專利名稱:拋光組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于拋光諸如磁盤基片等的拋光組合物。
對(duì)于用作充當(dāng)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)元件的硬盤的磁盤，強(qiáng)力要求其具有很高的記錄密度。因此，磁盤基片要求具有優(yōu)良的表面特性。
背景技術(shù)：
公開號(hào)為7-216345的日本公開專利公報(bào)和公開號(hào)為11-511394的日本國(guó)家階段公開專利公報(bào)揭示了改進(jìn)的拋光組合物以滿足對(duì)基片的上述要求。公開號(hào)為7-216345的日本公開專利公報(bào)中的拋光組合物包含水，氧化鋁研磨劑，以及由鉬酸鹽和有機(jī)酸組成的拋光加速劑。公開號(hào)為11-511394的日本公開專利公報(bào)中的拋光組合物包含作為研磨劑的α-氧化鋁顆粒，作為拋光加速劑的固體材料，如水合氧化鋁，以及水。在拋光組合物中α-氧化鋁顆粒的含量被設(shè)定為占全部固體材料的1-50％(重量)。
然而，前一種拋光組合物對(duì)基片拋光速度低。后一種拋光組合物對(duì)基片拋光速度較高，但是被拋光后的基片的表面粗糙度僅顯示出很小的提高。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種更適用于拋光磁盤基片的拋光組合物。
為了實(shí)現(xiàn)前述和其他目的以及根據(jù)本發(fā)明的意圖，提供一種拋光組合物。該拋光組合物包括含有α-氧化鋁作為主要組分的氧化鋁顆粒，熱解法熱解法氧化鋁，含有選自有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸、和這些酸的鹽中的至少一種組分的拋光加速劑，以及水。
本發(fā)明也提供一種拋光物體的方法。該方法包括制備上述拋光組合物，和用這種拋光組合物來(lái)拋光物體的表面。
從下面的描述，例舉本發(fā)明原理的實(shí)施例，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
根據(jù)該實(shí)施方式的拋光組合物包括(a)含有α-氧化鋁作為主要組分的氧化鋁顆粒，(b)熱解法氧化鋁，(c)含有選自有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸、和這些酸的鹽中的至少一種組分的拋光加速劑，以及(d)水。
拋光組合物用于拋光諸如磁盤基片。該基片可以是通過(guò)提供由鎳-磷構(gòu)成的，無(wú)電鍍層置于鋁合金構(gòu)成的坯件上形成的基片，或是含有鎳-鐵、碳化硼或碳的基片。
氧化鋁顆粒為研磨劑，起機(jī)械拋光物體的作用?！昂笑?氧化鋁作為主要組分”是指在組成氧化鋁顆粒的晶形中，α-轉(zhuǎn)化率不小于50％。這里所用的術(shù)語(yǔ)“α-轉(zhuǎn)化率”來(lái)自通過(guò)X-射線衍射測(cè)量法的(113)平面衍射線條的累積強(qiáng)度比率(integrated intensityratio)。氧化鋁顆粒可以含有δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ氧化鋁和α-氧化鋁，或者也可含有具有不同的α-轉(zhuǎn)化率的α-氧化鋁。當(dāng)α-轉(zhuǎn)化率小于50％時(shí)，氧化鋁顆粒的機(jī)械拋光能力可能較低。對(duì)于除氧化鋁顆粒之外的研磨劑，已知的研磨劑為二氧化硅、氧化鈦等。但是，他們的機(jī)械拋光能力都較低。
用激光衍射和散射法測(cè)得的氧化鋁顆粒的平均粒徑優(yōu)選不大于2.0μm，更優(yōu)選0.05-1.0μm，包含0.05μm和1.0μm。氧化鋁顆粒的平均粒徑可以用激光衍射和散射型粒徑測(cè)量機(jī)(Coulter制得LS-230)測(cè)量。如果平均顆粒粒徑小于0.05μm，氧化鋁顆粒的機(jī)械拋光能力可能較低。如果平均顆粒粒徑超過(guò)2.0μm，被拋光的物體的表面粗糙度可能較差，而且在拋光物體的表面可能產(chǎn)生刮痕。
拋光組合物中氧化鋁顆粒的含量?jī)?yōu)選0.01-40％重量，包含0.01％和40％。更優(yōu)選2-25％重量，包含2％和25％。如果含量小于0.01％重量，拋光組合物的拋光速率可能降低。如果含量超過(guò)40％重量，氧化鋁顆?？赡茉趻伖饨M合物中結(jié)塊，結(jié)果是，拋光組合物的穩(wěn)定性被破壞。
熱解法氧化鋁為研磨劑，起機(jī)械拋光物體的作用。熱解法氧化鋁也起到減少拋光物體表面的微小波紋的作用，以提高拋光物體的表面粗糙度?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)闊峤夥ㄑ趸X作用于氧化鋁顆粒的表面，從而提高氧化鋁顆粒在拋光組合物中的分散性。這里使用的術(shù)語(yǔ)“微小波紋”是指用給定測(cè)量波長(zhǎng)的表面粗糙度測(cè)量?jī)x測(cè)得的微小不規(guī)則度，它用其高度()表示。如果拋光組合物含有熱解法二氧化硅，而不是熱解法氧化鋁，則拋光組合物的拋光速度低，因?yàn)闊峤夥ǘ趸璧膾伖饽芰Φ?，結(jié)果不可能減少被拋光物體的表面粗糙度。如下面的化學(xué)反應(yīng)式1所示，熱解法氧化鋁在氯化鋁的酸式氫反應(yīng)中合成，它含有δ-氧化鋁和小于50％的α-轉(zhuǎn)化率。
化學(xué)反應(yīng)式1
從BET方法測(cè)量的比表面積測(cè)定的熱解法氧化鋁的初級(jí)顆粒平均粒徑優(yōu)選0.005-0.5μm，(包含0.005μm和0.5μm)，更優(yōu)選0.01-0.1μm，(包含0.01μm和0.1μm)。用激光衍射和散射法測(cè)得的熱解法氧化鋁的次級(jí)顆粒最大粒徑優(yōu)選約為1.5μm。在拋光組合物中，熱解法氧化鋁顆粒締合形成聚集體。如果熱解法氧化鋁的初級(jí)顆粒平均粒徑小于0.005μm，拋光組合物的拋光速度可能較低，因?yàn)樘岣哐趸X顆粒的分散度很小。如果熱解法氧化鋁的初級(jí)顆粒平均粒徑超過(guò)0.5μm或者次級(jí)氧化鋁顆粒最大粒徑超過(guò)1.5μm，拋光組合物的穩(wěn)定性可能被破壞，因?yàn)闊峤夥ㄑ趸X的聚集體很大，結(jié)果是在拋光組合物中可能發(fā)生淀析。
拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選不大于氧化鋁顆粒的50％重量，更優(yōu)選0.005-20％重量(包括0.005％重量和20％重量)，最優(yōu)選1-12.5％重量，(包含1％重量和12.5％重量)。如果熱解法氧化鋁的含量少于氧化鋁顆粒的0.005％重量，可能不足以充分提高氧化鋁顆粒的分散度，結(jié)果是拋光組合物的拋光速度可能較低。如果熱解法氧化鋁的含量超過(guò)氧化鋁顆粒的50％重量，氧化鋁顆粒的機(jī)械拋光能力可能降低，因?yàn)樽饔迷谘趸X顆粒表面上的熱解法氧化鋁的量過(guò)多，結(jié)果是拋光組合物的拋光速度可能較低。
拋光加速劑通過(guò)氧化鋁和熱解法氧化鋁起加速機(jī)械拋光的作用。拋光加速劑優(yōu)選含有選自有機(jī)酸和無(wú)機(jī)酸中的至少一種酸，因?yàn)檫@些酸具有強(qiáng)的化學(xué)拋光能力。拋光加速劑更優(yōu)選包含選自檸檬酸、馬來(lái)酸、馬來(lái)酐、蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、丁烯酸、尼克酸、醋酸、硫代蘋果酸、蟻酸、草酸、羧乙基硫代琥珀酸、硝酸鋁和硝酸鐵中的至少一種組分，最優(yōu)選包含選自檸檬酸、馬來(lái)酸、乙醇酸、琥珀酸、衣康酸、亞氨基二乙酸和羧乙基硫代琥珀酸中的至少一種酸。
拋光組合物中拋光加速劑的含量?jī)?yōu)選0.01-10％重量，(包括0.01％重量和10％重量)，更優(yōu)選0.05-5％重量，(包括0.05重量和5％重量)，最優(yōu)選0.1-3％重量，(包括0.1重量和3％重量)。如果拋光加速劑的含量小于0.1％重量，拋光組合物的拋光速度可能較低。如果拋光加速劑的含量超過(guò)10％重量，拋光組合物的拋光速度可能變得飽和，因此這是不經(jīng)濟(jì)的。
在拋光組合物中，水作為介質(zhì)起溶解和分散除水外的組分的作用。優(yōu)選雜質(zhì)含量盡可能少的水。更具體地，優(yōu)選純凈水、超純水或蒸餾水。
按照本實(shí)施方式的拋光組合物通過(guò)混合氧化鋁顆粒、熱解法氧化鋁、拋光加速劑和水來(lái)制備。在混合過(guò)程中，每一組分的加入順序可以是任意順序，或者所有的組分同時(shí)加入。
當(dāng)磁盤基片的表面用本實(shí)施方式的拋光組合物拋光時(shí)，例如，在提供拋光組合物到基片表面的同時(shí)，用拋光墊摩擦基片的表面。
在基片的制造工藝中，通常進(jìn)行多個(gè)拋光步驟，按照本實(shí)施方式的拋光組合物優(yōu)選用在多個(gè)步驟中的第一拋光步驟。第一拋光步驟通常用來(lái)去除波紋和表面缺陷，如可能在隨后的拋光步驟中不能去除的大的刮痕和基片的不規(guī)則度。另一方面，最后拋光步驟通常用來(lái)調(diào)節(jié)到所需的基片的表面粗糙度，和去除在前面的拋光步驟中產(chǎn)生的表面缺陷，和在前面的拋光步驟中不能被去除的表面缺陷。
本實(shí)施方式具有下面的優(yōu)點(diǎn)。
按照本實(shí)施方式的拋光組合物包括用于機(jī)械拋光物體的氧化鋁顆粒和熱解法氧化鋁，和用于加速氧化鋁顆粒和熱解法氧化鋁的機(jī)械拋光的拋光加速劑。因此，該拋光組合物具有拋光物體的能力，尤其是高速拋光磁盤基片的能力。換言之，根據(jù)本實(shí)施方式的拋光組合物對(duì)基片的拋光速度很高。
按照本實(shí)施方式，拋光組合物中的熱解法氧化鋁具有減少被拋光物體的表面的微小波紋的能力。因此，拋光后的物體減小了表面粗糙度。
對(duì)那些本技術(shù)領(lǐng)域：
的熟練人士是顯而易見(jiàn)的，在不背離本發(fā)明范圍的宗旨的前提下，本發(fā)明可以多種其它具體的形式實(shí)現(xiàn)。特別地，可以理解本發(fā)明可以下面的形式實(shí)現(xiàn)。
拋光組合物可進(jìn)一步包括氧化鋁溶膠。氧化鋁溶膠起抑制被拋光物體上的表面缺陷，如微小突起和微小凹槽的作用，以及通過(guò)減少被拋光物體的表面的微小波紋，起減少被拋光物體的表面粗糙度的作用。可以想到這是因?yàn)檠趸X溶膠粘附在氧化鋁顆粒的表面上，由此提高氧化鋁顆粒的機(jī)械拋光能力。此外，因?yàn)檠趸X溶膠以膠態(tài)分散在拋光組合物中，所以氧化鋁溶膠通過(guò)提高氧化鋁顆粒的分散度而防止氧化鋁顆粒的淀析，以及在拋光物體的過(guò)程中，使氧化鋁顆粒容易被拋光墊保持。
氧化鋁溶膠可含有選自以膠態(tài)分散在酸性水溶液中的水合氧化鋁和氫氧化鋁中的至少一種組分。水合氧化鋁可以是水軟鋁石、假水軟鋁石、水鋁石、三水鋁石和三羥鋁石。酸性水溶液通過(guò)用有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸或這些酸的鹽將水的pH值調(diào)節(jié)到酸性來(lái)制備。氧化鋁溶膠可包含兩種或多種水合氧化鋁。水合氧化鋁優(yōu)選水軟鋁石和假水軟鋁石，因?yàn)樗涗X石和假水軟鋁石具有相當(dāng)高的抑制表面缺陷和減少被拋光物體的表面粗糙度的能力。
拋光組合物中氧化鋁溶膠的含量以氧化鋁溶膠的固含量表示，優(yōu)選0.01-20％重量，括0.01％重量和20％重量)；更優(yōu)選0.05-15％重量，(包括0.05％重量和15％重量)，最優(yōu)選0.1-10％重量，(包括0.1％重量和10％重量)。如果含量少于0.01％重量，提高氧化鋁顆粒的機(jī)械拋光能力的效果可能很小，因?yàn)檎掣降窖趸X顆粒的表面的氧化鋁溶膠的量不足，結(jié)果是可能不足以充分減少被拋光物體的表面粗糙度。如果氧化鋁溶膠的量超過(guò)20％重量，抑制表面缺陷的效果和減少被拋光物體的表面粗糙度的效果可能變得飽和，因此這是不經(jīng)濟(jì)的。
拋光組合物可進(jìn)一步包括表面活性劑、防銹劑、淀析防止劑等。表面活性劑提高氧化鋁顆粒在拋光組合物中的分散度。表面活性劑可以是非離子表面活性劑或陰離子表面活性劑。非離子表面活性劑優(yōu)選用下面的通式2表示的聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚，用下面的通式3或4表示的聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物，用下面的通式5表示的聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯、或聚氨脂締合表面活性劑。陰離子表面活性劑優(yōu)選聚羧酸鹽，如聚丙烯酸鈉，或者聚合物，如異戊二烯磺酸和丙烯酸的共聚物，包括從異戊二烯磺酸衍生的單體或它的鹽。當(dāng)含有上面所列的非離子表面活性劑或上面所里的陰離子表面活性劑的拋光組合物用于拋光磁盤基片的表面時(shí)，基片表面的平面度被提高，因?yàn)榛耐庵懿糠值谋砻嫦陆当灰种啤?br> 通式2 在通式2中，R代表烷基，l和m均代表一個(gè)整數(shù)。
通式3 在通式3中，n、o和p均代表一個(gè)整數(shù)。
通式4
在通式4中，n、o和p均代表一個(gè)整數(shù)。
通式5 在通式54中，X代表從具有活性氧原子和環(huán)氧烷化合物衍生出來(lái)的聚醚多醇的殘基(但是，聚醚鏈含有20-90％重量的氧乙烯基)，t代表2和8之間的整數(shù)，包括2和8(＝上述聚醚多醇的一個(gè)分子中的羥基數(shù))，Y代表二價(jià)烴基，Z代表具有活性氧原子的單價(jià)化合物的殘基，u代表3或更大的整數(shù)。
拋光組合物可以在使用前通過(guò)用水即時(shí)稀釋原液來(lái)制備。
磁盤基片的拋光可以一個(gè)拋光步驟來(lái)進(jìn)行。在這種情況下，拋光組合物可用在這一個(gè)拋光步驟中。
拋光組合物可用在除第一拋光步驟外的拋光步驟中。例如，拋光組合物可用在最后拋光步驟中。
拋光組合物可用于拋光除磁盤基片外的物體。除磁盤基片外的物體可以是含有鎢、銅、硅、玻璃、或陶瓷的物體。更具體地，該物體可以是半導(dǎo)體晶片和光學(xué)鏡片。
現(xiàn)在將結(jié)合參考實(shí)施例和比較例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
在實(shí)施例1-30中，通過(guò)混合氧化鋁顆粒、熱解法氧化鋁、拋光加速劑和水，以及必要時(shí)加入的氧化鋁溶膠來(lái)制備原液。在比較實(shí)施例1-44中，原液含有選自氧化鋁顆粒、熱解法氧化鋁、拋光加速劑中的至少兩種組分。各原液的具體組合物示于表1中。
在實(shí)施例3，實(shí)施例24和比較實(shí)施例7中，原液中的氧化鋁顆粒是具有97％的α-轉(zhuǎn)化率的氧化鋁粒子。在實(shí)施例22-26和比較實(shí)施例2、3、22、23、27和28中，原液中的氧化鋁顆粒通過(guò)加入10％重量的水軟鋁石到酸性水溶液(pH3)中，然后用均勻混合器于膠態(tài)中分散溶液來(lái)制備。
拋光組合物通過(guò)用三倍體積的水稀釋各種原液來(lái)制備。使用各種拋光組合物，磁盤基片的表面在下列條件下被拋光。
<拋光條件>
被拋光的基片直徑3.5英寸的無(wú)電鍍Ni-P基片拋光機(jī)單面拋光機(jī)(Udagawa Optical Machine Co.，Ltd.制造，固定基面直徑300mm)。
拋光機(jī)單面拋光機(jī)(Udagawa Optical Machine Co.，Ltd.制造，固定基面直徑300mm)。
拋光墊聚氨酯襯墊(CR200，Kanebo公司制造)拋光負(fù)荷100g/cm2下部固定基面的轉(zhuǎn)數(shù)100轉(zhuǎn)/分鐘拋光組合物的供應(yīng)量8毫升/分鐘拋光時(shí)間足夠長(zhǎng)的時(shí)間，以便能去除1μm的加工余量(預(yù)先通過(guò)初步試驗(yàn)測(cè)量)對(duì)于在上述條件下進(jìn)行的拋光過(guò)程，拋光速度根據(jù)下面的等式計(jì)算。將計(jì)算得到的拋光速度除以比較實(shí)施例6中的拋光速度，可以發(fā)現(xiàn)拋光速度對(duì)比較實(shí)施例6中的拋光速度的比。表1中標(biāo)題為“拋光速率”的欄表示拋光速度對(duì)比較實(shí)施例6中的拋光速度的比。
<方程式>
拋光速率[μm/min]＝基片因拋光的減少量[g]÷(被拋光基片表面的面積[cm2]×Ni-P鍍層的密度[g/cm3]×拋光時(shí)間[min])×104。
用非接觸表面粗糙度測(cè)量?jī)x(PhaseShift制造的Micro XAM，物鏡10×；過(guò)濾片高斯帶通(Gaussian Bandpass)；在80-450μm測(cè)得的Ra值)在拋光后的基片表面上測(cè)量微小波紋的尺寸。在一個(gè)基片的兩處的每個(gè)前、后表面進(jìn)行測(cè)量，把四個(gè)測(cè)量值的平均Ra值當(dāng)作微小波紋的尺寸。將這樣測(cè)得的微小波紋的尺寸除以比較實(shí)施例6中的微小波紋尺寸，可以得到該微小波紋的尺寸對(duì)比較實(shí)施例6中的微小波紋尺寸的比。表1中標(biāo)題為“微小波紋”的欄表示該微小波紋的尺寸對(duì)比較實(shí)施例6中的微小波紋尺寸的比。標(biāo)題為“微小波紋”的欄中的連字符(“-”)表示由于表面缺陷不能測(cè)量微小波紋的尺寸。
表1


表1(續(xù))


表1(續(xù))


表1(續(xù))


順便地，在表1中，氧化鋁顆粒的粒徑顯示為平均粒徑，它使用激光衍射和散射型顆粒尺寸測(cè)量?jī)x(Coulter制造的LS-230)測(cè)量，且熱解法氧化鋁的顆粒粒徑顯示為初級(jí)顆粒平均粒徑，它從用BET法測(cè)得的比表面積測(cè)定。
如表1中所示，實(shí)施例1-30在拋光速度和微小波紋的任一方面的結(jié)果都是好的。此外，實(shí)施例22-26由于氧化鋁溶膠的存在，在微小波紋方面的結(jié)果尤其好。相反，比較實(shí)施例1-44在拋光速度和微小波紋中的至少一個(gè)結(jié)果是不好的。
本實(shí)施例和實(shí)施方式應(yīng)視為示例性的，而非限制性的，本發(fā)明不受到這里所給出的細(xì)節(jié)的限制，但是可以在所附權(quán)利要求
書的范圍或其等效物內(nèi)修改。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，其特征在于，包括含有α-氧化鋁作為主要組分的氧化鋁顆粒；熱解法氧化鋁；含有選自有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸、和這些酸的鹽中的至少一種組分的拋光加速劑；以及水。
2.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化鋁顆粒的平均粒徑不超過(guò)2.0μm。
3.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中氧化鋁顆粒的含量為0.01％-40％重量，包括0.01％重量和40％重量。
4.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，在組成氧化鋁顆粒的晶形中α-轉(zhuǎn)化率不低于50％。
5.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述熱解法氧化鋁的初級(jí)顆粒平均粒徑為0.005-0.5μm，包括0.005μm和0.5μm。
6.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量不大于50％重量。
7.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光加速劑含有選自檸檬酸、馬來(lái)酸、馬來(lái)酐、蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、丁烯酸、尼克酸、醋酸、硫代蘋果酸、蟻酸、草酸、羧乙基硫代琥珀酸、硝酸鋁和硝酸鐵中的至少一種組分。
8.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光加速劑含有選自檸檬酸、馬來(lái)酸、乙醇酸、琥珀酸、衣康酸、亞氨基二乙酸和羧乙基硫代琥珀酸中的至少一種組分。
9.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中拋光加速劑的含量為0.01％-10％重量，包括0.01％重量和10％重量。
10.如權(quán)利要求
1所述的拋光組合物，其特征在于，包括氧化鋁溶膠。
11.如權(quán)利要求
10所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化鋁溶膠含有選自以膠態(tài)分散在酸性水溶液中的水合氧化鋁和氫氧化鋁中的至少一種組分。
12.如權(quán)利要求
11所述的拋光組合物，其特征在于，所述水合氧化鋁為水軟鋁石或假水軟鋁石。
13.如權(quán)利要求
1-12中任一項(xiàng)所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物用于拋光磁盤基片。
14.一種拋光磁盤基片的方法，其特征在于，制備如權(quán)利要求
1-12中任一項(xiàng)所述的拋光組合物；用該拋光組合物拋光基片的表面。
專利摘要
本發(fā)明設(shè)計(jì)一種適合用于拋光磁盤基片的拋光組合物。該拋光組合物包括含有α－氧化鋁作為主要組分的氧化鋁顆粒、熱解法氧化鋁、含有選自有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸和這些酸的鹽中的至少一種組分的拋光加速劑以及水。
文檔編號(hào)C09K13/04GKCN1550532SQ200410043512
公開日2004年12月1日 申請(qǐng)日期2004年5月9日
發(fā)明者宇野貴規(guī), 保, 杉山博保, 大脅壽樹, 樹 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan