半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其中，在基材膜上具有壓敏型粘合劑的粘合劑層，該粘合劑層的厚度為10μm以上，該粘合劑層表面的表面自由能γs為30～35mN/m，對(duì)二碘甲烷的接觸角θlI為54°～60°，在23℃對(duì)SUS280拋光面的粘合力為0.8～4.3N/25mm，且在50℃的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280拋光面的粘合力相對(duì)于在23℃的剝離時(shí)的粘合力為50％以下。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶（膠帶）。更詳細(xì)而言，涉及一種將 半導(dǎo)體晶片磨削成薄膜時(shí)所使用的半導(dǎo)體晶片的表面保護(hù)用粘合帶。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于半導(dǎo)體封裝體而言，對(duì)高純度硅單晶等進(jìn)行切片而制成半導(dǎo)體晶片，然后通 過(guò)離子注入、蝕刻等在該晶片表面形成集成電路來(lái)制造半導(dǎo)體封裝體。通過(guò)對(duì)形成有集成 電路的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削、拋光等，而使半導(dǎo)體晶片成為所期望的厚度。此時(shí)，為 了保護(hù)在半導(dǎo)體晶片表面形成的集成電路，使用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。經(jīng)背面磨 削的半導(dǎo)體晶片在背面磨削結(jié)束后被收納至晶片盒，輸送至切割工序，被加工成半導(dǎo)體芯 片。
[0003] 以往，進(jìn)行有通過(guò)背面磨削使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄至200?400 μ m左右的方 法。然而，隨著近年來(lái)高密度封裝技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)生使半導(dǎo)體芯片小型化的需求，進(jìn)行半導(dǎo) 體晶片的薄型化，根據(jù)半導(dǎo)體芯片的種類(lèi)，厚度薄至l〇〇ym左右。而且，為了增加可通過(guò)一 次性加工而制造的半導(dǎo)體芯片數(shù)量，半導(dǎo)體晶片的直徑反而趨于大型化。此前直徑為5英 寸或6英寸的導(dǎo)體晶片為主流，與此相對(duì)，近年來(lái)由直徑8?12英寸的半導(dǎo)體晶片加工成 半導(dǎo)體芯片成為主流。
[0004] 半導(dǎo)體晶片的薄型化及大直徑化的趨勢(shì)特別在存在有NAND型或N0R型的閃存領(lǐng) 域或作為易失性?xún)?nèi)存的DRAM等領(lǐng)域中顯示顯著的傾向。例如，使用直徑12英寸的半導(dǎo)體 晶片磨削至150μπι的厚度以下的情況也并不罕見(jiàn)。在將大口徑的半導(dǎo)體晶片磨削至薄型 時(shí)，若半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶的剝離力過(guò)大，則要強(qiáng)行剝下膠帶，從而導(dǎo)致產(chǎn)生晶片 破裂。
[0005] 通常，半導(dǎo)體晶片通過(guò)機(jī)械臂從被稱(chēng)作晶片盒的專(zhuān)用盒中被逐片取出，利用位于 在磨削設(shè)備內(nèi)的半導(dǎo)體晶片固定用夾具進(jìn)行保持，進(jìn)行背面磨削。經(jīng)背面磨削的半導(dǎo)體晶 片通過(guò)機(jī)械臂被收納至晶片盒并輸送至下一工序。此時(shí)，若半導(dǎo)體晶片的翹曲大，則會(huì)產(chǎn)生 吸附不良、或在最壞情況下產(chǎn)生晶片在輸送途中從吸附臂脫離而掉落等問(wèn)題，但由于被稱(chēng) 作線內(nèi)系統(tǒng)（in-line system)的薄膜磨削專(zhuān)用機(jī)的出現(xiàn)或特殊的膠帶（參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、 2)的開(kāi)發(fā)而正在得到解決。認(rèn)為通過(guò)導(dǎo)入這些膠帶或裝置，可消除半導(dǎo)體晶片輸送時(shí)的輸 送失誤的問(wèn)題，今后磨削厚度也會(huì)越來(lái)越薄膜化。
[0006] 磨削后的薄型晶片被安裝至切晶帶或切晶粘晶膜，之后在裝置內(nèi)剝離表面保護(hù) 帶。如上所述，膠帶剝離時(shí)半導(dǎo)體晶片為大直徑且薄膜，因此若剝離力高，則會(huì)產(chǎn)生對(duì)半導(dǎo) 體晶片施加負(fù)荷而容易破裂的問(wèn)題。
[0007] 進(jìn)一步，近年來(lái)，倒裝芯片封裝方式等逐漸增加，利用焊料凸點(diǎn)或金凸點(diǎn)等的接合 方式增加。尤其是，這些半導(dǎo)體晶片利用被稱(chēng)作底部填充劑的樹(shù)脂進(jìn)行密封，因此為了提高 其與底部填充劑的密合性，傾向于進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面的活化來(lái)強(qiáng)化其與底部填充劑的密 合性。然而，隨著與底部填充劑的密合性的提高，半導(dǎo)體晶片與膠帶的密合性也提高，所需 的剝離力變高，從而產(chǎn)生剝離不良的問(wèn)題。
[0008] 另外，對(duì)于分立式晶片而言，為了提高性能，也在逐步推進(jìn)薄膜化。由于對(duì)該晶片 進(jìn)行特殊的表面處理、或階梯差的大小各異，因此粘合劑容易殘留，剝離性的提高正在成為 重要課題之一。
[0009] 在磨削工序中需要保持力，另一方面，在剝離時(shí)要求低粘合力，因而以往多使用紫 外線固化型表面保護(hù)帶作為薄膜用表面保護(hù)帶。紫外線固化型表面保護(hù)帶在晶片上貼合時(shí) 具有高粘合力，因此密合性?xún)?yōu)異，在剝離前通過(guò)照射紫外線而使低聚物或聚合物交聯(lián)，由此 使粘合力降低，因此可以容易地剝離（參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。
[0010] 然而，對(duì)于紫外線固化型表面保護(hù)帶而言，必須有照射紫外線工序，因此工序管理 繁瑣，并且其反應(yīng)性高，因此經(jīng)常產(chǎn)生與進(jìn)行過(guò)特殊表面處理的半導(dǎo)體晶片的活性面反應(yīng) 而產(chǎn)生剝離不良或晶片破裂的問(wèn)題。另一方面，在使用壓敏型粘合劑的表面保護(hù)帶中，無(wú)法 利用紫外線照射進(jìn)行粘合劑的固化，因而難以兼顧提高密合性與防止粘合劑殘留，難以應(yīng) 用于分立式之類(lèi)的階梯差較大的器件、凸點(diǎn)晶片等附有突起的器件。
[0011] 針對(duì)這些問(wèn)題，考慮過(guò)將粘合劑設(shè)為2層或著在中間層中使用樹(shù)脂以確保密合性 等方法，但是如果不使與被粘合體接觸的粘合劑為紫外線固化型，則難以抑制粘合劑殘留 的產(chǎn)生、或者在使用壓敏型粘合劑的情況下必須對(duì)被粘合體實(shí)施清洗。
[0012] 針對(duì)這些問(wèn)題，通過(guò)進(jìn)一步調(diào)整對(duì)二碘甲烷的接觸角的值來(lái)解決紫外線固化型粘 合劑中的問(wèn)題（參照專(zhuān)利文獻(xiàn)4)、或著對(duì)于壓敏型粘合劑也同樣地尋求解決問(wèn)題（參照專(zhuān) 利文獻(xiàn)5)，但是未能完全解決由于晶片表面狀態(tài)的不同或者劃線等凹凸的深度或形狀的不 同而產(chǎn)生粘合劑殘留的問(wèn)題。
[0013] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0014] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0015] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2011-151355號(hào)公報(bào)
[0016] 專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2003-261842號(hào)公報(bào)
[0017] 專(zhuān)利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)平9-298173號(hào)公報(bào)
[0018] 專(zhuān)利文獻(xiàn)4 :日本特開(kāi)2009-242776號(hào)公報(bào)
[0019] 專(zhuān)利文獻(xiàn)5 :日本特開(kāi)2011-129605號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0020] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0021] 本發(fā)明的課題在于提供一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，即使在存在階梯差的 半導(dǎo)體晶片上貼合有半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶的條件下直接磨削該半導(dǎo)體晶片背面， 也可以不滲入灰塵或水地進(jìn)行薄膜化，不會(huì)損傷半導(dǎo)體晶片，并且容易剝離。
[0022] 用于解決問(wèn)題的手段
[0023] 本發(fā)明人對(duì)上述課題進(jìn)行了深入研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，將具有特定的表面自由能與對(duì) 二碘甲烷的接觸角、且粘合力調(diào)整至所期望的值的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶貼合在分 立式晶片上并磨削至1〇〇 μ m的厚度的情況下，能夠不滲入灰塵或水地進(jìn)行磨削，在50°C的 加熱條件下剝離該粘合帶的情況時(shí)，能夠無(wú)粘合劑殘留且容易地剝離。本發(fā)明是基于該見(jiàn) 解而完成的。
[0024] SP，本發(fā)明提供以下的發(fā)明。
[0025] (1) -種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，在基材膜上具有壓敏型粘 合劑的粘合劑層，該粘合劑層的厚度為10 μ m以上，該粘合劑層表面的表面自由能Y s為 30?35mN/m，對(duì)二碘甲烷的接觸角Θ/為54°?60°，在23°C對(duì)SUS280拋光面的粘合力 為0. 8?4. 3N/25mm，且在50°C的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280拋光面的粘合力與在23°C的剝離 時(shí)的粘合力相比為50%以下。
[0026] (2)如上述（1)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，上述粘合劑層 的主要成分為（甲基）丙烯酸系聚合物型共聚物。
[0027] (3)如上述（2)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，上述（甲基） 丙烯酸系聚合物型共聚物為含有（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙 烯酸2-乙基己酯的至少3種單體成分的共聚物。
[0028] (4)如上述（1)至（3)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在 于，在上述粘合劑層中不含異氰酸酯系交聯(lián)劑和/或環(huán)氧系交聯(lián)劑。
[0029] (5)如上述（1)至（4)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在 于，上述粘合劑層為乳液系粘合劑，含有2種以上表面活性劑。
[0030] (6)如上述（5)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，上述表面活性 劑至少是聚丙二醇化合物和聚氧乙烯烷基苯基醚這兩種。
[0031] 需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中"實(shí)質(zhì)上不含交聯(lián)劑"是指并非有意添加，而且達(dá)到無(wú) 法通過(guò)GPC(凝膠滲透色譜法（Gel Permeation Chromatography))等分級(jí)提取而分離的程 度。
[0032] 發(fā)明效果
[0033] 即使在將本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶貼合在大直徑的半導(dǎo)體晶片表 面的條件下直接磨削該半導(dǎo)體晶片背面從而制成l〇〇ym以下的薄膜半導(dǎo)體晶片的情況 下，也無(wú)需照射紫外線的工序，而且可以沒(méi)有粘合劑殘留且容易地剝離。因此，在作為后續(xù) 工序的蝕刻工序、金屬化工序中也可以毫無(wú)問(wèn)題地對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行處理。而且，本發(fā)明的 半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶也可以?xún)?yōu)選應(yīng)用于分離式晶片之類(lèi)階梯差較大的器件或金 凸點(diǎn)晶片等附有一定程度大小的突起的器件。
[0034] 本發(fā)明的上述及其它特征及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)適當(dāng)參照附圖并根據(jù)下文中的記載而進(jìn)一 步明確。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035] 圖1為表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶的一種實(shí)施方式的截面圖。
[0036] 圖2為表示本發(fā)明中的對(duì)SUS280拋光面的粘合力的測(cè)定方法的說(shuō)明圖。
[0037] 圖3為表示實(shí)施例中的粘合劑層表面對(duì)二碘甲烷的接觸角的測(cè)定方法的說(shuō)明圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038] 參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶進(jìn)行說(shuō)明。如圖1中示 意性截面圖所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶20在基材膜21的至少單面上形 成粘合劑層22,使粘合劑層22與晶片23接合而使用。
[0039] 下面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0040] 粘合劑層可以由1種粘合劑構(gòu)成，也可以層積有不同的2種以上粘合劑，所層積的 粘合劑層均為壓敏型粘合劑。
[0041] 粘合劑為紫外線固化型時(shí)，必須使其含有用于產(chǎn)生自由基等的光反應(yīng)引發(fā)劑。然 而，若半導(dǎo)體晶片表面通過(guò)等離子清洗等進(jìn)行活化，則有時(shí)會(huì)與光反應(yīng)引發(fā)劑發(fā)生反應(yīng)，由 于光反應(yīng)引發(fā)劑與半導(dǎo)體晶片表面反應(yīng)，因此在剝離時(shí)常常產(chǎn)生粘合劑殘留的問(wèn)題或產(chǎn)生 剝離不良的問(wèn)題，無(wú)法應(yīng)對(duì)各式各樣的半導(dǎo)體晶片。另一方面，壓敏型粘合劑中不含有光反 應(yīng)引發(fā)劑等反應(yīng)性物質(zhì)，因此與活性面的適配性較好，不易引起接合現(xiàn)象等。
[0042] 本發(fā)明中，粘合劑層的厚度為ΙΟμπι以上，優(yōu)選為10?50μπι。此處，在層積有2 種以上粘合劑時(shí)，粘合劑層的厚度是指由這些層積的粘合劑所構(gòu)成的粘合劑層的總厚度。
[0043] 對(duì)于本發(fā)明的粘合劑層而言，其表面的表面自由能Y s為30?35mN/m，對(duì)二碘甲 烷的接觸角為54°?60°，在23°C對(duì)SUS280拋光面的粘合力為0.8?4. 3N/25mm，并且在 50°C的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280拋光面的粘合力與通常剝離時(shí)的粘合力相比為50%以下。
[0044] 在本發(fā)明中，粘合劑層表面對(duì)二碘甲烷（CH2I2)的接觸角Θ /是指粘合劑層表面剛 剛與二碘甲烷接觸后不久的接觸角Θ 該接觸角是在溫度為23°C、濕度為50%的條 件下測(cè)定的值。測(cè)定可以使用市售的接觸角測(cè)定裝置進(jìn)行。
[0045] 在本發(fā)明中，粘合劑層表面對(duì)二碘甲烷的接觸角為54度（° )以上且60度（° ) 以下，優(yōu)選為54. 5?58°。
[0046] 在本發(fā)明中，粘合劑表面的表面自由能Y s為30?35mN/m，優(yōu)選為30?33mN/m。
[0047] 為了得到表面自由能γ s，已知有Zisman法、Fowkse法、Owens and Wendt法、Van 〇ss法等，在本發(fā)明中為通過(guò)Owens and Wendt法求出的值。
[0048] 具體而言，根據(jù)下述<式1>中的式（1)、式（2)的聯(lián)立方程式求出表面自由能 Y s。此處，<式1 >是根據(jù)將Fowkes式擴(kuò)展而得的Owens式及Young式而求出的。
[0049] 【數(shù)1】
[0050] <式 1 >
[0051] Y s = Y SP+ Y sd (1)
[0052] y^l+cos θ χ) = 2(yxpX y sp) 1/2+2( y/X ysd)1/2 (2)
[0053] Ys=表面自由能
[0054] Y sp =表面自由能的極性分量
[0055] Y sd =表面自由能的色散分量 [0056] Υ χ =接觸介質(zhì)（液體）的表面張力
[0057] Y /=接觸介質(zhì)（液體）的表面張力的極性分量
[0058] Y /=接觸介質(zhì)（液體）的表面張力的色散分量
[0059] Θ i =接觸介質(zhì)（液體）對(duì)固體表面的接觸角
[0060] 上述式（1)為Fowkes-Owens式，其區(qū)分表面自由能的分量，認(rèn)為表面自由能^是 表面自由能的極性分量Y SP(僅為倫敦（London)力）與表面自由能的色散分量Ysd(包含 德拜（Debye)力或氫鍵力）之和，上述式（2)為將針對(duì)固體s與液體1這樣的界面的界面 張力Y ?的擴(kuò)展Fowkes模型的關(guān)系式與Young式組合而得到的關(guān)系式。
[0061] 表面自由能￥3通過(guò)如下方式求出：在上述式（2)中，使用表面張力、表面張力 極性分量（Y/)、表面張力色散分量（Y/)已知的2種液體，測(cè)定這些液體的接觸角，由 此解出上述聯(lián)立方程式。
[0062] 在本發(fā)明中，這2種液體使用純水與二碘甲烷。
[0063] 水的表面張力、表面張力極性分量、表面張力色散分量分別依次為 72. 8mN/m、51. 0mN/m、21. 8mN/m，二碘甲烷的表面張力h、表面張力極性分量γ/、表面張力 色散分量 Y / 分別依次為 50. 8mN/m、l. 3mN/m、49. 5mN/m。
[0064] 因此，純水的情況下，將這些值代入上述式（2)中得到下述式（2a)，二碘甲烷的情 況下得到下述式（2b)。
[0065] 結(jié)果，通過(guò)測(cè)定水的接觸角和二碘甲烷的接觸角Θ&求解下述<式2>的聯(lián) 立方程式，由此求出表面自由能Ys。
[0066]【數(shù)2】
[0067] <式 2 >
[0068] Y s = Y SP+ Y sd (1)
[0069] 72. 8 (1+cos θ χΗ) = 2 (51. 0 y sp) 1/2+2 (21. 8 y /)1/2 (2a)
[0070] 50. 8 (1+cos Θ /) = 2 (1. 3 y sp) 1/2+2 (49. 5 y /)1/2 (2b)
[0071] Ys=表面自由能
[0072] Y SP =表面自由能的極性分量
[0073] Y sd =表面自由能的色散分量
[0074] Θ ^ =純水對(duì)固體表面的接觸角
[0075] Θ / =二碘甲烷（CH2I2)對(duì)固體表面的接觸角
[0076] 此處，純水的接觸角Θ/和二碘甲烷的接觸角Θ，通過(guò)接觸角計(jì)進(jìn)行測(cè)定（液滴 容量：水2 μ L、二碘甲烷3 μ L，讀取時(shí)間：滴加30秒后）。
[0077] 需要說(shuō)明的是，上述式（2)是按照如下的方式導(dǎo)出的。
[0078] Young式（能量平衡狀態(tài)的關(guān)系式）
[0079] ys = y i+y^os θ χ (3)
[0080] Dupre式（能量守恒的關(guān)系式）
[0081] ff = Y s+ Y Y i (4)
[0082] 對(duì)于Young式而言，在液體靜置于固體表面并處于平衡時(shí)，在接觸角Θ i與固體的 表面張力Ys、液體的表面張力、固液界面張力L之間，上述式（3)的關(guān)系成立。
[0083] 對(duì)于Dupre式而言，對(duì)于粘附功W上述式⑷的關(guān)系成立，粘附功W為將固體-液 體的界面分為固體-氣體、液體-氣體這2個(gè)界面所需要的功。
[0084] 根據(jù)上述式（3)與（4)導(dǎo)出下述式（5)的Young-Dupre式。
[0085] ff = y x (1-cos θ χ) (5)
[0086] Girifalco and Good式（粘附功與固、液的各表面能的關(guān)系）
[0087] \ν=2φ(γ，γι)1/2 (6)
[0088] 粘附功W為固體與液體發(fā)生接合時(shí)表面自由能減少的部分，因而看作為與固液界 面的相互作用相關(guān)聯(lián)的量，Φ為校正系數(shù)，根據(jù)作用在固相-液相等兩相間的相互作用的種 類(lèi)的不同而取不同的值，通常被近似為1. 0。
[0089] 另一方面，如下所述，粘附功W、表面自由能被假定分為極性分量與色散分量。
[0090] 粘附功的分量分解（極性分量、色散分量）
[0091] ff = ffp+ffd (7)
[0092] 表面自由能的分量分解（Fowkes-Owens式）
[0093] Y s = Y SP+ Y sd (8)
[0094] 此處，對(duì)于上述式（7)，將Wp、Wd代換成近似為φ=1·〇的式（6)的Girifalco and Good式，由此導(dǎo)出下述式（9)。
[0095] ff = 2 ( y SPX y /) 1/2+2 ( Y sdX Υ /)1/2 (9)
[0096] 根據(jù)上述式（9)與上述式（5)導(dǎo)出上述式（2)。
[0097] y^l-cos θ x) = 2(yspX y/) 1/2+2( y sdX γ/)1/2(2)
[0098] 對(duì)于本發(fā)明中的表面自由能的計(jì)算而言，利用Owens and Wendt法使用水與二碘 甲烷這兩種極性不同的溶液進(jìn)行計(jì)算。
[0099] 水與二碘甲烷在有無(wú)氫鍵、電負(fù)性的差方面不同，并且如上所述，極性分量、色散 分量不同，因此這它們的表面張力不同。此處，水的特點(diǎn)在于極性分量的比例較大，這是因 為具有進(jìn)行鍵合氫的羥基。
[0100] 認(rèn)為本發(fā)明中固體S(固相）為接合劑層，即使在構(gòu)成接合劑層的粘合劑中大量 地含有相同的主要成分，且色散分量無(wú)大的差別，也可以通過(guò)賦予羥基或羧基而使極性分 量大幅改變，對(duì)純水的接觸角大幅變化，因此表面自由能 Ys變化。推測(cè)在因凝聚不足 而導(dǎo)致粘合劑殘留的情況下，色散分量處于支配地位，在對(duì)特殊的活性面的粘合劑殘留的 情況下，極性分量處于支配地位，為了解決對(duì)各種面的粘合劑殘留，水和二碘甲烷的接觸角 (即表面自由能Y s)都是重要的。
[0101] 若粘合劑對(duì)二碘甲烷的接觸角Θ/在上述范圍內(nèi)，且粘合劑層表面的表面自由能 y s在上述范圍內(nèi)，則幾乎不存在粘合劑與半導(dǎo)體晶片表面的反應(yīng)，半導(dǎo)體晶片表面與粘合 劑的粘合力非常接近于對(duì)硅鏡面晶片或SUS板的粘合力，因此可容易地剝離。另外，由于反 應(yīng)性低，因此即使貼合在半導(dǎo)體晶片上之后長(zhǎng)時(shí)間放置，粘合力的上升也較小，即使對(duì)于薄 膜磨削后的半導(dǎo)體晶片，也可以穩(wěn)定地剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0102] 在本發(fā)明中，半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶在23°C的對(duì)SUS(不銹鋼）280拋光面 的粘合力為〇· 8?4. 3N/25mm，優(yōu)選為L(zhǎng) 2?2. 5N/25mm，在50°C的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280 拋光面的粘合力與在23°C的剝離時(shí)的粘合力相比為50%以下，優(yōu)選為20%以下。該比率的 下限并無(wú)特別限制，但實(shí)際上為5%以上。
[0103] 若對(duì)SUS280拋光面的粘合力過(guò)小，則會(huì)在磨削時(shí)滲入灰塵或磨削水，污染半導(dǎo)體 晶片。對(duì)于劃線刻入至半導(dǎo)體晶片邊緣的半導(dǎo)體晶片而言，該傾向尤其明顯。另一方面，若 粘合力過(guò)大，則容易產(chǎn)生因凝聚破壞而導(dǎo)致的粘合劑殘留或有機(jī)物污染等，且由于剝離力 也變商，因而會(huì)在薄I吳晶片中引起晶片破裂。
[0104] 通常，對(duì)壓敏型表面保護(hù)帶在剝離時(shí)施加50°C左右的熱。加熱時(shí)粘合力降低，由此 可以使剝離變?nèi)菀?。因此，?0°C的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280拋光面的粘合力與普通剝離時(shí) 的粘合力相比若為50%以下，則能夠容易地剝離。
[0105] 參照?qǐng)D2的說(shuō)明圖，對(duì)本發(fā)明中的對(duì)SUS280拋光面的粘合力的測(cè)定方法進(jìn)行說(shuō) 明。
[0106] S卩，從粘合帶上采集3片寬度25mmX長(zhǎng)度300mm的試驗(yàn)片1，對(duì)其施加2kg的橡 膠輥，往返三次而將其壓接在利用JIS R 6253所規(guī)定的280號(hào)水砂紙精加工而成的JIS G 4305所規(guī)定的厚度為1. 5mm?2. 0mm的SUS304鋼板2上，放置1小時(shí)后，使用測(cè)定值處于 其容量的15?85%的范圍內(nèi)的符合JIS B 7721的拉伸試驗(yàn)機(jī)3測(cè)定粘合力。測(cè)定通過(guò) 180度剝離法，測(cè)定條件為：拉伸速度為300mm/分鐘，測(cè)定溫度為23°C，測(cè)定濕度為50%。
[0107] 在本發(fā)明中，粘合劑層的主要成分優(yōu)選為（甲基）丙烯酸系聚合物型共聚物，通過(guò) 設(shè)為（甲基）丙烯酸系聚合物，粘合力的控制變得容易，并且可以控制凝膠率等，因此可減 少因粘合劑殘留或有機(jī)物而導(dǎo)致的污染。此處，在本發(fā)明中，設(shè)為主要成分是指（甲基）丙 烯酸系聚合物型共聚物為90質(zhì)量％以上,優(yōu)選為95質(zhì)量％以上且99. 9質(zhì)量％以下。
[0108] 另外，如（甲基）丙烯酸系聚合物那樣，（甲基）丙烯酸是指包括丙烯酸與甲基丙 烯酸兩者，既可以是丙烯酸與甲基丙烯酸中的單獨(dú)一種，也可以是它們的混合。
[0109] (甲基）丙烯酸系聚合物型共聚物在本發(fā)明中優(yōu)選為乳膠或水分散物。此種狀態(tài) 的聚合物優(yōu)選通過(guò)乳液聚合（乳化聚合）得到。
[0110] 例如，也可以將下述丙烯酸乳液系聚合物作為主要成分：像日本特開(kāi)2003-82307 號(hào)公報(bào)中所記載的那樣，利用以（甲基）丙烯酸烷基酯為主要成分的單體混合物、含有自由 基聚合性官能基且環(huán)氧乙烷平均加成摩爾數(shù)或環(huán)氧丙烷平均加成摩爾數(shù)為15以下的非離 子陰離子系反應(yīng)性乳化劑、和氧化還原系聚合引發(fā)劑，通過(guò)乳液聚合，得到丙烯酸乳液系聚 合物。
[0111] 粘合劑組合物以如上所述的丙烯酸乳液系聚合物為主要成分，優(yōu)選可以舉出使作 為主單體的（甲基）丙烯酸烷基酯與根據(jù)需要的可與這些主單體進(jìn)行共聚的其它單體進(jìn)行 乳液聚合而得到的聚合物。
[0112] 作為（甲基）丙烯酸系聚合物型共聚物，將（甲基）丙烯酸的無(wú)取代基的烷基酯 作為必需的單體成分（也可以將結(jié)構(gòu)不同的2種以上作為單體成分），作為共聚單體，可以 舉出（甲基）丙烯酸的具有取代基的烷基酯、（甲基）丙烯酸或具有烯鍵式不飽和基的其 它酸（例如馬來(lái)酸等）、這些以外的具有烯鍵式不飽和基的單體成分。
[0113] 作為（甲基）丙烯酸的烷基酯系單體的具體例，優(yōu)選醇部分的碳原子數(shù)為1?12， 可以舉出例如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙 烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基） 丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸異癸 酯等。這些既可以單獨(dú)使用，也可以混合使用2種以上。優(yōu)選混合使用2種以上，通過(guò)混合 2種以上，可以發(fā)揮各種粘合劑的功能。更優(yōu)選為混合3種以上，特別優(yōu)選為將（甲基）丙 烯酸甲酯、丙烯酸丁酯和（甲基）丙烯酸2-乙基己酯的至少3種進(jìn)行共聚。通過(guò)將3種單 體進(jìn)行共聚，能夠兼顧對(duì)階梯差的緊貼性及包含防止粘合劑殘留在內(nèi)的不污染性。
[0114] 除了上述主單體以外，作為對(duì)應(yīng)于（甲基）丙烯酸的烷基酯系單體的共聚成分的 單體，以乳液顆粒的穩(wěn)定化、提商粘合劑層對(duì)基材I旲的密合性、以及提商對(duì)被粘合體的初始 接合性等為目的，可以根據(jù)需要使用（甲基）丙烯酸的具有取代基的烷基酯、包含（甲基） 丙烯酸在內(nèi)的具有烯鍵式不飽和基的有機(jī)酸、它們以外的具有烯鍵式不飽和基的單體。
[0115] 作為（甲基）丙烯酸的具有取代基的烷基酯，優(yōu)選在醇部分具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁 烷基、羥基作為取代基，例如可以舉出丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸 2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯。
[0116] 作為包含（甲基）丙烯酸在內(nèi)的具有烯鍵式不飽和基的有機(jī)酸，可以舉出丙烯酸、 甲基丙烯酸、馬來(lái)酸、丁烯酸。
[0117] 作為它們以外的具有烯鍵式不飽和基的單體，可以舉出乙酸乙烯酯、苯乙烯或 (甲基）丙烯酰胺，例如N，N-二乙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-異丙基丙烯酰胺、 N-丙烯酰嗎啉等。這些既可以單獨(dú)使用，也可以混合使用2種以上。
[0118] 在本發(fā)明中，作為共聚成分，優(yōu)選為選自（甲基）丙烯酸的具有取代基的烷基酯和 (甲基）丙烯酸中的單體，進(jìn)一步優(yōu)選同時(shí)具有（甲基）丙烯酸的具有取代基的烷基酯及 (甲基）丙烯酸。
[0119] 另外，為了調(diào)整粘合劑層的凝膠率，可以在聚合丙烯酸乳液系共聚物時(shí)將多官能 單體成分進(jìn)行共聚。作為其它方法，通過(guò)混合水分散性交聯(lián)劑也可以調(diào)整凝膠率。作為水 分散性交聯(lián)劑，主要使用環(huán)氧系的交聯(lián)劑。
[0120] 在本發(fā)明中優(yōu)選在不使用水分散性交聯(lián)劑的條件下聚合丙烯酸乳液系共聚物，可 以不消除因殘留的交聯(lián)劑而導(dǎo)致的污染。因此，在本發(fā)明中優(yōu)選在粘合劑層中實(shí)質(zhì)上不含 有異氰酸酯系交聯(lián)劑和/或環(huán)氧系交聯(lián)劑。
[0121] 作為多官能單體，例如可以舉出二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、 乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸 酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇 二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙 烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、 二乙烯基苯等。
[0122] 在上述單體混合物中添加聚合引發(fā)劑和表面活性劑（乳化劑）等，使用通常的乳 液聚合方法合成丙烯酸乳液系聚合物。乳液聚合可以使用通常的一次性聚合、連續(xù)滴加聚 合、分批滴加聚合等任意方法，對(duì)該方法沒(méi)有特別限定。
[0123] 作為表面活性劑，可以合用月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、十二烷基苯磺酸鈉、聚 氧乙烯烷基醚硫酸鈉、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鈉等陰離子系表面活性劑、聚氧乙烯烷基 醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚丙二醇化合物等非離子系表面活性劑等?？梢允褂眠x自這些表 面活性劑中的1種或2種以上，但是優(yōu)選合用2種以上表面活性劑來(lái)使用。特別優(yōu)選為合 用聚丙二醇化合物和聚氧乙烯烷基苯基醚，由此可以減少對(duì)半導(dǎo)體晶片的有機(jī)物污染。
[0124] 表面活性劑的混配量相對(duì)于100質(zhì)量份全部單體混合物優(yōu)選為0. 5?10質(zhì)量份， 更優(yōu)選為1?7質(zhì)量份。若表面活性劑的混配量過(guò)多，則有時(shí)粘合劑的凝聚力會(huì)降低，對(duì)被 粘合體的污染量增加，并且還因表面活性劑滲出至粘合劑層表面而導(dǎo)致污染。另外，若乳化 劑的混配量過(guò)少，則有時(shí)無(wú)法維持穩(wěn)定的乳化。
[0125] 作為聚合引發(fā)劑，可以舉出2,2'_偶氮二異丁腈、2,2'_偶氮雙（2-脒基丙烷）二 鹽酸鹽、2, 2,-偶氮雙（N，N，-二亞甲基異丁基脒）（2, 2, - 7 '/ 匕' 7 (N，N，- '7' J ^ b 4 y ^ S -7' >))等偶氮系化合物，此外還有過(guò)硫酸鉀、過(guò)硫酸銨等過(guò)硫酸鹽，過(guò)氧化 苯甲酰、叔丁基過(guò)氧化氫等過(guò)氧化物系化合物；雙氧水與抗壞血酸、雙氧水與氯化亞鐵、過(guò) 硫酸鹽與亞硫酸氫鈉等氧化還原系聚合引發(fā)劑；等等。
[0126] 聚合引發(fā)劑優(yōu)選在相對(duì)于每100質(zhì)量份全部單體混合物為0. 01?1. 0質(zhì)量份的 范圍內(nèi)使用。
[0127] 另外，作為（甲基）丙烯酸系聚合物的（甲基）丙烯酸系共聚物的制造方法之一， 包括將（甲基）丙烯酸的無(wú)取代基的烷基酯等單體（1)與下述的具有可與固化劑反應(yīng)的官 能基的單體（2)在溶劑中（優(yōu)選為在水溶性溶劑或水中）進(jìn)行共聚。
[0128] 作為單體（1)，可以舉出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙 酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯等。這 些既可以單獨(dú)使用，也可以混合使用2種以上。
[0129] 作為單體（2)，可以舉出可與固化劑反應(yīng)的官能基為羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、 衣康酸、中康酸、檸康酸、富馬酸、馬來(lái)酸；可與固化劑反應(yīng)的官能基為羥基的丙烯酸2-羥 基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯；可與固化劑反應(yīng)的官能基為氨基的丙烯酰胺、甲基丙烯 酰胺；等等。這些既可以單獨(dú)使用，也可以混合使用2種以上。
[0130] (甲基）丙烯酸系共聚物可以通過(guò)使上述單體（1)與（2)通過(guò)常規(guī)方法利用溶液 聚合或乳液聚合法進(jìn)行共聚而得到。
[0131] 丙烯酸乳液系聚合物的情況下，即使沒(méi)有固化劑也可以使用，但是在溶劑中聚合 的（甲基）丙烯酸系共聚物的情況下，通過(guò)進(jìn)一步混配固化劑來(lái)控制粘合力。通過(guò)調(diào)整固 化劑的混配份數(shù)，可以得到特定的粘合力。
[0132] 固化劑用于與（甲基）丙烯酸系共聚物所具有的官能基發(fā)生反應(yīng)來(lái)調(diào)整粘合力及 凝聚力?？梢耘e出例如1，3-雙（N，N-二縮水甘油基氨基甲基）環(huán)己烷、1，3-雙（N，N-二 縮水甘油基氨基甲基）甲苯、1，3-雙（N，N-二縮水甘油基氨基甲基）苯、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四 縮水甘油基間苯二甲胺等分子中具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧系化合物；2, 4-甲苯二異 氰酸酯、2, 6-甲苯二異氰酸酯、1，3-苯二甲基二異氰酸酯、1，4-二甲苯二異氰酸酯、二 苯基甲烷-4, 4' -二異氰酸酯等分子中具有2個(gè)以上異氰酸酯基的異氰酸酯系化合物； 四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙 烷-三-β -氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β - (2-甲基氮丙啶基）丙酸酯等分子中 具有2個(gè)以上氣丙陡基的氣丙陡系化合物；等等。
[0133] 需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，優(yōu)選不含有異氰酸酯系交聯(lián)劑或環(huán)氧系交聯(lián)劑，因 此，優(yōu)選不含有上述中能夠成為異氰酸酯系交聯(lián)劑或環(huán)氧系交聯(lián)劑的固化劑，進(jìn)一步優(yōu)選 不含上述固化劑。
[0134] 不含有異氰酸酯系交聯(lián)劑和/或環(huán)氧系的交聯(lián)劑的情況下，粘合劑層的表面自由 能Ys不一定是必須的，這樣的實(shí)施方式是本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施方式，即如下實(shí)施方式： 在基材膜上具有粘合劑層，且該粘合劑層為不含有異氰酸酯系交聯(lián)劑和/或環(huán)氧系交聯(lián) 劑的壓敏型粘合劑，該粘合劑層的厚度為10 μ m以上，對(duì)二碘甲烷的接觸角Θ ^為54°? 60°，在23°C對(duì)SUS280拋光面的粘合力為0. 8?4. 3N/25mm，且在50°C的加熱剝離時(shí)的對(duì) SUS280拋光面的粘合力與在23°C的剝離時(shí)的粘合力相比為50%以下。
[0135] 作為本發(fā)明中使用的基材膜的材質(zhì)，可以舉出日本特開(kāi)2004-186429號(hào)公報(bào)中 所記載的材質(zhì)。作為基材膜，可以使用通常使用的材質(zhì)，例如可以舉出：聚乙烯、聚丙烯、 乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、離聚體等 α-烯烴的均聚物或共聚物；聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑 料；或聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等熱塑性彈性體。
[0136] 本發(fā)明中，除了單獨(dú)使用它們以外，也可以為將選自它們的組中的2種以上進(jìn)行 混合或多層化而成的材質(zhì)。
[0137] 本發(fā)明中，在它們之中，基材膜優(yōu)選為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
[0138] 基材膜的厚度優(yōu)選為50?200 μ m。
[0139] 要在基材膜上形成上述粘合劑層，只要通過(guò)任意的方法在基材膜的至少單面上涂 布至少1種粘合劑即可。另外，在基材膜與粘合劑層之間，也可以根據(jù)需要設(shè)置底涂層等中 間層。
[0140] 另外，在供于實(shí)用之前的期間，也可以根據(jù)需要將通常用作隔離膜的合成樹(shù)脂膜 貼附在粘合劑層側(cè)以保護(hù)粘合劑層。
[0141] 對(duì)于能夠應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶的半導(dǎo)體晶片的薄度而言， 對(duì)于內(nèi)存類(lèi)器件的晶片加工等優(yōu)選為100 μ m以下，對(duì)于帶有金凸點(diǎn)的LSD類(lèi)晶片、分立式 器件的晶片加工等優(yōu)選為150 μ m以下。對(duì)晶片的直徑?jīng)]有特別限制，也可以?xún)?yōu)選使用大直 徑，例如優(yōu)選200mm (8英寸）?300mm (12英寸）。
[0142] [實(shí)施例]
[0143] 下面，基于實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
[0144] <實(shí)施例1 >
[0145] 在進(jìn)行過(guò)脫離子的純水中添加加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物和聚 丙二醇化合物作為表面活性劑，添加過(guò)硫酸銨作為聚合引發(fā)劑，一邊加熱一邊攪拌。接著， 在攪拌溶液中滴加17質(zhì)量份的甲基丙烯酸甲酯、40質(zhì)量份的丙烯酸正丁酯、41質(zhì)量份的丙 烯酸2-乙基己酯、2質(zhì)量份的甲基丙烯酸縮水甘油酯，進(jìn)一步繼續(xù)攪拌進(jìn)行聚合，得到了丙 烯酸系乳液粘合劑組合物。
[0146] 在25 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET)隔離膜上涂布粘合劑組合物并進(jìn)行干燥， 將其貼合在厚度120ym的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA)膜上，由此進(jìn)行層積，層積出膜 厚為52 μ m厚的粘合劑層，從而制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0147] <實(shí)施例2 >
[0148] 在實(shí)施例1中，分別將甲基丙烯酸甲酯的使用量變更為30質(zhì)量份、將丙烯酸正丁 酯的使用量變更為39質(zhì)量份、將丙烯酸2-乙基己酯的使用量變更為39質(zhì)量份，并且將粘 合劑層的膜厚變更為48 μ m，除此以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合 帶。
[0149] <實(shí)施例3 >
[0150] 在實(shí)施例1中，分別將甲基丙烯酸甲酯的使用量變更為16質(zhì)量份、將丙烯酸2-乙 基己酯的使用量變更為40質(zhì)量份，進(jìn)一步添加2質(zhì)量份的甲基丙烯酸，除此以外，與實(shí)施例 1同樣地獲得丙烯酸系乳液粘合劑組合物。
[0151] 將EVA膜的厚度變更為165 μ m，將粘合劑層的膜厚變更為41 μ m，除此以外，將該 丙烯酸系乳液粘合劑組合物與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0152] <實(shí)施例4>
[0153] 在實(shí)施例1中將表面活性劑的加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物變更 為加成有烯丙基的聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸酯的銨鹽化合物，分別將甲基丙烯酸甲酯的使 用量變更為15質(zhì)量份、將丙烯酸正丁酯的使用量變更為30質(zhì)量份、將丙烯酸2-乙基己酯 的使用量變更為43質(zhì)量份，除此以外，與實(shí)施例1同樣地得到丙烯酸系乳液粘合劑組合物。
[0154] 通過(guò)貼合在厚度430 μ m的PET與EVA的層積膜上的EVA側(cè)來(lái)進(jìn)行層積，并將粘合 劑層的膜厚變更為12 μ m，除此以外，將該丙烯酸系乳液粘合劑組合物與實(shí)施例1同樣地制 作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0155] <比較例1>
[0156] 使69質(zhì)量份的丙烯酸2-乙基己酯、29質(zhì)量份的丙烯酸2-羥基乙酯、2質(zhì)量份的 甲基丙烯酸在乙酸乙酯中進(jìn)行聚合，獲得丙烯酸系共聚物。在所聚合的丙烯酸系共聚物中 混配2. 5質(zhì)量份的加成系異氰酸酯系交聯(lián)劑Coronate L (商品名，Nippon Polyurethane公 司制造），為了調(diào)整為易于涂布粘度而利用乙酸乙酯進(jìn)行調(diào)整，得到了粘合劑組合物。
[0157] 將EVA膜的厚度變更為165 μ m，將粘合劑層的膜厚變更為42 μ m，除此以外，將該 粘合劑組合物與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0158] <比較例2>
[0159] 在比較例1中，將加成系異氰酸酯系交聯(lián)劑的使用量變更為0. 5質(zhì)量份，將粘合劑 層的膜厚變更為36 μ m，除此以外，與比較例1同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0160] <比較例3>
[0161] 在作為丙烯酸系共聚物的ATR-340(Saiden Chemical公司制造）中混配1. 0質(zhì)量 份的加成系異氰酸酯系交聯(lián)劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司制造），為 了調(diào)整為易于涂布的粘度而利用乙酸乙酯進(jìn)行調(diào)整，得到了粘合劑組合物。
[0162] 將EVA膜的厚度變更為100 μ m，將粘合層的膜厚變更為27 μ m，除此以外，將該粘 合劑組合物與比較例1同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0163] <比較例4>
[0164] 將丙烯酸系共聚物變更為MS_300(Saiden Chemical公司制造），將加成系異氰酸 酯系交聯(lián)劑的使用量變更為2. 0質(zhì)量份，將粘合劑層的膜厚變更為33 μ m，除此以外，與比 較例3同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0165] <比較例5>
[0166] 在比較例1中，將丙烯酸2-乙基己酯的使用量變更為20質(zhì)量份，將29質(zhì)量份的 丙烯酸2-羥基乙酯與2質(zhì)量份的甲基丙烯酸變更為80質(zhì)量份的丙烯酸正丁酯，除此以外， 與比較例1同樣地得到粘合劑組合物。
[0167] 使用該粘合劑組合物，并且將粘合劑層的膜厚變更為26 μ m，除此以外，與比較例 3同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0168] <比較例6>
[0169] 對(duì)使69質(zhì)量份的丙烯酸2-乙基己酯、29質(zhì)量份的丙烯酸2-羥基乙酯、2質(zhì)量份 的甲基丙烯酸在乙酸乙酯溶液中聚合而成的丙烯酸系共聚物進(jìn)行雙鍵的加成，得到了紫外 線固化型的丙烯酸系共聚物。在所聚合的丙烯酸系共聚物中混配1. 5質(zhì)量份的加成系異氰 酸酯系交聯(lián)劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司制造）、作為光聚合引發(fā)劑 的5質(zhì)量份的Irgacurel84(商品名，Ciba Japan公司制造），為了調(diào)整為易于涂布的粘度 而利用乙酸乙酯進(jìn)行調(diào)整，得到了粘合劑組合物。
[0170] 使用該粘合劑組合物，并且將粘合劑層的膜厚變更為14μ m，除此以外，與比較例 3同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0171] <比較例7>
[0172] 在比較例6中，分別將69質(zhì)量份的丙烯酸2-乙基己酯變更為81質(zhì)量份的丙烯酸 乙酯，將丙烯酸2-羥基乙酯的使用量變更為18質(zhì)量份，將加成系異氰酸酯系交聯(lián)劑的使用 量變更為〇. 5質(zhì)量份，且將光聚合引發(fā)劑的使用量變更為3質(zhì)量份，除此以外，與比較例6 同樣地得到粘合劑組合物。
[0173] 將粘合劑組合物變更為上述粘合劑組合物，且將粘合劑層的膜厚變更為86 μ m，除 此以外，與比較例6同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0174] <比較例8>
[0175] 對(duì)于丙烯酸系共聚物（60質(zhì)量份的丙烯酸2-乙基己酯、38質(zhì)量份的丙烯酸2-羥 基乙酯和2質(zhì)量份的甲基丙烯酸的共聚物）100質(zhì)量份，混配4質(zhì)量份的加成系異氰酸酯 系交聯(lián)劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司制造）、150質(zhì)量份的作為低聚 物的具有光聚合性碳-碳雙鍵的季戊四醇的四丙烯酸酯、5質(zhì)量份的作為光聚合引發(fā)劑的 Irgacurel84(商品名，Ciba Japan公司制造），為了調(diào)整為易于涂布的粘度而利用乙酸乙 酯進(jìn)行調(diào)整，得到了粘合劑組合物。
[0176] 將粘合劑組合物變更為上述粘合劑組合物，并且將粘合劑層的膜厚變更為4 μ m， 除此以外，與比較例6同樣地制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶。
[0177] 對(duì)上述實(shí)施例和比較例中所制作的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶進(jìn)行如下試驗(yàn)， 評(píng)價(jià)其性能。評(píng)價(jià)結(jié)果記載在下述表1和表2中。
[0178] 1.磨削性試驗(yàn)
[0179] 使用日東精機(jī)株式會(huì)社制造的DR8500II (商品名）作為貼合機(jī)，在8英寸且厚度 為725μπι的半導(dǎo)體晶片上形成約7μπι厚的聚酰亞胺膜，進(jìn)一步形成寬度為200μπι、深度 為5μπι的劃線，在由此所得到的半導(dǎo)體晶片上貼合實(shí)施例和比較例中所制作的半導(dǎo)體晶 片表面保護(hù)用粘合帶。之后，使用具有線內(nèi)機(jī)構(gòu)的拋光機(jī)（DISCO公司制造的DFG8760(商 品名））分別對(duì)25片半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光直至厚度成為80 μ m厚。另外，為了提高半導(dǎo)體 晶片的強(qiáng)度，通過(guò)干式拋光進(jìn)行最終精加工，按照如下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0180] (薄膜磨削性評(píng)價(jià)）
[0181] A :可以幾乎無(wú)邊緣裂紋（晶片端的破裂）地磨削全部25片半導(dǎo)體晶片
[0182] B :雖然看到略微邊緣裂紋，但是可以在半導(dǎo)體晶片上無(wú)破裂地進(jìn)行磨削或者25 片半導(dǎo)體晶片中破裂1片?2片
[0183] C:半導(dǎo)體晶片破裂3片以上
[0184] (灰塵滲入評(píng)價(jià)）
[0185] A :在劃線中未滲入灰塵或磨削水
[0186] C :在劃線中滲入有灰塵或磨削水
[0187] 2.剝離性評(píng)價(jià)
[0188] 利用具有線內(nèi)機(jī)構(gòu)的貼片機(jī)RAD2700 (商品名，LINTEC公司制造）對(duì)磨削實(shí)驗(yàn)中磨 削至80 μ m厚的晶片進(jìn)行剝離實(shí)驗(yàn)。剝離時(shí)，對(duì)于應(yīng)用了壓敏型粘合劑的表面保護(hù)帶，進(jìn)行 在50°C的加熱剝離，對(duì)于使用了紫外線固化型粘合劑的表面保護(hù)帶，在進(jìn)行照射量：500mJ 的紫外線照射后，進(jìn)行剝離。
[0189] A :可以直接全部剝離
[0190] C :剝離失誤（因熱密封劑接合不良或膠帶切斷而導(dǎo)致的剝離失誤）或未能剝離
[0191] 3.粘合劑殘留評(píng)價(jià)
[0192] 利用光學(xué)顯微鏡觀察在剝離實(shí)驗(yàn)中進(jìn)行剝離后的半導(dǎo)體晶片表面，以目測(cè)評(píng)價(jià)有 無(wú)粘合劑殘留。
[0193] A :無(wú)粘合劑殘留
[0194] C:有粘合劑殘留
[0195] 4.粘合劑層表面的二碘甲烷、純水的接觸角（Θ Θ /)
[0196] 通過(guò)圖3的示意圖所示的方法，測(cè)定粘合劑層表面的二碘甲烷和純水的接觸角 (Θ /、Θ /)。
[0197] 首先，對(duì)在基材膜11上形成有粘合劑層12的實(shí)施例和比較例的粘合劑層表面貼 合隔離膜（圖3 (a))。接著，由于需要以平坦的面進(jìn)行測(cè)定，因而使用雙面膠帶14將基材膜 11的未設(shè)置粘合劑層12的面固定在表面平坦的半導(dǎo)體晶片15上（圖3(b))。接著，從隔 離膜13側(cè)按照500mJ/cm 2對(duì)使用了紫外線固化型粘合劑的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶進(jìn) 行UV照射（圖3 (c))。之后，放置1小時(shí)后將隔離膜13剝離，滴加二碘甲烷16,使用協(xié)和 化學(xué)株式會(huì)社制造的面接觸角計(jì)CA-S150型測(cè)定接觸角Θ 圖3(d))。另外，純水的情況 下也一樣，將二碘甲烷替換為純水，以相同的方式測(cè)定接觸角Θ
[0198] 其中，對(duì)二碘甲烷的接觸角（Θ D示于下述表1和2中。
[0199] 另外，根據(jù)這些所測(cè)定的接觸角的值，依照上述的<式2 >計(jì)算表面自由能Y s，并 示于下述表1和2中。
[0200] 5. SUS#28〇 的粘合力
[0201] 從實(shí)施例和比較例的粘合帶上裁取3片寬度25mm X長(zhǎng)度300mm的試驗(yàn)片，對(duì)于該 試樣，與圖2所示方法同樣地，施加2kg的橡膠輥，往返3次而將其壓接在利用JIS R 6253 所規(guī)定的280號(hào)水砂紙進(jìn)行精加工而成的JIS G 4305所規(guī)定的厚度為1. 5mm?2. 0mm的 SUS鋼板上，放置1小時(shí)后，使用測(cè)定值處于其容量的15?85%的范圍內(nèi)的符合JIS B 7721的拉伸試驗(yàn)機(jī)測(cè)定粘合力。測(cè)定通過(guò)180度剝離法進(jìn)行。測(cè)定條件為：拉伸速度為 300mm/分鐘，測(cè)定溫度為23°C，測(cè)定濕度為50%。
[0202] 6.加熱剝離的SUS#280的粘合力
[0203] 按照與上述方法相同的步驟測(cè)定在加熱至測(cè)定溫度50°C的同時(shí)進(jìn)行剝離時(shí)的粘 合力。需要說(shuō)明的是，由于比較例6?8實(shí)施利用紫外線照射的固化（粘合力降低），因而 不實(shí)施加熱剝離。
[0204] 將所得到的結(jié)果匯總列于表1和2中。
[0205] 【表1】
[0206]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，在基材膜上具有壓敏型粘合劑的 粘合劑層，該粘合劑層的厚度為lOym以上，該粘合劑層表面的表面自由能、為30? 35mN/m，對(duì)二碘甲烷的接觸角Θ/為54°?60°，在23°C對(duì)SUS280拋光面的粘合力為 0. 8?4. 3N/25mm，且在50°C的加熱剝離時(shí)的對(duì)SUS280拋光面的粘合力與在23°C的剝離時(shí) 的粘合力相比為50%以下。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，所述粘合劑層的 主要成分為（甲基）丙烯酸系聚合物型共聚物。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，所述（甲基）丙烯 酸系聚合物型共聚物為包含（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸 2-乙基己酯的至少三種單體成分的共聚物。
4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，所述 粘合劑層中不含異氰酸酯系交聯(lián)劑和/或環(huán)氧系交聯(lián)劑。
5. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，所述 粘合劑層為乳液系粘合劑，含有2種以上表面活性劑。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘合帶，其特征在于，所述表面活性劑 至少是聚丙二醇化合物和聚氧乙烯烷基苯基醚這兩種。
【文檔編號(hào)】C09J133/00GK104093802SQ201380006924
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2013年2月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月17日
【發(fā)明者】橫井啟時(shí), 內(nèi)山具朗 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社