專利名稱：：拋光組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可用于拋光半導(dǎo)體，光掩模和諸如合成樹脂或其部件的各種工業(yè)產(chǎn)品的拋光組合物。本發(fā)明特別地涉及適用于半導(dǎo)體工業(yè)中設(shè)備片的表面的平面化拋光的拋光組合物。本發(fā)明更特別地涉及這樣一種拋光組合物，它能提供高拋光率并能在拋光用作線路材料的金屬，尤其是鋁、銅或鎢膜中形成優(yōu)異的拋光表面，迄今為止在這些金屬上采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，同時(shí)本發(fā)明的拋光組合物適用于高級(jí)集成電路的制造。近年來(lái)，在包括計(jì)算機(jī)在內(nèi)的所謂高技術(shù)產(chǎn)品上的發(fā)展是顯著的，至于將諸如ULSI等部件用于這些產(chǎn)品，已逐年在高密度高速度方面有不斷的發(fā)展。因此，在半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)計(jì)規(guī)程中，已逐年發(fā)展了線路的短縮化，使得對(duì)制造設(shè)備過(guò)程的焦點(diǎn)深度變淺，而對(duì)形成圖案表面的平面性的要求變得嚴(yán)格。而且，為了解決由于線路短縮而引起的線路阻力的增加，對(duì)設(shè)備進(jìn)行堆積以縮短線路長(zhǎng)度，但是形成圖案表面的階梯高度(stepheight)成了阻礙堆積的問題。因此，為了進(jìn)行這種短縮和堆積，必須對(duì)所需表面進(jìn)行平面化以消除過(guò)程中的階梯高度。至于平面化，迄今為止使用在玻璃上旋壓，抗腐蝕背襯(resistetchback)或其它平面化方法。然而，由這些常規(guī)方法難以達(dá)到高級(jí)設(shè)備所需的整體平面化(完全平面化)，盡管部分平面化是可能的。因此，現(xiàn)在已研究了用于平面化的化學(xué)機(jī)械拋光(以下簡(jiǎn)稱為“CMP”)，它是機(jī)械或物理拋光與化學(xué)拋光的結(jié)合。另一方面，正在研究將CMP技術(shù)施用于如線路材料(例如鋁、銅或鎢膜)，聚硅膜或內(nèi)層電介質(zhì)(例如二氧化硅膜)的平面化，以將各組件分離，和施用于其它應(yīng)用。線路材料進(jìn)行平面化的技術(shù)目的是通過(guò)拋光平面化的表面，在沒有過(guò)分或沒有不充分的切削下均勻地拋光，并以預(yù)定的切削量完成拋光。一般來(lái)講，通常在待拋光的金屬膜下面提供一層二氧化硅膜，使得在拋光過(guò)程中該二氧化硅膜作為抑制劑(stopper)。應(yīng)該容易明白的是作為在此待使用的拋光劑，較好使用能有效地拋光金屬膜，而另一方面不能拋光二氧化硅膜的拋光劑。一般來(lái)講，作為在二氧化硅膜上線路材料金屬膜的拋光敏感度的一個(gè)指數(shù)，使用拋光選擇性(以下稱為“選擇性”)，它是用拋光劑拋光金屬膜時(shí)的速度與用同樣的拋光劑拋光二氧化硅膜時(shí)的速度之比。該選擇性是用拋光劑拋光金屬膜時(shí)的速度除以拋光二氧化硅膜時(shí)的相應(yīng)速度獲得的。從該選擇性的定義可以顯而易見，即使用拋光組合物拋光二氧化硅膜的速度是恒定的，選擇性也隨拋光金屬膜的速度提高而提高。同樣地，即使拋光金屬膜的速度是恒定的，選擇性也隨拋光二氧化硅膜的速度降低而提高。不用說(shuō)，拋光二氧化硅膜的速度接近0，而拋光金屬膜的速度盡可能高的拋光劑是希望的。因此，即使拋光金屬膜的速度高，拋光二氧化硅膜的速度也高的情況則是不合意的，不管選擇性有多高。由于二氧化硅膜可被期望成為抑制劑阻止拋光，高選擇性并且拋光二氧化硅膜的速度接近0的情況在實(shí)踐中是有用的，即使拋光金屬膜的速度相當(dāng)?shù)汀Ｔ僬?，若該選擇性太高，則表面凹陷的問題極有可能發(fā)生。表面凹陷意味著與整塊片表面相比，當(dāng)如拋光在其表面覆有金屬線路的片時(shí)，由于拋光，金屬線路部分的表面會(huì)過(guò)分拋光或腐蝕，從而在金屬線路部分形成凹陷。這種表面凹陷會(huì)降低金屬線路部分的橫截面，這樣就趨向提高電阻或引起線路斷裂。在此，腐蝕意味著金屬膜部分被拋光組合物化學(xué)腐蝕。本發(fā)明的發(fā)明人先前曾提出過(guò)一種包含過(guò)硫酸銨，二氧化硅和水的拋光組合物作為拋光組合物，在拋光作為線路材料的金屬膜中，該組合物提供高的金屬膜拋光速度并產(chǎn)生具有優(yōu)異拋光表面的拋光產(chǎn)物，同時(shí)該組合物具有較高的選擇性(JP6-313164)。然而，這種組合物趨向?qū)е卤砻姘枷?，原因是其?duì)鋁、銅和鎢膜的腐蝕作用是強(qiáng)的。再者，盡管由于拋光金屬膜的速度高而導(dǎo)致選擇性較高，但拋光二氧化硅膜的速度也可能高。這樣，就有了發(fā)展的余地。通常使用包含氧化鋁，過(guò)氧化氫和水的拋光組合物來(lái)拋光鋁、銅或鎢膜。然而，過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性非常差，原因是在空氣中它會(huì)發(fā)生自然分解。使用它的拋光組合物在制備后的短時(shí)間以上無(wú)法穩(wěn)定地保持其性能。而且，盛裝這種組合物的容器可能會(huì)發(fā)生變化，如在幾天至幾個(gè)星期內(nèi)發(fā)生溶脹。再者，會(huì)產(chǎn)生拋光鋁、銅或鎢膜的速度不適當(dāng)?shù)膯栴}，同時(shí)選擇性小，而且在拋光表面上可能形成刮痕斑點(diǎn)。一般來(lái)講，在片上所形成的金屬膜的厚度為約500至600nm。而用常規(guī)拋光組合物拋光金屬膜的速度為幾百nm/min。因此，用高速拋光金屬膜的拋光組合物，在拋光開始后非常短的時(shí)間內(nèi)金屬膜將被除去。在用拋光組合物拋光在二氧化硅膜上形成金屬膜的片的情況中，必須在除去金屬膜后即刻停止拋光，否則拋光將延續(xù)至作為抑制劑的二氧化硅膜。在大多數(shù)情況中，用拋光組合物拋光二氧化硅膜的速度為0。因此，若在除去金屬膜之后繼續(xù)拋光，甚至二氧化硅膜也被拋光，在極限情況下它將被完全除去。從上述可以顯而易見，檢測(cè)CMP處理中的終點(diǎn)非常重要，具有適合于過(guò)程的拋光速度(即在終點(diǎn)可被精確檢測(cè)范圍內(nèi))的拋光組合物是希望的。例如，在拋光在二氧化硅膜上形成金屬膜的片的情況中，必須在二氧化硅膜部分暴露時(shí)終止對(duì)金屬膜的拋光。這個(gè)時(shí)限稱為“終點(diǎn)”，對(duì)此終點(diǎn)的檢測(cè)稱為“終點(diǎn)檢測(cè)”。對(duì)檢測(cè)終點(diǎn)的方法作了各種研究。例如，通過(guò)從拋光臺(tái)下面將激光束照射到片上，在拋光過(guò)程中測(cè)量剩余膜厚度的方法，也曾提出過(guò)其它方法。然而，實(shí)際上這些提案中沒有一種是有用的。因此，通常使用下述這種方法，即從拋光組合物所具有的拋光速度計(jì)算出除去一定預(yù)定厚度的金屬膜所需的時(shí)間，在該計(jì)算出的時(shí)間的預(yù)定時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)行拋光，將這作為終點(diǎn)。本發(fā)明旨在解決上述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種高速拋光鋁、銅或鎢膜的拋光組合物，它很少可能引起刮痕和表面凹陷并具有合適的選擇性和其它基本拋光特性，所述組合物在貯藏過(guò)程中具有優(yōu)異的穩(wěn)定性，很少隨時(shí)間而變化，迄今為止這種性能對(duì)將施加在半導(dǎo)體基材表面上的用作線路材料的鋁、銅或鎢膜通過(guò)CMP技術(shù)而進(jìn)行平面化的拋光組合物來(lái)說(shuō)一直是需要的。本發(fā)明提供一種拋光鋁、銅或鎢膜的組合物，該組合物包含水和選自二氧化硅，氧化鋁，氧化鈰，氮化硅和氧化鋯的拋光劑，所述組合物還包含溶解在組合物中的鐵(III)化合物，其中鐵(III)化合物選自焦磷酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨，草酸鐵(III)銨，硫酸鐵(III)銨，高氯酸鐵(III)，氯化鐵(III)，硫酸鐵(III)和磷酸鐵(III)。本發(fā)明的拋光組合物能高速拋光鋁、銅或鎢膜，它很少可能引起刮痕和表面凹陷并具有合適的選擇性和其它基本拋光特性，它在貯藏過(guò)程中也具有優(yōu)異的穩(wěn)定性，很少隨時(shí)間而變化?，F(xiàn)在將參考較佳實(shí)例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述。拋光劑用作本發(fā)明拋光組合物組分中主要拋光材料的合適的拋光劑選自二氧化硅，氧化鋁，氧化鈰，氮化硅和氧化鋯。其中，可選擇許多試劑結(jié)合起來(lái)使用。二氧化硅包括膠體二氧化硅，二氧化硅飛粉和在性質(zhì)或其制備過(guò)程上不同的許多其它類型的二氧化硅。氧化鋁也包括α-氧化鋁，δ-氧化鋁，θ-氧化鋁，κ-氧化鋁和其它形態(tài)不同的氧化鋁。再者，從其制備方法來(lái)講還包括一種所謂的氧化鋁飛粉(fumedalumina)。氧化鈰從氧化值來(lái)看包括三價(jià)和四價(jià)氧化鈰，從結(jié)晶體系來(lái)看它包括六方晶系，立方晶系和面心立方晶系。氮化硅包括α-氮化硅，β-氮化硅，非晶形氮化硅和其它形態(tài)不同的氮化硅。氧化鋯從結(jié)晶體系來(lái)看包括單斜晶系，四方晶系和非晶形。再者，從其制備方法來(lái)講還包括一種所謂的氧化鋯飛粉(fumedzirconia)。對(duì)于本發(fā)明的組合物，這些拋光劑可任選使用并視情況所需結(jié)合起來(lái)使用。結(jié)合的類型和比率并無(wú)特別限制。上述拋光劑通過(guò)作為磨料顆粒的機(jī)械作用來(lái)拋光待拋光的表面。其中，二氧化硅的顆粒尺寸由BET法測(cè)定的平均顆粒尺寸通常為0.005至0.5μm，較好地為0.01至0.2μm。而且，氧化鋁，氮化硅和氧化鋯各顆粒尺寸由BET法測(cè)定的平均顆粒尺寸通常為0.01至10μm，較好地為0.05至3μm。再者，氧化鈰的顆粒尺寸由掃描型電子顯微鏡測(cè)得的平均顆粒尺寸通常為0.01至10μm，較好地為0.05至3μm。若這些拋光劑的尺寸超過(guò)上述范圍，則將有諸如拋光表面的表面糙度大和可能產(chǎn)生刮痕等的問題。另一方面，若尺寸小于上述范圍，則拋光速度將非常小，這是不實(shí)用的。以組合物的總量計(jì)，拋光劑在拋光組合物中的含量通常為0.1至50重量％，較好地為1至25重量％。若拋光劑的含量太小，則拋光速度趨于低。另一方面，若該量太大，則無(wú)法保持均勻的分散，并且組合物的粘度趨于高，因而處理有時(shí)會(huì)變得困難。水對(duì)本發(fā)明所用的水并無(wú)特別限制，只要它不破壞本發(fā)明的效果，它例如可為工業(yè)用水，城市用水，去離子水，蒸餾水或超純水。水在本發(fā)明拋光組合物中的含量通常為10至99.89重量％，較好地為55至98.95重量％。鐵(III)化合物鐵(III)化合物通過(guò)作為拋光加速劑的化學(xué)作用來(lái)加快拋光進(jìn)程。要求所用的鐵(III)化合物溶解在組合物中，它選自焦磷酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨，草酸鐵(III)銨，硫酸鐵(III)銨，高氯酸鐵(III)，氯化鐵(III)，硫酸鐵(III)和磷酸鐵(III)。具體地，對(duì)于處理鋁膜，選自硫酸鐵(III)銨，檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨和草酸鐵(III)銨較佳。對(duì)于處理銅或鎢膜，選自檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨，草酸鐵(III)銨，硫酸鐵(III)銨，高氯酸鐵(III)，氯化鐵(III)和硫酸鐵(III)較佳。更具體地，對(duì)于處理鎢膜，選自硫酸鐵(III)銨和硫酸鐵(III)較佳，而對(duì)于處理銅膜，檸檬酸鐵(III)較佳。這些鐵(III)化合物可以任選比率結(jié)合起來(lái)使用。而且，作為在本發(fā)明組合物中所加入的鐵化合物，也可使用鐵(II)化合物。在這種情況下，在組合物中的鐵(II)化合物將被氧化并轉(zhuǎn)變成三價(jià)。這種氧化反應(yīng)可通過(guò)加入氧化劑或簡(jiǎn)單地通過(guò)空氣中的氧進(jìn)行。為本發(fā)明的目的，硝酸鐵(III)是不合適的，原因是它可能會(huì)引起刮痕或表面凹陷。本發(fā)明拋光組合物中的鐵(III)化合物的含量視待使用的特定化合物的效果而變。然而，以拋光組合物的總量計(jì)，其量較好地為0.01至40重量％，更好地為0.05至20重量％。這里有一個(gè)趨勢(shì)是隨著鐵(III)化合物的量增加，本發(fā)明的效果將更強(qiáng)。然而，若該量過(guò)量，則改進(jìn)程度趨于小，這樣會(huì)帶來(lái)經(jīng)濟(jì)上的損失。拋光組合物本發(fā)明的拋光組合物通常將上述選自二氧化硅，氧化鋁，氧化鈰，氮化硅和氧化鋯的拋光劑混和或分散在所需量的水中，接著將鐵(III)化合物溶于其中來(lái)制備。將這些組分分散或溶解在水中的方法是任選的。例如，它們可通過(guò)用攪拌器攪拌或通過(guò)超聲波分散來(lái)進(jìn)行分散?；旌瓦@些組分的順序也是任選的。也就是說(shuō)，拋光劑的分散或鐵(III)化合物的溶解可在另一個(gè)步驟之前進(jìn)行，或者它們可同時(shí)進(jìn)行。而且，對(duì)于制備拋光組合物，為了穩(wěn)定或保持產(chǎn)品的質(zhì)量或者視待加工的目的物類型、加工條件和其它拋光要求所需可加入各種已知的添加劑。這種另外加入的添加劑的較好例子包括(a)纖維素類，例如纖維素，羧甲基纖維素和羥乙基纖維素，(b)水溶性醇，例如乙醇，丙醇和乙二醇，(c)表面活性劑，例如烷基苯磺酸鈉和甲醛水與萘磺酸的縮合物，(d)有機(jī)多陰離子物質(zhì)，例如木素磺酸鹽和聚丙烯酸鹽，(e)無(wú)機(jī)鹽，例如硫酸銨，氯化鎂，乙酸鉀和硝酸鋁，(f)水溶性聚合物(乳化劑)，例如聚乙烯醇，和(g)氧化鈦，例如二氧化鈦，二氧化鈦飛粉(fumedtitania)，以及其它。本發(fā)明的拋光組合物通過(guò)加入其主要成分而通常使pH最多為7。拋光組合物的pH可通過(guò)加入各種輔助添加劑而改變。為了達(dá)到本發(fā)明的效果，pH較好地最多為7。因此，若拋光組合物的pH超過(guò)7，則較好地加入酸或類似物來(lái)調(diào)節(jié)pH。用本發(fā)明拋光組合物拋光的鋁、銅或鎢膜為用作施加在半導(dǎo)體基材表面上的線路的鋁、銅或鎢膜。構(gòu)成這種鋁、銅或鎢膜的鋁、銅或鎢可為任何材料，只要它可用于線路。例如，除了各個(gè)金屬外還可結(jié)合進(jìn)金，銀，鉑，銅，鋅，鋁，鎢等。本發(fā)明的拋光組合物可制備成較高濃度的儲(chǔ)備溶液的形式，所述溶液可被貯存或運(yùn)輸并可在實(shí)際拋光操作時(shí)被稀釋后加以使用。上述濃度的較好范圍為實(shí)際拋光操作時(shí)的濃度范圍。因此，當(dāng)以儲(chǔ)備溶液的形式來(lái)貯存或運(yùn)輸組合物時(shí)，所制備的這種儲(chǔ)備溶液具有較高的濃度。至于為什么當(dāng)將本發(fā)明的拋光組合物用于鋁、銅或鎢膜的平面化時(shí)幾乎不會(huì)形成諸如刮痕或表面凹陷的表面缺陷，拋光鋁、銅或鎢膜的速度高，而且作為拋光組合物的穩(wěn)定性優(yōu)異的原因的機(jī)理目前尚未清楚地弄明白。然而，下述情況是可以相信的。說(shuō)到為什么形成刮痕記號(hào)少的原因，認(rèn)為是由于鐵(III)化合物的鐵離子而導(dǎo)致拋光顆粒間的合適的附聚/分散狀態(tài)阻止了過(guò)分大量附聚物的形成。說(shuō)到為什么表面凹陷少的原因，認(rèn)為是鐵(III)離子為鋁、銅或鎢膜提供了合適的腐蝕作用。再者，說(shuō)到為什么拋光鋁、銅或鎢膜的速度高的原因，認(rèn)為是由于鐵(III)離子而導(dǎo)致鋁、銅或鎢膜發(fā)生化學(xué)變化并變脆，由此通過(guò)拋光劑的化學(xué)作用使膜趨向易于拋光見效。上述制備的本發(fā)明拋光組合物具有優(yōu)異的穩(wěn)定性并且很少可能引起刮痕或其它表面缺陷或形成表面凹陷。因此，它可用于拋光半導(dǎo)體設(shè)備，光掩模，合成樹脂或其它材料。然而，由于它對(duì)拋光鋁、銅或鎢膜具有合適的選擇性并且高速，它特別可用于對(duì)設(shè)備片上的鋁、銅或鎢膜進(jìn)行平面化的半導(dǎo)體工業(yè)中。現(xiàn)在將參考實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的拋光組合物作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。然而，應(yīng)明白的是本發(fā)明不以任何方式局限于下述實(shí)施例的特定組成上。實(shí)施例1-29和對(duì)比例1-18拋光組合物的制備首先，用攪拌器將作為拋光劑的膠體二氧化硅(平均主要顆粒尺寸0.035μm)，氧化鋁(平均主要顆粒尺寸0.2μm)，氧化鈰(平均主要顆粒尺寸0.2μm)，氮化硅(平均主要顆粒尺寸0.2μm)和氧化鋯(平均主要顆粒尺寸0.2μm)分別分散在水中，獲得拋光劑濃度各為10重量％的漿料。然后，各自以0.1mol/l的量在這些漿料中加入表1所列的各種添加劑，獲得實(shí)施例1-29和對(duì)比例1-18的樣品。拋光試驗(yàn)然后，用這些樣品進(jìn)行拋光試驗(yàn)。作為待拋光的物體，使用覆有經(jīng)噴鍍法形成的鋁、銅或鎢膜的6英寸硅片(外徑約150mm)的基材。對(duì)鋁、銅或鎢膜表面和二氧化硅膜表面進(jìn)行拋光。用單面拋光機(jī)(桌面直徑570mm)進(jìn)行拋光。將非織造織物型拋光墊(SurfinIII-1，由FujimiIncorporated制造)粘合到拋光機(jī)的桌面上。首先，安放上覆有鋁、銅或鎢膜的片，拋光2分鐘，然后將片變成覆有二氧化硅膜的片，以同樣的方式拋光2分鐘。拋光條件是，拋光壓力為490g/cm2，拋光桌面的旋轉(zhuǎn)速度為30rpm，拋光組合物的進(jìn)料速度為150cc/min，片的旋轉(zhuǎn)速度為30rpm。拋光后，依次對(duì)片進(jìn)行洗滌和干燥，隨后測(cè)量49個(gè)樣品的經(jīng)拋光的片的膜厚的減少，獲得各個(gè)實(shí)驗(yàn)的拋光速度。再者，用拋光鋁、銅或鎢膜時(shí)的速度除以拋光二氧化硅膜時(shí)的速度獲得選擇性。至于刮痕，拋光后，洗滌并干燥各片，隨后在暗室的點(diǎn)光源下用肉眼觀察存在或不存在刮痕斑點(diǎn)。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下?！蛴萌庋塾^察不到刮痕斑點(diǎn)○用肉眼觀察不到明顯的刮痕斑點(diǎn)△用肉眼觀察到一些刮痕斑點(diǎn)，但它們還不致達(dá)到成問題的量×用肉眼觀察到明顯的刮痕斑點(diǎn)，而且它們達(dá)到成問題的量而且，為了評(píng)價(jià)表面凹陷，測(cè)量腐蝕速度作為替代的特性。腐蝕速度是這樣確定的將分別覆有鋁膜、銅膜和鎢膜的片浸在各個(gè)拋光組合物中一段預(yù)定的時(shí)間，測(cè)量浸漬前后膜厚的變化，隨后用膜厚的變化除以各個(gè)浸漬時(shí)間獲得各個(gè)浸漬速度。這里，腐蝕速度越大，越可能形成表面凹陷。以這種方式測(cè)量腐蝕速度，按下述標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)價(jià)?！蚋g速度小于0.5nm/min○腐蝕速度為0.5-1nm/min△腐蝕速度為1-10nm/min×腐蝕速度大于10nm/min所得的結(jié)果列于表1中。表1表1(續(xù))</tables></tables>從表1所列的結(jié)果可以顯而易見，本發(fā)明的拋光組合物能高速拋光鋁、銅或鎢膜，并在刮痕和表面凹陷上顯示出優(yōu)異的結(jié)果。盡管未在表1中顯示出來(lái)，但用肉眼評(píng)價(jià)這些試驗(yàn)所用的樣品的拋光表面，在實(shí)施例和對(duì)比例中，沒有觀察到除了刮痕斑點(diǎn)外的表面缺陷。而且，在其制備之后使本發(fā)明的拋光組合物再靜置1個(gè)月，卻沒有觀察到由于如組合物中一些組分的分解導(dǎo)致的諸如容器溶脹或組合物變色等的變化。如上所述，本發(fā)明的拋光組合物能高速拋光鋁、銅或鎢膜，在拋光表面上很少可能引起表面凹陷、刮痕或任何其它表面缺陷，并在貯存過(guò)程中具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。權(quán)利要求1.一種拋光鋁、銅或鎢膜的組合物，它包含水和選自二氧化硅，氧化鋁，氧化鈰，氮化硅和氧化鋯的拋光劑，所述組合物還包含溶解在組合物中的鐵(III)化合物，其中鐵(III)化合物選自焦磷酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨，草酸鐵(III)銨，硫酸鐵(III)銨，高氯酸鐵(III)，氯化鐵(III)，硫酸鐵(III)和磷酸鐵(III)。2.如權(quán)利要求1所述的拋光鋁膜的拋光組合物，其中鐵(III)化合物選自硫酸鐵(III)銨，檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨和草酸鐵(III)銨。3.如權(quán)利要求1所述的拋光銅或鎢膜的拋光組合物，其中鐵(III)化合物選自檸檬酸鐵(III)，檸檬酸鐵(III)銨，草酸鐵(III)銨，硫酸鐵(III)銨，高氯酸鐵(III)，氯化鐵(III)和硫酸鐵(III)。4.如權(quán)利要求1所述的拋光鎢膜的拋光組合物，其中鐵(III)化合物選自硫酸鐵(III)銨和硫酸鐵(III).5.如權(quán)利要求1所述的拋光銅膜的拋光組合物，其中鐵(III)化合物為檸檬酸鐵(III)。6.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其中以組合物的總量計(jì)，拋光劑的量為0.1至50重量％，水的量為10至99.89重量％，而鐵(III)化合物的量為0.01至40重量％。7.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其中由BET法測(cè)定的二氧化硅的平均顆粒尺寸為0.005至0.5μm，由BET法測(cè)定的氧化鋁，氮化硅和氧化鋯的平均顆粒尺寸各為0.01至10μm，而由掃描電子顯微鏡測(cè)得的氧化鈰的平均顆粒尺寸為0.01至10μm。8.如權(quán)利要求1所述的組合物的用途，它用作拋光鋁、銅或鎢膜的試劑。9.一種拋光鋁、銅或鎢膜的方法，其中使用權(quán)利要求1所述的組合物作為拋光鋁、銅或鎢膜的試劑。全文摘要一種拋光鋁、銅或鎢膜的組合物,它包含水和選自二氧化硅,氧化鋁,氧化鈰,氮化硅和氧化鋯的拋光劑,所述組合物還包含溶解在組合物中的鐵(Ⅲ)化合物,其中鐵(Ⅲ)化合物選自焦磷酸鐵(Ⅲ),檸檬酸鐵(Ⅲ),檸檬酸鐵(Ⅲ)銨,草酸鐵(Ⅲ)銨,硫酸鐵(Ⅲ)銨,高氯酸鐵(Ⅲ),氯化鐵(Ⅲ),硫酸鐵(Ⅲ)和磷酸鐵(Ⅲ)。文檔編號(hào)C09G1/00GK1185472SQ9712603公開日1998年6月24日申請(qǐng)日期1997年12月2日優(yōu)先權(quán)日1996年12月2日發(fā)明者児玉一志,伊東真時(shí),鈴村聡申請(qǐng)人:不二見株式會(huì)社