抗靜電膜、抗靜電膜的制造方法和包括抗靜電膜的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及抗靜電膜、抗靜電膜的制造方法和包括抗靜電膜的顯示裝置。所述抗靜電膜包括基板；設(shè)置在所述基板上的包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯(TEOS)和倍半硅氧烷(SSQ)的下涂層和設(shè)置在所述下涂層上的包含所述導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯的上涂層。
【專利說明】抗靜電膜、抗靜電膜的制造方法和包括抗靜電膜的顯示裝
[0001] 本申請(qǐng)要求2013年4月29日遞交的韓國專利申請(qǐng)?zhí)?0-2013-0047571的優(yōu)先權(quán)， 為了一切目的以引用的方式將其并入本文中，就像在此進(jìn)行了完整闡述一樣。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 所公開的實(shí)施方式涉及顯示裝置。更具體而言，公開的內(nèi)容涉及用于防止靜電的 抗靜電膜、所述抗靜電膜的制造方法和包括所述抗靜電膜的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0003] 隨著信息通信和內(nèi)容技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者已不滿足于高品質(zhì)的二維可視性內(nèi)容， 而需要能夠獲得更逼真的體驗(yàn)的三維內(nèi)容。在2010年代，3D顯示技術(shù)在消費(fèi)電子市場(chǎng)已經(jīng) 成為一個(gè)主要的關(guān)注目標(biāo)。另外，通過3D電影院和展覽廳，一般的消費(fèi)者可以容易地體驗(yàn) 可戴式顯示裝置和身臨其境式大型三維顯示裝置，這些裝置則采用虛擬現(xiàn)實(shí)研究中的典型 的可視化界面。
[0004] 立體（3D)顯示裝置通過使用立體技術(shù)或自動(dòng)立體技術(shù)來實(shí)現(xiàn)立體圖像。在這些 技術(shù)中，立體技術(shù)使用左右眼的時(shí)差圖像，其具有較大的3D效果。作為立體技術(shù)，包括眼鏡 技術(shù)和非眼鏡技術(shù)，而這兩種技術(shù)均已投入實(shí)際使用。眼鏡技術(shù)通過改變左右時(shí)差圖像的 偏振方向或直觀式顯示元件或投影機(jī)中的分時(shí)型圖像的偏振方向來顯示圖像。在眼鏡技術(shù) 中，使用偏光眼鏡或液晶快門眼鏡來實(shí)現(xiàn)3D圖像。在非眼鏡技術(shù)中，通常在顯示屏的正面 或背面上設(shè)置用于分離左右時(shí)差圖像的光軸的視差屏障等光板。
[0005] 圖1是顯示通過使用偏光眼鏡來實(shí)現(xiàn)立體圖像的已知的立體顯示裝置。
[0006] 參照?qǐng)D1，眼鏡型立體顯示裝置1包括薄膜晶體管陣列基板10、包括彩色濾光片13 和黑色矩陣14的彩色濾光片基板12、以及插入薄膜晶體管陣列基板10與彩色濾光片基板 12之間的液晶層15。另外，在薄膜晶體管陣列基板10上布置下部偏振器16b。在彩色濾光 片基板12上布置黑色條紋20和用于防止靜電的背面IT021。在背面IT021上布置上部偏 振器16a、圖案化延遲器（patterned retarder) 17和經(jīng)歷表面處理的鈍化膜18,由此構(gòu)成 立體顯示裝置1。
[0007] 具有上述構(gòu)成的眼鏡型立體顯示裝置1交替顯示左眼圖像和右眼圖像，并切換由 圖案化延遲器17入射到偏光眼鏡上的偏振光的性質(zhì)。因此，眼鏡型可以在空間上分割左眼 圖像和右眼圖像，從而實(shí)現(xiàn)3D圖像。
[0008] 不過，布置在黑色條紋20上的背面IT021的沉積厚度較小，因而具有產(chǎn)生裂紋的 缺陷。此外，當(dāng)黑色條紋20的梯級(jí)被外涂（0C)層覆蓋并隨后形成背面IT021時(shí)，存在由于 增加了工藝和使用稀有金屬導(dǎo)致的成本增加的問題，以及在洗滌過程中由于低硬度所致而 形成刮痕從而降低圖像品質(zhì)的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 抗靜電膜包括基板、設(shè)置在所述基板上的包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯（TE0S)和 倍半硅氧烷（SSQ)的下涂層和設(shè)置在所述下涂層上的包含所述導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯 的上涂層。
[0010] 抗靜電膜的制造方法包括準(zhǔn)備基板；在所述基板上涂布包含20質(zhì)量份?25重量 份導(dǎo)電材料、7重量份?11重量份原硅酸四乙酯、20重量份?30重量份倍半硅氧烷、25重 量份?40重量份溶劑和8重量份?16重量份添加劑的下涂層組合物，并對(duì)所述下涂層組 合物進(jìn)行熱處理以形成下涂層；和在所述下涂層上涂布包含〇. 1重量份?10重量份所述導(dǎo) 電材料、5重量份?30重量份原娃酸四乙酯、30重量份?60重量份所述溶劑和8重量份? 16重量份所述添加劑的上涂層組合物，并對(duì)所述上涂層組合物進(jìn)行熱處理以形成上涂層。
[0011] 立體顯示裝置包括薄膜晶體管陣列基板；面對(duì)所述薄膜晶體管陣列基板并包括黑 色矩陣的彩色濾光片基板；在所述彩色濾光片基板上形成的對(duì)應(yīng)于所述黑色矩陣的黑色條 紋；和在所述黑色條紋上形成的抗靜電膜，該黑色條紋對(duì)應(yīng)于所述黑色矩陣形成，其中，所 述抗靜電膜包括下涂層和設(shè)置在所述下涂層上的上涂層，所述下涂層包含導(dǎo)電材料、原硅 酸四乙酯（TE0S)和倍半硅氧烷（SSQ);所述上涂層包含所述導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，將其并入且構(gòu)成說明書的一部分，附 圖說明了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，并且與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中：
[0013] 圖1是顯示已知的立體顯示裝置的圖示。
[0014] 圖2是顯示根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的立體顯示裝置的圖示。
[0015] 圖3a和3b是顯示根據(jù)本公開的實(shí)施例5制造的抗靜電膜的圖示。
[0016] 圖4是顯示根據(jù)本公開的比較例制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。
[0017] 圖5是顯示根據(jù)本公開的實(shí)施例6制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。
[0018] 圖6是顯示根據(jù)本公開的實(shí)施例7制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。
[0019] 圖7是顯示根據(jù)本公開的實(shí)施例7制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的實(shí)例圖示于附圖中。在整個(gè) 附圖中，將盡可能地使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同的或相似的部件。值得注意的是，如果 確定已知的技術(shù)可能會(huì)誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，則省略對(duì)已知技術(shù)的詳細(xì)描述。
[0021] 圖2是顯示根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的立體顯示裝置的圖示。
[0022] 參照?qǐng)D2,本公開示例性實(shí)施方式的立體顯示裝置由包括薄膜晶體管陣列基板 110、面對(duì)薄膜晶體管陣列基板110的彩色濾光片基板120和插入二者之間的液晶層150的 顯示面板DP構(gòu)成。
[0023] 更詳細(xì)地說，在薄膜晶體管陣列基板110上形成薄膜晶體管陣列。薄膜晶體管陣 列包括被提供有R、G和B數(shù)據(jù)電壓的多條數(shù)據(jù)線、被提供有柵極脈沖（gate pulse)(或掃 描脈沖）的與所述數(shù)據(jù)線交叉的多條柵極線（或掃描線）、在數(shù)據(jù)線和柵極線的交叉部分形 成的多個(gè)薄膜晶體管、將數(shù)據(jù)電壓充電給液晶單元的多個(gè)像素電極和連接至像素電極以維 持液晶單元的電壓的存儲(chǔ)電容器。
[0024] 以諸如TN(扭曲向列）模式和VA(垂直取向）模式等垂直或水平場(chǎng)驅(qū)動(dòng)模式在彩 色濾光片基板120上形成面對(duì)像素電極以形成電場(chǎng)的共用電極。共用電極與像素電極一同 以諸如IPS (面內(nèi)切換）模式和FFS (邊緣場(chǎng)切換）模式等水平場(chǎng)驅(qū)動(dòng)模式形成在薄膜晶體 管陣列基板110上。
[0025] 在彩色濾光片基板120上形成R、G和B彩色濾光片135和它們之間的多個(gè)黑色矩 陣130。彩色濾光片135用于將自背光單元發(fā)射并經(jīng)由液晶層150傳輸?shù)墓廪D(zhuǎn)換為紅色、綠 色和藍(lán)色。另外，黑色矩陣130布置在彩色濾光片135之間，以區(qū)分左眼圖像和右眼圖像。
[0026] 另外，形成了用于設(shè)定與液晶層150接觸的內(nèi)表面中的液晶的預(yù)傾角的取向膜 (未示出），并在薄膜晶體管陣列基板110和彩色濾光片基板120之間布置用來維持液晶單 元的單元間隙的柱狀間隔物（未示出）。
[0027] 在彩色濾光片基板120的外表面上設(shè)置黑色條紋160、在黑色條紋160上的包括下 涂層172和上涂層174的抗靜電膜170、和圖案化延遲膜195。黑色條紋160對(duì)應(yīng)于黑色矩 陣130而設(shè)置，由此有助于改進(jìn)立體圖像的視角。
[0028] 抗靜電膜170由下涂層172和上涂層174構(gòu)成，從而將彩色濾光片基板120上產(chǎn) 生的靜電排至外部。在彩色濾光片基板120的整個(gè)表面上形成抗靜電膜170。以下將更為 詳細(xì)地描述抗靜電膜170。
[0029] 在抗靜電膜170上設(shè)置圖案化延遲膜195。在圖案化延遲膜195中，在鈍化膜190 上形成第一延遲圖案180a和第二延遲圖案180b。第一延遲圖案180a被設(shè)置為面對(duì)顯示 面板DP中顯示左眼圖像的列，由此將左眼圖像的光轉(zhuǎn)換為第一偏振光（圓偏振光或線偏振 光）。第二延遲圖案180b被設(shè)置為面對(duì)顯示面板DP中顯示右眼圖像的列，由此將右眼圖像 的光轉(zhuǎn)換為第二偏振光（圓偏振光或線偏振光）。例如，第一延遲圖案180a可以作為經(jīng)其 透射左旋圓偏振光的偏振濾光片而實(shí)現(xiàn)。第二延遲圖案180b可以作為經(jīng)其透射右旋圓偏 振光的偏振濾光片而實(shí)現(xiàn)。
[0030] 對(duì)于具有上述構(gòu)成的立體顯示裝置，通過配備有僅第一偏振分量被傳送至左眼的 偏振膜和僅第二偏振分量被傳送至右眼的偏振膜的偏振眼鏡，使用者經(jīng)由左眼只看見左眼 圖像，經(jīng)由右眼只看見右眼圖像。因此，使用者感覺到顯示面板DP上顯示的圖像為立體圖 像。
[0031] 下面，將詳細(xì)描述抗靜電膜。
[0032] 本公開的抗靜電膜構(gòu)成為例如用于保護(hù)在顯示裝置的基板的一個(gè)表面上圖案化 的黑色條紋，并防止基板出現(xiàn)靜電。所述抗靜電膜具有包括下涂層和上涂層的雙層結(jié)構(gòu)。 [0033] 所述上涂層包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯、溶劑和添加劑。
[0034] 構(gòu)成本公開的上涂層的導(dǎo)電材料特別構(gòu)造為用于防止顯示裝置的基板上的靜電。 例如，所述導(dǎo)電材料可以選自由導(dǎo)電聚合物、金屬氧化物、碳納米管（CNT)、石墨烯及它們的 組合組成的組。另外，導(dǎo)電材料構(gòu)成為確保基板的透射率和涂層的硬度。
[0035] 導(dǎo)電聚合物是質(zhì)輕、易于加工并具有作為聚合物的固有性質(zhì)的電氣化的有機(jī)聚合 物，并且具有單鍵和雙鍵交替形成的共軛鍵。本公開的導(dǎo)電聚合物包括摻雜有另一適宜的 材料的導(dǎo)電聚合物以及純的導(dǎo)電聚合物。
[0036] 導(dǎo)電聚合物的實(shí)例包括不含有雜原子的導(dǎo)電聚合物，例如聚芴、聚亞苯基 (polyphenylene)、聚花、聚奧、聚萘、聚乙炔（PAC)和聚（對(duì)苯撐乙烯）（phenylene vinylene) (PPV);含有氮（N)作為雜原子的導(dǎo)電聚合物，例如聚吡咯（PPY)、聚咔唑、聚吲 哚、聚吖庚因（polyaz印ine)、聚（噻吩乙烯）和聚苯胺（ΡΑΝΙ);含有硫（S)作為雜原子的導(dǎo) 電聚合物，例如聚（噻吩）（PT)、聚（對(duì)苯硫醚）（PPS)和聚（3, 4-乙撐二氧噻吩）（PED0T); 含有氧（〇)作為雜原子的導(dǎo)電聚合物，例如聚呋喃；以及導(dǎo)電聚合物中摻雜有其他材料的 導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電聚合物可具有被適宜的取代基取代的形式，例如，芳香環(huán)和脂肪族基團(tuán) (如燒基和燒氧基）。
[0037] 優(yōu)選的是，摻雜有另一材料以提高在溶劑中的分散性或?qū)щ娦缘膶?dǎo)電聚合物，或 取代有適宜的官能團(tuán)的材料可以用作導(dǎo)電聚合物。例如，諸如1 2和階2等鹵素氣體，諸如 Li和Na等堿金屬，以及AsF6可以用作作為導(dǎo)電聚合物的聚乙炔中的摻雜劑。此外，BF，和 C104_可以用作聚吡咯、聚噻吩、聚奧和聚呋喃的摻雜劑。AsF6可以用作聚乙炔之外的聚對(duì) 苯硫醚、聚苯撐乙烯、聚噻吩乙烯和聚亞苯基的摻雜劑。同時(shí)，鹽酸（HC1)、十二烷基苯磺 酸（DBSA)和樟腦磺酸（CSA)可以用作聚苯胺的摻雜劑。在聚吡咯的情況中，除了 BF，和 C1CV之外，諸如對(duì)甲基苯基磺酸酯等甲苯磺?；梢杂米鲹诫s劑。在聚噻吩的情況中，諸如 對(duì)甲基苯基磺酸酯等甲苯磺酰基和？冗1 4可以用作摻雜劑。在聚亞苯基的情況中，除AsF6 之外，諸如Li和K等堿金屬可以用作摻雜劑。
[0038] 關(guān)于構(gòu)成本公開的上涂層的導(dǎo)電材料，導(dǎo)電聚合物特別優(yōu)選是具有PED0T作為 主要成分的導(dǎo)電聚合物。其實(shí)例包括未取代的PED0T、摻雜有聚（苯乙烯磺酸酯）（PSS) 的聚（3,4-乙撐二氧噻吩）（PED0T :PSS)或聚（3,4-乙撐二氧噻吩）-四甲基丙烯酸酯 (PED0T-TMA)。
[0039] PED0T:PSS中的PSS的磺酸基在溶劑中去質(zhì)子化，從而具有負(fù)電荷，可以用作分 散成分。同時(shí)，PED0T是π共軛體系的導(dǎo)電聚合物，PED0T部分具有正電荷。因此，PED0T 特別是在親水性溶劑中具有良好的分散性，從而形成穩(wěn)定鹽的形式。在PSS的存在下將作 為PED0T的單體的ED0T添加到諸如水等適宜的溶劑中時(shí)，形成了酸性水分散性溶液。因 此，PED0T:PSS溶液可引發(fā)氧聚合，由此形成穩(wěn)定的分散元件。作為另一種導(dǎo)電聚合物的 PED0T-TMA在有機(jī)溶劑中具有優(yōu)異的分散性，并且不會(huì)腐蝕。因此，PED0T-TMA可用來代替 PED0T:PSS。
[0040] 同時(shí)，作為構(gòu)成本公開的上涂層的導(dǎo)電材料，除了前述導(dǎo)電聚合物之外，還可以使 用諸如碳納米管和/或石墨烯等碳質(zhì)導(dǎo)電材料。此處，碳納米管（CNT)可以是單壁碳納米 管（SWNT)、雙壁碳納米管（DWNT)或多壁碳納米管（MWNT)。在碳納米管中，在合成步驟中碳 納米管顆粒之間形成了物理化學(xué)凝聚體。因此，可以進(jìn)行合適的處理，從而在本公開的涂布 組合物中的溶劑中分散碳納米管。
[0041] 例如，可以使用下述方法：1)在已知能夠充分分散碳納米管的諸如1，2-二氯苯、 N-甲基吡咯烷酮（NMP)和N，N-二甲基甲酰胺（DMF)等有機(jī)溶劑中加入碳納米管，然后進(jìn)行 超聲波處理的方法，2)使用諸如十二烷基硫酸鈉（SDS)、Trixon X-100、十二烷基苯磺酸鈉 (NaDDBS)和阿拉伯膠等離子性低分子量表面活性劑和/或諸如聚乙烯基吡咯烷酮（PVP)等 2元或3元共聚物等聚合物型表面活性劑的方法，3)通過酸處理引入羧基，增大對(duì)水和醇的 溶解性，并以諸如苯胺十八烷基胺（0DA)和十四烷基苯胺等烴類選擇性取代羧基由此引發(fā) 在芳香族有機(jī)溶劑中的分散的方法，4)使用1-丁基3-甲基咪唑鎗四氟硼酸鹽（BMMBF4) 和1-丁基-3-甲基咪唑鎗六氟磷酸鹽（BMMPF6)等離子液體作為電解質(zhì)，并在必要時(shí)在有 機(jī)溶劑中再次分散離子液體的方法，或5)在CNT表面上使用具有長(zhǎng)鏈烷基（碳原子數(shù)為 10?20)的芘衍生物以改進(jìn)CNT的分散性的方法。另外，根據(jù)近期的研究，有機(jī)分子的胺基 和經(jīng)歷酸處理的碳納米管表面上的羧酸形成了兩性離子。通過使用兩性離子改進(jìn)了碳納米 管對(duì)溶劑的分散性。
[0042] 可用作構(gòu)成本公開的上涂層的導(dǎo)電材料的實(shí)例的石墨烯是一種石墨性碳材料，具 有對(duì)一些溶劑（如NMP或DMF)不夠良好的分散性。然而，通過使用以下方法可以改進(jìn)對(duì)所 述溶劑的分散性。首先，存在進(jìn)行表面改性處理從而通過共價(jià)鍵為石墨烯的表面提供官能 團(tuán)的方法（石墨烯的共價(jià)官能化方法）。在該方法中，首先，用強(qiáng)酸對(duì)天然石墨進(jìn)行氧化處 理，以使其作為具有諸如環(huán)氧基、羥基、羰基和羧酸基團(tuán)等氧官能團(tuán)的石墨烯氧化物在邊緣 區(qū)域被分散/剝離。隨后，使用與G0的氧官能團(tuán)反應(yīng)的材料，或通過熱處理還原G0以制造 還原的石墨烯氧化物（rGO)。
[0043] 例如，通過與GO表面上存在的氧官能團(tuán)進(jìn)行酰胺化反應(yīng)和/或酯化反應(yīng)可以形成 共價(jià)鍵。具體而言，異氰酸酯有機(jī)單分子和G0可以共價(jià)鍵合，或有機(jī)單分子或包含具有胺 基、羥基或疊氮基團(tuán)的化合物或重氮化合物的化合物的聚合物可以與石墨烯或G0表面上 存在的羧酸共價(jià)鍵合，由此進(jìn)行表面改性。例如，可以考慮下述方法：使具有胺基的卟啉與 G0表面上的羧基反應(yīng)，由此合成其表面經(jīng)改性而具有酰胺鍵的石墨烯，使聚乙酸乙烯酯等 具有羥基的材料與G0的羧酸鍵合，從而改性石墨烯以使其表面具有酯鍵，或者使未取代的 或以烷基取代的諸如全氟苯基疊氮化物（PFPA)等具有疊氮鍵的材料與G0的C=C雙鍵部分 反應(yīng)，從而合成其表面經(jīng)改性而具有氮賓基團(tuán)的石墨烯，。通過上述方法進(jìn)行表面改性的石 墨烯可以改進(jìn)特別是對(duì)DMF、NMP和二甲亞砜（DMS0)的分散性。
[0044] 除了引入上述的共價(jià)官能團(tuán)以改性石墨烯表面的方法，還已知有將非共價(jià)官能團(tuán) 引入石墨烯的方法。在引入非共價(jià)官能團(tuán)時(shí)，使用η-η鍵、氫鍵或石墨烯的電荷間的相互 作用。例如，芘羧酸酯衍生物中存在的羧酸官能團(tuán)使石墨烯穩(wěn)定地分散在水溶液中，并維持 與石墨烯片材的物理吸附狀態(tài)。諸如Ρ3ΗΤ (聚（3-己基噻吩））等導(dǎo)電聚合物與rG〇-進(jìn)行 η - η鍵合，從而形成大分子絡(luò)合物，并很好地分散在諸如DMF等溶劑中。
[0045] 作為選擇，當(dāng)使用兩性材料（如膽酸鈉）或表面活性劑時(shí)，可以改進(jìn)石墨烯對(duì)水溶 液的分散性。特別是，根據(jù)近期的研究，G0邊緣處存在的正電荷的羧酸基團(tuán)與聚合物末端 的負(fù)電荷的胺基團(tuán)以靜電方式彼此相互作用，從而將聚合物吸附至G0的邊緣，由此使石墨 烯均勻地分散在諸如苯、鄰二甲苯和二氯甲烷等有機(jī)溶劑中。
[0046] 作為可用作構(gòu)成本公開的上涂層的導(dǎo)電材料的實(shí)例的金屬氧化物，能夠使用任何 金屬氧化物，只要該金屬氧化物能夠用作氧化鋅（ZnO)等溶質(zhì)即可。
[0047] 關(guān)于形成本公開的上涂層的上涂層組合物，基于上涂層組合物，可以包含的導(dǎo)電 材料的含量可以為〇. 1重量份?10重量份，優(yōu)選〇. 1重量份?5重量份，所述導(dǎo)電材料可 選自由導(dǎo)電聚合物、金屬氧化物、碳納米管、石墨烯及它們的組合組成的組。這是因?yàn)?，?dǎo)電 材料的含量小于上述范圍時(shí)，無法確保所需的導(dǎo)電性，因此導(dǎo)電材料不適合用于防止其上 涂布有組合物的基板的靜電，而當(dāng)導(dǎo)電材料的含量超過上述范圍時(shí)，透射率可能會(huì)降低。
[0048] 同時(shí)，構(gòu)成本公開的上涂層的原硅酸四乙酯（TE0S)具有以下結(jié)構(gòu)式。
[0049] w \
[0050] 原硅酸四乙酯通過正如以下將描述的諸如熱處理等固化過程可形成交聯(lián)，由此形 成聚硅氧烷，從而成為形成基質(zhì)的粘合劑樹脂。原硅酸四乙酯可改善上涂層的硬度、透射率 和可靠性。
[0051] 關(guān)于形成本公開的上涂層的上涂層組合物，基于上涂層組合物，可以包含的原硅 酸四乙酯的含量可以為5重量份?30重量份。當(dāng)原硅酸四乙酯的含量為5重量份以上時(shí)， 固體的含量過分增加，因此可以防止涂布組合物的穩(wěn)定性的降低。當(dāng)原硅酸四乙酯的含量 為30重量份以下時(shí)，可以確保制得的涂層的硬度和透射率。
[0052] 使用構(gòu)成用于形成本公開的上涂層的上涂層組合物的溶劑的目的在于分散諸如 導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯等固體成分，并調(diào)節(jié)涂布組合物的粘度。此外，所述溶劑能夠改進(jìn) 導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性。優(yōu)選的是，當(dāng)使用具有高沸點(diǎn)的溶劑時(shí)，交聯(lián)性化合物能夠更穩(wěn)定地進(jìn) 行交聯(lián)。
[0053] 例如，當(dāng)導(dǎo)電聚合物是親水性聚合物時(shí)，親水性溶劑可以用作分散導(dǎo)電材料和原 硅酸四乙酯的溶劑。作為可用的親水性溶劑的具體實(shí)例，選自水；醇類，如乙醇、甲醇、異丙 醇、丁醇、2-乙基己醇、甲氧基戊醇、丁氧基乙醇、乙氧基乙氧基乙醇、丁氧基乙氧基乙醇、甲 氧基丙氧基丙醇、酯醇（texanol)和廠品醇如α-廠品醇；四氫呋喃（THF);丙二醇、燒撐二 醇，如乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二己二醇或其烷基醚（例如，丙二醇 甲基醚（PGME)、二乙二醇丁基醚、二乙二醇乙基醚、二丙二醇甲基醚和二己二醇乙基醚）； 丙三醇、Ν-甲基吡咯烷酮（Ν-甲基-2-吡咯烷酮，ΝΜΡ)、2_吡咯烷酮、乙?；?、1，3-二甲 基咪唑啉酮、硫二甘醇、二甲亞砜（DMS0)、N，N-二甲基乙酰胺（DMAc)、二甲基甲酰胺（DMF)、 環(huán)丁砜、二乙醇胺和三乙醇胺的有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用，或者使用其兩種類型以上的混合 物。例如，當(dāng)PED0T:PSS用作導(dǎo)電聚合物時(shí)，如果具有高極性的親水性溶劑單獨(dú)使用或作為 混合物使用，則PEDOT: PSS可用作將導(dǎo)電聚合物良好分散的膨脹劑。
[0054] 在該情況中，例如，當(dāng)水用作溶劑來分散作為導(dǎo)電材料的碳納米管時(shí)，水性溶液中 可包含（NH 20H) (HC1)成分。（NH20H) (HC1)在水性溶液相上解離為NH30H+和C1、以具有酸 性。作為陽離子的NH30H+具有酸性，在碳納米管之間擴(kuò)散并穿透碳納米管，從而使碳納米管 的表面具有陽離子電荷。由于帶電的碳納米管顆粒導(dǎo)致的靜電排斥力所致碳納米管可以分 散在溶劑中。
[0055] 同時(shí)，當(dāng)使用具有疏水性的導(dǎo)電聚合物時(shí)，可以使用疏水性溶劑。例如，諸如甲基 乙基酮和環(huán)戊酮等酮類；諸如二甲苯、甲苯或苯等芳香族化合物；諸如二丙烯甲基醚等醚 類；諸如二氯甲烷和氯仿等脂肪族烴類可以單獨(dú)使用或作為兩種以上的混合物使用。
[0056] 溶劑可以以30重量份?60重量份的含量包含在本公開的上涂層組合物中。當(dāng)溶 劑在上述范圍內(nèi)使用時(shí)，可以適當(dāng)?shù)乇３纸M合物的粘度，導(dǎo)電材料和/或原硅酸四乙酯可 以均勻地分散。
[0057] 同時(shí)，除了上述成分之外，本公開的上涂層組合物還可以包含功能添加劑，如用于 防止組合物氧化或提高溶解性的抗氧化劑。
[0058] 用于防止熱引發(fā)的組合物的氧化反應(yīng)并提供熱穩(wěn)定性的目的的抗氧化劑的實(shí)例 可包括選自四-(亞甲基-(3, 5-二叔丁基-4-氫化肉桂酸酯）甲烷、3, 5-雙（1，1-二甲基 乙基）-4-輕基苯丙酸硫代二_2, 1-乙二基醋、十八燒基3, 5_二叔丁基_4_輕基氧化肉桂 酸酯、2, 6-二-叔-對(duì)甲基苯酚、2, 2-硫代雙（4-甲基-6-叔丁基苯酚）、2, 6-g，t- 丁基苯 酚和N-甲基吡咯烷酮（NMP)的一種或多種。不過，本公開并不一定限于上述抗氧化劑。此 夕卜，還可以包含乙酸或鹽酸（HC1)等功能添加劑作為酸值調(diào)節(jié)劑，以輔助原硅酸四乙酯的 溶解并調(diào)節(jié)酸值（pH)。
[0059] 添加劑的含量取決于組合物中包含的導(dǎo)電材料和溶劑的種類及含量。不過，所述 添加劑可以以約8重量份?16重量份的含量包含在上涂層組合物中。因此，構(gòu)成本公開的 上涂層的上涂層組合物可以包含0. 1重量份?10重量份的導(dǎo)電材料、5重量份?30重量份 的原硅酸四乙酯、30重量份?60重量份溶劑和8重量份?16重量份添加劑。
[0060] 同時(shí)，用于形成構(gòu)成本公開的抗靜電膜的下涂層的下涂層組合物包含導(dǎo)電材料、 原硅酸四乙酯、倍半硅氧烷（SSQ)和添加劑。下涂層的構(gòu)成與上涂層的構(gòu)成相同，不同之處 在于還包含倍半硅氧烷，且各成分的含量與上涂層的不同。
[0061] 構(gòu)成本公開的下涂層的導(dǎo)電材料與上涂層的相同，基于下涂層組合物其含量為20 重量份?25重量份。這是因?yàn)?，?dāng)導(dǎo)電材料的含量小于上述范圍時(shí)，無法確保所需的導(dǎo)電 性，因此導(dǎo)電材料不適合防止其上涂布有組合物的基板的靜電，當(dāng)導(dǎo)電材料的含量超過上 述范圍時(shí)，透射率可能降低。
[0062] 另外，構(gòu)成本公開的下涂層的原硅酸四乙酯與上涂層的相同，基于下涂層組合物 其含量可以為7重量份?11重量份。另外，構(gòu)成本公開的下涂層的溶劑與上述涂層的相同， 基于下涂層組合物其含量可以為25重量份?40重量份。此外，構(gòu)成本公開的下涂層的添 加劑與上涂層的相同，基于下涂層組合物其含量可以為8重量份?16重量份。
[0063] 同時(shí)，構(gòu)成本公開的下涂層的倍半硅氧烷可以通過甲基三氯硅氧烷和二甲基氯硅 氧烷的反應(yīng)來合成。倍半硅氧烷通過交聯(lián)可以合成為具有例如以下結(jié)構(gòu)式的梯狀結(jié)構(gòu)或籠 狀結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷。例如，具有部分籠狀結(jié)構(gòu)的七聚物型硅氧烷和具有籠狀結(jié)構(gòu)的七 聚物型硅氧烷及八聚物型硅氧烷通過有機(jī)三氯硅烷的水解而得到。利用溶解度的差異可以 分離七聚物型硅氧烷，且七聚物型硅氧烷與有機(jī)三烷氧基硅烷或有機(jī)三氯硅烷進(jìn)行縮合反 應(yīng)以得到倍半硅氧烷單體。倍半硅氧烷可具有近似為RSi0 3/2的化學(xué)結(jié)構(gòu)（R是氫；具有1? 10個(gè)碳原子的烷基；具有2?10個(gè)碳原子的烯基；苯基等芳基；或亞芳基），不過可用于本 公開的倍半硅氧烷并不限于此。
[0064] R l κχ 0，f ~ h / 9〇 ，\ f-f0?SiCR 0 j〇 \ R I I 〇 I /° // R /S，'^'〇--Si R \
[0065] 倍半硅氧烷可以改善下涂層的粘度、透射率和可靠性。特別是，當(dāng)上涂層組合物有 助于改進(jìn)抗靜電膜的硬度時(shí)，下涂層組合物進(jìn)一步包含倍半硅氧烷以幫助形成具有較大厚 度的下涂層。
[0066] 關(guān)于形成本公開的下涂層的下涂層組合物，基于下涂層組合物，可以包含的倍半 硅氧烷的含量為20重量份?30重量份。當(dāng)倍半硅氧烷的含量為20重量份以上時(shí)，可以形 成具有較大厚度的下涂層。倍半硅氧烷的含量為30重量份以下時(shí)，能夠確保制得的涂膜的 透射率。
[0067] 因此，形成本公開的下涂層的下涂層組合物包含20重量份?25重量份的導(dǎo)電材 料、7重量份?11重量份的原硅酸四乙酯、20重量份?30重量份的倍半硅氧烷、25重量 份?40重量份的溶劑和8重量份?16重量份的添加劑。
[0068] 下面將描述本公開的抗靜電膜的制造方法。
[0069] 在本公開的抗靜電膜中，將下涂層組合物涂布在基板上，引發(fā)被涂布的下涂層組 合物中含有的原硅酸四乙酯的交聯(lián)，通過熱處理除去溶劑，由此形成包含導(dǎo)電材料和原硅 酸四乙酯的下涂層。另外，將上涂層組合物涂布在下涂層上，引發(fā)原硅酸四乙酯的交聯(lián)并與 倍半硅氧烷鍵合，通過熱處理除去溶劑，由此形成包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯和倍半硅氧 烷的上涂層。
[0070] 例如，使用諸如旋涂、輥涂、噴涂、線棒涂布和狹縫涂布等方法可以將本公開的下 涂層組合物和上涂層組合物涂布在基板上。必要時(shí)所形成的下涂層的厚度可以改變。不過， 例如優(yōu)選的是下涂層組合物和上涂層組合物以較厚的方式涂布，由此充分覆蓋圖2中所示 的黑色條紋。在該情況中，為了調(diào)節(jié)下涂層的厚度，在制造下涂層組合物時(shí)，通過調(diào)節(jié)固體 的含量和粘度，可以形成具有所需厚度的下涂層。另外，形成的上涂層的厚度小于下涂層的 厚度。因此，上涂層用來改進(jìn)抗靜電膜的上表面的硬度。
[0071] 因此，與使用已知的背ΙΤ0的情況不同，本公開的抗靜電膜可以作為平坦的薄膜 而形成在基板的整個(gè)區(qū)域上。因此，可以除去形成黑色條紋的區(qū)域和這些區(qū)域之間的基板 區(qū)域中的梯級(jí)（step)。
[0072] 同時(shí)，如上所述，本公開的下涂層組合物和上涂層組合物包含原硅酸四乙酯。在原 硅酸四乙酯經(jīng)歷溶膠-凝膠反應(yīng)、然后進(jìn)行如以下反應(yīng)方程式所示的水解之后，水解的原 硅酸四乙酯可進(jìn)行交聯(lián)（2a)，或原硅酸四乙酯和水解的原硅酸四乙酯可進(jìn)行交聯(lián)（2b)以 形成聚硅氧烷。
[0073] 1 水鮮 I -fi-OR + HOH -Si-OH + R〇H I 1 i她 It j .水 ? 1 =fj 1% j j ...........SiOH + -f1-棚 _si_〇_|j_ . HOH 2* 1 1 德 ! ? 酵 I, ^ ?, 權(quán)會(huì) I, I, --on t· --qh -〇 j|- 呤 RLCJff .Λ I I "............s........ I I
[0074] 熱處理法可用于除去下涂層組合物或上涂層組合物中含有的溶劑。熱處理可以在 140°C?230°C進(jìn)行10分鐘?20分鐘。如上所述，溶劑可完全蒸發(fā)除去，僅有導(dǎo)電材料和交 聯(lián)聚硅氧烷作為固體而殘留，從而形成包含下涂層和上涂層的抗靜電膜。
[0075] 下面，為了幫助理解本公開將描述優(yōu)選的實(shí)施例。不過，闡述以下實(shí)施例是為了說 明，這些實(shí)施例不應(yīng)解釋為限制本公開。
[0076] 合成例
[0077] 將導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯、溶劑和添加劑按照下表1中所述的聚合比混合，由此 制造液相中的上涂層組合物。將導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯、倍半硅氧烷、溶劑和添加劑按照 下表1中所述的聚合比混合，由此制造液相中的下涂層組合物。
[0078] [表 1]
[0079] 涂布組合物的成分含量
[0080] 成分 下涂層組合物 上涂層組合物 # 合成例1 合成例2 合成例3 ~導(dǎo)電材料~PEDOTrPSS 20 25 (λ6 硅化合物一TE〇S ~ 10·5 - 15 - 'n VJ__SSQ__20__20__ 溶劑 PGME#At；Ac、 38.75 34 83.9 NMP 10 - 10 添加劑 乙酸 ^ 0.5 一 0.5 0.5 _| 其他 ^ 0.25 ^ 羞計(jì) 100 100 100
[0081] 實(shí)施例1 :抗靜電膜1的制造
[0082] 根據(jù)合成例1制造的下涂層組合物通過旋涂以600rpm/15秒、900rpm/15秒和 1200rpm/15秒的不同條件涂布在100X100的玻璃基板上，然后在140°C進(jìn)行約10分鐘的 熱處理，由此形成下涂層。根據(jù)合成例3制造的上涂層組合物通過旋涂以lOOOrpm/15秒的 條件涂布在下涂層上，然后在180°C進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此形成上涂層，從而制造抗 靜電膜。
[0083] 實(shí)施例2 :抗靜電膜2的制造
[0084] 根據(jù)合成例2制造的下涂層組合物通過旋涂以600rpm/15秒、900rpm/15秒、 1200rpm/15秒和1500rpm/15秒的不同條件涂布在100X100的玻璃基板上，然后在180°C 進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此形成下涂層。根據(jù)合成例3制造的上涂層組合物通過旋涂以 1000rpm/15秒的條件涂布在下涂層上，然后在140°C進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此形成上 涂層，從而制造抗靜電膜。
[0085] 實(shí)施例3 :抗靜電膜3的制造
[0086] 根據(jù)合成例2制造的下涂層組合物按照下表2中所述的不同的狹縫涂布條件涂布 在100X100的玻璃基板上，然后在180°C進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此形成下涂層。根據(jù) 合成例3制造的上涂層組合物通過狹縫涂布以300nm的厚度涂布在下涂層上，然后在180°C 進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此形成上涂層，從而制造抗靜電膜。
[0087] [表 2]
[0088] 狹縫涂布的條件
[0089] LI I涂布速度I涂布間隙I涂布長(zhǎng)度I泵送速率I n # ]于度 (_ (_) (_ 總泵送里(此 1 1.5__30__150__460__190__2850 ? 2 ^ 30 150 460 250 3800 _ ~3~ 3 ^ 30 150 460 380 5700 _ 4 1 4 30 150 460 500 7580
[0090] 實(shí)施例4 :抗靜電膜4的制造
[0091] 通過狹縫涂布將根據(jù)合成例1制造的下涂層組合物涂布在100 X 100的玻璃基板 上，然后在140°C進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此制造下涂層。
[0092] 實(shí)施例5 :抗靜電膜5的制造
[0093] 在100X 100的玻璃基板上形成厚度為1 μ m的黑色矩陣（BM)，以與實(shí)施例4相同 的條件形成下涂層。通過旋涂將根據(jù)合成例3制造的上涂層組合物涂布在下涂層上，然后 在180°C進(jìn)行約10分鐘的熱處理，由此制造抗靜電膜。
[0094] 實(shí)施例6 :立體顯示裝置1的制造
[0095] 制造包括實(shí)施例5中制得的下涂層和上涂層的立體顯示裝置。在彩色濾光片玻璃 基板的上表面上形成厚度為1. 2 μ m的黑色條紋。在彩色濾光片基板的上表面上形成厚度 為1. 3 μ m的實(shí)施例5的下涂層和上涂層的抗靜電膜。在彩色濾光片基板的下表面上形成 黑色矩陣、彩色濾光片和共用電極。另外，在薄膜晶體管陣列基板上形成薄膜晶體管和像素 電極。將彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板密封，注入液晶，從而制造液晶單元。將制 得的液晶單元運(yùn)送至清洗模塊，進(jìn)行諸如拋光帶清洗（3M氧化鋁）、使用刷的表面清洗和使 用純水的噴淋清洗等清洗過程，然后干燥。使偏振器連接至彩色濾光片基板的上部和薄膜 晶體管陣列基板的下部，由此制造立體顯示裝置。
[0096] 實(shí)施例7 :立體顯示裝置2的制造
[0097] 除了形成厚度為1.3μπι的黑色條紋并形成厚度為1.7 μπι的抗靜電膜之外，以與 實(shí)施例6中相同的工藝條件制造立體顯示裝置。
[0098] 比較例：使用外涂層制造立體顯示裝置
[0099] 除了形成外涂層來代替本公開的抗靜電膜之外，以與實(shí)施例6中相同的工藝條件 制造立體顯示裝置。
[0100] 試驗(yàn)例1 :測(cè)定通過旋涂制造的抗靜電膜的機(jī)械性質(zhì)、電氣性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì) [0101] 測(cè)定根據(jù)實(shí)施例1和2制造的抗靜電膜的薄片電阻、透射率、霧度、反射率、色坐標(biāo) 和鉛筆硬度，并描述于下表2中。
[0102] [表 3]
[0103] 抗靜電膜的性質(zhì)的測(cè)定結(jié)果
[0104] 丨=丨|透解HI?卜射輸| a，Tv|益― 600 4.4__96.9 0.49 7.74 -0.23 -0.87 9H 實(shí)施例 900 4.6 97.9 ~037~ 7.68 ~ -0.01 -0^67~ 9Η 1 4.8 98.6 0.28 8.02 -0.13 -0.86 9H 600 4.5 96.8 ~029~ 7.68 - -0.2 -0.82 9H - 900 4.7 97.9 1λ26~ 7.77 0.27 --0.69 9Η 實(shí)施例 120 〇 4.9 98.4 0.24 7.81 0.51 -0.70 9Η 150 Q 5.1 98.9 0 21 7.78 -0.31 -0.59 9H
[0105] 參照表3可以看出，即使改變下涂層的成分含量，并將旋涂條件變?yōu)?00、900、 1200和1500,透射率為約96%以上，霧度為約0. 5%以下，反射率為約8%以下，獲得了幾乎 透明的色坐標(biāo)，因此光學(xué)性質(zhì)與玻璃基板類似。另外，可以看出，鉛筆硬度為9H以上，薄片 電阻為5. 1以下。
[0106] 試驗(yàn)例2 :測(cè)定通過狹縫涂布制造的抗靜電膜的機(jī)械性質(zhì)、電氣性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)
[0107] 測(cè)定根據(jù)實(shí)施例3制造的抗靜電膜的涂布性質(zhì)、鉛筆硬度、霧度、透射率、反射率 和色坐標(biāo)，并描述于下表4中。
[0108] [表 4]
[0109] 抗靜電膜的性質(zhì)的測(cè)定結(jié)果
[0110] 涂布性質(zhì)|鉛筆硬度| |透射率(％：>丨反射率(％：> | *色: (%) a* b* T 良好 8Η Q.79~ 96.8 7.68 -0.02~ -0.81 Τ 良好 8Η 0.64~ 95.7 7.63 -0.07~ -0.74 Τ 良好 9Η 0.68~ 92.8 7.56 -Ο.?Γ -0.81 4 良好 9Η 0.94 90.6 7.43 -0.22 -0.84
[0111] 參照?qǐng)D4可以看出，鉛筆硬度、霧度、透射率、反射率和色坐標(biāo)具有與通過旋涂形 成的抗靜電膜的性質(zhì)相同的水平。
[0112] 試驗(yàn)例3 :根據(jù)抗靜電膜結(jié)構(gòu)的機(jī)械性質(zhì)、電氣性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)的測(cè)定
[0113] 測(cè)定實(shí)施例4和5制造的抗靜電膜的涂布性質(zhì)、厚度、鉛筆硬度、薄片電阻、透射 率、霧度、反射率和色坐標(biāo)，并描述于下表5中，表中也描述了裸玻璃基板的透射率、霧度、 反射率和色坐標(biāo)。此外，圖3a和3b中顯示了示出實(shí)施例5制造的抗靜電膜的圖示。
[0114] [表 5]
[0115] 抗靜電膜的性質(zhì)的測(cè)定結(jié)果
[0116] I涂布性I厚度I鉛筆硬I薄片電I透射率I霧度|反射| 色坐標(biāo)^ __質(zhì) （μηι) 度 阻 （％) (%) 率(％) a* l b* 裸玻 ? 1 100 0.18 8.27 0.04 -0.57 璃__________ 實(shí)施 ^ 良好 1 33 6Η 4.5 96.8 0,29 7,68 -0 2 -0,82 ^ 良好 2 79 9H 4.7 97.9 0.26 7.77 0.27 -0.69
[0117] 參照表5可以看出，具有下涂層和上涂層的雙層結(jié)構(gòu)的實(shí)施例5的鉛筆硬度、透射 率、霧度和色坐標(biāo)優(yōu)于具有下涂層的單層的實(shí)施例4的那些性質(zhì)。
[0118] 另外，參照?qǐng)D3a和3b可以確認(rèn)，具有雙層結(jié)構(gòu)的抗靜電膜的涂布性質(zhì)良好，并且 可以覆蓋諸如黑色矩陣等結(jié)構(gòu)的梯級(jí)。
[0119] 試驗(yàn)例4 :彩色濾光片基板的刮痕檢查
[0120] 檢查根據(jù)實(shí)施例6和7以及比較例制造的立體顯示裝置的彩色濾光片基板的刮 痕。彩色濾光片基板的刮痕檢查的結(jié)果示于圖4?7中。
[0121] 圖4是顯示根據(jù)比較例的在黑色條紋上形成外涂層的彩色濾光片基板的刮痕的 圖示。如圖4所示，可以確認(rèn)形成了垂直型刮痕。
[0122] 圖5是顯示根據(jù)實(shí)施例6制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。圖6是顯示根據(jù) 實(shí)施例7制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。如圖5和6所示，可以確認(rèn)僅在彩色濾光 片的最外部黑色條紋部分形成了肉眼不可識(shí)別的小刮痕。
[0123] 另外，圖7是顯示根據(jù)本公開的實(shí)施例7制造的彩色濾光片基板的刮痕的圖示。如 圖7所示，使用本公開的抗靜電膜時(shí)，可以看出，僅在最外部黑色條紋部分形成了肉眼不可 識(shí)別的小刮痕。
[0124] 本公開的示例性實(shí)施方式的抗靜電膜及其制造方法以及包括所述抗靜電膜的顯 示裝置的優(yōu)點(diǎn)在于，制得了完全覆蓋黑色條紋梯級(jí)的抗靜電膜，并且防止在基板上產(chǎn)生靜 電。此外，還存在以下優(yōu)點(diǎn)，通過改進(jìn)抗靜電膜的硬度以減少在洗滌過程中形成的刮痕，可 以改善制造效率和生產(chǎn)率。
[0125] 盡管已經(jīng)參考實(shí)施方式的眾多描述性實(shí)例對(duì)其進(jìn)行了描述，不過應(yīng)當(dāng)理解的是， 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出許多其他的修改和實(shí)施方式，其將落入本公開的原理的精神 和范圍之內(nèi)。更具體而言，在本公開范圍內(nèi)的主體組合排列的構(gòu)成部分和/或排列中可以 進(jìn)行各種變化和修改。除了構(gòu)成部分和/或排列中的變化和修改之外，替代性應(yīng)用對(duì)于本 領(lǐng)域的技術(shù)人員也將是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1. 一種抗靜電膜，所述抗靜電膜包含： 基板； 設(shè)置在所述基板上的下涂層，所述下涂層包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯（TEOS)和倍半 硅氧烷（SSQ);和 設(shè)置在所述下涂層上的上涂層，所述上涂層包含所述導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯。
2. 如權(quán)利要求1所述的抗靜電膜，其中，所述導(dǎo)電材料是選自由碳納米管（CNT)、金屬 氧化物、石墨烯和導(dǎo)電聚合物組成的組中的任一種材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的抗靜電膜，其中，所述導(dǎo)電聚合物是選自由聚芴、聚亞苯基、聚 芘、聚奧、聚萘、聚乙炔（PAC)、聚（對(duì)苯撐乙烯）（PPV)、聚吡咯（PPY)、聚咔唑、聚吲哚、聚吖 庚因、聚（噻吩乙烯）、聚苯胺（?4見）、聚（噻吩）、聚（對(duì)苯硫醚）（--幻、聚（3,4-乙撐二氧 噻吩）（PEDOT)、摻雜有聚（苯乙烯磺酸酯）（PSS)的聚（3, 4-乙撐二氧噻吩）（PEDOT:PSS)、 聚（3,4-乙撐二氧噻吩）-四甲基丙烯酸酯（PED0T-TMA)、聚呋喃及它們的組合組成的組中 的一種或多種聚合物。
4. 如權(quán)利要求1所述的抗靜電膜，其中，所述下涂層的厚度大于所述上涂層的厚度。
5. -種抗靜電膜的制造方法，所述方法包括： 準(zhǔn)備基板； 在所述基板上涂布包含20質(zhì)量份?25重量份導(dǎo)電材料、7重量份?11重量份原娃酸 四乙酯、20重量份?30重量份倍半硅氧烷、25重量份?40重量份溶劑和8重量份?16重 量份添加劑的下涂層組合物，并對(duì)所述下涂層組合物進(jìn)行熱處理以形成下涂層；和 在所述下涂層上涂布包含〇. 1重量份?10重量份所述導(dǎo)電材料、5重量份?30重量份 原娃酸四乙酯、30重量份?60重量份所述溶劑和8重量份?16重量份所述添加劑的上涂 層組合物，并對(duì)所述上涂層組合物進(jìn)行熱處理以形成上涂層。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述導(dǎo)電材料是選自由碳納米管（CNT)、金屬氧化 物、石墨烯和導(dǎo)電聚合物組成的組的任一種材料。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述導(dǎo)電聚合物是選自由聚芴、聚亞苯基、聚芘、聚 奧、聚萘、聚乙炔（PAC)、聚（對(duì)苯撐乙烯）（PPV)、聚吡咯（PPY)、聚咔唑、聚吲哚、聚吖庚因、 聚（噻吩乙烯）、聚苯胺（PANI)、聚（噻吩）、聚（對(duì)苯硫醚）（PPS)、聚（3, 4-乙撐二氧噻 吩）（PEDOT)、摻雜有聚（苯乙烯磺酸酯）（PSS)的聚（3, 4-乙撐二氧噻吩）（PEDOT:PSS)、聚 (3, 4-乙撐二氧噻吩）-四甲基丙烯酸酯（PEDOT-TMA)、聚呋喃及它們的組合組成的組中的 一種或多種聚合物。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述熱處理在140°C?230°C進(jìn)行10分鐘?20分 鐘。
9. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過狹縫涂布或旋涂來涂布所述下涂層組合物或 上涂層組合物。
10. -種立體顯示裝置，所述裝置包括： 薄膜晶體管陣列基板； 面對(duì)所述薄膜晶體管陣列基板并包括黑色矩陣的彩色濾光片基板； 在所述彩色濾光片基板上形成的黑色條紋，該黑色條紋對(duì)應(yīng)于所述黑色矩陣形成；和 在所述黑色條紋上形成的抗靜電膜， 其中，所述抗靜電膜包括 下涂層，所述下涂層包含導(dǎo)電材料、原硅酸四乙酯（TEOS)和倍半硅氧烷（SSQ);和 設(shè)置在所述下涂層上的上涂層，所述上涂層包含所述導(dǎo)電材料和原硅酸四乙酯。
【文檔編號(hào)】C09K3/16GK104118179SQ201310705371
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月29日
【發(fā)明者】全泰桓, 金圣姬, 黃晙植, 樸貴弘, 高有善 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司