一種半導體材料用高效研磨組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導體材料用高效研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質：親水基表面活性劑1-8份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，硅藻土5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，氯化鈣2-5份。本發(fā)明的化學機械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學機械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學機械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合。
【專利說明】一種半導體材料用高效研磨組合物
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體材料用高效研磨組合物。
【背景技術】
[0002]在半導體制造中，化學機械研磨(CMP)技術可以實現(xiàn)整個晶圓的平坦化，成為芯片制造工藝中重要的步驟之一。在化學機械研磨中，化學機械研磨劑(Slurry)是化學機械研磨技術的關鍵要素之一，其性能直接影響拋光后表面的質量。設計化學機械研磨劑時，希望能達到去除速率高、平面度好、膜厚均勻、無殘留、缺陷少等效果。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種半導體材料用高效研磨組合物。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是:
一種半導體材料用高效研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質:親水基表面活性劑1-8份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4_9份，硫酸銅3_8份，分子篩2-3份，硅藻土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土 4-10份，滑石粉4_6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑I份，氯化鈣2-5份。
[0005]本發(fā)明的化學機械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學機械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學機械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合，從而減少琉水性薄膜表面上的殘留物和顆粒等缺陷，改善化學機械研磨的效果。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種半導體材料用高效研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質:親水基表面活性劑1-8份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4_9份，硫酸銅3_8份，分子篩2-3份，硅藻土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土 4-10份，滑石粉4_6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧劑2-4份，防老劑I份，氯化鈣2-5份。
【權利要求】
1.一種半導體材料用高效研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質:親水基表面活性劑1-8份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4_9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，娃藻土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土 4_10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，抗氧`劑2-4份，防老劑I份，氯化鈣2-5份。
【文檔編號】C09K3/14GK103436230SQ201310387812
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張竹香 申請人:青島承天偉業(yè)機械制造有限公司