專(zhuān)利名稱(chēng)：用于場(chǎng)致發(fā)光器件的有機(jī)金屬絡(luò)合物的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種電子注入材料，用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中的電子注入材料，能夠以較低驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和具有較高功率變換效率。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)特點(diǎn)，按照本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件包括陽(yáng)電極、陰電極和一種在陽(yáng)電極和陰電極之間形成的有機(jī)薄膜層，其中有機(jī)薄膜層由2-(O-羥苯基)苯并噻唑鈹絡(luò)合物(2-(O-hydroXyphenyl)benzthiazole beryllium complex)制成。
相關(guān)技術(shù)描述早期有關(guān)制造包括順序?yàn)殛?yáng)極、場(chǎng)致發(fā)光層和陰極的有效有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件(此后均稱(chēng)之為“EL器件”)的一些嘗試，由于難于將載流子從反電極注入含有機(jī)染料分子的場(chǎng)致發(fā)光層中，而均未獲成功。為制造有效的有機(jī)EL器件，希望的是，應(yīng)當(dāng)使有機(jī)染料分子具有接受電極載流子的能力和使載流子在場(chǎng)致發(fā)光層中具有較高的流動(dòng)能力。此外，還希望載流子的再結(jié)合區(qū)應(yīng)當(dāng)處在遠(yuǎn)離電極的位置，以防止由金屬電極產(chǎn)生的激子(exciton)熄滅。
為了解決已有技術(shù)的這些問(wèn)題，1985年9月3日頒布Steven A.VanSlyke等人獲準(zhǔn)的美國(guó)專(zhuān)利USP 4,539,507，介紹了一種具有兩層包括順序?yàn)殛?yáng)極/空穴傳遞層/電子傳遞層/陰極的器件。在上述專(zhuān)利所披露的有機(jī)EL器件中，采用了一種含三苯基胺化合物和8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物分別作為空穴傳遞材料和電子傳遞材料，其中后者也起到該器件發(fā)光層的作用。在此雙層EL器件中的載流子易于注入和空穴及電子的高流動(dòng)性，使得驅(qū)動(dòng)電壓降低。此外，由于空穴流動(dòng)性較低而在電子傳遞層中的傳遞層界面附近和遠(yuǎn)離陰極之處所形成的再結(jié)合區(qū)，與電子區(qū)相比，降低了由金屬陰極產(chǎn)生的激子熄滅的幾率。其結(jié)果，使該有機(jī)EL器件的功率變換效率提高至1.5 lm/W，從而在不足10V的電壓下得到了幾百cd/m2的亮度。
USP 4,539,507專(zhuān)利介紹了一種有機(jī)EL器件，通過(guò)在陽(yáng)極和空穴傳遞層之間插入含金屬酞箐的空穴注入層方法，使其耐用性提高并具有比雙層器件高的效率。因此，增強(qiáng)載流子注入作用被認(rèn)為是改善EL器件的重要因素之一。
近來(lái)，采用使粘結(jié)劑層在有機(jī)EL器件中處于接觸陰極的位置的方法，也使發(fā)光均勻性改善和效率提高(見(jiàn)USP 5,516,577，為MasahideMatsuura等人獲準(zhǔn)，1996年5月14日頒布)。在Matasuura的器件中，該粘結(jié)劑層是由一種8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物或其衍生物所組成，其中添加了少量其它化合物使之污染以防結(jié)晶。因此，此種形態(tài)穩(wěn)定了的粘結(jié)劑層使該器件發(fā)光均勻和因而光照穩(wěn)定。此外，8-羥基喹啉金屬絡(luò)合物的未被占據(jù)分子最低軌道的能級(jí)(此后成為“LUMO”)位于與包括順序?yàn)殛?yáng)極/空穴注入層/空穴傳遞層/發(fā)光層/粘結(jié)劑層/陰極的器件中粘結(jié)劑層接觸的另外發(fā)射分子能級(jí)以下，以保證易于陰極注入電子。
一般，陰極易于向電子傳遞層注入電子，對(duì)有機(jī)EL器件的功率變換效率有強(qiáng)烈影響。因此，為了通過(guò)降低陰極的功函數(shù)，減少電子注入屏障，使之與電子傳遞層的LUMO水平相適應(yīng)，曾進(jìn)行過(guò)大量研究。眾所周知，Mg:Ag或Al:Li合金是用于此種目的的最理想陰極材料之一。但是，功函數(shù)低的金屬對(duì)環(huán)境穩(wěn)定性差，從而又減緩了對(duì)此種陰極材料改進(jìn)的進(jìn)一步研究。
現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)披露了許多能夠傳遞電子可用于生產(chǎn)有機(jī)EL器件的有機(jī)金屬材料，(見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利USP 5,466,392；5,150,006；5,486,406；5,529,853；4,539,507；歐洲專(zhuān)利公開(kāi)EP 0652273；日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)JP 113576/1996；JP 336586/1994)。但是沒(méi)有那一個(gè)專(zhuān)利注意到能夠降低有機(jī)EL器件驅(qū)動(dòng)電壓的特殊有機(jī)金屬分子。
發(fā)明概述本發(fā)明目的在于提供一種用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(EL)器件的電子注入材料，具有低的驅(qū)動(dòng)電壓，和提高了功率變換效率。
按照本發(fā)明，這里提供一種如下化學(xué)通式所示結(jié)構(gòu)的電子注入材料
其中R1至R8各自表示氫、或C1至C10的烷基基團(tuán)。
一種化合物(1)的鋅衍生物，2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物，已被認(rèn)為是一種發(fā)蘭光的電子傳遞材料(見(jiàn)歐洲專(zhuān)利公開(kāi)EP 0652273和日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)JP 113576/1996)。但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述通式(1)所示的化合物呈現(xiàn)有極好的電子注入和傳遞性能，而未被此前專(zhuān)利所發(fā)現(xiàn)。
附圖簡(jiǎn)述本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)在參閱并結(jié)合附圖的下述說(shuō)明之后都會(huì)得到較充分地理解，其中

圖1至圖3為可用于本發(fā)明的有機(jī)EL器件示意流程圖。
圖4為一分別表示實(shí)施例1、對(duì)照例1.1和對(duì)照例1.2的光強(qiáng)度(任意單位)與電壓關(guān)系的圖形。
圖5為一分別表示實(shí)施例2和對(duì)照例2的光強(qiáng)度(任意單位)與電壓關(guān)系的圖形。
優(yōu)選實(shí)施方案的說(shuō)明選擇能夠用有機(jī)或有機(jī)金屬電子傳遞層形成穩(wěn)定界面同時(shí)又保持低功函數(shù)和高環(huán)境穩(wěn)定性的陰極材料，是一件不容易的事情。目前，僅研制了能夠?qū)嶋H應(yīng)用的只有少數(shù)幾種合金和一種金屬。具體實(shí)施例為銦金屬(USP 4,539,507)；合金Mg:Ag(USP 4,885,211)；Mg:Al(USP5,059,862)；和合金Al:Li(USP 5,429,844)和Bi:Li(USP 5,500,568)。采用低功函數(shù)的穩(wěn)定陰極對(duì)于使一種有效的EL器件工業(yè)化是一個(gè)關(guān)鍵的因素。由于常規(guī)的電子注入層(安放與陰極接觸的一層薄層)的LUMO水平與陰極材料的功函數(shù)并不匹配，當(dāng)將電子從陰極注入至有機(jī)介質(zhì)中時(shí)會(huì)有很高的能壘存在。例如，當(dāng)Mg:Ag合金的電子注入EL器件電子注入層中用得最廣的8-羥基喹啉鋁鹽(此后稱(chēng)為Alq3)中時(shí)，存在的能壘約有0.6eV。
本發(fā)明是基于發(fā)現(xiàn)當(dāng)將上述通式(1)所示的絡(luò)合物作為一層薄層插入常規(guī)EL器件的陰電極和空穴傳遞層之間時(shí)，能夠得到一種既有高功率變換效率又有低驅(qū)動(dòng)電壓的EL器件。
圖1至3表示各自?xún)?nèi)部連接有機(jī)EL器件的示意剖面圖。這些器件一般包括傳遞支撐層1，其上覆蓋一具有高功函數(shù)的陽(yáng)電極2。對(duì)于陽(yáng)電極2的導(dǎo)電材料具體實(shí)施例可包括Au(金)、氧化銦錫(ITO)、SnO2、導(dǎo)電聚合物和ZnO2。
陰電極7是用蒸氣沉淀法或?yàn)R鍍低功函數(shù)導(dǎo)電材料法形成的。陰電極7可以選用如鋁、銀、鎂、鋰、釤、銦、錫、鉛、釔、釕、和它們的合金(見(jiàn)USP 4,885,211；4,539,507；5,059,862；5,429,844；5,500,568)等的一種材料加以制備，且不受此限制。
空穴傳遞層3是采用一種能夠接受陽(yáng)電極2的空穴和傳遞它們的流動(dòng)性高的材料制備的，優(yōu)選的是一種芳基胺的衍生物或至少不同分子結(jié)構(gòu)的兩種芳基胺的混合物，以抑制可能的結(jié)晶過(guò)程和改善EL器件的性能。此空穴傳遞層3也可分割為多層的子層，且每層都是由不同的空穴材料制成的。電子傳遞層4是由一種能夠接受陰電極7的電子并傳遞它們的材料制成的。如圖1所示，電子傳遞層4是被置于陰電極7與空穴傳遞層3之間的。
圖2和圖3為有機(jī)EL器件各自的示意剖面圖，具有夾在陽(yáng)電極2與空穴傳遞層3之間的空穴注入層5，用以增強(qiáng)將陽(yáng)極2的空穴注入至空穴遞層3中，和改善此有機(jī)EL器件的壽命?？昭ㄗ⑷雽?是用能夠與陽(yáng)電極2和空穴傳遞層3形成穩(wěn)定界面的材料制成的。也優(yōu)選的是，此空穴注入材料具有的占據(jù)分子最高軌道(HOMO)能級(jí)處于陽(yáng)極功函數(shù)和空穴傳遞材料的HOMO能級(jí)之間。(見(jiàn)USP 4,539,507和4,769,292)。
在圖1和圖2示意圖所示的有機(jī)EL器件中，電子傳遞層4，如上所述，是由能夠接受陰極7電子和傳遞它們的材料制成的，應(yīng)用中考慮適當(dāng)正偏差，并將其安放在陰電極7與空穴傳遞層3之間。在這些器件結(jié)構(gòu)中，一般都發(fā)生載流子的再結(jié)合，但未必都發(fā)生在電子傳遞層4中，和優(yōu)選的是，選擇分子中具有高熒光量子效率的電子傳遞材料。為進(jìn)一步改善功率變換效率，在電子傳遞層中可以加入較低濃度的高熒光材料。當(dāng)在電子傳遞層4中加入了熒光摻雜材料時(shí)，摻雜劑的發(fā)光是由于能量經(jīng)電子傳遞材料傳送給此熒光摻雜劑的結(jié)果。
這種方法有兩點(diǎn)重要的要求，即在電子傳遞層4中沿厚度方向的摻雜劑的帶隙和位置。如果摻雜劑材料的帶隙大于電子傳遞層4的帶隙，就不能獲得有效的能量傳遞。因此，優(yōu)選的是，選擇具有帶隙同于或低于電子傳遞層的帶隙的摻雜劑材料。
另一要求，即添加區(qū)的位置，應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足使有機(jī)EL器件的功率變換效率達(dá)到最大。如果摻雜劑的LUMO能級(jí)低于電子傳遞層4，則此摻雜劑起到電子淺陷阱作用。由于淺陷阱增加了空間電荷密度，驅(qū)動(dòng)此EL器件就需要更高的電壓。因此，優(yōu)選的是，將添加區(qū)設(shè)置在沿厚度方向出現(xiàn)激子形成的區(qū)域。
圖3示意說(shuō)明的是根據(jù)圖2所示有機(jī)EL器件將發(fā)光層6插在電子傳遞層4和空穴傳遞層3之間而生產(chǎn)的一種有機(jī)EL器件，(見(jiàn)USP4,539,507)。在此器件中，按照上述美國(guó)專(zhuān)利發(fā)明人的方法，希望電子傳遞層4的厚度小于發(fā)光層6的厚度，以使帶隙(能帶寬度)小于發(fā)光層6的電子傳遞層4發(fā)光可能性降至最低。
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電壓低和功率變換效率較高的有機(jī)EL器件。本發(fā)明的電子注入材料以下述通式(1)表示
其中R1至R8各自表示氫原子或C1至C8的烷基基團(tuán)。本發(fā)明電子注入材料的具體例子以下述式(2)和(3)表示
由吸收光譜吸收末端波長(zhǎng)從薄膜的UV光至可見(jiàn)光的范圍所得的化合物(2)的能帶寬度，相當(dāng)于2.82eV。將在波長(zhǎng)400nm激發(fā)的化合物(2)的輻射儀光致熒光譜圖轉(zhuǎn)化為CIE圖時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)蘭色發(fā)光(CIE0.138,0.149)。因此化合物(2)是用于發(fā)射藍(lán)色的電子傳遞層4和發(fā)光層6的一種最好可選材料。也由于此種材料相當(dāng)于藍(lán)光發(fā)射的帶隙能量較高，與采用帶隙能量相當(dāng)于綠色的Alq3作為電子傳遞/基質(zhì)分子時(shí)的從綠色至紅色的帶隙能量相比較，此種材料擴(kuò)大了對(duì)帶隙能量相當(dāng)于從藍(lán)色至紅色范圍的摻雜劑材料選擇的可能范圍。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用，化合物(2)還應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足其它諸如熱穩(wěn)定性、電化學(xué)穩(wěn)定性、電子接受能力(低LUMO能級(jí))等等的要求。按照DSC熱分析結(jié)果，化合物(2)是在比實(shí)際使用高很多的起始溫度325℃下熔化。化合物(2)上述物理性質(zhì)匯總于表1中。
表1分支吸收端帶隙(eV) CIE(x,y) 熔點(diǎn)(起始溫度)℃2.82(0.138,0.149) 325
對(duì)本發(fā)明某些實(shí)施方案將詳述于以下實(shí)施例中，并與對(duì)照例進(jìn)行了比較。
實(shí)施例2-(O-羥苯基)苯并噻唑鈹絡(luò)合物的合成手續(xù)A在蒸餾水(20ml)與乙醇(70ml)混合物的NaOH(176mg)溶液中加入2-(O-羥苯基)苯并噻唑(1g)。將所得的溶液緩慢加至溶解于70ml蒸餾水的氯化鈹(170mg)溶液中。攪拌回流所得混合物2小時(shí)，再冷卻至室溫。真空過(guò)濾收集沉淀物，用乙醚加以洗滌，和于真空爐內(nèi)干燥，得0.77克化合物(2)(收率78％)。
所得產(chǎn)物通過(guò)系列升華加以進(jìn)一步提純。產(chǎn)物分析結(jié)果如下m.p.:325℃(起始)1H-NMR(DMSO-d6):δ6.8-6.9(2H),7.0-7.1(1H),7.25(t,1H),7.35(t,1H),7.45(t,1H),7.92(d,1H),8.17(d,1H)。
元素分析計(jì)算值(C:67.65,H:3.49,N:6.06,Be:1.95)實(shí)驗(yàn)值(C:67.31,H:3.33,N:5.98,Be:1.90)手續(xù)B在蒸餾水(2ml)與乙醇(7ml)混合物的NaOH(35mg)溶液中加入2-(O-羥苯基)苯并噻唑(0.2g)。將所得的溶液緩慢加至溶解于10ml蒸餾水中的四水合硫酸鈹(0.08g)溶液中。向所得溶液加入氫氧化鈉水溶液(1M)直至pH值為10。攪拌所得混合物1小時(shí)，再真空過(guò)濾收集沉淀物，用乙醚加以洗滌，和于真空爐內(nèi)干燥，得0.14克化合物(2)(收率70％)。所得產(chǎn)物通過(guò)系列升華加以進(jìn)一步提純。
2-(O-羥基-5-甲基苯基)苯并噻唑鈹絡(luò)合物的合成在蒸餾水(10ml)與乙醇(50ml)混合物的NaOH(27mg)溶液中加入2-(O-羥基-5-甲基苯基)苯并噻唑(0.18g)。將所得的溶液緩慢加至溶解于5ml蒸餾水中的氯化鈹(29mg)溶液中。攪拌回流所得混合物2小時(shí)，再冷卻至室溫。真空過(guò)濾收集沉淀物，用乙醚加以洗滌，和于真空爐內(nèi)干燥，得185mg化合物(3)，(收率96％)
所得產(chǎn)物通過(guò)系列升華加以進(jìn)一步提純。產(chǎn)物分析結(jié)果如下m.p.:349℃(起始)1H-NMR(DMSO-d6):δ3.3(s,3H),6.75(1H),7.02(1H),7.2-7.4(3H),7.65(1H),8.15(1H)。
化合物(2)還原電勢(shì)化合物(2)作為一種電子注入材料的性能用周期伏安計(jì)對(duì)照已知的電子傳遞材料還原電勢(shì)加以測(cè)定。在這一組的實(shí)驗(yàn)中所用參比化合物為Alq3。化合物(2)的鋅衍生物，即2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物的還原電勢(shì)未包括在這組實(shí)驗(yàn)中，由于它不溶于DMF，如日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)JP 113576/1996所述(此后將對(duì)化合物(2)與2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物作為電子注入材料作出直接比較)。
化合物(2)與參比化合物的還原電勢(shì)是通過(guò)周期伏安計(jì)相對(duì)于Ag/Ag+參比電極采用DMF作溶劑來(lái)確定的。結(jié)果見(jiàn)表2。
表2化合物 (2) Alq3還原電勢(shì)-1.63-2.09從這組數(shù)據(jù)可以看出，化合物(2)還原電勢(shì)比Alq3的低。
實(shí)施例1為評(píng)價(jià)作為電子注入材料的化合物(2)的性能，用有或無(wú)化合物(2)制備的有機(jī)EL器件如下。將市場(chǎng)可供應(yīng)的ITO覆蓋玻璃順序在甲醇、丙酮、異丙醇、丙酮和甲醇的各溶劑中進(jìn)行超聲清洗處理5分鐘，和在110℃下于真空爐中干燥1小時(shí)。再將清潔后的底物固定在真空熱沉積室的底物支架上。一種包括疊壓成層的有機(jī)EL器件按順序分層為ITO/TPD/Alq3/化合物(2)/Mg:Ag(10∶1)/Ag，薄膜層厚度分別為60nm(TPD),50nm(Alq3),20nm(化合物(2)),100nm(Mg:Ag)，和150nm(Ag),(TPD為N,N-二苯基-N,N-雙(3-甲基苯基)-[1,1-聯(lián)二苯]-4,4-二胺)。在此過(guò)程中，沉積速率在高真空約10-6乇下和底物室溫設(shè)定在室溫時(shí)保持在1-3/秒范圍。采用陰極背景重疊的遮光板造成0.15cm2的器件活性面積。此有機(jī)EL器件的示意剖面圖與圖1所示的器件的相似，但不同的是前者在電子傳遞層4與陰極7之間有一層由化合物(2)構(gòu)成的附加層。
此器件的功率轉(zhuǎn)換效率在亮度100cd/m2時(shí)為2.1 lm/W。在7.1V下注入電流密度為1mA/cm2。結(jié)果列于表3中。此外，為說(shuō)明本發(fā)明改善明顯，也列舉了對(duì)照例。
對(duì)照例1.1按與實(shí)施例1中的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/Alq3/Mg:Ag(10∶1)/Ag的有機(jī)EL器件，但不包括電子注入材料(2)。此EL器件示意剖面圖如圖1所示。
此EL器件的功率變換效率在亮度100cd/m2時(shí)為1.2 lm/W。在9.1V下注入電流密度為1mA/cm2。結(jié)果匯總于表3。
對(duì)照例1.2按與實(shí)施例1中的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/Alq3/2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物/Mg:Ag(10∶1)/Ag的有機(jī)EL器件，但不同的是，用具有與化合物(1)同樣厚度的材料(2)的鋅絡(luò)合物替代電子注入材料(2)。此有機(jī)EL器件示意剖面圖與圖1所示相似，但不同的是，前者在電子傳遞層4與陰電極7之間有一層由2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物構(gòu)成的附加層。
此器件功率變換效率在亮度100cd/m2時(shí)為1.6 lm/W。在8.4V下注入電流密度為1mA/cm2。結(jié)果匯總于表3。
表3電壓(1mA/cm2時(shí)) 功率變換效率(100cd/m2時(shí))(V) (lm/W)實(shí)施例17.12.1對(duì)照例1.1 9.11.21對(duì)照例1.2 8.41.6從此組實(shí)驗(yàn)可以看出，當(dāng)化合物(2)和其鋅衍生物二者用于作為電子注入材料時(shí)，它們降低了常規(guī)有機(jī)EL器件的驅(qū)動(dòng)電壓。但是，如表3所示，化合物(2)明顯地優(yōu)于其鋅同系物?；衔?2)的優(yōu)越性能在圖4也得到了說(shuō)明，圖中說(shuō)明在各種電壓下采用實(shí)施例1、對(duì)照例1.1和對(duì)照例1.2器件時(shí)的光強(qiáng)度(任意單位)的圖形。在相同電壓下，實(shí)施例1器件給出的光強(qiáng)度最高。
實(shí)施例2采用如實(shí)施例1的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/Alq3/化合物(2)/Ag的有機(jī)EL器件，其薄膜厚度分別為60nm(TPD),20nm(Alq3),50nm(化合物(2))，和200nm(Ag)。在此器件中，用Alq3作為發(fā)光材料，化合物2作為電子注入/傳遞材料。也用高功函數(shù)的銀(Ag)電極替代低功函數(shù)的鎂銀合金(Mg:Ag)。此有機(jī)EL器件的示意剖面圖與圖3中所示的器件相似，但不同的是，前者沒(méi)有空穴注入層5，但在電子傳遞層4與陰電極7之間有一層由化合物(2)構(gòu)成的附加層。結(jié)果匯總于表4中。此外，為說(shuō)明本發(fā)明的改進(jìn)明顯，還提供了一組對(duì)照例。
對(duì)照例2采用如實(shí)施例1的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/Alq3/2-(-O羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物/Ag的有機(jī)EL器件，其薄膜厚度分別為60nm(TPD),20nm(Alq3),50nm(2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物)，和200nm(Ag)。在此器件中，用Alq3作為發(fā)光材料，和用2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物作為電子注入/傳遞材料。也用高功函數(shù)的銀(Ag)電極替代低功函數(shù)的鎂銀合金(Mg:Ag)。此有機(jī)EL器件的示意剖面圖與圖3中所示的器件相似，但不同的是，前者沒(méi)有空穴注入層5，而在電子傳遞層4與陰電極7之間有一層由2-(O-羥苯基)苯并噻唑鋅絡(luò)合物構(gòu)成的附加層。結(jié)果匯總于表4中。
表4
由此組實(shí)驗(yàn)可以證實(shí)，化合物(2)作為電子注入材料的性能優(yōu)于其鋅的同系物，如表4所示。圖5說(shuō)明實(shí)施例2與對(duì)照例2所用器件在各種電壓下的光強(qiáng)度(任意單位)變化圖形，它清楚表明化合物(2)的性能優(yōu)于其鋅的同系物。在相同電壓下，此實(shí)施例2的器件發(fā)出的光強(qiáng)度比用對(duì)照例2得出的強(qiáng)了許多。
實(shí)施例3采用如實(shí)施例1的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/化合物(2)香豆素540(100∶1)/Mg:Ag/Ag的有機(jī)EL器件，其薄膜厚度分別為60nm(TPD),50nm(化合物(2)香豆素540),100nm(Mg:Ag)和150nm(Ag)。在此器件中，采用香豆素作為摻雜劑分子和化合物(2)作為基質(zhì)分子同時(shí)起電子注入和傳遞作用。香豆素540的化學(xué)結(jié)構(gòu)說(shuō)明如下，此有機(jī)EL器件的示意剖面圖如圖1所示。
結(jié)果匯總于表5中。此外，為說(shuō)明本發(fā)明改進(jìn)明顯，還提供了一組對(duì)照例。
對(duì)照例3采用如實(shí)施例3的相同方法，制得一種包括疊壓成層順序?yàn)镮TO/TPD/Alq3:香豆素540(100∶1)/Mg:Ag/Ag的有機(jī)EL器件，其薄膜厚度分別為60nm(TPD),50nm(化合物(2)香豆素540),100nm(Mg:Ag)和150nm(Ag)。在此器件中，用香豆素作為摻雜劑分子和Alq3作為基質(zhì)分子同時(shí)起電子注入和傳遞作用。此有機(jī)EL器件的示意剖面圖如圖1所示。結(jié)果匯總于表5中。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包括陽(yáng)電極、陰電極和一種在陽(yáng)電極和陰電極之間形成的有機(jī)薄膜層，其中該有機(jī)薄膜層是由以下通式(1)所示的有機(jī)金屬絡(luò)合物所制成
其中R1至R8各自表示氫或C1至C8的烷基基團(tuán)。
2.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中R1至R8表示氫。
3.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中R1、R2、R4至R8表示氫且R3表示甲基。
4.按照權(quán)利要求1至3所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中所述有機(jī)薄膜層包括順序?yàn)榭昭▊鬟f層和電子傳遞層，且該電子傳遞層是由有機(jī)金屬絡(luò)合物(1)制備的。
5.按照權(quán)利要求1至3所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中有機(jī)薄膜層包括順序?yàn)榭昭ㄗ⑷雽?、空穴傳遞層和電子傳遞層，且該電子傳遞層是由有機(jī)金屬絡(luò)合物(1)制備的。
6.按照權(quán)利要求1至3所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中有機(jī)層包括順序?yàn)榭昭▊鬟f層、發(fā)光層和電子傳遞層，以及該電子傳遞層是由有機(jī)金屬絡(luò)合物(1)制備的。
7.按照權(quán)利要求1至3所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中有機(jī)層包括順序?yàn)榭昭ㄗ⑷雽?、空穴傳遞層、發(fā)光層和電子傳遞層，以及該電子傳遞層是由有機(jī)金屬絡(luò)合物(1)制備的。
8.按照權(quán)利要求1至3所述的任一有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，該電子傳遞層是摻雜了一種熒光分子的。
9.按照權(quán)利要求1至3所述任一有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，該陽(yáng)電極為一種銦-錫-氧化物(ITO)電極。
10.一種以下述通式(2)表示的2-(-O羥苯基)苯并噻唑鈹絡(luò)合物
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件的電子注入材料,能夠用較低驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和提高了其功率變換效率。為了達(dá)到本發(fā)明技術(shù)特點(diǎn),此有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件按照本發(fā)明包括陽(yáng)電極、陰電極和一種在該陽(yáng)電極和陰電極之間形成的有機(jī)薄膜層,其中有機(jī)薄膜層是由以通式(1)表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物制成,其中該的R
文檔編號(hào)C09K11/06GK1223065SQ97195685
公開(kāi)日1999年7月14日 申請(qǐng)日期1997年7月8日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月8日
發(fā)明者孫世煥, 金公謙, 金孝錫, 金玉姬, 尹錫喜 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社