換 體分離的照明裝置內(nèi)。尤其，所述一種或多種另外的發(fā)光材料包含發(fā)紅光的憐光體。術(shù)語 "另外的發(fā)光材料"尤其指具有發(fā)光性質(zhì)（即，在（受UV和藍(lán)光中的一者或多者）激發(fā)時 可發(fā)射光）的無機(jī)材料。所述另外的發(fā)光材料可特別地配置為發(fā)射至少紅光，但不排除其 它波長，如（還）發(fā)射黃光、綠光等。術(shù)語"另外的發(fā)光材料"尤其指具有發(fā)光性質(zhì)（即，在 (受UV和藍(lán)光中的一者或多者）激發(fā)時可發(fā)射光）的無機(jī)材料。然而，在其它實(shí)施方案中， 所述另外的發(fā)光材料包含（不同于根據(jù)式I的有機(jī)發(fā)光材料的）有機(jī)發(fā)光材料。
[0060] 因此，如上文所指出的另外的發(fā)光材料可特別地配置為提供紅光（和任選地其它 光）。因此，所述另外的發(fā)光材料可尤其配置為將至少光源的光的一部分轉(zhuǎn)換為至少紅光。 所述另外的發(fā)光材料，尤其是（配置為提供紅光的）另外的發(fā)光材料，可由光轉(zhuǎn)換體、尤其 是基質(zhì)包含，但也可在光轉(zhuǎn)換體外部，如光轉(zhuǎn)換體上的涂層。
[0061] 所述另外的發(fā)光材料可包含量子點(diǎn)（QD)。在其它窄帶發(fā)射體中，量子點(diǎn)高度適合 于此目的。量子點(diǎn)為半導(dǎo)體材料的小晶體，寬度或直徑通常僅數(shù)納米。當(dāng)被入射光激發(fā)時， 量子點(diǎn)發(fā)射由晶體的尺寸和材料確定的顏色的光。因此通過改變點(diǎn)的尺寸可產(chǎn)生特定顏色 的光。運(yùn)意味著，通過使用量子點(diǎn)，可獲得任何光譜，因?yàn)樗鼈優(yōu)檎瓗Оl(fā)射體。
[0062] 具有可見光范圍中的發(fā)射的大多數(shù)已知量子點(diǎn)是基于砸化儒（CdSe)，其具有殼如 硫化儒（Cd巧和硫化鋒狂nS)。也可使用無儒量子點(diǎn)如憐化銅（In巧和硫化銅銅（化InSz) 和/或硫化銀銅（AgInSz)。量子點(diǎn)顯示出非常窄的發(fā)射帶，且因此它們顯示出飽和色。此 夕F，通過改變量子點(diǎn)的尺寸，可容易地調(diào)節(jié)發(fā)射顏色。
[0063] 在本文中表示為光轉(zhuǎn)換體納米顆粒的量子點(diǎn)或發(fā)光納米顆?？衫绨琁I-VI 族化合物半導(dǎo)體量子點(diǎn)，其選自CdS、CdSe、CdTe、化S、化Se、ZnTe、HgS、HgSe、化Te、CdSeS、 CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CMHgS、 C地gSe、C地gTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、C地gSeS、C地gSeTe、 C地拆Te、化化SeS、化化SeTe和化化STe。在另一個實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆?？衫鐬?III-V族化合物半導(dǎo)體量子點(diǎn)，其選自GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、 GaNAs、GaPAs、A1NP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、 GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs。在又一個實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆?？衫?如為I-III-VI2 黃銅礦型半導(dǎo)體量子點(diǎn)，其選自CuInSz、CuInSez、CuGaSz、CuGaSez、AgInSz、AgInSe2、AgGaS2和AgGaSez。在又一個實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆?？衫鐬镮-V-VI2半導(dǎo)體 量子點(diǎn)，例如選自LiAsSe2、NaAsSe2和KAsSez。在又一個實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆?？衫?為IV-VI族化合物半導(dǎo)體納米晶體如SbTe。在特定的實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆粒選自InP、 QilnSz、化InSe2、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS2和AgInSe2。在又一個實(shí)施方案中，發(fā)光納米顆 ?？衫鐬镮I-VI、III-V、I-III-V和IV-VI族化合物半導(dǎo)體納米晶體之一，其選自具有內(nèi) 滲雜劑的上述材料，如化Se:Mn、ZnS:Mn。滲雜元素可選自Mn、Ag、化、Eu、S、P、化、Ce、化、 Au、Pb、化、Sb、Sn和T1。在本文中，基于發(fā)光納米顆粒的發(fā)光材料也可包含不同類型的QD， 如CdSe和化Se:Mn。
[0064] 看起來尤其有利的是使用II-VI量子點(diǎn)。因此，在一個實(shí)施方案中，基于半導(dǎo)體的 發(fā)光量子點(diǎn)包含II-VI量子點(diǎn)，尤其選自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSeJnTe、^S、^Se、HgTe、 CdSeS、CdSeTe、CdSTeJnSeSJnSeTe、ZnSTe、^SeS、^SeTe、HgSTe、CdaiS、CdaiSe、CdZnTe、 C地拆、C地拆e、C地巧e、Hg&iS、H拉nSe、H拉nTe、C監(jiān)nSeS、CdZnSeTe、C監(jiān)nSTe、C地拆eS、 C地拆eTe、C地拆Te、HgaiSeS、HgaiSeTe和HgaiSTe，甚至更尤其選自CdS、CdSe、CdSe/CdS 和CdSe/CdS/ZnS。
[0065] 在一個實(shí)施方案中，應(yīng)用無Cd的QD。在特定的實(shí)施方案中，光轉(zhuǎn)換體納米顆粒包 含III-VQD，更具體而言基于InP的量子點(diǎn)，如核-殼型InP-化SQD。注意，術(shù)語"InP量 子點(diǎn)"或"基于InP的量子點(diǎn)"W及類似的術(shù)語可指"裸露的"InPQD，但也可指在InP核上 有殼的核-殼InPQD，如核-殼型InP-化SQD，像InP-化SQD棒形量子點(diǎn)。
[0066] 典型的量子點(diǎn)由二元合金如砸化儒、硫化儒、神化銅和憐化銅制成。然而，量子點(diǎn) 也可由=元合金如硫化砸化儒制成。運(yùn)些量子點(diǎn)可在量子點(diǎn)體積內(nèi)含少至100到100,000 個原子，直徑為10至50個原子。運(yùn)對應(yīng)于約2至10納米。例如，可提供直徑為約3nm的 球形顆粒如CdSe、InP或化InSez。發(fā)光納米顆粒（無涂層）可具有球形、立方形、棒、絲、 盤、多針狀（multi-pod)等形狀，在一個維度上的尺寸小于lOnm。例如，可提供長20nm、直 徑4nm的CdSe納米棒。因此，在一個實(shí)施方案中，基于半導(dǎo)體的發(fā)光量子點(diǎn)包含核-殼型 量子點(diǎn)。在又一個實(shí)施方案中，基于半導(dǎo)體的發(fā)光量子點(diǎn)包含棒形量子點(diǎn)納米顆粒。也可 采用不同類型的顆粒的組合。例如，可采用核-殼顆粒和棒形量子點(diǎn)和/或可采用前面提 到的納米顆粒中的兩者或更多者的組合，如CdS和CdSe。運(yùn)里，術(shù)語"不同類型"可指不同 的幾何形狀W及不同的半導(dǎo)體發(fā)光材料類型。因此，也可采用（上面示出的）量子點(diǎn)或發(fā) 光納米顆粒中兩者或更多者的組合。
[0067] 制備半導(dǎo)體納米晶體的方法的一個實(shí)例（如來自W02011/031871)為膠體生長方 法。
[0068] 在一個實(shí)施方案中，納米顆?？砂雽?dǎo)體納米晶體，其包括含有第一半導(dǎo)體材 料的核和含有第二半導(dǎo)體材料的殼，其中所述殼設(shè)置在所述核的至少一部分表面上。包括 核和殼的半導(dǎo)體納米晶體也被稱為"核/殼"半導(dǎo)體納米晶體。
[0069] 例如，半導(dǎo)體納米晶體可包括具有式MX的核，其中M可為儒、鋒、儀、隸、侶、嫁、銅、 巧或它們的混合物，且X可為氧、硫、砸、蹄、氮、憐、神、錬或它們的混合物。適合用作半導(dǎo)體 納米晶體核的材料的實(shí)例包括，但不限于化0、化S、化Se、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、 MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、Ga訊、HgO、H拆、H拆e、HgTe、InAs、InN、InP、In訊、AlAs、AIN、 AlP、AlSb、TIN、TIP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、包含任何前述的合金和 / 或 包含任何前述的混合物，包括=元和四元混合物或合金。
[0070] 殼可為組成與核的組成相同或不同的半導(dǎo)體材料。殼包含核半導(dǎo)體納米晶體的表 面上半導(dǎo)體材料的外涂層，可包括IV族元素、II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化 合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V 族化合物、包含任何前述的合金和/或包含任何前述的混合物，包括=元和四元混合物或 合金。實(shí)例包括但不限于化0、化S、aiSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、 GaP、GaSe、Ga訊、HgO、H拆、H拆e、HgTe、InAs、InN、InP、In訊、AlAs、AIN、AlP、AlSb、TIN、 TIP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、包含任何前述的合金和/或包含任何前述的 混合物。例如，可在CdSe或CdTe半導(dǎo)體納米晶體上生長化S、化Se或CdS外涂層。
[0071] 半導(dǎo)體納米晶體（核）殼材料的實(shí)例包括，但不限于：紅（例如，（CdSe)化S(核） 殼）、綠（例如，（C監(jiān)nSe)CdZnS(核）殼等）和藍(lán)（例如，（Cd巧C監(jiān)nS(核）殼）（對于基于 半導(dǎo)體的特定光轉(zhuǎn)換體納米顆粒的實(shí)例，還進(jìn)一步參見上文）。
[0072] 因此，在特定的實(shí)施方案中，光轉(zhuǎn)換體納米顆粒選自核-殼納米顆粒，所述核和 殼包含CdS、CdSe、CdTe、化S、化Se、ZnTe、HgS、HgSe、化Te、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、 ZnSeTe、化STe、HgSeS、H拆eTe、HgSTe、C監(jiān)nS、CdZnSe、CdZnTe、C地拆、C地gSe、C地巧e、 HgZnS、H拉nSe、H拉nTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、C地gSeS、C地gSeTe、C地gSTe、 Hg化SeS、Hg化SeTe、H拉nSTe、GaN、GaP、GaAs、AIN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、 GaPAs、AINP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、 GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs中的一者或多者。
[0073] -般來說，核和殼包含同類的材料，但基本上由不同的材料組成，像圍繞CdSe核 的化S殼，等。
[0074] 另外地或替代地，另外的發(fā)光材料可還包括其它的發(fā)光材料，如選自含二價館 的氮化物發(fā)光材料或含二價館的氧氮化物發(fā)光材料中的一者或多者，如選自度曰，Sr,Ca) 8:化、曲邑，8'，0曰)^51噸:611和度曰，8'，0曰)2515成:611中的一種或多種材料。在運(yùn)些化合物 中，館巧U)基本上是二價或僅是二價的，并替代所示的二價陽離子中的一者或多者。一般 來說，EuW不大于陽離子的10%的量存在，尤其是相對于其替代的陽離子在約0. 5-10%的 范圍內(nèi)，更尤其在約0. 5-5%的范圍內(nèi)。術(shù)語"：化"或"：化2+"指示部分金屬離子被化所 替代（在運(yùn)些實(shí)例中，被化2+替代）。例如，假定CaAlSiNs:化中含2%的化，則正確的式可 為（Cae.gsE^jAlSiNs。二價館將通常替代二價陽離子，如上面的二價堿±金屬陽離子，尤 其是化、Sr或Ba。材料度a,Sr,Ca)S:化也可表示為Ms:Eu，其中M為選自領(lǐng)度a)、鎖（Sr) 和巧（Ca)的一種或多種元素；尤其是，在此化合物中，M包括巧或者鎖或者巧和鎖，更尤其 是巧。運(yùn)里，化被引入并替代至少一部分M(即，Ba、Sr和化中的一者或多者）。此外，材 料度a，Sr，Ca)2Si5Ns:化也可表示為MsSisNsiEu，其中M為選自領(lǐng)度曰）、鎖（Sr)和巧（Ca)的 一種或多種元素；尤其是，在此化合物中，M包括Sr和/或Ba。在又一個特定的實(shí)施方案 中，M由Sr和/或Ba組成（不考慮化的存在），尤其是50-100 % (尤其50-90 % )的Ba 和 50-0% (尤其 50-10%)的Sr，如Bai.sSro.sSisNsiEu(即，75% 的Ba;25% 的Sr)。運(yùn)里， 化被引入并替代至少一部分M(即Ba、Sr和化中的一者或多者）。同樣，材料度曰，Sr,Ca) AlSiNs:化也可表示為MlSiN3:Eu，其中M為選自領(lǐng)度a)、鎖（Sr)和巧（Ca)的一種或多種 元素；尤其是，在此化合物中，M包括巧或者鎖或者巧和鎖，更尤其是巧。運(yùn)里，化被引入 并替代至少一部分M(即，Ba、Sr和化中的一者或多者）。優(yōu)選地，在一個實(shí)施方案中，所 述另外的發(fā)光材料包含（Ca，Sr, Mg) AlSiNs: Eu，優(yōu)選地CaAlSiNs: Eu。此外，在可與前述實(shí) 施方案組合的另一個實(shí)施方案中，所述另外的發(fā)光材料包含（Ca，Sr，Ba)2Si5Ns:Eu，優(yōu)選地 (Sr，Ba)2Si5Ns:Eu。術(shù)語"（Ca，Sr，Ba)"表示相應(yīng)的陽離子可被巧、鎖或領(lǐng)占據(jù)。其還表示 在運(yùn)樣的材料中相應(yīng)的陽離子位點(diǎn)可被選自巧、鎖和領(lǐng)的陽離子占據(jù)。因此，材料可例如包 含巧和鎖，或僅鎖，等。
[0075] 所述另外的發(fā)光材料可還包含一種或多種選自含=價姉的石惱石（參見上文）和 含立價姉的含氧氮化物（oxonitride)的發(fā)光材料。含氧氮化物材料在本領(lǐng)域中也常被表 示為氮氧化物（oxynitride)材料。
[0076] 因此，在一個實(shí)施方案中，另外的發(fā)光材料配置為提供至少紅光，有機(jī)發(fā)光材料配 置為提供至少綠光和/或黃光，且尤其光源配置為提供藍(lán)光。如所示的，另外的發(fā)光材料包 含基于量子點(diǎn)的發(fā)光材料。
[0077] 因此，在一個實(shí)施方案中，光源配置為提供藍(lán)光，照明裝置還包含配置為提供紅 光的另外的發(fā)光材料，其中所述另外的發(fā)光材料包含選自度曰，Sr, Ca)S:化、（Mg, Sr, Ca) AlSiNs:化和度a, Sr, Ca)2SisNs:化的發(fā)光材料（和任選地基于量子點(diǎn)的發(fā)光材料（也參見 上文））（和任選地有機(jī)紅色發(fā)光材料（也參見下文））。替代地或另外地，另外的發(fā)光