本發(fā)明涉及粘合薄膜和半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體芯片、陶瓷電容器等電子部件的制造方法中，進(jìn)行如下的工序：將配置在具有拉伸性的薄膜上的晶圓單片化(切割)為期望的尺寸后，將薄膜伸長而擴(kuò)展半導(dǎo)體芯片間的距離，并拾取半導(dǎo)體芯片(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

2、近年來，電子部件的加工技術(shù)逐漸多樣化，正在研究在伸長了的薄膜上對被單片化了的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加工的技術(shù)。在對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加工時，要求提高伸長時的薄膜的粘合力而使得半導(dǎo)體芯片不會從伸長了的薄膜脫落、或發(fā)生位置偏移。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2023-63676號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、但是，為了保持伸長時的薄膜的粘合力而提高粘合層的粘合性時，粘合層的一部分移動至芯片等被粘物，在被粘物上產(chǎn)生所謂的殘膠。像這樣，伸長時的粘合力和向被粘物的殘膠的抑制為此消彼長的關(guān)系，難以兼顧。

3、鑒于上述狀況，本公開的一個方案的課題在于，提供在伸長時也能保持粘合力、并且能抑制向被粘物的殘膠的粘合薄膜，和使用該粘合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

4、用于解決問題的手段

5、用于解決上述課題的具體手段包括以下的方案。

6、<1>一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

7、將前述粘合薄膜伸長200％時的前述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(sa)的值s’與伸長前的前述粘合薄膜的前述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(sa)的值s的比s’/s為9.5以下。

8、<2>根據(jù)<1>所述的粘合薄膜，其中，前述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下。

9、<3>根據(jù)<1>所述的粘合薄膜，其中，前述2種以上聚合物中的至少2種的羥值比為40以下。

10、<4>一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

11、前述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下，且羥值比為40以下。

12、<5>根據(jù)<1>～<4>中任一項(xiàng)所述的粘合薄膜，其中，伸長前的前述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(sa)的值s為0.001μm～5.000μm。

13、<6>根據(jù)<1>～<5>中任一項(xiàng)所述的粘合薄膜，其中，前述粘合層中含量最多的聚合物的含有率相對于前述粘合層中所含的前述2種以上聚合物的總含量為85質(zhì)量％以下。

14、<7>一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：通過將在一個面上配置有多個半導(dǎo)體芯片的<1>～<6>中任一項(xiàng)所述的粘合薄膜伸長，從而擴(kuò)大相鄰的兩個前述半導(dǎo)體芯片的間隔。

15、<8>根據(jù)<7>所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：在進(jìn)行前述伸長后，將前述半導(dǎo)體芯片從前述粘合薄膜剝離。

16、<9>根據(jù)<8>所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：在進(jìn)行前述伸長后且進(jìn)行前述半導(dǎo)體芯片的剝離前對前述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加工。

17、<10>根據(jù)<9>所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，前述加工包括在前述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置功能層。

18、發(fā)明的效果

19、根據(jù)本公開的一個方案，可提供在伸長時也能保持粘合力并且能抑制向被粘物的殘膠的粘合薄膜，和使用該粘合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合薄膜，其中，所述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合薄膜，其中，所述2種以上聚合物中的至少2種的羥值比為40以下。

4.一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的粘合薄膜，其中，伸長前的所述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(sa)的值s為0.001μm～5.000μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的粘合薄膜，其中，所述粘合層中含量最多的聚合物的含有率相對于所述粘合層中所含的所述2種以上聚合物的總含量為85質(zhì)量％以下。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：通過將在一個面上配置有多個半導(dǎo)體芯片的權(quán)利要求1或4所述的粘合薄膜伸長，從而擴(kuò)大相鄰的兩個所述半導(dǎo)體芯片的間隔。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：在進(jìn)行所述伸長后，將所述半導(dǎo)體芯片從所述粘合薄膜剝離。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：在進(jìn)行所述伸長后且進(jìn)行所述半導(dǎo)體芯片的剝離前對所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加工。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述加工包括在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置功能層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及粘合薄膜和半導(dǎo)體裝置的制造方法。粘合薄膜具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，滿足(1)或(2)。(1)將前述粘合薄膜伸長200％時的前述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(Sa)的值S’與伸長前的前述粘合薄膜的前述粘合層的表面的算術(shù)平均高度(Sa)的值S的比S’/S為9.5以下。(2)前述聚合物的至少2種的SP值的差為0.3以下，且羥值比為40以下。

技術(shù)研發(fā)人員：谷口徹彌,藪下諭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23