1.一種熒光粉,其特征在于,該熒光粉的化學式為(A1-a-bGdaQb)3M5D12,其中
A為Lu或La中的一種或兩種所組成的群組;
Q為Ce、Nd、Sm、Pr、Dy、Ho、Er或Tm的任意一種或一種以上所組成的群組;
M為B、Al、Ga或In中的任意一種或一種以上所組成的群組;
D為O、N、S、Cl或F中的任意一種或一種以上所組成的群組;
并且0.4≤a≤0.53,0.005≤b≤0.469;
所述熒光粉為結晶相晶體。
2.根據權利要求1所述的熒光粉,其特征在于,所述Q為Ce、Pr、或Sm的任意一種或一種以上所組成的群組。
3.根據權利要求1或2所述的熒光粉,其特征在于,所述D為O或N中的任意一種或兩種所組成的群組。
4.根據權利要求1所述的熒光粉,其特征在于,所述Q為Ce和Pr組成的群組,所述Ce與Pr的元素個數比為p∶q;所述熒光粉的化學式為(A1-a-p-qGdaCepPrq)3M5D12,0.4≤a≤0.53,0.005≤p≤0.07,0.001≤q≤0.02。
5.一種權利要求1-4任一項所述的熒光粉的制備方法,其特征在于,將原物料,在含氮氫混合氣氛環(huán)境下進行燒結,以獲得化學式為(A1-a-bGdaQb)3M5D12的結晶相的熒光粉;所述原物料包含金屬化合物,所述金屬化合物包含至少一種選自由Lu或La金屬化合物;所述金屬化合物包含至少一種選自由Ce、Nd、Sm、Pr、Dy、Ho、Er或Tm金屬化合物;所述金屬化合物包含至少一種選自由B、Al、Ga或In金屬化合物。
6.根據權利要求5所述的熒光粉的制備方法,其特征在于,所述原物料由熒光粉前驅體混合形成,所述熒光粉前驅體經干式粉碎機進行粉碎成粒徑為0.1μm-30μm顆粒。
7.一種發(fā)光裝置,其特征于,包括:
第一發(fā)光體,所述第一發(fā)光體所發(fā)出之光為藍光或UV;
第二發(fā)光體,設于該第一發(fā)光體之一出光面上;
其中,所述第二發(fā)光體包含第一熒光粉,所述第一熒光粉包含至少一種權利要求1-4任一項所述的熒光粉。
8.根據權利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述第二發(fā)光體還包含第二熒光粉,所述第二熒光粉包含至少一種與所述第一熒光粉之放射峰波長不同的熒光粉。
9.根據權利要求7或8所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述第一發(fā)光體為LED芯片、半導體激光二極管、有機電致發(fā)光元件或無機電致發(fā)光元件。
10.一種應用于發(fā)光裝置、顯示裝置或照明裝置的熒光粉,其特征在于,包含權利要求1-4任一項的熒光粉。