本發(fā)明設(shè)計(jì)一種用于單晶金剛石化學(xué)機(jī)械拋光的稀土拋光液及其制備方法和應(yīng)用,屬于拋光液。
背景技術(shù):
1、單晶金剛石以其優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和光學(xué)性能,被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子學(xué)、精密機(jī)械以及珠寶等多個(gè)領(lǐng)域。然而,由于單晶金剛石具有極高的硬度,其表面高質(zhì)量加工一直是一個(gè)難題。傳統(tǒng)的機(jī)械加工方法不僅耗時(shí)費(fèi)力,而且難以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的表面光潔度。因此,開(kāi)發(fā)高效的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)技術(shù)成為解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵。
2、近年來(lái),隨著材料科學(xué)和納米技術(shù)的發(fā)展,許多新型的研磨顆粒和化學(xué)腐蝕劑被引入到cmp拋光液的研發(fā)中。例如,納米級(jí)氧化鋁、二氧化硅、金屬氧化物以及有機(jī)酸等材料被證明在提高拋光效率和表面質(zhì)量方面具有顯著的效果,且目前稀土拋光粉由于優(yōu)異的拋光性能被廣泛應(yīng)用于玻璃以及硅基材料的拋光。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利旨在提供一種改進(jìn)的單晶金剛石cmp拋光液,其在高效去除率、低表面粗糙度等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2、本發(fā)明的目的是提供一種用于單晶金剛石化學(xué)機(jī)械拋光的稀土拋光液及其制備方法和應(yīng)用,制備工藝簡(jiǎn)單,拋光精度高。
3、本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
4、一種單晶金剛石化學(xué)機(jī)械拋光的稀土拋光液,包括稀土磨料、溶劑、分散劑和氧化劑;其中各組分的含量為:稀土磨料的質(zhì)量濃度為0.1%~1%,分散劑的百分比濃度為1%~2%,氧化劑的摩爾濃度為0.5~1mol/l,溶劑是去離子水。
5、根據(jù)本發(fā)明所述的稀土拋光液,所述稀土磨料為氧化鈰、氧化鑭、氧化釹、氧化鐿、氧化鉺中的一種或幾種,磨料的粒度在50nm~2μm。
6、根據(jù)本發(fā)明所述的稀土拋光液,所述分散劑為聚乙二醇、六偏磷酸鈉、水玻璃中的一種。
7、根據(jù)本發(fā)明所述的稀土拋光液,所述氧化劑為h2o2、kmno4、kno3、k2feo4、k2cr207、hclo、feso4中的一種或幾種。
8、根據(jù)本發(fā)明所述的稀土拋光液,所述拋光液的ph為2~5,ph調(diào)節(jié)劑為h2c2o4和naoh。
9、一種單晶金剛石化學(xué)機(jī)械拋光的稀土拋光液的制備工藝,包括以下步驟;
10、(1)取一定量的去離子水,加入所述百分比濃度的分散劑,超聲分散10min,磁力攪拌10min;
11、(2)稱取所述質(zhì)量濃度的稀土氧化物磨料,加入上述溶液中,超聲分散20min,磁力攪拌10min;
12、(3)量取所述摩爾濃度的氧化劑,加入上述溶液中,磁力攪拌10min,充分混合均勻,即得到稀土氧化物拋光液。
13、有益效果:本發(fā)明的制備工藝方法簡(jiǎn)單,發(fā)明的產(chǎn)品具有優(yōu)異的拋光性能。通過(guò)合理選擇和配比研磨顆粒、化學(xué)腐蝕劑及其他輔助成分,本發(fā)明能夠顯著提升單晶金剛石的拋光質(zhì)量和加工效率,為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供可靠的技術(shù)支持。
1.一種用于單晶金剛石化學(xué)機(jī)械拋光的稀土拋光液,其特征在于,該稀土拋光液包括稀土磨料、溶劑、分散劑、氧化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土拋光液,其特征在于,所述稀土磨料為氧化鈰、氧化鑭、氧化釹、氧化鐿、氧化鉺中的一種或幾種,磨料的粒度在50nm~2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土拋光液,其特征在于,所述分散劑為聚乙二醇、六偏磷酸鈉、水玻璃中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土拋光液,其特征在于,所述氧化劑為h2o2、kmno4、kno3、k2feo4、k2cr207、hclo、feso4中的一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土拋光液,其特征在于,所述拋光液的ph為2~5,ph調(diào)節(jié)劑為草酸和naoh。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5所述的稀土拋光液,其特征在于,包括以下步驟: