表面改性的熒光納米復(fù)合材料及使用其的白色led的制作方法
【專利摘要】本說明書涉及一種表面改性的熒光納米復(fù)合材料和包括其的發(fā)光二極管模塊，更具體地涉及具有通過將包括苯基或烴基的官能團(tuán)經(jīng)由共價(jià)鍵結(jié)合到熒光納米復(fù)合材料的表面而增強(qiáng)的顯色指數(shù)和發(fā)光效率的表面改性的熒光納米復(fù)合材料。當(dāng)表面改性的熒光納米復(fù)合材料包括在白色發(fā)光二極管模塊的樹脂層中時(shí)，可以提供具有優(yōu)異顯色指數(shù)和發(fā)光效率以及穩(wěn)定的發(fā)光特性的白色發(fā)光二極管。
【專利說明】表面改性的熒光納米復(fù)合材料及使用其的白色LED

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開內(nèi)容涉及一種用于制造白色LED并且增強(qiáng)顯色指數(shù)和發(fā)光效率的表面改 性的熒光納米復(fù)合材料以及包括該表面改性的熒光納米復(fù)合材料的白色LED器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 因?yàn)殚_發(fā)了使用InGaN的發(fā)光二極管（LED)，所以對使用該發(fā)光二極管的發(fā)光器 件的研究已經(jīng)積極地進(jìn)行。還通過將紅色、綠色和藍(lán)色（RGB)光源混合在一起來制造白色 LED，而通過在藍(lán)色LED芯片上組合黃色磷光體（Y 3Al5O12 :Ce3+)制造的白色LED在發(fā)光效率 方面是優(yōu)異的并且非常經(jīng)濟(jì)。后者已經(jīng)商業(yè)化并且廣泛使用，但是因?yàn)榘咨獿ED缺少紅光 而難以獲得80或更高的顯色指數(shù)。因而，已經(jīng)嘗試通過將新開發(fā)的紅色磷光體與現(xiàn)有的黃 色磷光體混合而得到接近自然光的白色光，但存在如下問題：紅色磷光體化學(xué)上不穩(wěn)定，或 者盡管增加所施加的電流，但是光發(fā)射仍不增加。
[0003] 因?yàn)樽罱呀?jīng)開發(fā)了具有優(yōu)異特性的量子點(diǎn)合成方法，所以已經(jīng)進(jìn)行了對通過將 紅色量子點(diǎn)與黃色磷光體一起封裝在藍(lán)色LED芯片上的研究（Adv. Mater. 2008, 20, 2696)。 這些量子點(diǎn)在疏水性溶液中合成，并且由此合成的量子點(diǎn)由于鍵合到表面的有機(jī)配體而具 有長脂肪族碳鏈（C ltl至C18)并且對于廣泛用于LED封裝的具有苯基的有機(jī)硅聚合物具有差 的親合性。得到的白色LED示出了改進(jìn)的顯色指數(shù)（90. 1)，但是由于折射率的變化和團(tuán)聚 導(dǎo)致發(fā)光效率的降低（141m/W)。
[0004] 有機(jī)硅聚合物大致分為具有苯基和烷基作為官能團(tuán)的有機(jī)硅聚合物，具有苯基的 有機(jī)硅聚合物由于優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)而是優(yōu)選的。然而，即使當(dāng)用前述有機(jī)配體保護(hù) 的紅色量子點(diǎn)和黃色磷光體與具有烷基的有機(jī)硅聚合物混合以進(jìn)行在藍(lán)色LED芯片上的 封裝時(shí)，紅色量子點(diǎn)由于IOnm或更小的納米尺寸效應(yīng)而團(tuán)聚，因此導(dǎo)致發(fā)光效率的降低。
[0005] 僅供參考，當(dāng)在LED芯片上封裝紅色磷光體和前述黃色磷光體時(shí)，顯色指數(shù)和發(fā) 光效率具有折衷關(guān)系，因而需要使折衷為適當(dāng)?shù)貪M足兩個(gè)數(shù)值的水平，因?yàn)閿?shù)值的特征在 于如果一個(gè)數(shù)值改進(jìn)了，則另一數(shù)值劣化，期望地是當(dāng)白色LED具有80或更高的顯色指數(shù) 以及401m/W或更高的發(fā)光效率時(shí)可以制造經(jīng)濟(jì)上可行的白色LED。
[0006] 同時(shí)，也存在如下情況：制備隨機(jī)且不規(guī)則地嵌入二氧化硅基體的熒光復(fù)合材料 以增加在顯示領(lǐng)域中量子點(diǎn)的物理和化學(xué)穩(wěn)定性，并且使用該復(fù)合材料用于制造顯示器件 (日本專利申請公開特許公報(bào)第P2001-323262A號，11月22日，2001年）。
[0007] 除了前述熒光復(fù)合材料之外，本發(fā)明人在二氧化硅珠上在徑向上相同的距離處設(shè) 置量子點(diǎn)層，并且在量子點(diǎn)層上形成薄的二氧化硅殼以發(fā)明也稱為SQS的熒光納米復(fù)合材 料（韓國專利第10-1083006號，11月7日，2011年）。在SQS中，量子點(diǎn)受到很好的保護(hù)以 在二氧化硅珠的接近二氧化硅珠表面的內(nèi)部均勻分布，由于這些結(jié)構(gòu)特征，所以物理和化 學(xué)穩(wěn)定性也優(yōu)異并且熒光強(qiáng)度增強(qiáng)為量子點(diǎn)本身的熒光強(qiáng)度的2倍至6倍。此外，量子點(diǎn) 比前述用有機(jī)配體保護(hù)的量子點(diǎn)大10倍，因而由于不太頻繁發(fā)生團(tuán)聚所以容易處理。由于 嘗試通過將前述SQS與有機(jī)硅聚合物混合來進(jìn)行LED封裝，所以SQS對于有機(jī)硅聚合物的 親合性增強(qiáng)得大于量子點(diǎn)對于有機(jī)硅聚合物的親合性，但是仍然不足夠，因而未能獲得足 以滿足顯色指數(shù)和發(fā)光效率二者的數(shù)值。
[0008] 為了在LED芯片上進(jìn)行磷光體封裝，使用該磷光體同時(shí)用有機(jī)硅聚合物固化，并 且在有機(jī)硅聚合物之中，具有苯基作為側(cè)支鏈的有機(jī)硅聚合物由于其最好的物理和化學(xué)特 性所以是特別優(yōu)選的。然而，日本專利的隨機(jī)且不規(guī)則地嵌入二氧化硅基體的熒光復(fù)合材 料或本發(fā)明人開發(fā)的諸如韓國專利的SQS的熒光納米復(fù)合材料相比于疏水性量子點(diǎn)具有 對于有機(jī)硅聚合物的增強(qiáng)的親合性，但是仍不足夠。因此，從LED芯片發(fā)射的光被折射且散 射，從而降低了發(fā)光效率。
[0009] 因此，迫切需要一種當(dāng)封裝在LED芯片上時(shí)由于對于有機(jī)硅聚合物的良好親合性 而提供優(yōu)異顯色指數(shù)和發(fā)光效率同時(shí)確保熒光材料本身的物理和化學(xué)穩(wěn)定性的熒光納米 復(fù)合材料。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 因此，詳細(xì)說明的一個(gè)方面是提供一種在LED芯片上由于對于有機(jī)娃聚合物的良 好親合性而呈現(xiàn)出優(yōu)異顯色指數(shù)和發(fā)光效率同時(shí)確保熒光材料本身的物理和化學(xué)穩(wěn)定性 的表面改性的熒光納米復(fù)合材料。
[0011] 在下面的說明書中，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的表面改性的熒光納米復(fù)合材 料包括：包括發(fā)光層的熒光納米復(fù)合材料；以及通過共價(jià)鍵鍵合到熒光納米復(fù)合材料的表 面的官能團(tuán)，該發(fā)光層包括分布在二氧化硅珠內(nèi)部的發(fā)光納米顆粒。官能團(tuán)為選自以下中 的一種：包括苯基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至 18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)以及其組合。
[0012] 發(fā)光層可以包括徑向分布在存在于二氧化硅珠內(nèi)部的同心球上的發(fā)光納米顆粒。 熒光納米復(fù)合材料可以包括：比發(fā)光層更向內(nèi)設(shè)置的中心二氧化硅珠；以及包圍中心二氧 化娃珠和發(fā)光層的二氧化娃殼層。
[0013] 發(fā)光層可以為靜電單層，在發(fā)光層層中，使在其間具有間隔的發(fā)光納米顆粒布置 在與中心二氧化娃珠的最外部分對應(yīng)的同心球上。
[0014] 二氧化硅殼層的厚度可以大于發(fā)光納米顆粒的直徑，并且二氧化硅殼層的最外表 面可以為熒光納米復(fù)合材料的表面。
[0015] 二氧化硅殼層可以包括內(nèi)層和外層，內(nèi)層的厚度可以與發(fā)光納米顆粒的直徑相等 并且內(nèi)層可以填充發(fā)光納米顆粒之間的間隔，以及外層可以設(shè)置在內(nèi)層的最外表面與熒光 納米復(fù)合材料的表面之間。
[0016] 發(fā)光層還可以包括金納米顆粒。金納米顆?？梢耘c發(fā)光納米顆粒一起布置在同心 球上。
[0017] 例如發(fā)光納米顆粒和金納米顆粒的納米顆粒的尺寸可以為Inm至20nm。
[0018] 中心二氧化硅珠的直徑可以大于納米顆粒的直徑，中心二氧化硅珠的直徑可以為 1，OOOnm或更小。
[0019] 在表面改性的熒光納米復(fù)合材料中，通過對二氧化硅殼層的外層的厚度和從熒光 納米復(fù)合材料的表面到官能團(tuán)的端部的長度求和獲得的數(shù)值可以為Inm至50nm。
[0020] 包括苯基的官能團(tuán)可以為選自以下中的一種：苯基、苯基乙基、N-丙基苯胺及其 組合。
[0021] 包括直鏈烴基或支鏈烴基的官能團(tuán)可以為選自以下中的一種：甲基、乙基、異丁 基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基、7-辛烯-1-基及其組合。
[0022] 發(fā)光納米顆?？梢詾榫哂斜舜讼嗤虿煌陌l(fā)射波長的量子點(diǎn)。
[0023] 發(fā)光納米顆?？梢园ň哂斜舜瞬煌陌l(fā)射波長的第一量子點(diǎn)和第二量子點(diǎn)。此 夕卜，與第一量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與第二量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長之間的差可以 為 5nm 至 20nm。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的另一不例性實(shí)施方案的發(fā)光二極管模塊包括：發(fā)光二極管芯片；和 形成在發(fā)光二極管芯片上的樹脂層，該樹脂層包括表面改性的熒光納米復(fù)合材料和磷光 體。
[0025] 表面改性的熒光納米復(fù)合材料包括：包括發(fā)光層的熒光納米復(fù)合材料，發(fā)光層包 括分布在二氧化硅珠內(nèi)部的發(fā)光納米顆粒；以及通過共價(jià)鍵鍵合到熒光納米復(fù)合材料的表 面的官能團(tuán)，該官能團(tuán)可以為選自以下中的一種：包括苯基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳 原子的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)以及其組合。
[0026] 發(fā)光二極管芯片可以為發(fā)藍(lán)光二極管芯片，其中所述發(fā)光二極管模塊可以發(fā)射白 光。
[0027] 包括在樹脂層中的樹脂可以為具有苯基的有機(jī)硅聚合物，并且在這種情況下，表 面改性的熒光納米復(fù)合材料可以利用包括苯基的官能團(tuán)進(jìn)行表面改性。
[0028] 包括在樹脂層中的樹脂可以為具有苯基的有機(jī)硅聚合物，并且在這種情況下，表 面改性的熒光納米復(fù)合材料可以利用選自以下中的一種官能團(tuán)進(jìn)行表面改性：包括具有1 至18個(gè)碳原子的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)以及 其組合。
[0029] 樹脂層可以包括按重量計(jì)0. 5%至3%的量的表面改性的熒光納米復(fù)合材料。
[0030] 表面改性的突光納米復(fù)合材料可以包括具有彼此不同的發(fā)射波長的第一表面改 性的熒光納米復(fù)合材料和第二表面改性的熒光納米復(fù)合材料。
[0031] 與第一表面改性的熒光納米復(fù)合材料的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與第二表面改性的 熒光納米復(fù)合材料的發(fā)光峰對應(yīng)的波長之間的差可以為5nm至20nm。
[0032] 樹脂層可以包括黃色磷光體和表面改性的熒光納米復(fù)合材料，以及表面改性的熒 光納米復(fù)合材料可以為紅色熒光納米復(fù)合材料。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的又一不例性實(shí)施方案的一種表面改性的突光納米復(fù)合材料液體分 散體包括：以上所描述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料；以及包括氯仿的溶劑。
[0034] 包括序數(shù)的術(shù)語例如在本發(fā)明中的第一或第二可以用于描述各種構(gòu)成元件。然 而，構(gòu)成元件不限于這些術(shù)語，并且這些術(shù)語僅用于將一個(gè)構(gòu)成元件與另一構(gòu)成元件進(jìn)行 區(qū)分。
[0035] 在下文中，將對本發(fā)明的示例性實(shí)施方案進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的表面改性的熒光納米復(fù)合材料使用包括包圍發(fā) 光納米顆粒例如量子點(diǎn)的二氧化硅（二氧化硅殼層）的熒光復(fù)合材料，并且該表面改性的 熒光納米復(fù)合材料包括通過共價(jià)鍵鍵合到熒光納米復(fù)合材料的表面的官能團(tuán)?？梢允褂门c 所包括的作為聚合物（樹脂）的側(cè)支鏈的官能團(tuán)相同的基團(tuán)作為該官能團(tuán)，由此二氧化硅 表面的性質(zhì)可以與聚合物表面的性質(zhì)類似，因此增強(qiáng)了二氧化硅表面與聚合物表面之間的 親合性。
[0037] 表面改性的突光納米復(fù)合材料包括：包含發(fā)光層的突光納米復(fù)合材料，該發(fā)光層 包括分布在二氧化硅珠內(nèi)部的發(fā)光納米顆粒；以及通過共價(jià)鍵鍵合到熒光納米復(fù)合材料的 表面的官能團(tuán)。
[0038] 官能團(tuán)為選自以下中的一種：包括苯基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的直 鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)及其組合。
[0039] 在其中利用官能團(tuán)表面改性熒光納米復(fù)合材料的反應(yīng)中使用的材料可以為具有 分子式為Si (OR)3Fc (R =甲基或乙基，F(xiàn)c =包括苯基作為官能團(tuán)的或者由1至18個(gè)碳原子 構(gòu)成的直鏈烴或支鏈烴）的材料，其中官能團(tuán)表示為Fc。
[0040] 熒光納米復(fù)合材料可以包括：比發(fā)光層更向內(nèi)設(shè)置的中心二氧化硅珠；以及包圍 中心二氧化硅珠和包括在發(fā)光層中的發(fā)光納米顆粒的二氧化硅殼層。
[0041] 發(fā)光層可以為靜電單層，其中發(fā)光納米顆粒以一定間隔布置在與中心二氧化硅珠 的最外部分對應(yīng)的同心球上。在這種情況下，因?yàn)閮蓚€(gè)或更多個(gè)發(fā)光納米顆粒未在從二氧 化硅珠的中心朝向二氧化硅珠的最外部分的虛擬直線上布置同時(shí)重疊，所以不會發(fā)生發(fā)光 納米顆粒的淬滅，因而可以使發(fā)光強(qiáng)度最大。
[0042] 二氧化硅殼層形成為使其厚度大于包括在發(fā)光層中的發(fā)光納米顆粒的直徑，二氧 化娃殼層的最外表面可以形成突光納米復(fù)合材料的表面。
[0043] 二氧化硅殼層可以用于將發(fā)光納米顆粒固定到二氧化硅珠的內(nèi)部并且增加熒光 納米復(fù)合材料的發(fā)光強(qiáng)度。
[0044] 具體地，二氧化硅殼層可以包括內(nèi)層和外層，內(nèi)層是指填充形成發(fā)光納米顆粒之 間的間隔的空間的并且在與發(fā)光納米顆粒的直徑對應(yīng)的高度處形成的二氧化硅層，以及外 層是指設(shè)置在內(nèi)層的最外表面與熒光納米復(fù)合材料的表面之間的二氧化硅層。
[0045] 發(fā)光層還可以包括金納米顆粒。
[0046] 金納米顆?？梢砸砸欢ㄩg隔布置在與中心二氧化硅珠的最外部分對應(yīng)的同心球 上同時(shí)與發(fā)光納米顆?；旌?。
[0047] 當(dāng)發(fā)光層還包括金納米顆粒時(shí)，存在通過等離子體效應(yīng)進(jìn)一步增加熒光的優(yōu)點(diǎn)。
[0048] 表面改性的熒光納米復(fù)合材料的直徑可以為50nm至10 ii m。當(dāng)表面改性的熒光納 米復(fù)合材料的直徑超過10 U m時(shí)，在LED芯片上進(jìn)行封裝期間光散射效應(yīng)可以是顯著的，而 當(dāng)直徑小于50nm時(shí)，顆粒嚴(yán)重團(tuán)聚，使得難以獲得足夠的發(fā)光效率。
[0049] 包括發(fā)光納米顆粒和金納米顆粒的納米顆粒的尺寸可以為Inm至20nm，中心二 氧化硅珠的直徑可以大于納米顆粒的直徑，并且中心二氧化硅珠的直徑可以等于或小于 1，OOOnm，并且在表面改性的熒光納米復(fù)合材料中，通過對二氧化硅殼層的外層的厚度和從 熒光納米復(fù)合材料的表面到官能團(tuán)的端部的長度求和獲得的數(shù)值可以為Inm至50nm。當(dāng)表 面改性的熒光納米復(fù)合材料形成為具有該尺寸時(shí)，復(fù)合材料可以較少團(tuán)聚并且充分分散， 并且顆粒的尺寸也充分小使得可以提供具有優(yōu)異發(fā)光強(qiáng)度的表面改性的熒光納米復(fù)合材 料。
[0050] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的表面改性的熒光納米復(fù)合材料的示 意性截面圖。根據(jù)圖1，通過采用由作為芯1〇(二氧化硅珠）的以任意形式包圍磷光體的二 氧化硅構(gòu)成的熒光納米復(fù)合材料并且包括通過共價(jià)鍵鍵合到芯并且包圍芯的官能團(tuán)30來 形成表面改性的熒光納米復(fù)合材料，該官能團(tuán)包括苯基，或者可以為具有1至18個(gè)碳原子 的直鏈烴或支鏈烴。
[0051] 前述包括苯基的官能團(tuán)可以包括選自苯基、苯基乙基和N-丙基苯胺中的至少一 種。前述直鏈烴基或支鏈烴基可以是甲基、乙基、異丁基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基、 7-辛烯-1-基或其混合物。
[0052] 芯10 (二氧化硅珠）可以包括：在接近芯10的表面的內(nèi)部同心球上徑向布置的納 米顆粒20 ;以及通過共價(jià)鍵鍵合到二氧化硅珠10并且包圍二氧化硅珠的官能團(tuán)30。納米 顆?？梢允前l(fā)光納米顆?；蛘甙l(fā)光納米顆粒和金納米顆粒的混合物。
[0053] 表面改性的熒光納米復(fù)合材料可以包括在樹脂層中以吸收從發(fā)藍(lán)光源（LED芯 片）發(fā)射的光并且當(dāng)制成白色發(fā)光二極管模塊時(shí)穩(wěn)定地發(fā)光，由此形成具有優(yōu)異顯色指數(shù) 和發(fā)光效率的白色發(fā)光二極管。表面改性的熒光納米復(fù)合材料不僅可以包括在前述白色發(fā) 光二極管模塊中，而且可以施用于其中需要增強(qiáng)顯色指數(shù)或發(fā)光強(qiáng)度的應(yīng)用中，并且不限 于用于制造以上所描述的白色發(fā)光二極管模塊的應(yīng)用。
[0054] 在包括在表面改性的熒光納米復(fù)合材料中的官能團(tuán)之中，包括苯基的官能團(tuán)可以 為選自苯基、苯基乙基、N-丙基苯胺及其組合中的一種。此外，包括直鏈烴基或支鏈烴基的 官能團(tuán)可以為選自甲基、乙基、異丁基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基、7-辛烯-1-基及其 組合中的一種。
[0055] 發(fā)光納米顆?？梢詾榫哂斜舜讼嗤虿煌陌l(fā)射波長的量子點(diǎn)。
[0056] 當(dāng)發(fā)光納米顆粒包括具有彼此不同的發(fā)射波長的第一量子點(diǎn)和第二量子點(diǎn)時(shí)，與 第一量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與第二量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長之間的差值可以為 5nm至20nm。在這種情況下，可以提供具有更好顯色指數(shù)和發(fā)光效率的白光LED模塊。 [0057] 表面改性的熒光納米復(fù)合材料可以以分散在溶劑中的液體分散體的形式存儲，并 且溶劑包括氯仿。
[0058] 當(dāng)使用在二氧化硅的合成反應(yīng)之中有代表性的StOber工藝時(shí)，優(yōu)選在乙醇溶劑 中進(jìn)行反應(yīng)，并且表面改性的熒光納米復(fù)合材料通常存儲同時(shí)分散在酒精溶劑中。然而，當(dāng) 表面改性的熒光納米復(fù)合材料存儲在酒精溶劑中時(shí)，分散性反而劣化，表面改性的熒光納 米顆?？梢员舜藞F(tuán)聚以制造具有不規(guī)則形狀和尺寸的復(fù)合材料，并且在這種情況下，表面 改性的熒光納米復(fù)合材料的熒光強(qiáng)度可能變得非常低。因此，存儲同時(shí)分散表面改性的熒 光納米復(fù)合材料的液體分散體可以為包括氯仿作為溶劑的液體分散體，并且可以應(yīng)用由氯 仿構(gòu)成的溶劑或者氯仿和酒精的混合物作為該溶劑。
[0059] 根據(jù)本發(fā)明的另一不例性實(shí)施方案的發(fā)光二極管模塊包括：發(fā)光二極管芯片；和 形成在發(fā)光二極管芯片上的樹脂層，該樹脂層包括表面改性的熒光納米復(fù)合材料和磷光 體。
[0060] 因?yàn)殛P(guān)于表面改性的熒光納米復(fù)合材料的說明與以上所描述的說明重復(fù)，所以將 省略其描述。
[0061] 聚合物（樹脂）可以為具有苯基的有機(jī)硅聚合物，鍵合到有機(jī)硅聚合物的官能團(tuán) 可以是苯基或燒基。
[0062] 可以用作聚合物（樹脂）的有機(jī)硅樹脂可以根據(jù)鍵合到有機(jī)硅聚合物的官能團(tuán)大 致分為兩種，一種為具有苯基的聚合物，另一種為具有烷基的聚合物。
[0063] 因此，當(dāng)聚合物為具有苯基的有機(jī)硅聚合物時(shí)，應(yīng)用表面改性的熒光納米復(fù)合材 料同時(shí)包括利用包括苯基的官能團(tuán)表面改性的納米復(fù)合材料，當(dāng)聚合物為具有烷基的有機(jī) 硅聚合物時(shí)，作為表面改性的熒光納米復(fù)合材料，可以應(yīng)用利用選自以下中的一種官能團(tuán) 進(jìn)行表面改性的納米復(fù)合材料：包括具有1至18個(gè)碳原子的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有 1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)及其組合，由此增強(qiáng)了有機(jī)硅聚合物對于熒光納米復(fù) 合材料的親合性。
[0064] 發(fā)光二極管芯片為發(fā)藍(lán)光二極管芯片，表面改性的熒光納米復(fù)合材料發(fā)射紅光， 并且樹脂層還可以包括黃色磷光體以使得發(fā)光二極管模塊能夠發(fā)射穩(wěn)定的白光。對于由此 形成的白色發(fā)光二極管，表面改性的紅色熒光納米復(fù)合材料和黃色磷光體可以根據(jù)官能團(tuán) 與合適的有機(jī)硅聚合物混合以在藍(lán)色LED芯片上進(jìn)行封裝，因此提供具有優(yōu)異顯色指數(shù)和 發(fā)光效率的白色LED。
[0065] 樹脂層可以包括按重量計(jì)0. 5%至3%以及0. 7%至0. 75%的量的表面改性的熒 光納米復(fù)合材料，在這種情況下，可以進(jìn)一步增強(qiáng)發(fā)光效率。
[0066] 對于表面改性的熒光納米復(fù)合材料，可以使用稍微不同的熒光波長區(qū)域的兩種或 更多種表面改性的熒光納米復(fù)合材料，由此提供具有更好顯色指數(shù)和發(fā)光效率的發(fā)光二極 管模塊。具體地，表面改性的熒光納米復(fù)合材料包括均由具有彼此不同的發(fā)射波長的第一 量子點(diǎn)和第二量子點(diǎn)制備的第一表面改性的熒光納米復(fù)合材料和第二表面改性的熒光納 米復(fù)合材料，與第一量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與第二量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長之間 的差值可以為5nm至20nm，在這種情況下，可以獲得具有進(jìn)一步增強(qiáng)顯色指數(shù)和發(fā)光效率 特性的發(fā)光二極管。
[0067] 對于根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的熒光納米復(fù)合材料，通過賦予與在納米復(fù)合 材料的表面上的有機(jī)硅復(fù)合材料的官能團(tuán)對應(yīng)的官能團(tuán)來提供具有對于有機(jī)硅聚合物的 優(yōu)異親合性的表面改性的熒光納米復(fù)合材料，通過使用其中一個(gè)或更多個(gè)發(fā)射波長為彼此 相鄰的表面改性的熒光納米復(fù)合材料用于LED封裝來提供具有高顯色指數(shù)和高發(fā)光效率 的白色LED。此外，表面改性的熒光納米復(fù)合材料可以與具有相同官能團(tuán)的聚合物良好混 合，從而還可以用于復(fù)合膜的制備等。
[0068] 根據(jù)下文中給出的詳細(xì)說明本申請進(jìn)一步的適用范圍將變得明顯。然而，應(yīng)該理 解雖然指出了本公開內(nèi)容的優(yōu)選實(shí)施方案但是詳細(xì)描述和具體實(shí)施例僅通過說明的方式 給出，因?yàn)楦鶕?jù)詳細(xì)描述本公開內(nèi)容的精神和范圍內(nèi)的各種改變和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人 員將是明顯的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0069] 包括附圖以提供本公開內(nèi)容的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本說明中并且構(gòu)成本 說明書的一部分，附圖示出了示例性實(shí)施方案并且與說明書一起用于說明本公開內(nèi)容的原 理。
[0070] 在附圖中：
[0071] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的表面改性的熒光納米復(fù)合材料的示 意性橫截面圖。
[0072] 圖2(a)是在實(shí)施例1中合成的并且在611nm處發(fā)光的表面改性的熒光納米復(fù)合 材料的吸收光譜，以及圖2(b)是在實(shí)施例1中合成的并且在611nm處發(fā)光的表面改性的熒 光納米復(fù)合材料的熒光光譜。
[0073] 圖3是在實(shí)施例1中合成的并且在61 Inm處發(fā)光的表面改性的熒光納米復(fù)合材料 的透射電子顯微圖像。
[0074] 圖4(a)是在實(shí)施例1中合成的并且在620nm處發(fā)光的表面改性的熒光納米復(fù)合 材料的吸收光譜，以及圖4(b)是在實(shí)施例1中合成的并且在620nm處發(fā)光的表面改性的熒 光納米復(fù)合材料的熒光光譜。
[0075] 圖5(a)是在實(shí)施例2中合成的并且在611nm處發(fā)光的表面改性的熒光納米復(fù)合 材料的吸收光譜，以及圖5(b)是在實(shí)施例2中合成的并且在611nm處發(fā)光的表面改性的熒 光納米復(fù)合材料的熒光光譜。
[0076] 圖6 (a)是示出了在實(shí)施例5中制造的白色LED發(fā)射白光的照片，以及圖6(b)是 在實(shí)施例5中制造的白色LED的發(fā)射光譜。
[0077] 圖7是在實(shí)施例5中制造的白色LED的色坐標(biāo)。
[0078] 圖8是當(dāng)向在實(shí)施例5中制造的白色LED施加的電流變化時(shí)所發(fā)射的發(fā)射光譜。

【具體實(shí)施方式】
[0079] 現(xiàn)在參照附圖將詳細(xì)給出示例性實(shí)施方案的描述。為了參照附圖進(jìn)行簡要描述的 目的，相同或等同部件將提供有相同的附圖標(biāo)記，并且不再重復(fù)其描述。
[0080] 下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域的 技術(shù)人員能夠容易實(shí)施本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以各種不同形式實(shí)施，并且本發(fā)明不限于 本文中描述的示例性實(shí)施方案。
[0081] 在下面的描述中，SQS是指由二氧化硅芯、量子點(diǎn)和二氧化硅殼構(gòu)成的熒光納米復(fù) 合材料，QD是指量子點(diǎn)。此外，使用表示量子點(diǎn)的QD之后的數(shù)字或在SQS中的Q之后的數(shù) 字用于區(qū)分量子點(diǎn)的類型的目的。
[0082] 關(guān)于作為在下面的實(shí)施例中使用的起始材料的IOOnm范圍的熒光納米復(fù)合材料 SQS，使用通過現(xiàn)有發(fā)明的方法（韓國專利第10-1083006號，11月7日，2011年）制備的 SQS。SQS被存儲同時(shí)分散到乙醇中（QD濃度=7. 5X I(T7M),必要時(shí)取其小部分的同時(shí)進(jìn) 行使用。用于制備SQS的QD從NAN0SQUARE股份有限公司購得，使用具有61 Inm(QDl)和 620nm(QD2)作為所購得QD的發(fā)射波長的兩種QD。
[0083] 實(shí)施例1 :制各具有何括苯某的官能閉的表面改件的熒光納米復(fù)合材料（SQS-Ph)
[0084] (1)將14mL(QDl的濃度=7. 5X I(T7M)的熒光納米復(fù)合材料SQlS分散在120mL 的乙醇和66mL氯仿的混合溶劑中。將0. 2mL蒸餾水和0. 134mL NH4OH放入溶液中，然后攪 拌10分鐘。從通過將〇. 〇5mL苯基乙基三甲氧基硅烷溶解在乙醇中生產(chǎn)的5mL溶液中取出 2mL部分，然后將其添加到前述混合物中，進(jìn)行表面改性反應(yīng)同時(shí)攪拌得到的溶液16小時(shí)。 在反應(yīng)完成之后，對表面改性的熒光納米復(fù)合材料SQlS-Ph進(jìn)行離心，用乙醇洗滌一次，用 氯仿洗滌一次，然后存儲同時(shí)分散在20mL氯仿中（QD1的濃度=5X I(T7M)。在圖2(a)和 圖2(b)中分別示出了在611nm處發(fā)光的QD1、SQlS和SQlS-Ph的吸收光譜和發(fā)射光譜，在 圖3中示出了 QD1、SQlS和SQlS-Ph中的每一個(gè)的透射電子顯微圖像。
[0085] 因?yàn)殡y以完全控制由于納米材料的特性而引起的團(tuán)聚，所以納米顆粒在表面改性 之后比在表面改性之前稍微多的團(tuán)聚。然而，證實(shí)了在氯仿中的分散性得到改進(jìn)，因此，吸 收強(qiáng)度顯著降低，發(fā)光強(qiáng)度幾乎不變。
[0086] (2)以與實(shí)施例I (1)相同的方式進(jìn)行合成，但是使用在620nm處發(fā)光的QD2代替 QDl用于合成SQ2S-Ph，在圖4(a)和圖4(b)中分別示出了吸收光譜和發(fā)射光譜。參照圖4 的結(jié)果，示出了與使用在611nm處發(fā)光的QDl的圖2中的情況類似的特征。
[0087] 實(shí)施例2 :制備具有十八掠某或異丁某白勺表面改件白勺W光納米復(fù)合材料
[0088] 將28mL(QDl的濃度=7. 5X I(T7M)的熒光納米復(fù)合材料SQlS分散在240mL的乙 醇和132mL氯仿的混合溶劑中。將0. 4mL蒸餾水和0. 268mLNH40H放入溶液中，然后攪拌10 分鐘。從通過將0. 06mL十八烷基三甲氧基硅烷（ODTMS)[或0. 05mL的異丁基三甲氧基硅烷 (IBTMS)]溶解在乙醇中生產(chǎn)的5mL溶液中取出4mL部分，然后將其添加到前述混合物中，進(jìn) 行表面改性反應(yīng)同時(shí)攪拌得到的溶液18小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，對表面改性的熒光納米復(fù) 合材料SQlS-OD (或SQ1S-IB)進(jìn)行離心，用乙醇洗滌一次，用氯仿洗滌一次，然后存儲同時(shí) 分散在40mL氯仿中（QD1的濃度=5X I(T7M)。
[0089] 在圖5(a)和圖5(b)中示出購買的量子點(diǎn)（QDl)和合成的SQS和SQS-OD的吸收 光譜和發(fā)射光譜。因?yàn)殡y以完全控制由于納米材料的特性而引起的團(tuán)聚，所以推斷納米顆 粒在表面改性之后比在表面改性之前稍微多的團(tuán)聚，并且證實(shí)了在氯仿中的分散性得到改 進(jìn)，因此，吸收強(qiáng)度顯著降低，發(fā)光強(qiáng)度相對稍微降低。甚至在SQlS-IB的情況下，示出了類 似特征。
[0090] 比較例1 :#用量子點(diǎn)和YAG磷光體制誥白色LED
[0091] (1)使用QDl和YAG磷光體制造LED
[0092] 將3mL購買的QDl溶液進(jìn)行離心，將濾液丟棄，對得到的固體進(jìn)行真空干 燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買的有機(jī)硅樹脂0E-6630A和0E-6630B以 I. 1866g : 4. 7525g(l : 4)的重量比進(jìn)行混合，并且施加真空1小時(shí)以去除氣體。將前述 有機(jī)硅樹脂化合物和YAG磷光體以0. 2337g : 0. 0234g(10 : 1)的重量比進(jìn)行混合。此外， 前述有機(jī)硅樹脂化合物、YAG磷光體和QDl以0. 4002g : 0. 0403g : 0. 04mg的重量比進(jìn)行 混合。
[0093] 將前述混合的材料均滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C下 1小時(shí)進(jìn)行固化以制造白色LED。從以上制造的白色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效 率，并且在表1中示出。對于QD，通過改變重量比進(jìn)行試驗(yàn)，但是因?yàn)樵谠摫壤轮圃斓腖ED 示出了最好的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1中。
[0094] (2)使用QD2和YAG磷光體制造LED
[0095] 即使在QD2的情況下，也以與比較例I (1)相同的方式進(jìn)行該試驗(yàn)，但是該混合物 以相同的比例0. 4003g : 0. 0403g : 0. 04mg進(jìn)行混合。將前述混合材料滴落到藍(lán)色LED芯 片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C下1小時(shí)進(jìn)行固化以制造白色LED。從以上制造的白 色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效率，并且在表1中示出。對于QD，通過改變重量比 進(jìn)行試驗(yàn)，但是因?yàn)樵谠摫壤轮圃斓腖ED示出了最好的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1 中。
[0096] (3)使用YAG磷光體制造白色LED
[0097] 用于比較，僅將YAG磷光體與有機(jī)硅樹脂混合物進(jìn)行混合以制造白色LED，結(jié)果在 表1中示出。證實(shí)在YAG磷光體和QD -起使用的情況而不是僅使用YAG磷光體的情況下， 顯色指數(shù)得到改進(jìn)，但是發(fā)光效率顯著降低到401m/W或更小。
[0098] 實(shí)施例3 :#用在表面改件之后的熒光納米復(fù)合材料制各白色LED
[0099] (1)使用 SQlS-Ph 制造白色 LED
[0100] 將在實(shí)施例I (1)中制備的IOmL SQlS-Ph溶液進(jìn)行離心，將濾液丟棄，對得到的固 體進(jìn)行真空干燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買的有機(jī)硅樹脂0E-6630A和0E-6630B 以I : 4(1. 1313g : 4. 5307g)的重量比進(jìn)行混合，并且施加真空1小時(shí)以去除氣體。將前 述有機(jī)硅樹脂混合物、YAG磷光體和 SQlS-Ph 以 0. 3218g : 0. 0322g : 0. 0023g(100 : 10 : 0. 7)的重量比進(jìn)行混合。將混合材料滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C 下1小時(shí)進(jìn)行固化。
[0101] (2)使用 SQ2S-Ph 制造白色 LED
[0102] 以與以上所描述的相同的方式進(jìn)行試驗(yàn)，但是除了應(yīng)用實(shí)施例1(2)中制備的 SQ2S-Ph代替SQlS-Ph之外，以與實(shí)施例3(1)相同的方式進(jìn)行試驗(yàn)。
[0103] 從通過使用分別在實(shí)施例3(1)和3(2)中制備的并且分別在611nm處和620nm處 發(fā)光的SQlS-Ph和SQ2S-Ph制造的白色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效率，并且在表 1中示出。對于SQS-Ph，通過改變重量比進(jìn)行試驗(yàn)，但是因?yàn)樵?. 7%至0. 75%的比例下制 造的LED示出了最好的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1中。
[0104] 比較例2 :#用在表面改件之前的熒光納米復(fù)合材料制誥白色LED
[0105] (1)使用SQlS制造白色LED
[0106] 將5mLSQlS儲備溶液均進(jìn)行離心，將濾液丟棄，對得到的固體進(jìn)行真空干 燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買的有機(jī)硅樹脂0E-6630A和0E-6630B以 I : 4(1. 1313g : 4. 5307g)的重量比進(jìn)行混合，并且施加真空1小時(shí)以去除氣體。將前述 有機(jī)硅樹脂化合物、YAG 磷光體和 SQlS 以 0. 3224g : 0. 0324g : 0. 0024g(100 : 10 : 0. 7) 的重量比進(jìn)行混合。將混合材料滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C 下1小時(shí)進(jìn)行固化。
[0107] (2)使用SQ2S制造白色LED
[0108] 將5mL SQ2S儲備溶液均進(jìn)行離心，將濾液丟棄，對得到的固體進(jìn)行真空干 燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買的有機(jī)硅樹脂0E-6630A和0E-6630B以 I : 4(1. 1313g : 4. 5307g)的重量比進(jìn)行混合，并且施加真空1小時(shí)以去除氣體。將前述 有機(jī)硅樹脂混合物、YAG 磷光體和 SQ2S 以 0. 3224g : 0. 0324g : 0. 0024g(100 : 10 : 0. 7) 的重量比進(jìn)行混合。將混合材料滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C 下1小時(shí)進(jìn)行固化。
[0109] 從通過使用分別在比較例2(1)和2(2)中制備的并且分別在611nm處和620nm處 發(fā)光的SQS制造的白色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效率，并且在表1中示出。對于 SQS，通過改變重量比進(jìn)行試驗(yàn)，但是因?yàn)樵?. 7%至0. 75%的比例下制造的LED示出了最 好的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1中。
[0110] 證實(shí)在附加地使用SQS或SQS-Ph的情況下而不是在僅使用YAG磷光體的情況下， 顯色指數(shù)優(yōu)異并且發(fā)光效率也落在可以利用的范圍之內(nèi)。此外，證實(shí)當(dāng)使用SQS-Ph時(shí)，對 于有機(jī)硅樹脂的親合性得到改善，顯色指數(shù)與在使用SQS的情況下類似，但是發(fā)光效率比 使用SQS的情況下的發(fā)光效率更好。
[0111] 實(shí)施例4 :#用在表面改件之后的兩種熒光納米復(fù)合材料制誥白色LED
[0112] 將在實(shí)施例1中制備的3mL SQlS-Ph溶液和3mL SQ2S-Ph溶液均進(jìn)行離心，將濾 液丟棄，對得到的固體進(jìn)行真空干燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買的有機(jī)硅樹脂 0E-6630A和0E-6630B以I : 4(1.5361g : 6. 1452g)的重量比進(jìn)行混合，并且施加真空1小 時(shí)以去除氣體。將前述有機(jī)硅樹脂混合物、YAG磷光體、SQ1S-Ph(611nm)和SQ2S-Ph(620nm) 以 100 : 10 : 0.25 : 0.50(0.5017g : 0.0506g : 0.0013g : 0.0025g)的重量比進(jìn)行混 合。將混合材料滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C下1小時(shí)進(jìn)行固 化。
[0113] 從所制造的白色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效率，并且在表1中示出。對 于SQS-Ph，通過改變重量比進(jìn)行試驗(yàn)，但是因?yàn)樵?. 75%的比例下制造的LED示出了最好 的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1中。
[0114] 在圖6(a)和圖6(b)中示出了從通過使用具有相鄰發(fā)光波長的兩種SQS-Ph制造 的LED封裝件發(fā)射的白光的圖像和發(fā)射光譜，并且在圖7中示出了色坐標(biāo)。
[0115] 此外，作為進(jìn)行光學(xué)穩(wěn)定性試驗(yàn)同時(shí)改變向?qū)嵤├?中的LED封裝件施加的電流 的結(jié)果，示出了待被發(fā)射的光的強(qiáng)度也穩(wěn)定地隨著所施加的電流的逐漸增加而穩(wěn)定增加， 如圖8所示。
[0116] 比較例3 :#用在表面改件之前的兩種熒光納米復(fù)合材料制誥白色LED
[0117] 將3mL SQlS儲備溶液和3mL SQ2S儲備溶液（在611nm和620nm下發(fā)光）均進(jìn) 行離心，將濾液丟棄，對得到的固體進(jìn)行真空干燥。將從DOW CORNING股份有限公司購買 的有機(jī)硅樹脂0E-6630A和0E-6630B以I : 4(1.5361g : 6. 1452g)的重量比進(jìn)行混合， 并且施加真空1小時(shí)以去除氣體。將前述有機(jī)硅樹脂化合物、YAG磷光體、SQlS (61 Inm)和 SQ2S(620nm)以 100 : 10 : 0.25 : 0.50(0.5036g : 0.0507g : 0.0014g : 0.0025g 的 重量比進(jìn)行混合。將混合材料滴落到藍(lán)色LED芯片上，并且在60°C下1小時(shí)和在150°C下 1小時(shí)進(jìn)行固化。從所制造的白色LED測量顯色指數(shù)、顏色溫度和發(fā)光效率，并且在表1中 示出。對于SQS,通過改變重量比進(jìn)行試驗(yàn),但是因?yàn)樵?. 75%的比例下制造的LED示出了 最好的性能，所以僅該結(jié)果被匯總在表1中。
[0118] [表 1]
[0119]

【權(quán)利要求】
1. 一種表面改性的突光納米復(fù)合材料，包括： 包括發(fā)光層的突光納米復(fù)合材料，所述發(fā)光層包括分布在二氧化娃珠內(nèi)部的發(fā)光納米 顆粒；以及 通過共價(jià)鍵鍵合到所述熒光納米復(fù)合材料的表面的官能團(tuán)， 其中所述官能團(tuán)為選自以下中的一種：包括苯基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子 的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)以及其組合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述發(fā)光層包括徑向分布在存在于所述二氧化娃珠內(nèi)部的同心球上的所述發(fā)光 納米顆粒， 其中所述熒光納米復(fù)合材料包括：比所述發(fā)光層更向內(nèi)設(shè)置的中心二氧化硅珠；以及 包圍所述中心二氧化硅珠和所述發(fā)光層的二氧化硅殼層， 其中所述發(fā)光層為靜電單層，在所述發(fā)光層中，使在其間具有間隔的所述發(fā)光納米顆 粒布置在與所述中心二氧化硅珠的最外部分對應(yīng)的同心球上，以及 其中所述二氧化硅殼層的厚度大于所述發(fā)光納米顆粒的直徑，并且所述二氧化硅殼層 的最外表面為所述熒光納米復(fù)合材料的表面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述二氧化硅殼層包括內(nèi)層和外層， 其中所述內(nèi)層的厚度與所述發(fā)光納米顆粒的直徑相等并且所述內(nèi)層填充所述發(fā)光納 米顆粒之間的間隔，以及 其中所述外層設(shè)置在所述內(nèi)層的最外表面與所述熒光納米復(fù)合材料的表面之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述發(fā)光層還包括金納米顆粒，以及 其中所述金納米顆粒與所述發(fā)光納米顆粒一起布置在所述同心球上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中包括所述發(fā)光納米顆粒和所述金納米顆粒的納米顆粒的尺寸為lnm至20nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述中心二氧化硅珠的直徑大于所述納米顆粒的直徑，并且所述中心二氧化硅珠 的直徑等于或小于1，OOOnm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中，在所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料中，通過對所述二氧化硅殼層的所述外層 的厚度和從所述熒光納米復(fù)合材料的表面到所述官能團(tuán)的端部的長度求和獲得的數(shù)值為 lnm 至 50nm〇
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中包括苯基的所述官能團(tuán)為選自以下中的一種：苯基、苯基乙基、N-丙基苯胺及其 組合。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中包括直鏈烴基或支鏈烴基的所述官能團(tuán)為選自以下中的一種：甲基、乙基、異丁 基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基、7-辛烯-1-基及其組合。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述發(fā)光納米顆粒為具有彼此相同或不同的發(fā)射波長的量子點(diǎn)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料， 其中所述發(fā)光納米顆粒包括具有彼此不同的發(fā)射波長的第一量子點(diǎn)和第二量子點(diǎn)，以 及 其中與所述第一量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與所述第二量子點(diǎn)的發(fā)光峰對應(yīng)的波 長之間的差為5nm至20nm。
12. -種發(fā)光二極管模塊，包括： 發(fā)光二極管芯片；和 形成在所述發(fā)光二極管芯片上的樹脂層，所述樹脂層包括表面改性的熒光納米復(fù)合材 料和磷光體， 其中所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料包括：包括發(fā)光層的熒光納米復(fù)合材料，以及 通過共價(jià)鍵鍵合到所述熒光納米復(fù)合材料的表面的官能團(tuán)，所述發(fā)光層包括分布在二氧化 硅珠內(nèi)部的發(fā)光納米顆粒，以及 其中所述官能團(tuán)為選自以下中的一種：包括苯基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子 的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的官能團(tuán)以及其組合。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管模塊， 其中所述發(fā)光二極管芯片為發(fā)藍(lán)光二極管芯片，其中所述發(fā)光二極管模塊發(fā)射白光。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管模塊， 其中包括在所述樹脂層中的樹脂為具有苯基的有機(jī)硅聚合物，以及 其中所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料利用包括苯基的官能團(tuán)進(jìn)行表面改性。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管模塊， 其中包括在所述樹脂層中的樹脂為具有苯基的有機(jī)硅聚合物，以及 其中所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料利用選自以下中的一種官能團(tuán)進(jìn)行表面改性： 包括具有1至18個(gè)碳原子的直鏈烴基的官能團(tuán)、包括具有1至18個(gè)碳原子的支鏈烴基的 官能團(tuán)以及其組合。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管模塊， 其中所述樹脂層包括按重量計(jì)〇. 5%至3%的量的所述表面改性的熒光納米復(fù)合材 料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管模塊， 其中所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料包括具有彼此不同的發(fā)射波長的第一表面改 性的熒光納米復(fù)合材料和第二表面改性的熒光納米復(fù)合材料，以及 其中與所述第一表面改性的熒光納米復(fù)合材料的發(fā)光峰對應(yīng)的波長和與所述第二表 面改性的熒光納米復(fù)合材料的發(fā)光峰對應(yīng)的波長之間的差為5nm至20nm。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管模塊， 其中所述樹脂層包括黃色磷光體和所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料，以及 其中所述表面改性的熒光納米復(fù)合材料為紅色熒光納米復(fù)合材料。
19. 一種表面改性的熒光納米復(fù)合材料液體分散體，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面改性的熒光納米復(fù)合材料；以及包括氯仿的溶劑。
【文檔編號】C09K11/59GK104293339SQ201410336009
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月15日
【發(fā)明者】禹庚子, 張皓盛, 劉慧仁 申請人:韓國科學(xué)技術(shù)研究院