專利名稱：一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種工作平臺，具體是指一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺。
背景技術(shù)：
多晶硅具有灰色金屬光澤。密度2. 32 2. 34。熔點(diǎn)1410°C。沸點(diǎn)2355°C。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800°C以上即有延性，1300°C時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。 由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石。當(dāng)前，晶體娃材料包括多晶娃和單晶娃，是最主要的光伏材料，其市場占有率在90%以上，而且在今后相當(dāng)長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用于電子級多晶娃占55%左右,太陽能級多晶娃占45%,隨著光伏廣業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅，1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長了 17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二i^一世紀(jì)前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。目前，多晶硅的切割過程大多采用MB切割機(jī)，采用MB切割機(jī)生產(chǎn)太陽能多晶硅片的過程中，有粘膠工序，目前的粘膠工序效率低下，粘膠工藝不盡合理。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，適用于新的粘膠工藝，以提高粘膠效率。本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，包括工作平臺本體，在所述工作平臺本體上設(shè)置有兩個階梯狀定位臺，所述定位臺具有兩個定位臺階，其中高度低的為鋁板定位臺階，另一個為玻璃板定位臺階，兩個階梯狀定位臺的頂部通過硅塊定位膠板連接。工作平臺本體整體為矩形板材，其上表面為工作平面，在工作平臺本體的工作平面上固定連接兩個定位臺，定位臺的橫截面呈階梯狀，兩個定位臺相互平行，且位于工作平臺本體上表面的一側(cè)，靠近邊緣，作為粘膠工藝的高度基準(zhǔn)，在兩個定位臺的頂部連接有定位膠板，定位膠板的側(cè)面與工作平臺本體的軸線方向一致，定位臺階有三個階梯平面，位置最低的平面為鋁板定位臺階，位置較高的平面為玻璃板定位臺階，位置最高的平面連接有定位膠板，利用該工作臺，可以按照安裝晶托和鋁板、粘玻璃板、粘硅塊的順序進(jìn)行粘膠，改變了傳統(tǒng)的先粘鋁板和玻璃板，固化好之后安裝晶托，再粘硅塊的工藝流程，提高了工作效率低；同時安裝晶托時可能會使鋁板變形，影響玻璃板粘膠質(zhì)量，或?qū)е虏ＡО迤屏褑栴}。所述定位臺的一側(cè)是高度為99mm的平面，其中，鋁板定位臺階的橫截面為矩形，該矩形的邊長為91mm，其高度為20mm。進(jìn)一步講，在多晶硅的MB切割過程中，根據(jù)實(shí)際的多晶硅尺寸，將定位臺的整體高度設(shè)置為99mm，其中鋁板定位臺階的橫截面為邊長91mm*20mm 的矩形。所述玻璃板定位臺階的橫截面為矩形,該矩形的邊長為83mm,其高度為45mm。進(jìn) 一步講，在多晶硅的MB切割過程中，根據(jù)實(shí)際的多晶硅尺寸，玻璃板定位臺階的橫截面為邊長83mm*45mm的矩形。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果I本實(shí)用新型一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，利用該工作臺，可以按照安裝晶托和鋁板、粘玻璃板、粘硅塊的順序進(jìn)行粘膠，改變了傳統(tǒng)的先粘鋁板和玻璃板，固化好之后安裝晶托，再粘硅塊的工藝流程，提高了工作效率低；同時安裝晶托時可能會使鋁板變形，影響玻璃板粘膠質(zhì)量，或?qū)е虏ＡО迤屏褑栴}；2本實(shí)用新型一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，結(jié)構(gòu)簡單，與多晶硅的尺寸相匹配，改進(jìn)了粘膠工藝，方便實(shí)用。

圖I為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型定位臺橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中標(biāo)記及相應(yīng)的零部件名稱I-工作平臺本體，2-定位臺，3-招板定位臺階,4-玻璃板定位臺階,5-娃塊定位膠板。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
實(shí)施例如圖I所示，本實(shí)用新型一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，包括工作平臺本體1，在工作平臺本體I上設(shè)置有兩個階梯狀定位臺2，定位臺2具有兩個定位臺階，其中高度低的為鋁板定位臺階3，另一個為玻璃板定位臺階4，兩個階梯狀定位臺2的頂部通過娃塊定位膠板5連接,定位臺2的整體高度設(shè)置為99mm,其中招板定位臺階的橫截面為邊長91mm*20mm的矩形,玻璃板定位臺階的橫截面為邊長83mm*45mm的矩形。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對本實(shí)用新型做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)上對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，包括工作平臺本體(1)，其特征在于在所述工作平臺本體(I)上設(shè)置有兩個階梯狀定位臺(2)，所述定位臺(2)具有兩個定位臺階，其中高度低的為鋁板定位臺階(3)，另一個為玻璃板定位臺階(4)，兩個階梯狀定位臺(2)的頂部通過硅塊定位膠板(5)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，其特征在于所述定位臺(2)的一側(cè)是高度為99mm的平面，其中，鋁板定位臺階(3)的橫截面為矩形，該矩形的邊長為91mm,其高度為20mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，其特征在于所述玻璃板定位臺階(4)的橫截面為矩形,該矩形的邊長為83mm,其高度為45mm。
專利摘要本實(shí)用新型公布了一種用于太陽能多晶硅塊粘膠工藝的工作臺，包括工作平臺本體，在所述工作平臺本體上設(shè)置有兩個階梯狀定位臺，所述定位臺具有兩個定位臺階，其中高度低的為鋁板定位臺階，另一個為玻璃板定位臺階，兩個階梯狀定位臺的頂部通過硅塊定位膠板連接。本實(shí)用新型可以按照安裝晶托和鋁板、粘玻璃板、粘硅塊的順序進(jìn)行粘膠，改變了傳統(tǒng)的先粘鋁板和玻璃板，固化好之后安裝晶托，再粘硅塊的工藝流程，提高了工作效率低；同時安裝晶托時可能會使鋁板變形，影響玻璃板粘膠質(zhì)量，或?qū)е虏ＡО迤屏褑栴}；結(jié)構(gòu)簡單，與多晶硅的尺寸相匹配，改進(jìn)了粘膠工藝，方便實(shí)用。
文檔編號B05C13/02GK202555479SQ20122024609
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月29日
發(fā)明者張娟, 盛雯婷, 張鳳鳴, 蘭洵, 蔡成宇, 黨維軍, 陳善斌, 彭秀花 申請人:天威新能源控股有限公司, 保定天威集團(tuán)有限公司