一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：三甲硅基甲基磷酸二甲酯12-23份，氰尿酸三聚氰胺10-16份，滑石粉8-16份，液態(tài)石蠟4-9份，高嶺土1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺鹽2-3份，蒙脫土1-3份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土1份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉1份，空心玻璃微珠1-2份。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可抑制低介電材料的拋光速率，而對(duì)銅和二氧化硅的去除速率影響不大，同時(shí)可減少被拋光材料的表面污染物。
【專利說明】一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)介電層材料由于具有較高的介電常數(shù)，會(huì)導(dǎo)致傳導(dǎo)層之間電容增大，從而影響集成電路的速度，使效率降低，隨著集成電路的復(fù)雜化和精細(xì)化，這種基底材料越發(fā)不能滿足更先進(jìn)制程的技術(shù)要求，在襯底中引入低介電材料是集成電路技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)，隨之產(chǎn)生了許多用于低介電材料的拋光衆(zhòng)液。但目前現(xiàn)有技術(shù)中的低介電材料拋光液都沒有達(dá)到制造成本和技術(shù)表現(xiàn)的完美結(jié)合。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):三甲硅基甲基磷酸二甲酯12-23份，氰尿酸三聚氰胺10-16份，滑石粉8-16份，液態(tài)石蠟4_9份，高嶺土 1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺鹽2-3份，蒙脫土 1-3份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
[0005]本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光液可抑制低介電材料的拋光速率，而對(duì)銅和二氧化娃的去除速率影響不大，同時(shí)可減少被拋光材料的表面污染物。
【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1
一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):三甲硅基甲基磷酸二甲酯12-23份，氰尿酸三聚氰胺10-16份，滑石粉8-16份，液態(tài)石蠟4_9份，高嶺土 1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺鹽2-3份，蒙脫土 1-3份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2份。
【權(quán)利要求】
1.一種環(huán)保介電層材料化學(xué)機(jī)械拋光液，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):三甲硅基甲基磷酸二甲酯12-23份，氰尿酸三聚氰胺10-16份，滑石粉8-16份，液態(tài)石蠟4_9份，高嶺土 1-3份，季戊四醇1-5份，氰尿酸三聚氰胺鹽2-3份，蒙脫土 1-3份，磷酸二氫鉀2-4份，分子篩1-2份，硅藻土 I份，硼酸鈉2-4份，片層結(jié)構(gòu)的云母粉I份，空心玻璃微珠1-2 份。
【文檔編號(hào)】C09G1/02GK103436183SQ201310387802
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張竹香 申請(qǐng)人:青島承天偉業(yè)機(jī)械制造有限公司