液狀體供給部33。噴嘴NZ在內(nèi)部具有保持液狀體的保持部。需要說明的是，也可以配置有對上述保持部所保持的液狀體的溫度進(jìn)行調(diào)整的調(diào)溫部。返回到圖I及圖2，處理臺28載置作為涂敷處理的對象的基板S。處理臺28的+Z側(cè)的面成為載置基板S的基板載置面。該基板載置面形成為與XY平面平行。處理臺28例如使用不銹鋼等而形成。噴嘴驅(qū)動部NA使噴嘴NZ沿X方向移動。噴嘴驅(qū)動部NA具有構(gòu)成直線電動機機構(gòu)的定子40及動子41。需要說明的是，作為噴嘴驅(qū)動部NA，例如也可以使用滾珠絲杠機構(gòu)等其他驅(qū)動機構(gòu)。定子40沿Y方向延伸。定子40由支承框架38支承。支承框架38具有第一框架38a及第二框架38b。第一框架38a配置于處理室20a的-Y側(cè)端部。第二框架38b配置于處理室20a中與第一框架38a之間夾著處理臺28的位置。動子41能夠沿定子40的延伸方向(Y方向)移動。動子41具有噴嘴支承構(gòu)件42及升降部43。噴嘴支承構(gòu)件42形成為門型，具有保持噴嘴NZ的突出部NZb的保持部42a。噴嘴支承構(gòu)件42與升降部43 —起沿著定子40在第一框架38a與第二框架38b之間在Y方向上一體移動。因此，由噴嘴支承構(gòu)件42保持的噴嘴NZ在Y方向上跨越處理臺28而移動。噴嘴支承構(gòu)件42沿升降部43的升降引導(dǎo)件43a在Z方向上移動。動子41具有使噴嘴支承構(gòu)件42沿Y方向及Z方向移動的未圖示的驅(qū)動源。維護(hù)部32是進(jìn)行噴嘴NZ的維護(hù)的部分。維護(hù)部32具有噴嘴待機部44及噴嘴前端管理部45。噴嘴待機部44具有未圖示的浸潰部，其將噴嘴NZ的前端TP浸潰，以免該噴嘴NZ的前端TP干燥；未圖示的排出部，其在更換噴嘴NZ時或更換向噴嘴NZ供給的液狀體時將保持在噴嘴NZ內(nèi)的液狀體排出。噴嘴前端管理部45是通過對噴嘴NZ的前端TP及其附近進(jìn)行清洗或從噴嘴NZ的噴出口 OP預(yù)備性地噴出而整理噴嘴前端的狀態(tài)的部分。噴嘴前端管理部45具有對噴嘴NZ的前端TP進(jìn)行擦拭的擦拭部45a和對該擦拭部45a進(jìn)行引導(dǎo)的導(dǎo)軌45b。在噴嘴前端管理部45設(shè)有將從噴嘴NZ排出的液狀體或用于清洗噴嘴NZ的清洗液等收容的廢液收容部35a。圖5是表示噴嘴NZ及噴嘴前端管理部45的截面形狀的圖。如圖5所示，擦拭部45a在剖視下形成為將噴嘴NZ的前端TP及前端TP側(cè)的斜面的一部分覆蓋的形狀。 導(dǎo)軌45b以覆蓋噴嘴NZ的噴出口 OP的方式沿X方向延伸。擦拭部45a設(shè)置為能夠在未圖示的驅(qū)動源等的作用下沿導(dǎo)軌45b在X方向上移動。通過使擦拭部45a在與噴嘴NZ的前端TP接觸的狀態(tài)下沿X方向移動，來擦拭前端TP。液狀體供給部33具有第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b。在第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b中收容向基板S涂敷的液狀體。另外，第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b能夠分別收容不同種類的液狀體。清洗液供給部34收容有對涂敷部CT的各部分、具體地說噴嘴NZ的內(nèi)部或噴嘴前端管理部45等進(jìn)行清洗的清洗液。清洗液供給部34經(jīng)由未圖示的配管或泵等而與所述噴嘴NZ的內(nèi)部或噴嘴前端管理部45等連接。廢液貯存部35回收從噴嘴NZ噴出的液體中的不再利用的部分。需要說明的是，也可以是將噴嘴前端管理部45中的進(jìn)行預(yù)備噴出的部分和對噴嘴NZ的前端TP進(jìn)行清洗的部分分別設(shè)置的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是在噴嘴待機部44進(jìn)行預(yù)備噴出的結(jié)構(gòu)。氣體供給排出部37具有氣體供給部37a及排氣部37b。氣體供給部37a向處理室20a供給氮氣或氬氣等惰性氣體。排氣部37b吸引處理室20a，將處理室20a的氣體向第一腔CBl的外部排出?；灏徇\部25在處理室20a中搬運基板S?；灏徇\部25具有多個輥27。輥27以沿X方向橫切處理室20a的Y方向的中央部的方式配置有二列。在各列配置的輥27分別對基板S的+Y側(cè)端邊及-Y側(cè)端邊進(jìn)行支承。通過在支承了基板S的狀態(tài)下使各輥27繞Y軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)，從而將由各輥27支承的基板S沿X方向(+X方向或-X方向)搬運。需要說明的是，也可以使用使基板上浮而進(jìn)行搬運的未圖示的上浮搬運部。(連接部)連接部CN將第一腔CBl和第二腔CB2連接。基板S經(jīng)由連接部CN在第一腔CBl與第二腔CB2之間移動。連接部CN具有第三腔CB3。第三腔CB3形成為長方體的箱狀。在第三腔CB3的內(nèi)部形成有處理室50a。在本實施方式中，在處理室50a中設(shè)有減壓干燥部VD。減壓干燥部VD使涂敷于基板S上的液狀體干燥。在第三腔CB3設(shè)有閘閥V2及V3。第三腔CB3具有第一開口部51及第二開口部52。第一開口部51及第二開口部52將處理室50a和第三腔CB3的外部連通。第一開口部51形成于第三腔CB3的-X側(cè)的面。第二開口部52形成于第三腔CB3的+X側(cè)的面。第一開口部51及第二開口部52形成為能夠使基板S通過的尺寸。基板S經(jīng)由第一開口部51及第二開口部52出入于第三腔CB3。減壓干燥部VD具有基板搬運部55及氣體供給部58、排氣部59及加熱部53。
基板搬運部55具有多個輥57。輥57沿Y方向配置有一對，該一對輥57沿X方向排列有多個。多個輥57對經(jīng)由第一開口部21而配置于處理室50a的基板S進(jìn)行支承。通過在支承了基板S的狀態(tài)下使各輥57繞Y軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)，從而將由各輥57支承的基板S沿X方向(+X方向或-X方向)搬運。需要說明的是，也可以使用使基板上浮而進(jìn)行搬運的未圖示的上浮搬運部。圖6是表示減壓干燥部VD的結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖6所示，氣體供給部58向處理室50a供給氮氣或氬氣等惰性氣體。氣體供給部58具有第一供給部58a及第二供給部58b。第一供給部58a及第二供給部58b與氣體瓶或氣體管等氣體供給源58c連接。氣體向處理室50a的供給主要使用第一供給部58a來進(jìn)行。第二供給部58b對第一供給部58a供給的氣體的供給量進(jìn)行微調(diào)整。排氣部59吸引處理室50a，將該處理室50a的氣體向第三腔CB3的外部排出，從而 使處理室50a減壓。通過使處理室50a減壓，促進(jìn)基板S的液狀體所含有的溶劑的蒸發(fā)，使液狀體干燥。排氣部59具有第一吸引部59a及第二吸引部59b。第一吸引部59a及第二吸引部59b與泵等吸引源59c及59d連接。從處理室50a的吸引主要使用第一吸引部59a來進(jìn)行。第二吸引部59b對第一吸引部59a的吸引量進(jìn)行微調(diào)整。加熱部53對配置于處理室50a的基板S上的液狀體進(jìn)行加熱。作為加熱部53，例如使用紅外線裝置或熱板(hot plate)等。加熱部53的溫度例如能夠調(diào)整為室溫 100°C左右。通過使用加熱部53，促進(jìn)基板S上的液狀體所含有的溶劑的蒸發(fā)，支援減壓下的干燥處理。加熱部53與升降機構(gòu)(移動部)53a連接。升降機構(gòu)53a使加熱部53沿Z方向移動。作為升降機構(gòu)53a,例如使用電動機機構(gòu)或氣缸機構(gòu)等。通過利用升降機構(gòu)53a使加熱部53沿Z方向移動，能夠調(diào)整加熱部53與基板S之間的距離。通過升降機構(gòu)53a移動加熱部53的移動量和移動的時機等由控制部CONT控制。(第二腔)第二腔CB2配置于在地面FL上載置的基臺BB上。第二腔CB2形成為長方體的箱狀。在第二腔CB2的內(nèi)部形成有處理室60a。燒成部BK設(shè)置于處理室60a。燒成部BK對涂敷于基板S上的涂敷膜進(jìn)行燒成。第二腔CB2具有開口部61。開口部61將處理室60a和第二腔CB2的外部連通。開口部61形成于第二腔CB2的-X側(cè)的面。開口部61形成為能夠使基板S通過的尺寸?；錝經(jīng)由開口部61出入于第二腔CB2。燒成部BK具有基板搬運部65及氣體供給部68、排氣部69及加熱部70?；灏徇\部65具有多個輥67和臂部71。輥67在Y方向上夾著基板引導(dǎo)臺66而配置有一對，該一對輥67在X方向上配置有多個。多個輥67對經(jīng)由開口部61配置在處理室60a中的基板S進(jìn)行支承。通過在支承了基板S的狀態(tài)下使各輥67繞Y軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)，從而將由各輥67支承的基板S沿X方向(+X方向或-X方向)搬運。需要說明的是，也可以使用使基板上浮而進(jìn)行搬運的未圖示的上浮搬運部。臂部71配置于架臺74上，在多個輥67和加熱部70之間進(jìn)行基板S的交接。臂部71具有搬運臂72及臂驅(qū)動部73。搬運臂72具有基板支承部72a及移動部72b?；逯С胁?2a對基板S的+Y側(cè)及-Y側(cè)的邊進(jìn)行支承。移動部72b與基板支承部72a連結(jié)，能夠沿X方向移動，且能夠沿Θ Z方向轉(zhuǎn)動。臂驅(qū)動部73沿X方向或Θ Z方向驅(qū)動移動部72b。在利用臂驅(qū)動部73使移動部72b沿+X方向移動時，將基板支承部72a插入加熱部70內(nèi)，并且將基板S配置于加熱部70的Z方向觀察時的中央部。圖7是表示加熱部70的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖7所示，加熱部70配置于架臺74上，具有第一收容部81、第二收容部82、第一加熱板83、第二加熱板84、升降部85、密封部86、氣體供給部87及排氣部88。第一收容部81在Z方向觀察下形成為矩形的斗狀，以開口部朝向+Z側(cè)的方式載置于第二腔CB2的底部。第二收容部82在Z方向觀察下形成為矩形的斗狀，以開口部與第一收容部81對置的方式配置。第二收容部82能夠利用未圖示的升降機構(gòu)沿Z方向移動。 通過使第二收容部82的緣部82a重疊于第一收容部81的緣部81a，將該第一收容部81及第二收容部82的內(nèi)部密閉。第一加熱板83收容于第一收容部81。第一加熱板83在載置了基板S的狀態(tài)下加熱該基板S。第一加熱板83例如使用石英等形成，在內(nèi)部設(shè)有紅外線裝置或熱板等加熱裝置。第一加熱板83的溫度例如能夠調(diào)整為200°C 800°C左右。在第一加熱板83上形成有多個貫通孔83a。貫通孔83a供升降部85的一部分貫通。第二加熱板84收容于第二收容部82。第二加熱板84例如使用金屬材料形成，在內(nèi)部設(shè)有紅外線裝置或熱板等加熱裝置。第二加熱板84的溫度例如能夠調(diào)整為200°C 800°C左右。第二加熱板84設(shè)置成能夠利用未圖示的升降機構(gòu)獨立于第二收容部82而向Z方向移動。通過使第二加熱板84向Z方向移動，能夠調(diào)整第二加熱板84與基板S的間隔。升降部85在臂部71與第一加熱板83之間使基板S移動。升降部85具有多個支承銷85a和保持該支承銷85a并能夠在Z方向上移動的移動部85b。為了容易判別附圖，在圖7中示出了設(shè)有兩個支承銷85a的結(jié)構(gòu)，不過實際上可以配置例如16個(參照圖7)。設(shè)置在第一加熱板83上的多個貫通孔83a配置于在Z方向觀察下與多個支承銷85a對應(yīng)的位置。密封部86形成在第一收容部81的緣部81a。作為密封部86，例如可以使用由樹脂材料等形成的O形密封圈。密封部86在第二收容部82的緣部82a重疊于第一收容部81的緣部81a的狀態(tài)下，將該第一收容部81與第二收容部82之間密封。因此，能夠?qū)⒌谝皇杖莶?1及第二收容部82的內(nèi)部密閉。氣體供給部87向處理室60a供給氮氣等。氣體供給部87與第二腔CB2的+Z側(cè)的面連接。氣體供給部87具有氣體瓶或氣體管等氣體供給源87a、將該氣體供給源87a和第二腔CB2連接的連接管87b。排氣部88吸引處理室60a，將處理室60a的氣體向第二腔CB2的外部排出。排氣部88與第二腔CB2的-Z側(cè)的面連接。排氣部88具有泵等吸引源88a、將該吸引源88a和第二腔CB2連接的連接管88b。另外，在本實施方式中，設(shè)有溶劑濃度傳感器SR3及SR4。溶劑濃度傳感器SR3及SR4與上述的溶劑濃度傳感器SRl及SR2同樣地檢測周圍的氣氛中的液狀體的溶劑(在本實施方式中為聯(lián)氨)的濃度，并將檢測結(jié)果向控制部CONT發(fā)送。溶劑濃度傳感器SR3配置于處理室60a中的架臺74上的加熱部70的+Y側(cè)。溶劑濃度傳感器SR3配置于從加熱部偏離70的位置。溶劑濃度傳感器SR4配置于第二腔CB2的外部。在本實施方式中，為了檢測比重比空氣大的聯(lián)氨的濃度，溶劑濃度傳感器SR3及SR4與上述溶劑濃度傳感器SRl及SR4同樣地分別配置于比基板S的搬運路徑靠鉛直方向的下側(cè)的位置。另外，通過在第二腔CB2的外部也配置溶劑濃度傳感器SR4，還能夠?qū)β?lián)氨從第二腔CB2漏出的情況進(jìn)行檢測。(基板搬運路徑)基板供給回收部LU的第二開口部12、涂敷部CT的第一開口部21及第二開口部22、減壓干燥部VD的第一開口部51及第二開口部52、燒成部BK的開口部61在與X方向平行的直線上排列設(shè)置。因此，基板S沿X方向在直線上移動。另外，在從基板供給回收部LU到收容于燒成部BK的加熱部70的路徑中，保持Z方向的位置。因此，抑制基板S攪拌周圍的氣體。(反腔)
如圖I所示,在第一腔CBl連接有反腔(anti chamber)ALl AL3。反腔ALl AL3設(shè)置成將第一腔CBl的內(nèi)外連通。反腔ALl AL3分別是用于將處理室20a的構(gòu)成要素向第一腔CBl的外部取出或使該構(gòu)成要素從第一腔CBl的外部進(jìn)入處理室20a的路徑。反腔ALl與噴出部31連接。設(shè)置于噴出部31的噴嘴NZ能夠經(jīng)由反腔ALl出入于處理室20a。反腔AL2與液狀體供給部33連接。液狀體供給部33能夠經(jīng)由反腔AL2出入于處理室20a。反腔AL3與液狀體調(diào)合部36連接。在液狀體調(diào)合部36中，能夠經(jīng)由反腔AL3使液體出入于處理室20a。另外，反腔AL3形成為能夠使基板S通過的尺寸。因此，例如在涂敷部CT進(jìn)行液狀體的試驗涂敷時，能夠從反腔AL3將未處理的基板S向處理室20a供給。另外，能夠?qū)⑦M(jìn)行了試驗涂敷后的基板S從反腔AL3取出。另外，也能夠在緊急時等從反腔AL3將基板S臨時取出。另外，在第二腔CB2連接有反腔AL4。反腔AL4與加熱部70連接。反腔AL4形成為能夠使基板S通過的尺寸。因此，例如在加熱部70進(jìn)行基板S的加熱時，能夠從反腔AL4將基板S向處理室60a供給。另外，還能夠?qū)⑦M(jìn)行了加熱處理后的基板S從反腔AL4取出。(球形部)如圖I所示，在第一腔CBl連接有球形部GXl。另外，在第二腔CB2連接有球形部GX2。球形部GXl及GX2是用于使作業(yè)者對第一腔CBl及60內(nèi)進(jìn)行維護(hù)的部分。作業(yè)者通過將手插入球形部GXl及GX2內(nèi)，能夠進(jìn)行第一腔CBl及60內(nèi)的維護(hù)動作等。球形部GXl及GX2形成為袋狀。球形部GXl及GX2分別配置于第一腔CBl及60的多個部位。也可以在第一腔CBl及60內(nèi)配置用于檢測作業(yè)者是否將手插入球形部GXl及GX2內(nèi)的傳感器
坐寸ο(閘閥)在基板供給回收部LU的第二開口部12與涂敷部CT的第一開口部21之間設(shè)有閘閥VI。閘閥Vl設(shè)置成能夠在未圖示的驅(qū)動部的作用下沿Z方向移動。通過使閘閥Vl沿Z方向移動，基板供給回收部LU的第二開口部12和涂敷部CT的第一開口部21同時開放或閉塞。若第二開口部12及第一開口部21同時開放，則基板S能夠在所述第二開口部12與第一開口部21之間移動。在第一腔CBl的第二開口部22與第三腔CB3的第一開口部51之間設(shè)有閘閥V2。閘閥V2設(shè)置成能夠在未圖示的驅(qū)動部的作用下沿Z方向移動。通過使閘閥V2沿Z方向移動，第一腔CBl的第二開口部22和第三腔CB3的第一開口部51同時開放或閉塞。若第二開口部22及第一開口部51同時開放，則基板S能夠在所述第二開口部22與第一開口部51之間移動。在第三腔CB3的第二開口部52與第二腔CB2的開口部61之間設(shè)有閘閥V3。閘閥V3設(shè)置成能夠在未圖示的驅(qū)動部的作用下沿Z方向移動。通過使閘閥V3沿Z方向移動，第三腔CB3的第二開口部52和第二腔CB2的開口部61同時開放或閉塞。若第二開口部52及開口部61同時開放，則基板S能夠在所述第二開口部52與開口部61之間移動。
(控制裝置)控制部CONT是統(tǒng)括地控制涂敷裝置CTR的部分。具體地說，控制基板供給回收部LU、涂敷部CT、減壓干燥部VD、燒成部BK的動作、閘閥Vl V3的動作等。作為調(diào)整動作的一例，控制部CONT基于溶劑濃度傳感器SRl SR4所檢測出的檢測結(jié)果，調(diào)整氣體供給部37a的供給量?？刂撇緾ONT具有用于處理時間的計測等的未圖示的計時器等。(涂敷方法)接著，說明本實施方式的涂敷方法。在本實施方式中，使用上述那樣構(gòu)成的涂敷裝置CTR在基板S上形成涂敷膜。涂敷裝置CTR的各部分進(jìn)行的動作由控制部CONT控制?？刂撇緾ONT首先從外部將基板S搬入基板供給回收部LU。此時，控制部CONT將閘閥Vl形成為閉塞的狀態(tài)，而打開蓋部14將基板S收容到腔10的收容室10a。在將基板S收容于收容室IOa后，控制部CONT關(guān)閉蓋部14。在蓋部14關(guān)閉后，控制部CONT使閘閥Vl開放，將腔10的收容室IOa和涂敷部CT的第一腔CBl的處理室20a連通。在使閘閥Vl開放后，控制部CONT利用基板搬運部15將基板S向X方向搬運。在基板S的一部分插入到第一腔CBl的處理室20a中后，控制部CONT利用基板搬運部25將基板S完全搬入處理室20a。在搬入基板S后，控制部CONT閉塞閘閥VI。在閉塞閘閥Vl后，控制部CONT將基板S向處理臺28搬運。圖8是簡化涂敷部CT的結(jié)構(gòu)將一部分的結(jié)構(gòu)省略而示出的圖。以下，圖9 圖12也同樣。如圖8所示，當(dāng)將基板S載置于處理臺28上時，在涂敷部CT進(jìn)行涂敷處理。在該涂敷處理之前，控制部CONT將閘閥Vl及V2形成為閉塞的狀態(tài)，并利用氣體供給部37a及排氣部37b來進(jìn)行惰性氣體的供給及吸引。通過該動作，來調(diào)整處理室20a的氣氛及壓力。在調(diào)整處理室20a的氣氛及壓力后，控制部CONT利用噴嘴驅(qū)動部NA(在圖8中未圖示)使噴嘴NZ從噴嘴待機部44向噴嘴前端管理部45移動?？刂撇緾ONT在以后涂敷處理的期間，繼續(xù)進(jìn)行處理室20a的氣氛及壓力的調(diào)整動作。在噴嘴NZ到達(dá)噴嘴前端管理部45后，如圖9所示，控制部CONT使噴嘴NZ進(jìn)行預(yù)備噴出動作。在預(yù)備噴出動作中，控制部CONT使液狀體Q從噴出口 OP噴出。在預(yù)備噴出動作后，如圖10所示，控制部CONT使擦拭部45a沿導(dǎo)軌45b在X方向上移動，擦拭噴嘴NZ的前端TP及其附近的傾斜部。在擦拭噴嘴NZ的前端TP后，控制部CONT使噴嘴NZ向處理臺28移動。在噴嘴NZ的噴出口 OP到達(dá)基板S的-Y側(cè)端部后，如圖11所示，控制部CONT使噴嘴NZ沿+Y方向以規(guī)定速度移動，且同時從噴出口 OP朝向基板S噴出液狀體Q。通過該動作，在基板S上形成液狀體Q的涂敷膜F。在基板S的規(guī)定區(qū)域形成液狀體Q的涂敷膜后，控制部CONT利用基板搬運部25使基板S從處理臺28向第二臺26B沿+X方向移動。另外，控制部CONT使噴嘴NZ向-Y方向移動，返回噴嘴待機部44。在基板S到達(dá)第一腔CBl的第二開口部22后，如圖13所示，控制部CONT使閘閥V2開放，將基板S從第一腔CBl向第二腔CB2搬運(搬運步驟)。需要說明的是，在進(jìn)行該
搬運步驟時，基板S經(jīng)過配置于連接部CN的第三腔CB3。控制部CONT在基板S通過第三腔CB3時，利用減壓干燥部VD對該基板S進(jìn)行干燥處理。具體來說，在將基板S收容于第三腔CB3的處理室50a后，如圖14所示，控制部CONT閉塞閘閥V2。在閉塞閘閥V2后，控制部CONT利用升降機構(gòu)53a調(diào)整加熱部53的Z方向的位置。然后，如圖15所示，控制部CONT利用氣體供給部58調(diào)整處理室50a的氣氛，并且利用排氣部59使處理室50a減壓。若通過該動作使處理室50a減壓，則促進(jìn)在基板S上形成的液狀體Q的涂敷膜所含有的溶劑的蒸發(fā)，使涂敷膜干燥。需要說明的是，控制部CONT也可以在利用排氣部59進(jìn)行使處理室50a減壓的減壓動作的期間，利用升降機構(gòu)53a調(diào)整加熱部53的Z方向的位置。另外，如圖15所示，控制部CONT利用加熱部53加熱基板S上的涂敷膜F。通過該動作，能夠促進(jìn)基板S上的涂敷膜F所含有的溶劑的蒸發(fā)，從而能夠在短時間內(nèi)進(jìn)行減壓下的干燥處理?？刂撇緾ONT也可以在通過加熱部53進(jìn)行加熱動作的期間，利用升降機構(gòu)53a調(diào)整加熱部53的Z方向的位置。在進(jìn)行減壓干燥處理后，如圖16所示，控制部CONT使閘閥V3開放，將基板S從連接部CN向第二腔CB2搬運。在將基板S收容于第二腔CB2的處理室60a后，控制部CONT使閘閥V3閉塞。如圖17所示，通過基板支承部72a的移動，將基板S配置到第一加熱板83上的中央部。然后，如圖18所示，控制部CONT使升降部85向+Z方向移動。通過該動作，基板S離開搬運臂72的基板支承部72a，由升降部85的多個支承銷85a支承。這樣，基板S從基板支承部72a向升降部85交接。在基板S由升降部85的支承銷85a支承后，控制部CONT使基板支承部72a向加熱部70的外部沿-X方向退避。在使基板支承部72a退避后，如圖19所示，控制部CONT使升降部85向-Z方向移動，并且使第二收容部82向-Z方向移動。通過該動作，第二收容部82的緣部82a重疊于第一收容部81的緣部81a，成為在緣部82a和緣部81a之間夾有密封部86的狀態(tài)。因此，形成由第一收容部81、第二收容部82及密封部86密閉的燒成室80。在形成燒成室80后，如圖20所示，控制部CONT使升降部85向-Z方向移動而將基板S載置于第一加熱板83上。在將基板S載置于第一加熱板83上后,控制部CONT使第二加熱板84向-Z方向移動，使第二加熱板84和基板S接近?？刂撇緾ONT適當(dāng)調(diào)整第二加熱板84的Z方向的位置。在調(diào)整第二加熱板84的Z方向的位置后，如圖21所示，利用氣體供給部87向燒成室80供給氮氣或硫化氫氣體，并且利用排氣部88吸引燒成室80。通過該動作，調(diào)整燒成室80的氣氛及壓力，并且從第二收容部82至第一收容部81形成氮氣或硫化氫氣體的氣流。在形成氮氣或硫化氫氣體的氣流的狀態(tài)下，控制部CONT使第一加熱板83及第二加熱板84工作，來進(jìn)行基板S的燒成動作(加熱步驟)。通過該動作，使溶劑成分從基板S的涂敷膜F蒸發(fā)，并且除去涂敷膜F所含有的氣泡等。另外，利用氮氣或硫化氫氣體的氣流，從涂敷膜F蒸發(fā)出的溶劑成分或氣泡等被沖走,并被從排氣部88吸引。另外，在該燒成動作中，將涂敷膜F所含有 的易氧化性的金屬成分中的至少一種成分加熱至熔點以上，使涂敷膜F的至少一部分熔解。例如，在涂敷膜F用于CZTS型的太陽能電池的情況下，將構(gòu)成涂敷膜F的成分中的Ti、S、Se加熱至熔點以上，使這些物質(zhì)液狀化而使涂敷膜F凝集。然后，將該涂敷膜F冷卻到涂敷膜F固態(tài)化的溫度(冷卻步驟)。通過使涂敷膜F固態(tài)化，可提高該涂敷膜F的強度。這樣的燒成動作結(jié)束后，控制部CONT將基板S向-X方向搬運。具體地說，從加熱部70經(jīng)過臂部71、基板引導(dǎo)臺66而將基板S從燒成部BK搬出，并經(jīng)過減壓干燥部VD、涂敷部CT而返回基板供給回收部LU (第二搬運步驟)。在基板S返回基板供給回收部LU后，控制部CONT在閉塞閘閥Vl的狀態(tài)下使蓋部14開放。然后，作業(yè)者回收腔10內(nèi)的基板S，并將新的基板S收容于腔10的收容室10a。需要說明的是，當(dāng)基板S返回基板供給回收部LU后，在形成于基板S的涂敷膜F上進(jìn)一步重疊形成其他涂敷膜的情況下，控制部CONT再次將基板S向涂敷部CT搬運，重復(fù)進(jìn)行涂敷處理、減壓干燥處理及燒成處理。這樣，在基板S上層疊涂敷膜F。如以上所述，根據(jù)本實施方式，由于在將第一腔CBl和第二腔CB2連接的連接部CN設(shè)有對涂敷于基板S上的涂敷膜F進(jìn)行加熱的加熱部53及對涂敷膜F的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整的排氣部59，因此能夠在從第一腔CBl向第二腔CB2搬運基板S的過程中加熱涂敷膜F且同時進(jìn)行減壓干燥。由此，能夠縮短處理時間。本發(fā)明的技術(shù)范圍沒有限定于上述實施方式，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更。在上述實施方式中，作為涂敷部CT的結(jié)構(gòu)，形成為使用狹縫型的噴嘴NZ的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，例如也可以使用中央滴下型的涂敷部，還可以使用噴墨型的涂敷部。另夕卜，例如還可以是使用刮板等使在基板S上配置的液狀體擴(kuò)散而進(jìn)行涂敷的結(jié)構(gòu)。另外，在上述實施方式中，在涂敷裝置CTR收容于一個房間的情況下，也可以設(shè)有對該房間的氣氛進(jìn)行調(diào)整的氣體供給排出部。這種情況下，由于能夠利用該氣體供給排出部來排出房間的氣氛中的聯(lián)氨，因此能夠更可靠地抑制涂敷環(huán)境的變化。另外，在上述實施方式中，舉例說明了在第二腔CB2的燒成部BK進(jìn)行燒成動作的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此。例如，也可以如圖22所示，在與第二腔CB2不同的位置另行設(shè)置第四腔CB4，利用在該第四腔CB4設(shè)置的加熱部HT加熱基板S。此時，例如在基板S上層疊涂敷膜F后，能夠在第四腔CB4的加熱部HT中，進(jìn)行用于燒成層疊的涂敷膜F的加熱處理(第二加熱步驟)。在第二加熱步驟的加熱處理中，以比燒成部BK所進(jìn)行的加熱處理高的加熱溫度對涂敷膜F進(jìn)行加熱。利用該加熱處理，能夠使層疊的涂敷膜F的固態(tài)部分(金屬成分)結(jié)晶化，因此能夠進(jìn)一步提高涂敷膜F的膜質(zhì)。需要說明的是，關(guān)于在基板S上層疊涂敷膜F后的加熱，也可以在第二腔CB2的燒成部BK中進(jìn)行。此時，在燒成部BK中，只要控制成使燒成層疊后的涂敷膜F時的加熱溫度比燒成涂敷膜F的各層時的加熱溫度高即可。另外，在上述實施方式中，舉例說明了在第三腔CB3內(nèi)調(diào)整基板S與加熱部53的距離的升降機構(gòu)53a使加熱部53移動的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此。例如，也可以是升降機構(gòu)53a不僅使加熱部53移動，還能夠使基板S沿著Z方向移動的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是升降機構(gòu)53a只使基板S沿Z方向移動的結(jié)構(gòu)。另外，在上述實施方式中，舉例說明了在減壓干燥部VD中的基板S的-Z側(cè)(鉛直方向下側(cè))配置有加熱部53的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，例如也可以是將加熱部53配置于基板S的+Z側(cè)(鉛直方向上側(cè))的結(jié)構(gòu)。另外，也可以形成為利用升降機構(gòu)53a，能夠在基板S的-Z側(cè)的位置與基板S的+Z側(cè)的位置之間移動的結(jié)構(gòu)。此時，作為加熱部53的形狀，只要是能夠通過構(gòu)成基板搬運部55的多個輥57的結(jié)構(gòu)(例如，在加熱部53設(shè)有開口部等) 即可。另外，作為涂敷裝置CTR的結(jié)構(gòu)，也可以例如圖23所示，為在基板供給回收部LU的+X側(cè)重復(fù)配置具有涂敷部CT的第一腔CBI、具有減壓干燥部VD的連接部CN及具有燒成部BK的第二腔CB2的結(jié)構(gòu)。在圖23中，示出了第一腔CB1、連接部CN及第二腔CB2重復(fù)三次配置的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，也可以是第一腔CB1、連接部CN及第二腔CB2重復(fù)兩次配置的結(jié)構(gòu)或第一腔CB1、連接部CN及第二腔CB2重復(fù)四次以上配置的結(jié)構(gòu)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于第一腔CBI、連接部CN及第二腔CB2沿X方向串聯(lián)地重復(fù)設(shè)置，因此將基板S沿一個方向(+X方向)搬運即可，不需要使基板S沿X方向反復(fù)，因此能夠連續(xù)地進(jìn)行相對于基板S層疊涂敷膜的工序。由此，能夠相對于基板S有效地形成涂敷膜。以上，說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是本發(fā)明并沒有限定于上述實施例。在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)的附加、省略、置換及其他變更。本發(fā)明沒有被上述的說明限定，僅由權(quán)利要求的范圍限定。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其具備 第一腔，其具有將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷部; 第二腔，其具有對所述涂敷膜進(jìn)行加熱的第一加熱部； 連接部，其將所述第一腔與所述第二腔之間連接， 在所述連接部設(shè)有對涂敷在所述基板上的所述涂敷膜進(jìn)行加熱的第二加熱部及對所述涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置具備對所述第二加熱部與所述基板的距離進(jìn)行調(diào)整的距離調(diào)整部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中， 所述距離調(diào)整部具有使所述第二加熱部及所述基板中的至少一方的移動對象物移動的移動部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述第二加熱部與所述基板中的形成有所述涂敷膜的面對置配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中， 所述移動部使所述移動對象物沿鉛直方向移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述連接部具有向所述涂敷膜的周圍供給氣體的氣體供給部。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述連接部具有包圍所述基板及所述第二加熱部的第三腔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置具備在所述第一腔、所述第三腔和所述第二腔之間串聯(lián)地搬運所述基板的基板搬運部。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述第一加熱部以使所述涂敷膜所含有的易氧化性的所述金屬中的至少一部分熔融的溫度對所述涂敷膜進(jìn)行加熱。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其中， 所述基板處理裝置具備第四腔，所述第四腔具有將由所述第一加熱部加熱后的所述涂敷膜以比所述第一加熱部的加熱溫度高的溫度進(jìn)行加熱的第三加熱部。
11.一種基板處理方法，其包括 在第一腔中，將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷步驟； 將形成有所述涂敷膜的所述基板向經(jīng)由連接部而與所述第一腔連接的第二腔搬運的搬運步驟； 在所述第二腔中，對在所述基板上形成的所述涂敷膜進(jìn)行加熱的加熱步驟， 所述搬運步驟包括干燥步驟，所述干燥步驟中，在所述連接部中對在所述基板上涂敷的所述涂敷膜進(jìn)行加熱，并且對所述涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整，使所述涂敷膜所含有的所述溶劑的至少一部分氣化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其中，所述基板處理方法包括在所述加熱步驟后，將所述涂敷膜及所述基板冷卻到規(guī)定的溫度的冷卻步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中， 所述基板處理方法包括在所述冷卻步驟后，將所述基板從所述第二腔向所述第一腔搬運的第二搬運步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其中， 在所述第二搬運步驟后，通過相對于所述基板重復(fù)進(jìn)行所述涂敷步驟、所述搬運步驟、所述加熱步驟、所述冷卻步驟及所述第二搬運步驟，從而在所述基板上層疊所述涂敷膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理方法，其中， 所述基板處理方法包括在所述基板上層疊所述涂敷膜后，對層疊的所述涂敷膜以比所述加熱步驟中的加熱溫度高的溫度進(jìn)行加熱的第二加熱步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，該基板處理裝置具備第一腔，其具有將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷部；第二腔，其具有加熱所述涂敷膜的第一加熱部；連接部，其將所述第一腔與所述第二腔之間連接，其中，在所述連接部設(shè)有對涂敷在所述基板上的所述涂敷膜進(jìn)行加熱的第二加熱部及對所述涂敷膜的周圍的壓力進(jìn)行調(diào)整的壓力調(diào)整部。
文檔編號B05D1/38GK102806177SQ20121017436
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者宮本英典, 佐保田勉 申請人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會社