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      一種疏水溶液及解決片式元件外電極漿料流掛的方法

      文檔序號:3790352閱讀:312來源:國知局
      一種疏水溶液及解決片式元件外電極漿料流掛的方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種疏水溶液及解決片式元件外電極漿料流掛的方法,所述疏水溶液包括按體積百分比計(jì)量的0.5%~8%的辛烷基三乙氧基硅烷、1.0%~5.0%的正硅酸乙酯、85%~98%的異丙醇、0.1%~0.4%的鹽酸以及0.4%~2.0%的冰醋酸,其中冰醋酸的體積百分濃度小于等于2%,鹽酸的體積百分濃度小于等于4%。在制作外電極前將待制作外電極的片式元件浸泡于前述的疏水溶液中一段時(shí)間,使元件的外表面被疏水溶液覆蓋包裹,再將經(jīng)過浸泡的元件吹干,得到的元件表面具有一層疏水膜層,此時(shí),再在上端電極涂敷電極漿料,將不會發(fā)生流掛和爬升等現(xiàn)象,防止了月牙電極的產(chǎn)生。
      【專利說明】一種疏水溶液及解決片式元件外電極漿料流掛的方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及疏水溶液以及采用疏水溶液解決片式元件外電極漿料流掛的方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,隨著片式元器件的廣泛使用,而對其各方面性能及外觀要求也趨于多樣化,同時(shí)片式元器件某些外觀不良又反過來制約某些電性能。比如,片式元器件外電極通常是以物理機(jī)械方式浸涂電極漿料形成,電極漿料在產(chǎn)品表面易潤濕、擴(kuò)散、爬升、流掛,固化成型后就會形成半月形的外電極(即月牙電極),造成產(chǎn)品外觀、電性不良。月牙電極在電鍍過程會產(chǎn)生尖端放電效應(yīng),導(dǎo)致鍍層向磁體延伸過快而爬鍍,嚴(yán)重時(shí)兩端外電極連接在一起而造成元件短路;月牙電極會導(dǎo)致產(chǎn)品雜散電容增加,從而影響產(chǎn)品電性能。
      [0003]傳統(tǒng)的解決上述問題的辦法包括:1)通過提高漿料觸變指數(shù)、黏度,調(diào)整浸涂參數(shù),花費(fèi)大量時(shí)間和物力成本,不但效果不顯著且一致性、再現(xiàn)性差;2)通過等離子處理對元器件表面進(jìn)行改性,使電極漿料在產(chǎn)品表面不易潤濕、擴(kuò)散、爬升、流掛,從而解決月牙電極不良。但這些方法需花費(fèi)高昂的設(shè)備、 原料和能源成本,且等離子處理工藝復(fù)雜不易操作控制。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的在于提出一種疏水溶液及采用疏水處理解決片式元件外電極漿料流掛的方法,以克服現(xiàn)有的方法存在處理成本高、工藝復(fù)雜不易操控的問題。
      [0005]本發(fā)明提供的疏水溶液,包括以下組分:
      [0006]
      【權(quán)利要求】
      1.一種疏水溶液,包括以下組分:
      2.一種解決片式元件外電極漿料流掛的方法,其特征在于:在制作外電極前將待制作外電極的元件進(jìn)行以下預(yù)處理: 51、疏水處理:將待制作外電極的元件浸泡并完全淹沒于疏水溶液中,以使所述元件的外表面被所述疏水溶液覆蓋包裹,其中,所述疏水溶液包括按體積百分比計(jì)量的0.5%~8%的辛烷基三乙氧基硅烷、1.0%~5.0%的正硅酸乙酯、85%~98%的異丙醇、0.1%~0.4%的鹽酸以及0.4%~2.0%的冰醋酸,其中所述冰醋酸的體積百分濃度小于等于2%,所述鹽酸的體積百分濃度小于等于4% ; 52、吹干:將經(jīng)步驟SI疏水處理過的元件在300°C以下吹干。
      3.如權(quán)利要求2所述的`方法,其特征在于:步驟SI中,所述元件在所述疏水溶液中的浸泡時(shí)間為5-10min。`
      4.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于:步驟S2中,吹干的方式為:將所述元件倒入傾斜式吹干籃中以60-100r/min轉(zhuǎn)速在40°C以下吹干。
      5.如權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述預(yù)處理還包括: 53、研磨倒角:將步驟S2中吹干后的元件置于倒角罐中,并加入與元件同體積的水和元件體積的1/4~3/4的研磨介質(zhì),采用倒角機(jī)進(jìn)行研磨倒角。
      6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:所述倒角機(jī)為行星倒角機(jī),并且以80-1201./min的轉(zhuǎn)速對元件研磨倒角5-8min。
      7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述預(yù)處理還包括: 54、分離:完成步驟S3后,采用與元件、所述研磨介質(zhì)尺寸相匹配的目數(shù)的篩網(wǎng)在水中將所述研磨介質(zhì)和元件分離。
      8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述預(yù)處理還包括: ` 55、烘干:將經(jīng)步驟S4分離得到的元件在300°C以下烘干。
      【文檔編號】C09D5/00GK103773226SQ201310712504
      【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月20日
      【發(fā)明者】楊日章, 王清華, 陳先仁 申請人:深圳順絡(luò)電子股份有限公司
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