:0.03Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0051]實施例3
[0052]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, LiCl和Tm2S3粉體按摩爾數(shù)比為0.7:0.3:0.05:0.005在剛玉研缽中研磨60分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中1000°C下灼燒5小時，然后冷卻到100°C保溫0.5小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為0.7GeS2-0.3Ga2S3-0.05LiCl:0.005Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0053]實施例4
[0054]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, NaCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.6:0.3:0.08:0.02在剛玉研缽中研磨40分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中900°C下灼燒3小時，然后冷卻到200°C保溫2小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.6GeS2-0.3Ga2S3-0.08NaCl:0.02Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0055]實施例5
[0056]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, NaCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.5:0.3:0.15:0.03在剛玉研缽中研磨20分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中800°C下灼燒0.5小時，然后冷卻到300°C保溫3小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.5GeS2-0.3Ga2S3-0.15NaCl:0.03Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0057]實施例6
[0058]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, NaCl和Tm2S3粉體按摩爾數(shù)比為0.7:0.3:0.05:0.005在剛玉研缽中研磨60分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中1000°C下灼燒5小時，然后冷卻到KKTC保溫0.5小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為0.7GeS2-0.35Ga2S3-0.05NaCl:0.005Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0059]實施例7
[0060]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, KCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.6:0.3:0.08:0.02在剛玉研缽中研磨40分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中900°C下灼燒3小時，然后冷卻到200°C保溫2小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.6GeS2-0.3Ga2S3-0.08KC1:0.02Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0061]實施例8
[0062]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, KCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.5:0.3:0.15:0.03在剛玉研缽中研磨20分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中800°C下灼燒0.5小時，然后冷卻到300°C保溫3小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.5GeS2-0.3Ga2S3-0.15KC1:0.03Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0063]實施例9
[0064]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, KCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.7:0.3:0.05:0.005在剛玉研缽中研磨60分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中1000°C下灼燒5小時，然后冷卻到100°C保溫0.5小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為0.7GeS2-0.3Ga2S3-0.05KC1:0.005Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0065]實施例10
[0066]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, RbCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.6:0.3:0.08:0.02在剛玉研缽中研磨40分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中950°C下灼燒3小時，然后冷卻到250°C保溫2小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.6GeS2-0.3Ga2S3-0.08RbCl:0.02Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0067]實施例11
[0068]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, RbCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.5:0.3:0.15:0.03在剛玉研缽中研磨20分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中800°C下灼燒5小時，然后冷卻到300°C保溫3小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.5GeS2-0.3Ga2S3-0.15RbCl:0.03Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0069]實施例12
[0070]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, CsCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.7:0.3:0.05:0.005在剛玉研缽中研磨60分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中1000°C下灼燒5小時，然后冷卻到100°C保溫0.5小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為0.7GeS2-0.3Ga2S3-0.05CsCl:0.005Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0071]實施例13
[0072]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, CsCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.6:0.3:0.08:0.02在剛玉研缽中研磨40分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中900°C下灼燒3小時，然后冷卻到200°C保溫2小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.6GeS2-0.3Ga2S3-0.08CsCl:0.02Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0073]實施例14
[0074]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, CsCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.5:0.3:0.15:0.03在剛玉研缽中研磨20分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中800°C下灼燒0.5小時，然后冷卻到300°C保溫3小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為 0.5GeS2-0.3Ga2S3-0.15CsCl:0.03Tm3+ 的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0075]實施例15
[0076]選用純度為99.99%的粉體，將GeS2, Ga2S3, CsCl和Tm2S3粉體按摩爾比為0.7:0.3:0.05:0.005在剛玉研缽中研磨60分鐘使其均勻混合，然后在馬弗爐中1000°C下灼燒5小時，然后冷卻到100°C保溫0.5小時，再隨爐冷卻到室溫取出，得到塊體材料，粉碎后可得到化學(xué)通式為0.7GeS2-0.3Ga2S3-0.05CsCl:0.005Tm3+的上轉(zhuǎn)換熒光粉。
[0077]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于:其化學(xué)通式為aGeS2-bGa2S3-cRCl:xTm3+，其中，a 為 0.5 ?0.7，b 為 0.3 ?0.5，c 為 0.05 ?0.15，x 為0.005?0.03, R選自鋰元素,鈉元素,鉀元素,銣元素和銫元素中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述 a 為 0.6，b 為 0.4，c 為 0.08，X 為 0.02。
3.一種銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一、根據(jù)aGeS2-bGa2S3-cRCl:xTm3+各元素的化學(xué)計量比稱取GeS2, Ga2S3, RCl和Tm2S3 粉體，其中，a 為 0.5 ?0.7，b 為 0.3 ?0.5，c 為 0.05 ?0.15，X 為 0.005 ?0.03，RCl選自氯化鋰，氯化鈉，氯化鉀，氯化銣和氯化銫中至少一種； 步驟二、將所述步驟一中稱取的粉體混合均勻得到前驅(qū)體； 步驟三、將所述前驅(qū)體在800°C?1000°C下灼燒0.5小時?5小時， 步驟四、將所述步驟三中處理后的前軀體冷卻到100°C?300°C，再保溫0.5小時?3小時，冷卻到室溫，得到化學(xué)通式為aGeS2-bGa2S3-cRCl:xTm3+的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述GeS2, Ga2S3, RCl和Tm2S3粉體各組分摩爾比為(0.5?0.7): (0.3?0.5):(0.05 ?0.15): (0.005 ?0.03)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述GeS2, Ga2S3, RCl和Tm2S3粉體各組分摩爾比為0.6:0.4:0.08:0.02。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，步驟二中所述混合是將所述粉體在剛玉缽中研磨20分鐘?60分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，步驟三中將所述前驅(qū)體在900°C下灼燒3小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，步驟四中的冷卻溫度為200°C，保溫時間為2小時。
9.一種有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管包括依次層疊的基板、陰極、有機(jī)發(fā)光層、陽極及透明封裝層，其特征在于，所述透明封裝層中分散有銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，所述銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的化學(xué)式為aGeS2-bGa2S3-cRCl:xTm3+，其中，a 為 0.5 ?0.7，b 為 0.3 ?0.5，c 為 0.05 ?0.15，x 為0.005?0.03, R選自鋰元素,鈉元素,鉀元素,銣元素和銫元素中至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述a為0.6，b為0.4，c為0.08, X 為 0.02。
【專利摘要】一種銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其化學(xué)式為aGeS2-bGa2S3-cRCl：xTm3+，其中，a為0.5～0.7，b為0.3～0.5，c為0.05～0.15，x為0.005～0.03，R選自鋰元素，鈉元素，鉀元素，銣元素和銫元素中至少一種。該銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的光致發(fā)光光譜中，銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的激發(fā)波長為796nm，在475nm波長區(qū)由Tm3+離子1G4→3H6的躍遷輻射形成發(fā)光峰，可以作為藍(lán)光發(fā)光材料。本發(fā)明還提供該銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法及使用該銩摻雜硫化鍺氯堿鹽玻璃上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光二極管。
【IPC分類】H01L51-54, C09K11-66
【公開號】CN104650866
【申請?zhí)枴緾N201310576285
【發(fā)明人】周明杰, 陳吉星, 王平, 黃輝
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月18日