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      一種納米瓷磚填孔劑的制作方法

      文檔序號:9245602閱讀:473來源:國知局
      一種納米瓷磚填孔劑的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及建筑裝飾領(lǐng)域,具體涉及一種納米瓷磚填孔劑。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 瓷磚,是以耐火的金屬氧化物及半金屬氧化物,經(jīng)由研磨、混合、壓制、施釉、燒結(jié) 的過程,而形成之一種耐酸堿的瓷質(zhì)或石質(zhì)等建筑或裝飾的材料,總稱之為瓷磚。瓷磚有微 晶石瓷磚、全拋釉瓷磚和普通拋光磚,其亮度(光澤度)均約為75。亮度達(dá)現(xiàn)有的拋光劑成 本高,光度達(dá)不到,防污性能差。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003] 為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種光澤度高,防污性強(qiáng),成本低的納米瓷磚填孔 劑。
      [0004] 本發(fā)明通過以下技術(shù)實現(xiàn):一種納米瓷磚填孔劑,其為水溶液,水溶液中各組分及 其質(zhì)量配比為:硅溶膠30份;光亮劑0. 02-0. 05份;防水劑為1. 5-2份;分散劑為0. 2-0. 5 份。
      [0005] 優(yōu)選的,所述光亮劑為烷基苯磺酸鈉(ABS)。
      [0006] 優(yōu)選的,所述防水劑為甲基硅酸鉀或甲基硅酸鈉。
      [0007] 優(yōu)選的,所述甲基硅酸鉀為pH7-9的中性甲基硅酸鉀或中性甲基硅酸鈉。
      [0008] 優(yōu)選的,所述分散劑為壬基酚聚氧乙烯醚(NP-10)。
      [0009] 優(yōu)選的,所述水溶液中各組分及其質(zhì)量配比為:硅溶膠30份;光亮劑0. 05份;防 水劑為1. 6份;分散劑為0. 2份。
      [0010] 優(yōu)選的,以硅溶膠的質(zhì)量計,水溶液的質(zhì)量體積濃度為15 %。
      [0011] 優(yōu)選的,所述水溶液中還包括有機(jī)硅消泡劑。
      [0012] 優(yōu)選的,所述烷基苯磺酸鈉可以為十二烷基苯磺酸鈉。
      [0013] 另外,本發(fā)明的納米瓷磚填孔劑還可以由以下組成方式:
      [0014] 100ml的質(zhì)量體積分?jǐn)?shù)(mg/ml)為30 %的硅溶膠中加入(1)質(zhì)量體積分?jǐn)?shù)(mg/ ml)的10%的光亮劑烷基苯磺酸鈉0. 5ml;(2)防水劑甲基硅酸鉀或或甲基硅酸鈉1. 6ml; (3)分散劑壬基酚聚氧乙烯醚0? 2ml; (4) 100ml水(蒸餾水/純凈水)。
      [0015] 在加入的過程中不斷攪拌使其充分均勻,后達(dá)到拋光劑濃度為15%。本發(fā)明可用 于拋光地板磚/瓷磚(包括納米瓷磚),在稀釋過程中如產(chǎn)生泡沫,需加入少許有機(jī)硅消泡 劑。
      [0016] 本發(fā)明的具有以下優(yōu)點:
      [0017]1.明顯提高瓷磚尤其是納米瓷磚的光澤度,可以使瓷磚光澤度達(dá)到90以上。
      [0018] 2?防污能力提尚。
      [0019] 3.與現(xiàn)有拋光液相比,至少降低10%的生產(chǎn)成本。
      [0020] 本發(fā)明的優(yōu)選試驗如下:
      [0021] 1. 一種納米瓷磚填孔劑(或稱為拋光液)的濃度優(yōu)選試驗:
      [0022] 實驗步驟:取100ml質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30 % (mg/ml)的硅溶膠,向其中依次加入 0. 5mll0% (mg/ml)的烷基苯磺酸鈉,1.6ml的中性甲基硅酸和0.2ml壬基酚聚氧乙烯醚 (NP-10),在加入過程中邊加邊攪拌,使各組分充分混合均勻,以上混合液配置十份,用水調(diào) 節(jié)拋光液的濃度分別達(dá)到5%、6%、8%、10%、11%、12%、13%、14%、15%以及17%,在稀 釋過程中如果產(chǎn)生泡沫,可加入少量有機(jī)硅消泡劑。使用霧化器將不同濃度的拋光液均勻 噴涂于微粉磚上,用磨頭打磨十次,用測光儀側(cè)其表面光澤度,拋光液濃度與表面光澤度的 關(guān)系如表1,由表1可見,拋光液濃度為15-17%時,表面光澤度最大,為92(60° )。
      [0023] 表1拋光液濃度與表面光澤度的關(guān)系
      [0025] 2.拋光次數(shù)優(yōu)選試驗:
      [0026] 使用霧化器將上述試驗得到濃度為15 %的拋光液均勻噴涂在瓷磚上,用磨頭打 磨,記錄打磨次數(shù)和光澤度的關(guān)系。根據(jù)表2拋光液打磨次數(shù)與表面光澤度的關(guān)系,可見當(dāng) 打磨次數(shù)為12次和14次的時候,表面光澤度均為92. 5,節(jié)約人力角度優(yōu)選打磨次數(shù)為12 次。
      [0027] 表2拋光液打磨次數(shù)與表面光澤度的關(guān)系
      [0029] 3.放置時間及濃度測量
      [0030] (1)把配制好拋光劑在溫度5-40°C放置6個月沒有沉淀或分層現(xiàn)象出現(xiàn)。
      [0031] (2)濃度測量:一般用密度計測量在溫度20-25°C時,拋光劑的濃度為15%時密度 計讀數(shù)為1.l〇g/cm3。
      [0032] 4.市場流行同類產(chǎn)品對比
      [0033] 本發(fā)明的產(chǎn)品在同等打磨次數(shù)、同等含量的情況下平均比其它產(chǎn)品的光澤度高 11-19度。而且只是同類產(chǎn)品的成本的90%左右。所以本產(chǎn)品有較高的使用和推廣價值。
      【具體實施方式】
      [0034] 實施例1
      [0035] 取100ml質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的硅溶膠,向其中依次加入0. 5ml10%的烷基苯磺酸鈉, 1. 6ml中性甲基硅酸鉀和0. 2ml壬基酷聚氧乙烯醚,100ml水,在加入過程中邊加邊攪拌, 使各組分充分混合均勻,用水調(diào)節(jié)拋光液的濃度為15%,此時,用密度計在20-25°C測量溶 液,顯示溶液密度為1.l〇g/cm3,使用霧化器將拋光液噴涂于微粉磚上,打磨12次,用測光 儀側(cè)其表面光澤度為93。
      [0036] 實施例2
      [0037] 購買十種市場上流通的同類瓷磚,用測光儀側(cè)其表面光澤度,記錄如表3 :
      [0038] 表3十種市場上流通的瓷磚的表面光澤度
      [0040] 將實施例1中的噴涂本發(fā)明的拋光液瓷磚與市場上流通的瓷磚的表面光澤度相 比,發(fā)現(xiàn)使用本發(fā)明的拋光液的瓷磚的表面光澤度明顯優(yōu)于市場上流通的瓷磚的表面光澤 度。
      [0041] 實施例3
      [0042] 將實施例1中的噴涂本發(fā)明的拋光液的瓷磚與實施例2中市場上流通的瓷磚分別 樹立于同一平面上,使瓷磚與水平面呈90°角直立,10天后,觀察瓷磚表面的灰塵量,發(fā)現(xiàn) 實施例1制得的瓷磚表面最光潔。
      【主權(quán)項】
      1. 一種納米瓷磚填孔劑,其特征在于,其為水溶液,水溶液中各組分及其質(zhì)量配比為: 硅溶膠30份;光亮劑0. 02-0. 05份;防水劑為1. 5-2份;分散劑為0. 2-0. 5份。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述光亮劑為烷基苯磺酸鈉。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述防水劑為甲基硅酸鉀或 甲基硅酸鈉。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述甲基硅酸鉀或甲基硅酸 鈉為PH7-9的中性甲基硅酸鉀或或中性甲基硅酸鈉。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述分散劑為壬基酚聚氧乙 烯醚。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述水溶液中各組分及其質(zhì) 量配比為:硅溶膠30份;光亮劑0. 05份;防水劑為1. 6份;分散劑為0. 2份。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,以硅溶膠的質(zhì)量計,水溶液的 質(zhì)量體積濃度為15%。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷磚填孔劑,其特征在于,所述水溶液中還包括有機(jī)硅 消泡劑。
      【專利摘要】本發(fā)明公開一種納米瓷磚填孔劑,其為水溶液,水溶液中各組分及其質(zhì)量配比為:硅溶膠30份;光亮劑0.02-0.05份;防水劑為1.5-2份;分散劑為0.2-0.5份。本發(fā)明的一種納米瓷磚填孔劑能夠明顯提高瓷磚光澤度,可以使瓷磚光澤度達(dá)到90以上,防污能力強(qiáng),與現(xiàn)有拋光液相比,至少降低10%的生產(chǎn)成本。
      【IPC分類】C09G1/04
      【公開號】CN104962201
      【申請?zhí)枴緾N201510312618
      【發(fā)明人】張振明, 于民
      【申請人】濟(jì)南匯川硅溶膠廠
      【公開日】2015年10月7日
      【申請日】2015年6月9日
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