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      抗指紋減反射材料、抗指紋減反射膜及顯示裝置的制作方法

      文檔序號(hào):40441162發(fā)布日期:2024-12-24 15:15閱讀:16來(lái)源:國(guó)知局
      抗指紋減反射材料、抗指紋減反射膜及顯示裝置的制作方法

      本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域,具體涉及一種抗指紋減反射材料、抗指紋減反射膜及顯示裝置。


      背景技術(shù):

      1、在顯示器的使用過(guò)程中,外部的入射光在顯示器表面反射,反射的圖像與顯示器顯示的圖像混合,會(huì)造成顯示圖像的清晰度下降,用戶難以清晰觀察顯示圖像,并且會(huì)造成眼睛疲勞,因此,需要通常需要賦予顯示器表面防反射功能。

      2、減反射涂層可實(shí)現(xiàn)顯示器表面的防反射功能,現(xiàn)有的減反射涂層通常是紫外光固化材料,該類材料通過(guò)光引發(fā)劑吸收紫外線能量生成自由基,自由基與丙烯酸酯類單體或低聚物反應(yīng)形成涂層。這類材料需要單獨(dú)加入光引發(fā)劑,而常用的光引發(fā)劑如膦氧化合物(tpo)已被歐盟echa列為cmr生殖毒性1b,對(duì)人類健康產(chǎn)生危害,被限制使用或禁用。

      3、另一方面,中尺寸以及小尺寸顯示器在使用時(shí)容易沾染指紋影響顯示效果,因此顯示器表面的減反射涂層會(huì)包含抗指紋af(anti-finger)效果,目前有兩種途徑可以實(shí)現(xiàn)抗指紋:一種是在減反射涂層表面單獨(dú)沉積一層af層,但af層經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性不佳,隨著時(shí)間延長(zhǎng)af層會(huì)降解失去af效果;其二是在減反射涂層的紫外光固化材料中加入af助劑,通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)使af助劑固定在分子鏈上,其穩(wěn)定性好,但這種af助劑價(jià)格昂貴,成本高。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種抗指紋減反射材料、抗指紋減反射膜及顯示裝置,本申請(qǐng)?zhí)峁┑目怪讣y減反射材料、抗指紋減反射膜無(wú)需添加光引發(fā)劑即可實(shí)現(xiàn)減反射和抗指紋效果,使用安全且成本較低。

      2、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種抗指紋減反射材料,所述抗指紋減反射材料包括組分a、組分b以及組分c;

      3、所述組分a具有式ⅰ所表示的結(jié)構(gòu):

      4、

      5、其中,n≥1,m≥1,n、m為整數(shù);

      6、r1表示烷基、芳香基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán),或這些基團(tuán)的組合;

      7、r2表示烷基、烷氧基、酮基、芳香基團(tuán),或這些基團(tuán)的組合;

      8、r3表示烷基,r3基團(tuán)末端的h不取代或至少一個(gè)h被oh取代;

      9、r4表示烷基或烷氧基;

      10、所述組分b包括減反射粒子;

      11、所述組分c包括溶劑。

      12、在一些實(shí)施例中,所述組分b為丙烯酸異氰基乙酯修飾的中空二氧化硅微球,具有如下結(jié)構(gòu):

      13、

      14、在一些實(shí)施例中,n≥6和/或m≥3。

      15、在一些實(shí)施例中,所述組分a具有式ⅰ-1或式ⅰ-2所表示的結(jié)構(gòu):

      16、

      17、在一些實(shí)施例中,所述中空二氧化硅微球的粒徑范圍為10nm~200nm,殼層厚度范圍為1nm~10nm,中空率≥50%。

      18、在一些實(shí)施例中,所述抗指紋減反射材料中以質(zhì)量份數(shù)計(jì)包括:60~90份組分a、10~40份組分b和1000~5000份組分c。

      19、本申請(qǐng)的實(shí)施例還提供一種抗指紋減反射膜,所述抗指紋減反射膜包括:

      20、基材層;以及

      21、抗指紋減反射涂層,設(shè)置于所述基材層上;

      22、其中,所述抗指紋減反射涂層由如上所述的抗指紋減反射材料光固化形成。

      23、在一些實(shí)施例中,所述抗指紋減反射膜的折射率范圍為1.25~1.35。

      24、在一些實(shí)施例中,所述抗指紋減反射膜的反射率r≤1.5%。

      25、本申請(qǐng)的實(shí)施例還提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如上所述的抗指紋減反射膜。

      26、本申請(qǐng)?zhí)峁┑目怪讣y減反射材料包括組分a、組分b以及組分c,其中,組分a的結(jié)構(gòu)中包括全氟側(cè)基、芳基酮基與丙烯酰氧基等基團(tuán),組分a中的全氟側(cè)基可實(shí)現(xiàn)抗指紋效果,組分a中的芳基酮基與丙烯酰氧基在光照下可自引發(fā)聚合形成涂層,不需要額外加入光引發(fā)劑;組分b包括減反射粒子,組分a與組分b結(jié)合可同時(shí)實(shí)現(xiàn)減反射效果。本申請(qǐng)?zhí)峁┑目怪讣y減反射材料、抗指紋減反射膜能夠?qū)崿F(xiàn)抗指紋和減反射減的效果,無(wú)需添加光引發(fā)劑,使用安全且成本較低。



      技術(shù)特征:

      1.一種抗指紋減反射材料,其特征在于,包括組分a、組分b以及組分c;

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗指紋減反射材料,其特征在于,所述組分b為丙烯酸異氰基乙酯修飾的中空二氧化硅微球,具有如下結(jié)構(gòu):

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗指紋減反射材料,其特征在于,n≥6和/或m≥3。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗指紋減反射材料,其特征在于,所述組分a具有式ⅰ-1或式ⅰ-2所表示的結(jié)構(gòu):

      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗指紋減反射材料,其特征在于,所述中空二氧化硅微球的粒徑范圍為10nm~200nm,殼層厚度范圍為1nm~10nm,中空率≥50%。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的抗指紋減反射材料,其特征在于,所述抗指紋減反射材料中以質(zhì)量份數(shù)計(jì)包括:60~90份組分a、10~40份組分b和1000~5000份組分c。

      7.一種抗指紋減反射膜,其特征在于,包括:

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗指紋減反射膜,其特征在于,所述抗指紋減反射膜的折射率范圍為1.25~1.35。

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗指紋減反射膜,其特征在于,所述抗指紋減反射膜的反射率r≤1.5%。

      10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的抗指紋減反射膜。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)涉及一種抗指紋減反射材料、抗指紋減反射膜及顯示裝置,所述抗指紋減反射材料包括組分A、組分B以及組分C,其中,組分A中的全氟側(cè)基可實(shí)現(xiàn)抗指紋效果,組分A中的芳基酮基與丙烯酰氧基在光照下可自引發(fā)聚合形成涂層,不需要額外加入光引發(fā)劑,組分A與組分B的結(jié)合可同時(shí)實(shí)現(xiàn)減反射效果。本申請(qǐng)?zhí)峁┑目怪讣y減反射材料、抗指紋減反射膜能夠?qū)崿F(xiàn)抗指紋和減反射減的效果,無(wú)需添加光引發(fā)劑,使用安全且成本較低。

      技術(shù)研發(fā)人員:鮑愛兵,周淼
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:廣州華睿光電材料有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/23
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