專利名稱：：拋光劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種拋光劑組合物，所述的拋光劑組合物可用于對(duì)半導(dǎo)體、光掩模、各種用于存儲(chǔ)硬盤的基片、各種合成樹脂制的工業(yè)產(chǎn)品以及其部件進(jìn)行拋光；具體說來，本發(fā)明涉及一種適用于對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)中的電路晶片表面進(jìn)行平整拋光的拋光劑組合物；更具體說來，本發(fā)明涉及一種效率很高，可以在拋光作為層間介電層的二氧化硅過程中形成質(zhì)量優(yōu)良的拋光表面拋光劑組合物，迄今為止是一種化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(以下詳述)用于上述用途的；本發(fā)明具體涉及一種拋光劑組合物，它在循環(huán)使用時(shí)拋光二氧化硅薄膜的速率減少得較慢，所述的拋光劑組合物的拋光穩(wěn)定性很好。近年來，包括計(jì)算機(jī)在內(nèi)的所謂高技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展令人注目。而對(duì)應(yīng)用于大規(guī)模積成電路等部件來說，在高密度及高速度方面，每年都有不斷的發(fā)展。因此，在半導(dǎo)體電路元件(晶片)的設(shè)計(jì)圖案上，都要求著線路的細(xì)化，這樣，用于元件制造過程中的焦深就日益變淺，而形成圖案表面的平整度要求也變得日益苛刻。另外，為克服因減小線路細(xì)度而導(dǎo)至的接線電阻增加，人們將元件層疊起來，以減短線路的長度，但是，由于會(huì)對(duì)元件層疊形成障礙，所形成的圖案表面上面的陡高就成了問題。因此，為進(jìn)行這種線路的細(xì)化并將元件層疊，須對(duì)元件表面進(jìn)行平整化研磨去除這些陡高。對(duì)平整化來說，人們對(duì)此使用了玻璃上旋轉(zhuǎn)、蝕刻阻擋襯里(resistetchback)或其它的平整化方法。然而，在使用通常的平整化方法時(shí)，很難獲得球狀平整化(完全平整化)，而這是制造先進(jìn)的元件所要求的，盡管部分的平整化是可能的。因此，有人研究了一種化學(xué)機(jī)械拋光方法(以下簡稱為“CMP”)用于平整化，它是機(jī)械拋光即物理拋光與化學(xué)拋光的結(jié)合。不僅對(duì)于CMP，在半導(dǎo)體晶片的各種類型拋光中，對(duì)拋光劑組合物中含有金屬污染物特別是鈉的夾雜物應(yīng)該加以注意。這是因?yàn)槿绻辉趻伖夤に囍蟮那逑催^程中完全除去這些金屬污染物，則半導(dǎo)體的電性能將會(huì)改變。因此，要求拋光劑組合物是高純的，因此必然要求其原料也是高純的。由于上述的技術(shù)原因，氣相二氧化硅常被用作半導(dǎo)體晶片研磨用的磨粒料。在用作磨粒的二氧化硅中，氣相二氧化硅的特征在于，易于獲得高純的二氧化硅，而且其研磨二氧化硅薄膜的拋光速率大于其它二氧化硅，例如，大于膠態(tài)二氧化硅。因此，在通常的CMP方法中，一般是使用將氫氧化鉀、氨及其它物質(zhì)添加于由氣相二氧化硅及水構(gòu)成的基料制成的拋光劑組合物。然而，問題是，CMP方法的成本很高。其原因是，CMP過程比較復(fù)雜；需要投資較大的設(shè)備；用于CMP方法中的消耗品，如拋光劑組合物等的價(jià)格昂貴，等等。同樣，就上述含有氣相二氧化硅的拋光劑組合物而言，氣相二氧化硅也相當(dāng)昂貴，由此，人們?cè)诟鱾€(gè)方面在研究開發(fā)一種可降低成本的拋光劑組合物。作為上述研究之一，有人提出將用于CMP的拋光劑組合物循環(huán)使用的方法。但是，所述拋光劑組合物循環(huán)使用時(shí)，其問題是對(duì)例如二氧化硅薄膜的表面進(jìn)行拋光時(shí)，拋光劑組合物的拋光速率因重復(fù)使用而逐漸降低，導(dǎo)致其拋光過程不穩(wěn)定。為解決這個(gè)問題，本發(fā)明者進(jìn)行了廣泛的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)對(duì)含有氣相二氧化硅和水的拋光劑組合物添加一種堿性鉀化合物，可使其電導(dǎo)率達(dá)到100-5,500μs/cm；而添加一種含氮堿性化合物時(shí)，可使其電導(dǎo)率達(dá)到100-1,500μs/cm；而這類拋光劑組合物循環(huán)使用時(shí)，其對(duì)如二氧化硅薄膜表面的拋光速率的降低可被克服，結(jié)果其拋光過程可以穩(wěn)定。本發(fā)明者還發(fā)現(xiàn)使含有膠態(tài)二氧化硅和水的拋光劑組合物的電導(dǎo)率達(dá)到30-5,00μs/cm；或者對(duì)所述拋光劑組合物再添加一種含氮化合物使其電導(dǎo)率達(dá)到30-1,500μs/cm；則循環(huán)使用所述拋光劑組合物，可以獲得如同上述一樣的效果。上述含有氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅的通常拋光劑組合物還含有大量可能用于增加其拋光速率的化合物。因此其電導(dǎo)率大于本發(fā)明拋光劑組合物的電導(dǎo)率。而令人吃驚的是，本發(fā)明具有某一特定電導(dǎo)率的拋光劑組合物并不會(huì)顯著降低其拋光速率，即使是循環(huán)使用時(shí)，其拋光速率的降低也很小。本發(fā)明意在提供一種拋光劑組合物，它的特征在于它是高純的，其對(duì)二氧化硅薄膜的拋光速率很高；可以獲得質(zhì)量優(yōu)良的拋光表面；其它的基本拋光特性不受影響，而這些特性對(duì)用于CMP方法的拋光劑來說是所希望的。本發(fā)明特別意在提供一種循環(huán)使用的拋光劑組合物，即使在反復(fù)使用時(shí)，其對(duì)表面的拋光速率降低是很小的，使得所述拋光過程能夠穩(wěn)定。本發(fā)明拋光劑組合物的第一種為含有氣相二氧化硅、一種堿性鉀化合物及水的拋光劑組合物，其電導(dǎo)率為100-5,500μs/cm。本發(fā)明拋光劑組合物的第二種為含有氣相二氧化硅、一種含氮堿性化合物及水的拋光劑組合物，其電導(dǎo)率為100-1,500μs/cm。本發(fā)明的拋光劑組合物的第三種為含有膠態(tài)二氧化硅及水的拋光劑組合物，其電導(dǎo)率為30-5,000μs/cm。本發(fā)明拋光劑組合物的第四種為含有膠態(tài)二氧化硅、一種含氮堿性化合物及水的拋光劑組合物，其電導(dǎo)率為30-1,500μs/cm。本發(fā)明的拋光劑組合物具有對(duì)拋光表面很高的拋光速率。而且，本發(fā)明拋光劑組合物在循環(huán)使用時(shí)，其對(duì)表面拋光速率的降低小于電導(dǎo)率高的通常拋光劑組合物的拋光速率的降低，結(jié)果其拋光過程很穩(wěn)定。氣相二氧化硅/膠態(tài)二氧化硅本發(fā)明的拋光劑組合物含有氣相二氧化硅(fumedsilica)或膠態(tài)二氧化硅(colloidalsilica)作為其主要磨粒。本發(fā)明的氣相二氧化硅是在一定高溫下(包括燃燒)將一種前體材料進(jìn)行熱解生成的二氧化硅，該前體材料例如鹵化物特別是氯化物。例如，在空氣中燃燒四氯化硅和氫，可制得氣相二氧化硅。其反應(yīng)式如下這種氣相二氧化硅的粒子通常具有二次粒子的形狀，該二次粒子子具有由數(shù)個(gè)或數(shù)十個(gè)細(xì)微初級(jí)粒子聚集而成的鏈狀結(jié)構(gòu)。這些氣相二氧化硅在市場上可以購得。例如，可從日本Aerosil公司購得的商品名為Aerosil的產(chǎn)品。另一方面，用于本發(fā)明的膠態(tài)二氧化硅為水膠態(tài)二氧化硅或其凝膠，它包括所有的非晶態(tài)二氧化硅在液體中的穩(wěn)定分散液。作為這種膠態(tài)二氧化硅的制造方法，有濕法、硅膠膠溶法、離子交換方法、有機(jī)硅化合物水解法等。然而，制造本發(fā)明用的膠態(tài)二氧化硅的方法可以不受限制，只要本發(fā)明的效果不受影響。理想的是，用于本發(fā)明的膠態(tài)二氧化硅含有的金屬要盡量少?？梢酝ㄟ^其制造方法或離子交換處理進(jìn)行純化等來降低金屬含量。用于本發(fā)明的氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅是通過一種機(jī)械作用作為磨粒對(duì)表面進(jìn)行拋光的。由BET方法測(cè)得的比表面積計(jì)算出的氣相二氧化硅球形粒子的平均粒徑通常是5-80nm，最好是10-65nm。由BET方法測(cè)得的比表面積計(jì)算出的膠態(tài)二氧化硅球形粒子的平均粒徑通常是5-200nm，最好是10-50nm。如果氣相二氧化硅的平均粒徑超過80nm，或者如果膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑超過200nm，則拋光表面有時(shí)會(huì)粗糙乃至產(chǎn)生劃痕。另一方面，如果氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑小于5nm，則拋光速率顯著降低，這是無法使用的。用于本發(fā)明的氣相二氧化硅含量通常占拋光劑組合物總量的0.1-50％(重量)，最好占1-25％(重量)。用于本發(fā)明的膠態(tài)二氧化硅的含量通常占拋光劑組合物總量的0.05-50％(重量)，最好占0.1-30％(重量)。如果氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅的含量過少，則拋光速率太低而無法使用。而若含量過大，分散液不能保持均勻，組合物的粘度也太大，以致有時(shí)難以使用。水用于本發(fā)明中的水可以是工業(yè)水、城市水、離子交換水、蒸餾水、純水、超純水等，并無特別限制，只要所用的水不會(huì)影響本發(fā)明的效果即可。本發(fā)明拋光組合物中水的含量通常占包括氣相二氧化硅、堿性鉀化合物和水的拋光劑組合物總量的49.5-99.89％(重量)，最好占74.6-98.9％(重量)。對(duì)于包括膠態(tài)二氧化硅和水的本發(fā)明拋光劑組合物，水的含量通常占總量的48.5-99.95％(重量)。對(duì)于包括膠態(tài)二氧化硅、含氮堿性化合物和水的本發(fā)明拋光劑組合物，水的含量占總量的45-99.94％(重量)，最好占65-99.89％(重量)。堿性鉀化合物/含氮堿性化合物用于本發(fā)明拋光劑組合物的堿性鉀化合物或含氮堿性化合物是通過化學(xué)反應(yīng)加速其對(duì)表面進(jìn)行拋光過程的。所述的堿性鉀化合物或含氮堿性化合物也起著用于作為主要磨粒的氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅的分散劑的作用。與氣相二氧化硅同時(shí)使用，或視需要與膠態(tài)二氧化硅同時(shí)使用的用于本發(fā)明的堿性鉀化合物，只要不影響本發(fā)明的效果，可以使用任何一種堿性鉀化合物。一種理想的堿性鉀化合物為氫氧化物、磷酸鹽、焦磷酸鹽、亞磷酸鹽、碳酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽、次氯酸鹽、次溴酸鹽、或者羧酸鹽如葡糖酸鹽、乳酸鹽、檸檬酸鹽、酒石酸鹽、馬來酸鹽、甘醇酸酯、丙二酸鹽、甲酸鹽或草酸鹽，優(yōu)選的是用一種弱酸的鹽。拋光劑組合物中的堿性鉀化合物的含量，在與氣相二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，通常占拋光劑組合物總量的0.01-0.5％(重量)，最好占0.1-0.4％(重量)。當(dāng)與膠態(tài)二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，堿性鉀化合物的含量最好至多占拋光劑組合物總量的1.5％(重量)。用于本發(fā)明的含氮堿性化合物，當(dāng)氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，可以是銨化合物、胺化合物等，只要不影響本發(fā)明的效果，可以使用任何一種含氮堿性化合物。氨為一種典型的化合物。具體說來，如與氣相二氧化硅同時(shí)使用，宜用的含氮堿性化合物有氫氧化銨、硅酸銨、磷酸銨、碳酸銨、硼酸銨、次氯酸銨、次溴酸化銨或某一種胺化合物，宜用弱酸的銨鹽。如與膠態(tài)二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，宜用的含氮堿性化合物有氫氧化銨、磷酸銨、碳酸銨、硅酸銨、硼酸銨、次氯酸銨、次溴酸銨、羧酸銨如葡糖酸銨、丙二酸銨、甲酸銨或草酸銨，宜用弱酸的銨鹽。拋光劑組合物中含氮堿性化合物的含量，在與氣相二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，通常占拋光劑組合物總量的0.01-1％(重量)，最好是0.1-0.5％(重量)。當(dāng)與膠態(tài)二氧化硅同時(shí)使用時(shí)，拋光劑組合物中含氮堿性化合物的含量最好占拋光劑組合物總量的0.01-5％(重量)。如果含氮堿性化合物的含量過少，則拋光速率太低。另一方面，如果含量過大，則在循環(huán)使用時(shí)，對(duì)二氧化硅薄膜的初始拋光速率常較大，但循環(huán)使用時(shí)，拋光速率顯著降低。拋光劑組合物本發(fā)明的拋光劑組合物的制備，通常是以預(yù)定的量將上述組份、即氣相二氧化硅及堿性鉀化合物或含氮的堿性化合物，或者膠態(tài)二氧化硅和需要時(shí)用的堿性鉀化合物或含氮堿性化合物混入水中加以分散或溶解。上述組份及需要時(shí)添加的各種添加劑(以下將詳述)的分散或溶解的順序并無特別的限制。例如，可以先在水中分散氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅，然后將堿性鉀化合物或含氮堿性化合物溶解于其中；或者先將堿性鉀化合物或含氮堿性化合物溶于水中成為水溶液，再將氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅分散于其中。另外，也可將氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅以及堿性鉀化合物或含氮堿性化合物同時(shí)混合于水中，同時(shí)使其分散和/或溶解。本發(fā)明的拋光劑組合物含有堿性鉀化合物或含氮堿性化合物，但是，該堿性鉀化合物或含氮堿性化合物也可在拋光劑組合物中取得。即可以同時(shí)使用如氯化鉀或硝酸鉀那樣的中性或酸性的鉀鹽或者如氯化銨或硝酸銨那樣的中性或酸性的含氮鹽，以及如氫氧化鈉那樣的堿性化合物，以獲得如同將堿性鉀化合物或含氮堿性化合物添加到拋光劑組合物那樣的狀態(tài)。然而，在這種方法中，如下所述，電導(dǎo)率會(huì)變得過大；或者因存在過多的離子而產(chǎn)生純度差的問題。因此通常是直接使用堿性鉀化合物或含氮堿性化合物?？梢赃x用不同的分散或溶解方法。例如，可用攪拌器攪拌或超聲波分散進(jìn)行分散或溶解。另外，在制備本發(fā)明拋光劑組合物時(shí)，可以加入各種已知的添加劑，根據(jù)待為的是保持即穩(wěn)定拋光產(chǎn)品的質(zhì)量、或者是按照所需拋光處理的制品類型，處理?xiàng)l件以及其它拋光要求而定。上述另可加入的添加劑的適用例子包括(a)如將氣相二氧化硅用作磨粒，則可加入氣相二氧化硅以外的二氧化硅，如膠態(tài)二氧化硅和沉淀的二氧化硅；如將膠態(tài)二氧化硅用作磨粒，則可添加膠態(tài)二氧化硅以外的二氧化硅，如氣相二氧化硅及沉淀二氧化硅；(b)纖維素類，如纖維素、羧甲基纖維素及羥乙基纖維素等；(c)水溶性醇，如乙醇、丙醇及乙二醇；(d)表面活性劑，如烷基苯磺酸鈉及甲醛與萘磺酸的縮合物；(e)有機(jī)聚陰離子物質(zhì)，如木素磺酸鹽和聚丙烯酸酯；(f)無機(jī)鹽，如硫酸銨、氯化鎂、乙酸鉀及硝酸鋁；(g)水溶性聚合物(乳化劑)，如聚乙烯醇；(h)鋁的氧化物，如鋁溶膠和氣相氧化鋁；(i)鋯的氧化物，如氣相二氧化鋯；(j)鈦的氧化物，如氣相二氧化鈦等等。本發(fā)明的拋光劑組合物按照下述的方法制備。在含有氣相二氧化硅、堿性鉀化合物及水時(shí)，其電導(dǎo)率為100-5,500μs/cm，較好的是500-4,000μs/cm。在含有氣相二氧化硅、含氮堿性化合物及水時(shí)，其電導(dǎo)率為100-1,500μs/cm，較好的是300-1,200μs/cm。在含有膠態(tài)二氧化硅及水時(shí)，其電導(dǎo)率為30-5,000μs/cm，較好的是500-4,000μs/cm。在含有膠態(tài)二氧化硅、含氮堿性化合物及水時(shí)，其電導(dǎo)率為30-1,500μs/cm，較好的是50-1,200μs/cm。如果在使用氣相二氧化硅作為磨粒，拋光劑組合物的電導(dǎo)率小于100μs/cm或者使用膠態(tài)二氧化硅作為磨粒，拋光劑組合物的電導(dǎo)率小于30μs/cm時(shí)，則很難充分地分散氣相二氧化硅。另一方面，對(duì)于含有氣相二氧化硅、堿性鉀化合物及水的組合物，當(dāng)電導(dǎo)率超過5,500μs/cm，或者對(duì)于含有膠態(tài)二氧化硅及水的組合物，當(dāng)電導(dǎo)率超過5,000μs/cm，或者對(duì)于含有氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅、含氮堿性化合物及水的組合物，當(dāng)電導(dǎo)率超過1,500μs/cm，則在循環(huán)重復(fù)使用拋光劑組合物時(shí)，拋光速率會(huì)顯著下降。本發(fā)明拋光劑組合物的pH通常在7以上，因此它是穩(wěn)定地含有堿性化合物的。本發(fā)明的拋光劑組合物可以制成濃度較高的儲(chǔ)備溶液，可以存儲(chǔ)或輸送，而在實(shí)際的拋光使用時(shí)則稀釋使用。前述濃縮液優(yōu)選的濃度范圍是指實(shí)際用于拋光處理時(shí)的范圍。因此，如果所述的組合物以儲(chǔ)備溶液的形式存放或輸送，它應(yīng)制成較高的濃度。如上所述的本發(fā)明拋光劑組合物是高純的，因此用它可以獲得質(zhì)量優(yōu)良的拋光表面。所以它可用來對(duì)半導(dǎo)體晶片、光掩模、各種用于存儲(chǔ)硬盤的基片、合成樹脂等進(jìn)行拋光。在循環(huán)使用本發(fā)明拋光劑組合物時(shí)，雖重復(fù)使用，可以克服對(duì)二氧化硅薄膜拋光速率降低的缺點(diǎn)，具有優(yōu)異的拋光加工穩(wěn)定性。因此本發(fā)明的拋光劑組合物適用于半導(dǎo)體工業(yè)中電路晶片的CMP加工。下面，將參照實(shí)施例，更詳細(xì)地說明本發(fā)明的拋光劑組合物。但是，應(yīng)該理解，本發(fā)明并不受下述實(shí)施例具體情況的限制。拋光劑組合物的制備首先，用一攪拌器將氣相二氧化硅(商品名Aerosil50，其初級(jí)粒子的平均粒徑為55nm，由日本aerosil公司制造)作為磨粒分散于水中，獲得磨粒濃度為12％(重量)的漿料。然后，再將膠態(tài)二氧化硅(初級(jí)粒子平均顆徑為0.035μm，)同樣分散于水中獲得磨粒濃度為20％(重量)的漿料。接著，按表1所述的量，將一種堿性鉀化合物或含氮堿性化合物分別加入這兩種漿料中，混合，獲得實(shí)施例1-12及比較例1-11的試樣。對(duì)實(shí)施例9的試樣未加入堿性鉀化合物。電導(dǎo)率的測(cè)試制得所述組合物后，對(duì)實(shí)施例1-12及比較例1-11的試樣，分別在同樣的條件下測(cè)得其電導(dǎo)率。結(jié)果示于表1。拋光試驗(yàn)然后對(duì)實(shí)施例1-12及比較例1-11的試樣進(jìn)行拋光測(cè)驗(yàn)。作為被拋光的物件，使用了具有由熱氧化方法形成的二氧化硅薄膜的6英寸硅晶片(外徑約150nm)。對(duì)其二氧化硅薄膜表面進(jìn)行拋光。拋光劑組合物的拋光及循環(huán)使用按以下述方法進(jìn)行首先，將以覆有二氧化硅薄膜的晶片裝在拋光機(jī)上，在下述條件下拋光3分鐘然后，從拋光機(jī)上取下晶片，用一修整材料和純水清洗拋光盤1分鐘。拋光用過的拋光劑組合物收集下來，相繼用兩個(gè)各具有10μm網(wǎng)眼直徑和5μm網(wǎng)眼直徑開孔的過濾器進(jìn)行過濾，再用于以后的拋光處理。上述一系列的操作作為一組，重復(fù)進(jìn)行了6組這樣的操作。拋光條件拋光機(jī)單面拋光機(jī)(拋光座直徑570mm)拋光機(jī)的拋光臺(tái)層疊聚氨酯(IC-1000/Suba400Rodel公司(USA)制造)制成的拋光盤拋光壓力490/cm2拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度35rpm拋光劑組合物的喂入速率150cc/分對(duì)晶片拋光后，清洗和烘干，分別對(duì)60個(gè)試樣測(cè)得各個(gè)晶片用拋光而產(chǎn)生的薄膜厚度減少，獲得拋光速率。將第一組的拋光速率去除第六組的拋光速率，獲得二氧化硅薄膜的拋光速率的降低比例。結(jié)果示于表1。表1表1(續(xù))</tables>從表1結(jié)果可見，本發(fā)明的拋光劑組合物，其拋光速率并不比電導(dǎo)率高的通常拋光劑組合物低多少。而在循環(huán)使用時(shí)，其拋光速率的降低卻較小，因此可獲得穩(wěn)定的拋光速率。而且，使用于這些試驗(yàn)的晶片拋光后無一顯示如劃痕之類的表面缺陷。在拋光表面的狀態(tài)上也沒有產(chǎn)生什么問題。如上所述，本發(fā)明的拋光劑組合物，其拋光速率即使在循環(huán)重復(fù)使用時(shí)也降低很少，它穩(wěn)定地保持初始階段的高拋光速率，使拋光加工穩(wěn)定。權(quán)利要求1.一種拋光劑組合物，包含氣相二氧化硅、堿性鉀化合物及水，其電導(dǎo)率為100-5,500μs/cm。2.如權(quán)利要求1所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的堿性鉀化合物選自氫氧化物、磷酸鹽、焦磷酸鹽、亞磷酸鹽、碳酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽、次氯酸鹽、次溴酸鹽或羧酸鹽。3.如權(quán)利要求1或2所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的堿性鉀化合物含量為基于拋光劑組合物總量的0.01-0.5％(重量)。4.一種拋光劑組合物，包含氣相二氧化硅、含氮堿性化合物及水，其電導(dǎo)率為100-1,500μs/cm。5.如權(quán)利要求4所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的含氮堿性化合物選自氫氧化銨、硅酸銨、磷酸銨、碳酸銨、硼酸銨、次氯酸銨、次溴酸銨或胺化合物。6.如權(quán)利要求4或5所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的含氮堿性化合物含量為基于拋光劑組合物總量的0.01-1％(重量)。7.如權(quán)利要求1-6之任一項(xiàng)所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的氣相二氧化硅具有5-80nm的初級(jí)粒子子平均粒徑。8.一種拋光劑組合物，所述拋光劑組合物包括膠態(tài)二氧化硅及水，其電導(dǎo)率為30-5,000μs/cm。9.如權(quán)利要求8所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述拋光劑組合物進(jìn)一步包括堿性鉀化合物。10.如權(quán)利要求9所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的堿性鉀化合物選自氫氧化物、磷酸鹽、焦磷酸鹽、亞磷酸鹽、碳酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽、次氯酸、次溴酸鹽或羧酸鹽。11.如權(quán)利要求9或10所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的堿性鉀化合物的最大含量為基于拋光劑組合物總量的1.5％(重量)。12.一種拋光劑組合物，包含膠態(tài)二氧化硅、含氮堿性化合物及水，其電導(dǎo)率為30-1,500μs/cm。13.如權(quán)利要求12所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的含氮堿性化合物選自氫氧化銨、硅酸銨、磷酸銨、碳酸銨、硼酸銨、次氯酸銨、次溴酸銨或胺化合物。14.如權(quán)利要求12或13所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的含氮堿性化合物含量為基于拋光劑組合物總量的0.01-0.5％(重量)。15.如權(quán)利要求8-14之任一項(xiàng)所述的拋光劑組合物，其特征在于，所述的膠態(tài)二氧化硅具有5-200nm的初級(jí)粒子平均粒徑。16.一種權(quán)利要求1、4、8或12所述的拋光劑組合物的用途，其特征在于，該用途是用于二氧化硅薄膜的拋光。17.一種二氧化硅薄膜的拋光方法，其特征在于，是使用權(quán)利要求1、4、8或12所限定的拋光組合物對(duì)二氧化硅薄膜進(jìn)行拋光。全文摘要一種拋光劑組合物,它包含氣相二氧化硅、堿性鉀化合物及水,其電導(dǎo)率為100—5,500μs/cm。文檔編號(hào)C09G1/00GK1185471SQ9712603公開日1998年6月24日申請(qǐng)日期1997年12月5日優(yōu)先權(quán)日1996年12月5日發(fā)明者三蒲司朗,河村篤紀(jì),玉井一誠申請(qǐng)人:不二見株式會(huì)社