主要由聚有機(jī)硅氧烷化合物組成的粘合劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及主要由聚有機(jī)硅氧烷化合物組成的粘合劑。本發(fā)明涉及包含梯形聚倍半硅氧烷的粘合劑，該階梯狀聚倍半硅氧燒的分子中包括下式⑴所示的重復(fù)單元。,H—X0AR2R2~4~^——~/~Si一O-V——i^-Si~d\-{}jm其中A代表單鍵或AR2ACH—X°CH—X。f/r'連接基團(tuán)，R1代表氫原子，X°代表鹵素原子、0G所示的基團(tuán)（其中G代表羥基的保護(hù)基）或氰基，R2代表取代或未取代的苯基，或可具有取代基（取代基不包括鹵素原子、0G所示的基團(tuán)和氰基）的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，且l、m和n獨(dú)立地為0或任意整數(shù)，只要1和n不同時(shí)為0即可。包含上述梯形聚倍半硅氧烷的粘合劑可牢固得粘合金屬或合成樹脂。
【專利說明】主要由聚有機(jī)硅氧烷化合物組成的粘合劑
[0001] 本申請是申請?zhí)枮?00980105638.9(國際申請日為2009年02月12日）、發(fā)明名 稱為"主要由聚有機(jī)硅氧烷化合物組成的粘合劑"的進(jìn)入國家階段的PCT申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及包含特定的聚有機(jī)硅氧烷化合物作為主要成分且牢固地粘合金屬、合 成樹脂等的粘合劑。

【背景技術(shù)】
[0003] 在其絕緣襯底的表面形成導(dǎo)體電路的印刷電路板已被廣泛地應(yīng)用于電子元件和 半導(dǎo)體裝置中。近些年來，隨著對電子儀器的體積減小但性能提高的需求，一直期待具有導(dǎo) 體電路的密度增加但體積減小的印刷電路板。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)該需求，已經(jīng)提出了半加成法（semi-additive method)，作為生產(chǎn)高密 度印刷電路板的方法。半加成法包括將由合成樹脂制成的絕緣襯底的表面進(jìn)行非電解鍍 銅，且蝕刻除去由非電解電鍍形成的銅箔層以形成電路圖案。通過半加成法有可能精確地 形成微型電路圖案。
[0005] 但是，半加成法具有以下缺點(diǎn)。具體而言，通過非電解電鍍在絕緣襯底和電路圖案 之間形成的銅箔層，基本上對絕緣襯底不具有粘合力。因此，盡管當(dāng)絕緣襯底的表面具有相 對較大粗糙度時(shí)，由于銅箔層的粘固效應(yīng)可以維持電路圖案和絕緣襯底之間的粘合力，但 是當(dāng)絕緣襯底具有平面表面時(shí)，電路圖案和絕緣襯底之間的粘合力是不足的。在這種情況 下，導(dǎo)體電路對襯底顯示出不足的粘合力。
[0006] 已經(jīng)提出了粗糙化絕緣襯底的表面以增強(qiáng)導(dǎo)體電路的粘合力的方法（專利文獻(xiàn)1 等）。具體而言，該方法在絕緣襯底的表面上形成了微小的隆起和凹陷。
[0007] 但是，當(dāng)使用該方法形成更為微型的電路圖案時(shí)，高密度、超精細(xì)的電路線路受到 絕緣襯底的表面上形成的微小隆起和凹陷的影響。這可導(dǎo)致難于形成高密度導(dǎo)體電路。
[0008] 近些年來，由于一直期待在印刷電路板上形成的具有體積減小和密度增加的電 路，則即使當(dāng)使用具有平面表面的絕緣襯底時(shí)，也非常期待不會降低粘合力的電路形成技 術(shù)。
[0009] 已知具有梯形結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷化合物可作為形成薄膜的聚合物，其顯示出良 好的硬度、耐熱性、耐氣候性等（專利文獻(xiàn)2-5等）。專利文獻(xiàn)6公開了包含含有羥基的聚 有機(jī)硅氧烷化合物、含有醇羥基的丙烯酸共聚物樹脂和聚異氰酸酯化合物的樹脂組合物顯 示出對金屬（特別是鋁）的良好的粘合力。
[0010] 但是，專利文獻(xiàn)2-6并沒有公開具有梯形結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷化合物可以作為粘 合劑，來牢固地粘合金屬或合成樹脂。
[0011]專利文獻(xiàn) I: JP-A-2003-49079
[0012] 專利文獻(xiàn) 2: JP-A-58-59222
[0013]專利文獻(xiàn) 3:JP-A-7_70321
[0014] 專利文獻(xiàn) 4:JP-A-8-92374
[0015] 專利文獻(xiàn) 5:JP-A-6-306173
[0016] 專利文獻(xiàn) 6:JP-A-10-87834


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 本發(fā)明要解決的問題
[0018] 本發(fā)明的目的在于提供包含特定的聚有機(jī)硅氧烷化合物作為主要成分且牢固地 粘合金屬、合成樹脂等的粘合劑。
[0019] 解決問題的方式
[0020] 本發(fā)明人進(jìn)行了大量的研究，以實(shí)現(xiàn)上述目的。本發(fā)明人通過縮聚烷氧基硅烷化 合物合成了聚有機(jī)硅氧烷化合物，該烷氧基硅烷化合物在其分子末端具有特定的官能團(tuán)， 例如3_乙醜氧基丙基二甲氧基娃燒、3_氣丙基二甲氧基娃燒或2_氛基乙基二甲氧基娃燒。 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該聚有機(jī)硅氧烷化合物的硫化產(chǎn)品可以牢固地粘合金屬、合成樹脂等。該發(fā) 現(xiàn)促成了本發(fā)明的完成。
[0021] 本發(fā)明提供了下述粘合劑（（1)-(7))。
[0022] (1)包含具有梯形結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷化合物的粘合劑，所述聚倍半硅氧烷化合 物的分子中包括下式（I)所示的重復(fù)單元，
[0023] [化學(xué)式1]

【權(quán)利要求】
1. 一種由具有梯形結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷化合物構(gòu)成的粘合劑，所述聚倍半硅氧烷化合 物的分子中包括下式（I)所示的重復(fù)單元，
其中A代表單鍵或連接基團(tuán)，R1代表氫原子或具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X°代表鹵素 原子、OG所示的基團(tuán)或氰基，其中G代表羥基的保護(hù)基， R2代表具有選自燒基、燒氧基和齒素原子的取代基或未取代的苯基或者可具有取代基 的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，其中所述具有1-20個(gè)碳原子的烷基的取代基不包括鹵素原 子、上述OG所示的基團(tuán)和氰基， 1、 m和η各自獨(dú)立地為0或任意自然數(shù)，只要1和η不同時(shí)為0即可，A和A、X°和X°、 R1和R1、R 2和R2可相同或互為不同，當(dāng)1、m和η各自為2或更大時(shí)，以下的式⑴、式（ii) 和式（iii)所示的重復(fù)單元可相同或互為不同，
2. -種由具有梯形結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷化合物和選自抗氧化劑、UV吸收劑、光穩(wěn)定 齊U、稀釋劑和硅烷偶聯(lián)劑的組分構(gòu)成的粘合劑，所述聚倍半硅氧烷化合物的分子中包括下 式（I)所示的重復(fù)單元，
其中A代表單鍵或連接基團(tuán)，R1代表氫原子或具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X°代表鹵素 原子、OG所示的基團(tuán)或氰基，其中G代表羥基的保護(hù)基， R2代表具有選自燒基、燒氧基和齒素原子的取代基或未取代的苯基或者可具有取代基 的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，其中所述具有1-20個(gè)碳原子的烷基的取代基不包括鹵素原 子、上述OG所示的基團(tuán)和氰基， 1、m和η各自獨(dú)立地為0或任意自然數(shù)，只要1和η不同時(shí)為0即可，A和A、X°和X°、 R1和R1、R2和R2可相同或互為不同，當(dāng)1、m和η各自為2或更大時(shí)，以下的式⑴、式（ii) 和式（iii)所示的重復(fù)單元可相同或互為不同，
其中，所述聚倍半硅氧烷化合物的含量基于粘合劑總量為70重量％或更多。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粘合劑，其中所述聚倍半硅氧烷化合物是在催化劑的存 在下通過將Xtl-QKR1) -A-Si (OR3)p (X1)3_p所示的硅烷化合物（1)與R2Si (OR4) q(X2)3_q所示的 硅烷化合物（2)以硅烷化合物（I):硅烷化合物（2) = 10:90-100:0的摩爾比率反應(yīng)制得 的，其中X°、R1和A的定義如權(quán)利要求1，R3代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X1代表鹵素原 子，且P為0-3的整數(shù)，R 2的定義如權(quán)利要求1，R4代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X2代表鹵 素原子，且q為0-3的整數(shù)。
4. 一種由聚有機(jī)硅氧烷化合物構(gòu)成的粘合劑，所述聚有機(jī)硅氧烷化合物是在催化劑的 存在下通過將X°-CH (R1) -A-Si (OR3) p (X1) 3_p所示的硅烷化合物（1)與R2Si (OR4) q (X2) 3_q所示 的硅烷化合物（2)以硅烷化合物（I):硅烷化合物（2) = 5:95-100:0的摩爾比率反應(yīng)制得 的，其中A代表單鍵或連接基團(tuán)，R1代表氫原子或具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X°代表鹵素原 子、OG所示的基團(tuán)或氰基，其中G代表羥基的保護(hù)基，R 3代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X1 代表鹵素原子，且P為0-3的整數(shù)，R2代表具有選自烷基、烷氧基和鹵素原子的取代基或未 取代的苯基或者可具有取代基的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，其中所述具有1-20個(gè)碳原子 的烷基的取代基不包括鹵素原子、上述OG所示的基團(tuán)和氰基，R 4代表具有1-6個(gè)碳原子的 烷基，X2代表鹵素原子，且q為0-3的整數(shù)。
5. -種由聚有機(jī)娃氧燒化合物和選自抗氧化劑、UV吸收劑、光穩(wěn)定劑、稀釋劑和娃 烷偶聯(lián)劑的組分構(gòu)成的粘合劑，所述聚有機(jī)硅氧烷化合物是在催化劑的存在下通過將 X°-CH (R1) -A-Si (OR3) p (X1) 3_p所示的硅烷化合物⑴與R2Si (OR4) q (X2) 3_q所示的硅烷化合物 (2)以硅烷化合物（1):硅烷化合物（2) = 5:95-100:0的摩爾比率反應(yīng)制得的，其中X°、R1 和A的定義如權(quán)利要求4, R3代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X1代表鹵素原子，且p為0-3 的整數(shù)，R 2的定義如權(quán)利要求4, R4代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X2代表鹵素原子，且q 為0-3的整數(shù)，其中所述聚有機(jī)硅氧烷化合物的含量基于粘合劑總量為70重量％或更多。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5所述的粘合劑，其中A代表具有1-10個(gè)碳原子的亞烷基。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5所述的粘合劑，其中X°代表氯原子、乙酰氧基或氰基。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5所述的粘合劑，其中所述粘合劑被用于粘合選自玻璃、陶 瓷、金屬和合成樹脂中的至少一種材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的粘合劑，其中所述金屬為選自銅、鋁、金、鉬以及它們的合金 的至少一種金屬。
10. 由具有梯形結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷化合物構(gòu)成的粘合劑用作將作為粘合對象的材料 之間粘合的粘合劑的方法，所述聚倍半硅氧烷化合物的分子中包括下式（I)所示的重復(fù)單 元，
其中A代表單鍵或連接基團(tuán)，R1代表氫原子或具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X°代表鹵素 原子、OG所示的基團(tuán)或氰基，其中G代表羥基的保護(hù)基， R2代表具有選自燒基、燒氧基和齒素原子的取代基或未取代的苯基或者可具有取代基 的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，其中所述具有1-20個(gè)碳原子的烷基的取代基不包括鹵素原 子、上述OG所示的基團(tuán)和氰基， I、 m和η各自獨(dú)立地為0或任意自然數(shù)，只要1和η不同時(shí)為0即可，A和A、X°和X°、 R1和R1、R 2和R2可相同或互為不同，當(dāng)1、m和η各自為2或更大時(shí)，以下的式⑴、式（ii) 和式（iii)所示的重復(fù)單元可相同或互為不同，
II. 由具有梯形結(jié)構(gòu)的聚倍半硅氧烷化合物和選自抗氧化劑、UV吸收劑、光穩(wěn)定劑、稀 釋劑和硅烷偶聯(lián)劑的組分構(gòu)成的粘合劑用作將作為粘合對象的材料之間粘合的粘合劑的 方法，所述聚倍半硅氧烷化合物的分子中包括下式（I)所示的重復(fù)單元，
其中A代表單鍵或連接基團(tuán)，R1代表氫原子或具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X°代表鹵素 原子、OG所示的基團(tuán)或氰基，其中G代表羥基的保護(hù)基， R2代表具有選自燒基、燒氧基和齒素原子的取代基或未取代的苯基或者可具有取代基 的具有1-20個(gè)碳原子的烷基，其中所述具有1-20個(gè)碳原子的烷基的取代基不包括鹵素原 子、上述OG所示的基團(tuán)和氰基， 1、m和η各自獨(dú)立地為0或任意自然數(shù)，只要1和η不同時(shí)為0即可，A和A、X°和X°、 R1和R1、R2和R2可相同或互為不同，當(dāng)1、m和η各自為2或更大時(shí)，以下的式⑴、式（ii) 和式（iii)所示的重復(fù)單元可相同或互為不同，
其中，所述聚倍半硅氧烷化合物的含量基于粘合劑總量為70重量％或更多。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其中所述聚倍半硅氧烷化合物是在催化劑的存 在下通過將Xtl-QKR1) -A-Si (OR3)p (X1)3_p所示的硅烷化合物（1)與R2Si (OR4) q(X2)3_q所示的 硅烷化合物（2)以硅烷化合物（I):硅烷化合物（2) = 10:90-100:0的摩爾比率反應(yīng)制得 的，其中x°、R1和A的定義如權(quán)利要求10, R3代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X1代表鹵素原 子，且P為0-3的整數(shù)，R2的定義如權(quán)利要求10, R4代表具有1-6個(gè)碳原子的烷基，X2代表 鹵素原子，且q為0-3的整數(shù)。
【文檔編號】C09J5/00GK104212409SQ201410360464
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2009年2月12日 優(yōu)先權(quán)日:2008年2月19日
【發(fā)明者】樫尾干廣, 玉田高 申請人:琳得科株式會社