本發(fā)明涉及例如在制造具有半導(dǎo)體集成電路等的半導(dǎo)體裝置時(shí)使用的芯片接合片、以及具備該芯片接合片的切割芯片接合薄膜。另外，涉及具備該芯片接合片的半導(dǎo)體裝置。另外，涉及具備該半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、以往，已知有在半導(dǎo)體裝置的制造中使用的切割芯片接合薄膜。這種切割芯片接合薄膜例如具備：切割帶、以及層疊于該切割帶并且與晶圓粘接的芯片接合片。切割帶具有：基材層、以及與芯片接合片接觸的粘合劑層。這種切割芯片接合薄膜在半導(dǎo)體裝置的制造中例如如下使用。

2、制造半導(dǎo)體裝置的方法通常具備：由高集成的電子電路在晶圓的單面?zhèn)刃纬呻娐访娴那肮ば?、以及從形成有電路面的晶圓切出芯片并進(jìn)行組裝的后工序。

3、后工序例如具有：脆弱部位形成工序，利用激光等在半導(dǎo)體晶圓上形成用于將形成有電路面的晶圓(半導(dǎo)體晶圓)割斷為小的芯片(die)的脆弱部位；背面研磨工序，對(duì)形成有脆弱部位的晶圓的與電路面處于相反側(cè)的面進(jìn)行研磨切削；安裝工序，將晶圓的與電路面處于相反側(cè)的面粘貼于芯片接合片，借助芯片接合片將半導(dǎo)體晶圓固定于切割帶；切割工序，通過(guò)將切割帶沿面方向進(jìn)行拉伸，從而以上述脆弱部位為邊界，將半導(dǎo)體晶圓單片化為芯片(die)，并擴(kuò)寬相鄰的芯片(die)間的間隙；拾取工序，使芯片接合片與粘合劑層之間剝離，將粘貼有芯片接合片的狀態(tài)的芯片(die)取出；芯片接合工序，借助芯片接合片使粘貼有芯片接合片的狀態(tài)的芯片(die)粘接于被粘物；和固化工序，對(duì)粘接于被粘物的芯片接合片進(jìn)行固化處理。半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體集成電路例如經(jīng)過(guò)這些工序而制造。

4、在上述那樣的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在拾取工序中，使粘貼有芯片接合片的狀態(tài)的芯片(die)從切割帶的粘合劑層剝離，接著，在芯片接合工序中，將附著有芯片接合片的狀態(tài)的芯片(die)一邊加熱一邊壓接于被粘物。這些工序例如使用1個(gè)拾取夾頭來(lái)連續(xù)地反復(fù)實(shí)施。因此，反復(fù)進(jìn)行拾取工序和芯片接合工序時(shí)，因加熱而上升的拾取夾頭的熱會(huì)傳遞至芯片接合片。芯片接合片的溫度上升時(shí)，由于芯片接合片的物性發(fā)生變化等理由，有時(shí)拾取工序中的上述剝離不會(huì)良好地發(fā)生。

5、對(duì)此，為了良好地實(shí)施拾取工序中的上述剝離，即、為了使拾取性能良好，已知有將與粘合劑層接觸的一側(cè)的芯片接合片的表面粗糙度設(shè)計(jì)為特定值的芯片接合片(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

6、詳細(xì)而言，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的芯片接合片的與粘合劑層接觸的面的算術(shù)平均粗糙度ra1為0.05～2.50μm，相對(duì)于與粘合劑層接觸的面處于相反側(cè)的面的算術(shù)平均粗糙度ra2，上述ra1之比為1.05～28.00。

7、根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的芯片接合片，即使拾取夾頭的溫度上升，也能夠抑制拾取性能的降低。

8、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

9、專(zhuān)利文獻(xiàn)

10、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2022-150243號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、然而，即使使用如上述那樣設(shè)計(jì)了表面粗糙度的芯片接合片，在后續(xù)的芯片接合工序中，也不一定能夠借助芯片接合片將芯片(die)良好地粘接于被粘物。即，對(duì)于僅將表面粗糙度設(shè)計(jì)為特定值的芯片接合片而言，無(wú)法兼顧拾取性能和粘接性能(芯片接合性能)。因此，期望兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片。

3、然而，對(duì)于兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片、以及具備該芯片接合片的切割芯片接合薄膜，可以說(shuō)尚未充分進(jìn)行研究。

4、因此，本發(fā)明的課題在于，提供兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片、以及切割芯片接合薄膜。另外，本發(fā)明的課題在于，提供具備上述芯片接合片的半導(dǎo)體裝置、以及具備該半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。

5、用于解決問(wèn)題的方案

6、為了解決上述課題，本發(fā)明的芯片接合片的特征在于，

7、其為至少包含熱塑性樹(shù)脂和無(wú)機(jī)填料的芯片接合片，

8、前述熱塑性樹(shù)脂含有第1熱塑性樹(shù)脂和平均分子量小于該第1熱塑性樹(shù)脂的第2熱塑性樹(shù)脂，

9、所述芯片接合片在固化前的50℃下的彈性模量為2.0mpa以上且10.0mpa以下，并且130℃下的彈性模量為0.1mpa以上且1.5mpa以下。

10、本發(fā)明的切割芯片接合薄膜具備上述的芯片接合片和貼合于該芯片接合片的切割帶。

11、本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備上述芯片接合片。

12、本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)特征：

1.一種芯片接合片，其為至少包含熱塑性樹(shù)脂和無(wú)機(jī)填料的芯片接合片，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片接合片，其中，所述第1熱塑性樹(shù)脂的平均分子量為50萬(wàn)以上且150萬(wàn)以下，所述第2熱塑性樹(shù)脂的平均分子量為1萬(wàn)以上且10萬(wàn)以下，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片接合片，其在-15℃下的斷裂伸長(zhǎng)率為0.2％以上且2.0％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片接合片，其在-15℃下的斷裂強(qiáng)度為1.0kg/mm2以上且7.5kg/mm2以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片接合片，其中，所述無(wú)機(jī)填料含有二氧化硅顆粒。

6.一種切割芯片接合薄膜，其具備：權(quán)利要求1或2所述的芯片接合片、和貼合于該芯片接合片的切割帶。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合片與所述切割帶之間的50℃下的剝離力為0.03n/20mm以上且0.20n/20mm以下。

8.一種半導(dǎo)體裝置，其具備權(quán)利要求1或2所述的芯片接合片。

9.一種電子設(shè)備，其具備權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及芯片接合片、切割芯片接合薄膜、半導(dǎo)體裝置以及電子設(shè)備。提供一種芯片接合片，其為至少包含熱塑性樹(shù)脂和無(wú)機(jī)填料的芯片接合片，前述熱塑性樹(shù)脂含有第1熱塑性樹(shù)脂和平均分子量小于該第1熱塑性樹(shù)脂的第2熱塑性樹(shù)脂，所述芯片接合片在固化前的50℃下的彈性模量為2MPa以上且10MPa以下，并且130℃下的彈性模量為0.1MPa以上且1.5MPa以下。

技術(shù)研發(fā)人員：大西謙司,畠山義治
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日東電工株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10