本發(fā)明涉及背面研磨帶。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體晶圓被用于個人計算機、智能手機、汽車等各種用途。在半導(dǎo)體晶圓的加工工序中，在加工時為了保護(hù)表面而使用粘合帶。近年，大規(guī)模集成電路(lsi)的微細(xì)化及高功能化正在進(jìn)展，晶圓的表面結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。具體而言，可舉出由焊料凸塊等所帶來的晶圓表面的立體結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化。因此，對半導(dǎo)體加工工序中使用的粘合帶要求晶圓表面的凹凸的埋入性及強粘合性。半導(dǎo)體晶圓的背面研磨工序中使用的粘合帶要求在背面研磨工序中適當(dāng)?shù)乇３职雽?dǎo)體晶圓，且在背面研磨工序后容易地剝離。由于實施了背面研磨工序的半導(dǎo)體晶圓的厚度顯著變薄，因此對背面研磨帶要求能夠在沒有殘膠及半導(dǎo)體晶圓的破損的情況下進(jìn)行剝離。

2、近年，隨著各制品的小型化及薄型化，半導(dǎo)體晶圓的薄型化正在進(jìn)展。對加工成薄型的晶圓，粘合帶的粘合力過高的情況下，有時在粘合帶的剝離時會使晶圓破損。因此，為了防止被粘物上的殘膠及剝離時的晶圓的破損，提出了使用紫外線固化型粘合劑的粘合帶(例如，專利文獻(xiàn)1及2)。另外，作為對具有凸塊等凹凸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓的加工而言適合的粘合帶，提出了凹凸的埋入性優(yōu)異的粘合帶(例如，專利文獻(xiàn)3)。然而，凹凸的埋入性優(yōu)異的粘合帶有時在帶貼附后的切割工序中發(fā)生粘合劑層的拉絲，在背面研磨工序及加工后的剝離工序中半導(dǎo)體晶圓發(fā)生破損。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2020-017758號公報

6、專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-213075號公報

7、專利文獻(xiàn)3：日本特開2022-121480號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有問題而做出的，提供能兼顧優(yōu)異的凹凸的埋入性和切割性的背面研磨帶。

3、用于解決問題的方案

4、1.本發(fā)明的實施方式的背面研磨帶具備基材、中間層和粘合劑層，該中間層的納米壓痕硬度(25℃)為0.001mpa～0.200mpa，該粘合劑層的納米壓痕硬度(25℃)為0.001mpa～0.080mpa。該中間層及該粘合劑層中的至少一者的厚度為50μm以上，該厚度為50μm以上的層的卸載曲線位移量為8000μm以下。

5、2.上述1所述的背面研磨帶中，上述中間層的納米壓痕硬度(mpa)與厚度(μm)的積可以為0.050～15.000。

6、3.上述1或2所述的背面研磨帶中，上述粘合劑層的納米壓痕硬度(mpa)與厚度(μm)的積可以為0.001～1.000。

7、4.上述1～3中任一項所述的背面研磨帶中，上述粘合劑層的厚度可以為1μm～50μm。

8、5.上述1～4中任一項所述的背面研磨帶中，上述中間層可以包含使含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80℃以上的單體的單體組合物進(jìn)行聚合而得到的(甲基)丙烯酸系聚合物。

9、6.上述5所述的背面研磨帶中，上述中間層可以包含使含有5重量％～50重量％上述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80℃以上的單體的單體組合物進(jìn)行聚合而得到的(甲基)丙烯酸系聚合物。

10、7.上述1～6中任一項所述的背面研磨帶中，上述粘合劑層可以由紫外線固化型粘合劑形成。

11、8.上述1～7中任一項所述的背面研磨帶中，上述粘合劑層可以由包含多官能丙烯酸酯的粘合劑形成。

12、9.上述1～8中任一項所述的背面研磨帶貼合于形成有凸塊的半導(dǎo)體晶圓，該凸塊的高度(μm)與上述粘合劑層的厚度(μm)和上述中間層的厚度(μm)的合計可以滿足凸塊的高度(μm)<粘合劑層的厚度(μm)+中間層的厚度(μm)的關(guān)系。

13、10.上述1～9中任一項所述的背面研磨帶貼合于形成有凸塊的半導(dǎo)體晶圓，該凸塊的高度(μm)與上述中間層的厚度(μm)可以滿足凸塊的高度(μm)<中間層的厚度(μm)的關(guān)系。

14、發(fā)明的效果

15、根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可提供能兼顧優(yōu)異的凹凸的埋入性和切割性的背面研磨帶。

技術(shù)特征：

1.一種背面研磨帶，其具備基材、中間層和粘合劑層，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述中間層的納米壓痕硬度(mpa)與厚度(μm)的積為0.050～15.000。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述粘合劑層的納米壓痕硬度(mpa)與厚度(μm)的積為0.001～1.000。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述粘合劑層的厚度為1μm～50μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述中間層包含使含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80℃以上的單體的單體組合物進(jìn)行聚合而得到的(甲基)丙烯酸系聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背面研磨帶，其中，所述中間層包含使含有所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80℃以上的單體5重量％～50重量％的單體組合物進(jìn)行聚合而得到的(甲基)丙烯酸系聚合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述粘合劑層由紫外線固化型粘合劑形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其中，所述粘合劑層由包含多官能丙烯酸酯的粘合劑形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其貼合于形成有凸塊的半導(dǎo)體晶圓，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面研磨帶，其貼合于形成有凸塊的半導(dǎo)體晶圓，

技術(shù)總結(jié)
提供能兼顧優(yōu)異的凹凸的埋入性和切割性的背面研磨帶。本發(fā)明的實施方式的背面研磨帶具備基材、中間層和粘合劑層，該中間層的納米壓痕硬度(25℃)為0.001MPa～0.200MPa。該粘合劑層的納米壓痕硬度(25℃)為0.001MPa～0.080MPa，該中間層及該粘合劑層中的至少一者的厚度為50μm以上，該厚度為50μm以上的層的卸載曲線位移量為8000μm以下。

技術(shù)研發(fā)人員：手柴麻里子,河野廣希,近藤涉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日東電工株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/24