本發(fā)明涉及一種磨粒及其選擇方法、研磨液、多液式研磨液、研磨方法、零件的制造方法、半導(dǎo)體零件的制造方法等。

背景技術(shù)：

1、近年來，在電子器件的制造工序中，用于高密度化、微細(xì)化等的加工技術(shù)的重要性日益增加。作為加工技術(shù)之一的cmp(化學(xué)機械研磨)技術(shù)成為在電子器件的制造工序中，在淺溝槽隔離(shallow?trench?isolation：sti)的形成、前金屬絕緣材料或?qū)娱g絕緣材料的平坦化、插頭或嵌入金屬配線的形成等中所需的技術(shù)。作為用于cmp的研磨液，已知有含有包含鈰的磨粒的研磨液(例如，參考下述專利文獻1及2)。

2、以往技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開平10-106994號公報

5、專利文獻2：日本特開平08-022970號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、對于含有磨粒的研磨液，要求根據(jù)用途調(diào)整被研磨材料的研磨速度，并且要求用于調(diào)整被研磨材料的研磨速度的新方法。并且，對于含有磨粒的研磨液，有時要求提高無圖案的無圖形晶圓中的氧化硅的研磨速度。

3、本發(fā)明的一方面的目的在于提供一種能夠調(diào)整被研磨材料的研磨速度的磨粒的選擇方法。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種在無圖形晶圓中的氧化硅的研磨速度高的磨粒。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種含有所述磨粒的研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種使用所述磨粒的多液式研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種使用所述研磨液的研磨方法。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件的零件的制造方法。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件的半導(dǎo)體零件的制造方法。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、本發(fā)明的幾個方面涉及下述[1]至[15]等。

6、[1]一種磨粒的選擇方法，其中，所述磨粒包含鈰，根據(jù)微晶直徑來選擇所述磨粒。

7、[2]根據(jù)[1]所述的磨粒的選擇方法，其中，所述磨粒包含鈰氧化物。

8、[3]一種磨粒，其包含鈰，微晶直徑為30nm以上。

9、[4]根據(jù)[3]所述的磨粒，其微晶直徑為36～50nm。

10、[5]根據(jù)[3]或[4]所述的磨粒，其包含鈰氧化物。

11、[6]根據(jù)[3]至[5]中任一項所述的磨粒，其包含來自于均苯三甲酸的鈰絡(luò)合物的鈰氧化物。

12、[7]根據(jù)[3]至[6]中任一項所述的磨粒，其包含來自于氫氧化鈰的鈰氧化物。

13、[8]根據(jù)[3]至[7]中任一項所述的磨粒，其包含來自于碳酸鈰的鈰氧化物。

14、[9]根據(jù)[3]至[8]中任一項所述的磨粒，其包含來自于碳酸氧鈰的鈰氧化物。

15、[10]一種研磨液，其含有通過[1]或[2]所述的磨粒的選擇方法選擇的磨粒、或者[3]至[9]中任一項所述的磨粒和水。

16、[11]一種多液式研磨液，其具備：第1液，含有磨粒和水；以及第2液，含有所述磨粒及水以外的成分和水，所述磨粒為通過[1]或[2]所述的磨粒的選擇方法選擇的磨?；騕3]至[9]中任一項所述的磨粒。

17、[12]一種研磨方法，其使用[10]所述的研磨液來研磨被研磨部件。

18、[13]根據(jù)[12]所述的研磨方法，其中，所述被研磨部件包含氧化硅。

19、[14]一種零件的制造方法，其使用通過[12]或[13]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

20、[15]一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過[12]或[13]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得半導(dǎo)體零件。

21、發(fā)明效果

22、根據(jù)本發(fā)明的一方面，能夠提供一種能夠調(diào)整被研磨材料的研磨速度的磨粒的選擇方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種在無圖形晶圓中的氧化硅的研磨速度高的磨粒。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種含有所述磨粒的研磨液。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種使用所述磨粒的多液式研磨液。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種使用所述研磨液的研磨方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件的零件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件的半導(dǎo)體零件的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種磨粒的選擇方法，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨粒的選擇方法，其中，

3.一種磨粒，其包含鈰，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其微晶直徑為36～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其包含鈰氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其包含來自于均苯三甲酸的鈰絡(luò)合物的鈰氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其包含來自于氫氧化鈰的鈰氧化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其包含來自于碳酸鈰的鈰氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磨粒，其包含來自于碳酸氧鈰的鈰氧化物。

10.一種研磨液，其含有權(quán)利要求3至9中任一項所述的磨粒和水。

11.一種多液式研磨液，其具備：第1液，含有權(quán)利要求3至9中任一項所述的磨粒和水；以及第2液，含有所述磨粒及水以外的成分和水。

12.一種研磨方法，其使用權(quán)利要求10所述的研磨液來研磨被研磨部件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的研磨方法，其中，

14.一種零件的制造方法，其使用通過權(quán)利要求12所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

15.一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過權(quán)利要求12所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得半導(dǎo)體零件。

技術(shù)總結(jié)
一種磨粒的選擇方法，其中，所述磨粒包含鈰，根據(jù)微晶直徑來選擇所述磨粒。一種磨粒，其包含鈰，微晶直徑為30nm以上。一種研磨液，其含有所述磨粒和水。一種多液式研磨液，其具備：第1液，含有所述磨粒和水；以及第2液，含有所述磨粒及水以外的成分和水。一種研磨方法，其使用所述研磨液來研磨被研磨部件。

技術(shù)研發(fā)人員：久保拓夢,李相哲,影澤幸一,野村理行
受保護的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10