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      用于計算機硬盤基片無磨粒拋光液組合物的制作方法

      文檔序號:3789895閱讀:173來源:國知局
      用于計算機硬盤基片無磨粒拋光液組合物的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物。本發(fā)明的拋光液含有金屬離子、氧化劑、分散劑、表面活性劑和水,其特點在于該拋光液不含磨粒,并且同時含有金屬離子和氧化劑。本發(fā)明的無磨粒拋光液組成及其重量百分比如下:金屬離子添加劑0.2~1.2%;氧化劑1~6%;分散劑1.0~4.0%;表面活性劑1.0~4.0%;去離子水余量。采用本發(fā)明提供的無磨粒拋光液對硬盤基片進行拋光,可提高基片的去除速率,有效降低基片表面的粗糙度,減輕表面拋光微缺陷狀況。
      【專利說明】用于計算機硬盤基片無磨粒拋光液組合物
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種硬盤基片的拋光液。特別是一種用于計算機硬盤基片無磨粒拋光液組合物。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,隨著存儲器硬盤容量及存儲密度的快速上升,要求磁頭去讀更小、更弱的信號,因而磁頭與磁盤磁介質(zhì)之間的距離需要進一步減小以提高輸出信號的強度。目前,產(chǎn)品化的計算機磁頭的飛行高度已降低到3納米左右。隨著磁頭與磁盤間運行如此的接近,對磁盤表面質(zhì)量的要求也越來越高。當磁盤表面具有波度時,磁頭就會隨著高速旋轉(zhuǎn)的存儲器硬盤的波動上下運動。然而,如果波度超過一定的高度時,磁頭就不再能隨著波度運動,它就會與磁盤基片表面碰撞,發(fā)生所謂的“磁頭壓碎”,磁頭壓碎會損壞磁頭貨存儲器硬盤表面上的磁介質(zhì),從而導(dǎo)致磁盤設(shè)備發(fā)生故障或讀寫信息的錯誤。另一方面,當存儲器硬盤表面上存在數(shù)微米的微凸起時也會發(fā)生磁頭壓碎。此外,當硬盤表面存在凹坑時,就不能完整地寫入信息,導(dǎo)致信息讀出的失敗,就會發(fā)生錯誤。因此,在形成磁介質(zhì)之前,對磁盤基片進行超精拋光,使基片的表面粗糙度和波紋度降至最小是很重要的,同時還必須完全除去微凸起、細小凹坑、劃痕、拋 光條痕、表面塵埃等表面缺陷。
      [0003]目前,普遍采用含有納米磨粒的拋光液組合物對計算機硬盤基片表面進行拋光,但是拋光液中納米磨粒的硬度比較大,容易產(chǎn)生凹陷,微觀劃痕等表面損傷。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種用于計算機硬盤基片無磨粒拋光液組合物,以減少硬盤基片表面的微觀劃痕和凹陷等表面損傷,提高盤片表面的平整度。
      [0005]為達到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
      一種用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物,其特征在于該組合物的組成及其重量百分比含量如下:
      金屬離子鹽0.2~1.2%
      氧化劑雙氧水1.0~6.0%
      分散劑六偏磷酸鈉1.0-4.0%
      表面活性劑十六烷基聚氧乙烯醚羧酸鹽1.0-4.0%
      去離子水余量
      所述的金屬離子鹽為Zn離子或Mg離子的可溶性鹽。
      [0006]上述的可溶性鹽為硫酸鋅、硫酸鎂、硝酸鋅、硝酸鎂、氯化鎂或氯化鋅。
      [0007]—種制備上述的用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物,其特征在于該方法的具體步驟為:按上述配方稱取各原料,在機械攪拌下,依次將金屬離子鹽,分散劑和表面活性劑加入到去離子水中,待攪拌溶解后,在不斷攪拌下加入氧化劑,得到透明液,即為計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物
      本發(fā)明的無磨粒拋光液組合物特別適用于N1-P鍍敷的計算機硬盤基片拋光,使用該拋光液拋后可提高基片的去除速率,有效降低硬盤基片表面納米級微粗糙峰個數(shù),減少表面微觀劃痕、凹陷,因而提高了硬盤基片表面的平整度。
      【具體實施方式】
      [0008]現(xiàn)將本發(fā)明的具體實施例敘述于后。
      [0009]實施例1
      本實施例中,用于計算機硬盤基片的無磨粒拋光液組合物的組成和重量百分比如下: 七水合硫酸鋅0.4%
      氧化劑雙氧水5.0%
      分散劑六偏磷酸鈉3.0%
      表面活性劑十六烷基聚氧乙烯醚羧酸鹽3.0%
      去離子水88.6%
      無磨粒拋光液的制備:按上述配方稱取各原料,在機械攪拌下,依次將金屬離子鹽,分散劑和表面活性劑加入到去離子水中,待攪拌溶解后,攪拌下再加入氧化劑,攪拌均勻即可,得到透明液。
      [0010]實施例2` 同實施例1的組成和步驟,只是采用的氯化鋅的重量百分比為0.8%,去離子水的重量百分比為88.2%。
      [0011]實施例3
      本實施例中,用于計算機硬盤基片的無磨粒拋光液組合物的組成和重量百分比如下: 無水硫酸鎂0.4%
      氧化劑雙氧水5.0%
      分散劑六偏磷酸鈉3.0%
      表面活性劑十六烷基聚氧乙烯醚羧酸鹽3.0%
      去離子水88.6%
      本實施例中的拋光液的制備與上述實施例1相同。
      [0012]實施例4
      同實施例3的組成和步驟,只是采用的硝酸鎂的重量百分比為0.8%,去離子水的重量百分比為88.2%。
      [0013]比較例I
      采用不加金屬離子鹽的無磨粒拋光液作為比較例進行相比,具體組成和重量百分比如
      下:
      氧化劑雙氧水5.0%
      分散劑六偏磷酸鈉3.0%
      表面活性劑十六烷基聚氧乙烯醚羧酸鹽3.0%
      去離子水89%
      本實施例中的拋光液的制備與上述實施例1相同。(能否改用其他的鹽,如硝酸鹽等)拋光試驗:
      使用上述各拋光液在一定拋光條件下對計算機硬盤基片進行拋光試驗。
      [0014]拋光條件如下:
      拋光機:UNIP0L-1502單面拋光機 工件:95mm/50mm計算機硬盤基片 拋光墊:聚氨酯材料、RODEL生產(chǎn) 拋光壓力:4公斤 下盤轉(zhuǎn)速:80rpm 拋光時間:30min
      拋光后,接著洗滌和干燥基片,然后測量基片的去除速率和基片表面的形貌特征。去除速率用公式MRR = (M1 -- M2) / t來計算,其中MRR表示基片的去除速率,M1和M2分別表示基片稱量前和稱量后的質(zhì)量,t表示拋光時間;表面平均粗糙度(Ra)用Ambios X1-100表面形貌測試儀,其分辨率為0.1埃。測試范圍為100 μ mX 100 μ m。
      [0015]各實施例拋光液的拋光效果分別見表1??梢?,與比較例(不加金屬離子鹽的無磨粒拋光液)相比,各實施例(分別加入七水合硫酸鋅或無水硫酸鎂金屬離子鹽的無磨粒拋光液)對硬盤基片進行拋光后,提高了基片的去除速率,有效降低了存儲器硬盤基片表面的粗糙度。
      表1各實施光液 對計算機?盤基片的拋光效果
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物,其特征在于該組合物的組成及其重量百分比含量如下: 金屬離子鹽0.2~1.2% 氧化劑雙氧水1.0~6.0% 分散劑六偏磷酸鈉1.0-4.0% 表面活性劑十六烷基聚氧乙烯醚羧酸鹽1.0-4.0%去離子水余量 所述的金屬離子鹽為Zn離子或Mg離子的可溶性鹽。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物,其特征在于所述的可溶性鹽為硫酸鋅、硫酸鎂、硝酸鋅、硝酸鎂、氯化鎂或氯化鋅。
      3.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物,其特征在于該方法的具體步驟為:按上述配方稱取各原料,在機械攪拌下,依次將金屬離子鹽,分散劑和表面活性劑加入到去離子水中,待攪拌溶解后,在不斷攪拌下加入氧化劑,得到透明液,即為計算機硬盤基片拋光的無磨粒拋光液組合物。
      【文檔編號】C09G1/04GK103666282SQ201310678098
      【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
      【發(fā)明者】雷紅, 趙蓉, 張衛(wèi)濤, 蔣婷, 任小艷 申請人:上海大學
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